JPH043130B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH043130B2
JPH043130B2 JP56184052A JP18405281A JPH043130B2 JP H043130 B2 JPH043130 B2 JP H043130B2 JP 56184052 A JP56184052 A JP 56184052A JP 18405281 A JP18405281 A JP 18405281A JP H043130 B2 JPH043130 B2 JP H043130B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
circuit
switching
base
inductive load
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP56184052A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5885631A (ja
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP56184052A priority Critical patent/JPS5885631A/ja
Publication of JPS5885631A publication Critical patent/JPS5885631A/ja
Publication of JPH043130B2 publication Critical patent/JPH043130B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/04Modifications for accelerating switching

Landscapes

  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、誘導性負荷をオンオフ駆動するスイ
ツチング回路、特にバイポーラトランジスタ素子
を用いたスイツチング回路に関する。
誘導負荷をオンオフ駆動するためのスイツチン
グ回路には、バイポーラトランジスタ素子をスイ
ツチング素子として用いるものがあり、第1図は
その基本的回路を示している。リレー若しくはモ
ータ等の誘導性負荷1をトランジスタQ1により
オンオフ駆動する回路例であり、第2図aに示す
如く時刻t1乃至t3の期間駆動パルスがトランジス
タQ1のベースへ印加されたとする。その間トラ
ンジスタQ1はオンとなり飽和状態となる。時刻t3
において駆動パレスが消失しても、周知の如くバ
イポーラ素子におけるベース蓄積キヤリヤのため
にトランジスタQ1のオンからオフへの遷移が著
く遅延する。その結果、第2図bに示すようにト
ランジスタQ1のVCE(コレクタ・エミツタ間電圧)
及びIC(コレクタ電流)は変化し、トランジスタ
Q1におけるコレクタ損失PCは同図Cのように変
化する。尚、t1〜t2の期間はトランジスタQ1のデ
イレイタイム、ライズタイムによる遅れを示し、
t3〜t4の期間及びt4〜t5の期間はそれぞれベース
蓄積効果によるストレージタイム及びフオールタ
イムによる遅れを示している。
この図Cから判るようにトランジスタのストレ
ージタイムに起因するコレクタ損失PCが著しく
増大し、オンオフを頻繁に繰返す場合にはトラン
ジスタによる損失が無視できないばかりか、トラ
ンジスタの発熱を招来してその放熱をも考慮しな
ければならない。
そこで、トランジスタQ1のベース・エミツタ
間に低抵抗R1を設けてベース蓄積キヤリヤを放
電しやすくする方法があるが、それだけトランジ
スタのベース駆動力を大とする必要があり好まし
くない。
第3図は、スイツチングされるべき負荷1とし
て、チヨークインプツト型の整流平滑回路を用い
た場合の例であり、L1及びC1が平滑用コイル及
びコンデンサを示し、Dがフライホイールダイオ
ードである。そして、この直流平滑出力VDが音
響機器における電力増幅器(RLとして示されて
いる)の電源等として用いられるもである。その
ために、当該電力増幅器の増幅出力レベルに応じ
たパルス幅を有するPWM信号2によりスイツチ
ングトランジスタQ1をオンオフせしめ直流電圧
+VCをチヨツパーするいわゆるチヨツパー型の
PWM電源の場合である。こうすることにより、
電力増幅器の出力信号レベルに応じた電圧レベル
を有する直流電圧VDが発生され、これが電力増
幅器の電圧源として用いられることにより、電力
増幅用トランジスタのPCを減少せしてめ高効率
のパワーアンプが実現されるものである。
しかしながら、この回路においても第1,2図
で述べたと同様にスイツチング素子Q1によるPC
が無視できず、そのために抵抗R1を小としても
その分PWM駆動源2の駆動能力を増大させなけ
ればならないものである。
本発明の目的は極めて簡単な構成でかつ効果的
にスイツチングトランジスタのオフ遷移動作を向
上せしめた低損失のスイツチング回路を提供する
ことである。
本発明によるスイツチング回路は、誘導性負荷
の両端間にコンデンサと抵抗とからなる直列回路
を接続し、これらコンデンサと抵抗の接続点より
当該誘導性負荷の両端間電圧における微分出力信
号を導出し、この微分出力信号によつてスイツチ
ングトランジスタのベース・エミツタ間短絡用ト
ランジスタをオンオフ駆動するようにしたもので
ある。
以下に図面によつて本発明を説明する。
第4図は本発明の実施例の回路図であり、第1
図と同等部分は同一符号により示されている。負
荷1の端子電圧bの変化を検出すべく、負荷1の
端子(トランジスタQ1のコレクタ出力端子)と
基準電源との間にコンデンサC2及び抵抗R3より
なる微分回路が設けられている。コンデンサC2
と抵抗R3との接続点における微分波形cが抵抗
R4及びコンデンサC3を介してトランジスタQ2
ベース入力dとなつている。このトランジスタ
Q2はスイツチングトランジスタQ1のベース・エ
ミツタ間を短絡するように設けられている。尚、
抵抗R5は短絡用トランジスタQ2のベース蓄積電
荷を放電するためのものであつて低抵抗とされ
る。
第5図は第4図の回路の動作波形図であり、a
〜dは第4図の回路の各部信号a〜2の波形を
夫々示している。トランジスタQ1のベースに期
間t1〜t3の間駆動パルスaが印加された場合、ス
イツチングトランジスタQ1はオンとなるがオフ
からオン遷移時には従来の回路と同様な動作をな
す。この時、微分回路の微分波形cは負レベルで
あるから短絡用トランジスタQ2はオフのまゝで
ある。
時刻t3にて駆動パルスaが消失すると、負荷端
子電圧bは低レベルから高レベルへ上昇し始め
る。従つて、微分出力cは高レベルへ変化する。
これがトランジスタQ2のベース駆動入力となつ
ているから、トランジスタQ2は時刻t4にてオンと
なりそのベース波形はdのようにVBE2(トランジ
スタQ2のベース・エミツタ間電圧)にクランプ
される。同時にトランジスタQ1のベース蓄積電
荷がこのオン状態のトランジスタQ2を介して瞬
時に放電されるからいわゆるストレージタイムは
従来に比し大幅に改善される。第5図eにスイツ
チングトランジスタQ1のVCE及びICの変化の状態
を示し、fにPCを示している。すなわち、第1
図の従来例に比し、スイツチング特性が良好とな
ると共にトランジスタによるコレクタ損失も小と
なり発熱の問題も解決される。
また、微分出力信号を得るための手段を当該誘
導性負荷の両端間に接続されたインピーダンス素
子、すなわちC2及びR3の直列回路によつて実現
されているので、誘導性負荷1のターンオフの際
に生ずる残留電流を打消すことができ、該負荷の
制動特性が向上し、スイツチング特性においてさ
らに良好な回路を提供することがでる。
第6図は本発明の他の実施例の回路図であり、
第3図及び第4図と同等部分は同一符号により示
されている。すなわち、本例においてはチヨツパ
ー型のPWM電源回路に本発明を適用した場合が
示されている。この例、でも、短絡用トランジス
タQ2が、トランジスタQ1のオフ時に導通するか
ら、トランジスタQ1のオフ動作が早急になされ
て、スイツチング素子Q1のPCを著しく小とする
ことができる。従つて、高効率電力増幅器の電源
回路に用いて好適となるが、これに限定されるも
のではない。
上述の如く、本発明によれば、コンデンサ及び
抵抗による直列回路を誘導性負荷に並列接続し、
上記コンデンサと抵抗の接続点より微分出力信号
を導出し、この微分出力信号によつてスイツチン
グトランジスタのベース・エミツタ間短絡用トラ
ンジスタをオンオフ駆動せしめているので、当該
スイツチングトランジスタのベース蓄積キヤリヤ
を適時放電することができ、極めて簡単な構成で
かつ効果的にスイツチング特性の優れた低損失の
スイツチング回路を提供できるとともに、当該誘
導性負荷に対し、制動特性の良好なスイツチング
動作を奏しえる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のスイツチング回路の一例を示す
回路図、第2図は第1図の回路の特性を示す図、
第3図は従来のスイツチング回路の他の例を示す
回路図、第4図は本発明の一実施例の回路図、第
5図は第4図の回路の各部動作波形図、第6図は
本発明の他の実施例の回路図である。 主要部分の符号の説明、1……誘導性負荷、
Q1……スイツチングトランジスタ、Q2……短絡
用トランジスタ、C2……微分用コンデンサ、R3
……微分用抵抗。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 誘導性負荷をオンオフ駆動するスイツチング
    回路であつて、前記誘導性負荷に供給する電流を
    オンオフ制御するためのスイツチングトランジス
    タと、コンデンサと抵抗との直列回路を前記誘導
    性負荷の両端間に接続し前記コンデンサと前記抵
    抗との接続点から前記誘導性負荷の両端間電圧の
    微分出力信号を導出する手段と、前記スイツチン
    グトランジスタがオンからオフへ遷移するときに
    おける前記微分出力信号によつてオン駆動され前
    記スイツチングトランジスタのベース・エミツタ
    間を短絡する如く設けられた短絡用トランジスタ
    とを含むことを特徴とするスイツチング回路。
JP56184052A 1981-11-17 1981-11-17 スイツチング回路 Granted JPS5885631A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56184052A JPS5885631A (ja) 1981-11-17 1981-11-17 スイツチング回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56184052A JPS5885631A (ja) 1981-11-17 1981-11-17 スイツチング回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5885631A JPS5885631A (ja) 1983-05-23
JPH043130B2 true JPH043130B2 (ja) 1992-01-22

Family

ID=16146527

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56184052A Granted JPS5885631A (ja) 1981-11-17 1981-11-17 スイツチング回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5885631A (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6059629U (ja) * 1983-09-29 1985-04-25 東芝ライテック株式会社 スイッチング用トランジスタ回路
JPH01296813A (ja) * 1988-05-25 1989-11-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd スイッチング電源装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5634230A (en) * 1979-08-29 1981-04-06 Fujitsu Ltd Logical operation circuit

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5634230A (en) * 1979-08-29 1981-04-06 Fujitsu Ltd Logical operation circuit

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5885631A (ja) 1983-05-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4359649A (en) Monolithically integrable squarewave pulse generator
GB2080651A (en) Voltage controlled non-saturating semiconductor switch and voltage converter circuits employing same
CA1160279A (en) Control of rising and falling times of the drive signal of a brushless dc motor
US4514679A (en) Secondary switch controller circuit for power supply
EP0921624A1 (en) Device for driving self arc-extinguishing type power element
JPH043130B2 (ja)
EP0896757A1 (en) Device including a thermally protected switching transistor
US4588904A (en) High efficiency bias circuit for high frequency inductively loaded power switching transistor
JP2638625B2 (ja) Mos−fetゲート駆動回路
US4527104A (en) Speed control apparatus for d.c. motor
US4115725A (en) Horizontal deflection circuit
JPS6233837B2 (ja)
JPS6151406B2 (ja)
JP2522386B2 (ja) トランジスタのベ―ス駆動回路
JP3273744B2 (ja) スイッチング素子駆動回路
JP2564054Y2 (ja) スイッチング電源
JP2854010B2 (ja) 半導体スイッチ回路
JPH03876Y2 (ja)
JP3008029U (ja) ターンオフタイム改善回路
JPH0619325Y2 (ja) スイッチング電源回路
JP2863614B2 (ja) スイッチング電源回路
JPH065985B2 (ja) スイツチング駆動回路
JP2000022513A (ja) 半導体スイッチ素子のゲート駆動回路
JPS6127111Y2 (ja)
JPH0416504Y2 (ja)