JPH04307945A - Semiconductor tape carrier package - Google Patents
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Landscapes
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Abstract
Description
【０００１】0001
【産業上の利用分野】本発明はフィルムキャリア（以下
、ＴＣＰ：Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ
と略記） を用いた半導体装置の実装装置に関する。[Industrial Application Field] The present invention relates to a film carrier (hereinafter referred to as TCP: Tape Carrier Package).
(abbreviated as )).
【０００２】0002
【従来の技術】従来のＴＣＰに関する放熱ではＴＣＰを
、直接、放熱器と接触させる方法によるものが特開平１
−５９８４１号及び特開平１−５９８４２号公報に記載
されている。[Prior Art] Conventional heat radiation for TCP is based on a method in which the TCP is brought into direct contact with a heat sink.
-59841 and JP-A-1-59842.
【０００３】0003
【発明が解決しようとする課題】製品全体の小形化、軽
量化が進むにつれて基板に実装される部品も小形・軽量
化してきている。高密度実装では薄さを最大の利点とす
るＴＣＰ方式の半導体装置を用いることが増えてきてい
る。しかし、ＴＣＰ方式の半導体装置はフィルムキャリ
アの素材が有機化合物であるため、熱伝導率が低く放熱
に対しては、金属性リードを電極及びフレームとして用
いるプラスチックモールド部品に比較して劣っていた。[Problems to be Solved by the Invention] As the overall size of products becomes smaller and lighter, the parts mounted on the substrates are also becoming smaller and lighter. In high-density packaging, TCP type semiconductor devices, whose greatest advantage is thinness, are increasingly being used. However, since the film carrier of the TCP type semiconductor device is made of an organic compound, it has low thermal conductivity and is inferior to plastic molded parts that use metal leads as electrodes and frames in terms of heat dissipation.
【０００４】本発明の目的は、従来のキャリアテープで
の配線パターンの金属層に加え、配線パターンとの干渉
を避け、少なくとも一層の金属層を設け、この金属層に
よりキャリアテープ部分の熱伝導率の向上を図り、更に
、フィン状の成形加工、放熱を目的とした基板との接続
部分形成等の加工を加えることで放熱効率を向上させる
ことにある。An object of the present invention is to provide at least one metal layer in addition to the metal layer of the wiring pattern in the conventional carrier tape to avoid interference with the wiring pattern, and to improve the thermal conductivity of the carrier tape portion by this metal layer. The objective is to improve heat dissipation efficiency by adding processing such as fin-shaped molding and forming a connection part with a substrate for heat dissipation.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明はＴＣＰキャリアテープ上配線パターンの存
在する面とは別の面に少なくとも一層の放熱用の銅箔パ
ターンを設け、更に、キャリアテープ上の加工により放
熱部分を設けた。[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the present invention provides at least one layer of copper foil pattern for heat dissipation on a surface different from the surface on which the wiring pattern is present on the TCP carrier tape, and further, A heat dissipation part was provided by processing the carrier tape.
【０００６】[0006]
【作用】配線パターンとの干渉を避けて少なくとも一層
の金属層を設けることで、半導体チップで発生した熱が
ポッティングレジン、および電極部分を経てこのキャリ
アテープに設けた金属層より基板及び雰囲気へ効率良く
放熱される。[Function] By providing at least one metal layer while avoiding interference with the wiring pattern, heat generated in the semiconductor chip is efficiently transferred to the substrate and atmosphere via the potting resin and the electrode portion through the metal layer provided on the carrier tape. Heat is dissipated well.
【０００７】従来の構造でもキャリアテープヘの熱伝導
は効率良く行なわれる。しかし、ポリイミド系の有機化
合物を材料とするため、熱伝導率が小さく、配線パター
ン部分の銅箔の熱伝導に対する寄与も少ないため基板へ
の放熱、大気への放熱は期待できなかった。熱伝導の促
進を目的とする金属層を設けることで、キャリアテープ
の熱伝導率を改善することができ、大消費電力の半導体
チップを搭載した場合でも、半導体チップの動作時の温
度上昇を抑えることが可能となる。さらに、この金属層
はキャリアテープにたいしてソルダーレジストなどを塗
布する際にその硬化収縮によって引き起こされる変形を
防止及び抑制する効果もある。Even in the conventional structure, heat conduction to the carrier tape is carried out efficiently. However, since it is made of a polyimide-based organic compound, its thermal conductivity is low, and the copper foil in the wiring pattern part makes little contribution to heat conduction, so it was not expected to radiate heat to the board or to the atmosphere. By providing a metal layer for the purpose of promoting heat conduction, it is possible to improve the thermal conductivity of the carrier tape, suppressing the temperature rise during operation of the semiconductor chip even when mounted with a semiconductor chip that consumes a large amount of power. becomes possible. Furthermore, this metal layer also has the effect of preventing and suppressing deformation caused by curing shrinkage when a solder resist or the like is applied to the carrier tape.
【０００８】[0008]
【実施例】〈実施例１〉図１に示すＴＣＰのキャリアテ
ープの形成では従来からあるポリイミド系ベースフィル
ムと、配線パターンの接合に用いられてきた方法を利用
することにより形成出来る。Embodiments Embodiment 1 The TCP carrier tape shown in FIG. 1 can be formed by utilizing the conventional method used for bonding a polyimide base film and a wiring pattern.
【０００９】図２によりキャリアテープの形成方法を示
す。ベースフィルム１上で基板に対しての放熱部分とな
る金属層の位置に孔あけ加工を施しておく。つぎに熱伝
導率を向上させるための金属層２を接着又はメタライズ
により形成する。この時、初めに３５μｍ程度の銅箔を
用いて、配線パターンとの干渉を防止する形状にエッチ
ング加工しておき、その後、金属層の厚さを増すためで
メタライズ加工を施し全体としての銅箔厚さを百μｍ程
度に増加させることもできる。金属層を厚くすることに
より熱伝導率のさらなる向上とキャリアテープの補強効
果を増すことが可能となる。この後、孔明け加工により
、スプロケットホール３、デバイスホール４を形成する
。デバイスホール４に当る部分の孔明け加工では、ベー
スフィルム１の孔明け加工の際に銅箔層とベースフィル
ム１の剥離の可能性があるが、それを防ぐには、孔明け
加工の前に、３５μｍの銅箔に対して、エッチング加工
を施しデバイスホール４にあたる部分を成形しておき、
その後、デバイスホール、スプロケットホール部分を金
属層との間に余裕を持たせた形で孔あけ加工を行なう方
法を用いる。金属層の厚さを増すには、その後メタライ
ズによる処理を行なうことになる。次に、配線パターン
となる銅箔層５を熱伝導率を増すための金属層と干渉を
避けた形で設ける。配線パタ−ンとなる銅箔層５は従来
用いられてきた方法で所定の形状にエッチングを施す。
尚、この時、放熱を目的とする金属層にはエッチング防
止処理を施しておく。放熱のための金属層２は、図３に
示すように、デバイスホール４の周辺部分、半導体チッ
プ６が配置される位置の極めて近くまで金属層を残した
パターンとしておく。半導体チップ６を、Ａｕメタライ
ズ等により半導体チップ６上に設けられたバンプと呼ば
れる電極部と配線パターンの熱圧着によって接続し、さ
らにこの電気的接合部分の保護のためレジン７をポッテ
ィングする。ポッティングではキャリアテープの熱伝達
率を増すための金属層と半導体チップの間にレジン７が
充分に行き渡るようにする。FIG. 2 shows a method of forming a carrier tape. A hole is pre-drilled on the base film 1 at a position in the metal layer that will serve as a heat dissipation portion for the substrate. Next, a metal layer 2 for improving thermal conductivity is formed by adhesion or metallization. At this time, copper foil of about 35 μm is first etched into a shape that prevents interference with the wiring pattern, and then metallized to increase the thickness of the metal layer, making the copper foil as a whole. The thickness can also be increased to about 100 μm. By increasing the thickness of the metal layer, it is possible to further improve thermal conductivity and increase the reinforcing effect of the carrier tape. Thereafter, sprocket holes 3 and device holes 4 are formed by drilling. When drilling the parts corresponding to device holes 4, there is a possibility that the copper foil layer and base film 1 will peel off when drilling holes in the base film 1. To prevent this, it is necessary to , 35 μm copper foil is etched to form the part corresponding to the device hole 4,
Thereafter, a method is used in which holes are made in such a manner that there is a margin between the device hole and sprocket hole portions and the metal layer. To increase the thickness of the metal layer, a subsequent metallization process is performed. Next, a copper foil layer 5 serving as a wiring pattern is provided in a manner that avoids interference with the metal layer for increasing thermal conductivity. The copper foil layer 5, which will become the wiring pattern, is etched into a predetermined shape using a conventional method. At this time, the metal layer for the purpose of heat dissipation is subjected to etching prevention treatment. As shown in FIG. 3, the metal layer 2 for heat dissipation has a pattern in which the metal layer is left in the vicinity of the device hole 4 and extremely close to the position where the semiconductor chip 6 is placed. The semiconductor chip 6 is connected to an electrode part called a bump provided on the semiconductor chip 6 using Au metallization or the like by thermocompression bonding of a wiring pattern, and then resin 7 is potted to protect this electrically connected part. In potting, the resin 7 is made to spread sufficiently between the metal layer and the semiconductor chip for increasing the heat transfer coefficient of the carrier tape.
【００１０】例えば、このときのレジン７には熱伝導率
を向上させる目的のＳｉ等のフィラーを混入しておくこ
とで半導体チップに生じた熱を更に効率良く熱伝導用金
属層に伝導することが出来る。For example, the resin 7 at this time may be mixed with a filler such as Si for the purpose of improving thermal conductivity, so that the heat generated in the semiconductor chip can be conducted to the heat conductive metal layer more efficiently. I can do it.
【００１１】半導体チップ６に生じた熱の伝導経路は、
以下のようになる。すなわち、半導体チップに生じた熱
は半導体チップ周辺のポッティングレジン７によりデバ
イスホール部分の周辺にある熱伝導用金属層２に伝導す
る。続いてこの金属層を伝導し、ＴＡＢ方式半導体装置
が実装される基板または大気中へと伝えられる。従来の
キャリアテープでは、その材料が熱伝導率の低いポリイ
ミド系の有機化合物のため、半導体チップで発生した熱
を効率良く搭載基板に伝えることが出来なかった。しか
し、金属層を設けるとこの点が大幅に改善され、大消費
電力の半導体チップがＴＣＰに組み入れられる場合に、
またそのような大消費電力の半導体チップの組み込まれ
たＴＣＰが、直接、基板上に搭載される場合に、動作時
の熱による半導体チップの温度上昇を抑えることができ
る。The conduction path of heat generated in the semiconductor chip 6 is as follows:
It will look like this: That is, the heat generated in the semiconductor chip is conducted by the potting resin 7 around the semiconductor chip to the heat conductive metal layer 2 around the device hole portion. The light is then conducted through this metal layer and transmitted to the substrate on which the TAB type semiconductor device is mounted or to the atmosphere. Conventional carrier tapes are made of polyimide-based organic compounds with low thermal conductivity, so they cannot efficiently transfer the heat generated by semiconductor chips to the mounting substrate. However, providing a metal layer greatly improves this point, and when a semiconductor chip with high power consumption is incorporated into a TCP,
Furthermore, when a TCP incorporating such a large power consumption semiconductor chip is directly mounted on a substrate, it is possible to suppress the temperature rise of the semiconductor chip due to heat during operation.
【００１２】ＴＣＰを、直接、基板に搭載する際、キャ
リアテープ１上の熱伝導を促進する金属層２を基板８上
の放熱を目的とし、電気的接続のパターンとは別に設け
られたパターンに図４のようにはんだ等のソルダにより
接続されるものとすれば半導体チップから、基板への熱
伝導が促進される。キャリアテープ１上の熱伝導を促進
する金属層を伝わってきた熱は基板上の放熱用パターン
９とスルーホールを通して基板に伝導される。さらに金
属コア基板の様な熱伝導率の高い基板を用い、金属コア
１０の部分に放熱金属層が、パターンによって接続され
る図４に示すような構造にすると、雰囲気に対して有効
な放熱面積が確保でき、ＴＣＰからの放熱がさらに促進
される。When mounting the TCP directly on a substrate, the metal layer 2 on the carrier tape 1 that promotes heat conduction is placed on a pattern provided separately from the electrical connection pattern for the purpose of heat dissipation on the substrate 8. If the semiconductor chips are connected by solder or the like as shown in FIG. 4, heat conduction from the semiconductor chip to the substrate will be promoted. The heat transmitted through the metal layer promoting heat conduction on the carrier tape 1 is conducted to the substrate through the heat dissipation pattern 9 and through holes on the substrate. Furthermore, if a substrate with high thermal conductivity such as a metal core substrate is used, and a heat dissipation metal layer is connected to the metal core 10 by a pattern as shown in FIG. can be ensured, and heat dissipation from the TCP is further promoted.
【００１３】このとき金属層の厚さを１００μｍ程度の
厚さの銅箔とすればキャリアテープ１の補強材となり、
面積の大きな、ピン数が四百ないし六百ピン程度という
比較的大きな実装面積を必要とするＴＣＰで、直接基板
搭載時に、電極と、基板上のパターンの位置合わせにお
いて障害となるキャリアテープ１のそりやたわみなどの
変形を防ぐこともできる。[0013] At this time, if the metal layer is made of copper foil with a thickness of about 100 μm, it will serve as a reinforcing material for the carrier tape 1.
TCP requires a relatively large mounting area with a large number of pins, about 400 to 600 pins, and when directly mounted on a board, the carrier tape 1 is an obstacle in aligning the electrodes and the pattern on the board. It can also prevent deformations such as warping and bending.
【００１４】〈実施例２〉実施例１に示されるＴＣＰの
キャリアテープ１で、熱伝導用の金属層２を図５に示す
様に成形加工に使用する部分を残す形状としておく。こ
の金属層に折り曲げなどの成形加工を施し放熱フィン１
１とすることによりＴＣＰに搭載される半導体から雰囲
気に対しての放熱を効率良く行なうことが可能となる。<Example 2> In the TCP carrier tape 1 shown in Example 1, the metal layer 2 for heat conduction is shaped so as to leave a portion to be used for molding as shown in FIG. The heat dissipation fin 1 is formed by applying a forming process such as bending to this metal layer.
By setting it to 1, it becomes possible to efficiently radiate heat from the semiconductor mounted on the TCP to the atmosphere.
【００１５】この時の放熱フィン付のキャリアテープに
おけるＴＣＰの成形加工は次のようにして行なうことが
出来る。最初にベースフィルム１に対しフィン１１を形
成させる部分に対して孔をあけておく。次に、金属層と
なるものを実施例１に記載の方法でキャリアテープ１上
に形成する。この後、エッチング加工によって、放熱フ
ィン１１となる金属を成形し続いて配線パターンとなる
銅箔層をキャリアテープ１上に形成し、放熱フィンとな
る金属層に対してはエッチング防止を施し、エッチング
によりキャリアテープ上の配線パターン５を形成する。
このようにして形成されたキャリアテープ１へ半導体チ
ップ６を熱圧着により電気的に接続する。さらに、ポッ
ティングレジン７によるコーティングを半導体装置、デ
バイスホールの周辺部分に施す。キャリアテープの状態
から所定の形状に切り出し、放熱のための金属部分の銅
箔をＳＯＰ，ＳＯＪ等のプラスチックパッケージにおけ
るリードの加工と同様の方式で図６のように成形する。[0015] At this time, the molding process of TCP in the carrier tape with heat dissipation fins can be carried out as follows. First, holes are made in the base film 1 at the portions where the fins 11 are to be formed. Next, a metal layer is formed on the carrier tape 1 by the method described in Example 1. After that, the metal that will become the radiation fins 11 is formed by etching, and then a copper foil layer that will become the wiring pattern is formed on the carrier tape 1, and the metal layer that will become the radiation fins is protected from etching. Thus, a wiring pattern 5 on the carrier tape is formed. The semiconductor chip 6 is electrically connected to the carrier tape 1 thus formed by thermocompression bonding. Furthermore, coating with potting resin 7 is applied to the semiconductor device and the peripheral portion of the device hole. The carrier tape is cut into a predetermined shape, and the copper foil of the metal part for heat dissipation is formed as shown in FIG. 6 in the same manner as the processing of leads in plastic packages such as SOP and SOJ.
【００１６】この方法では半導体チップ６の表面以外の
放熱面積を確保することが可能となり、雰囲気への放熱
効率があがる。従来の後から外部に装着する方式のフィ
ンと異り、フィンを装着する工程を簡略化することが可
能となる。フィンとして用いる金属層は塑性加工の施し
易いアルミ、銅を材料とすることによって、加工性を向
上させることが出来る。例えば、実装されるスペースが
、狭い場合にも様々な形状に加工することができるため
、極めて省スペース大表面積の放熱フィンを形成するこ
とができる。With this method, it is possible to secure a heat dissipation area other than the surface of the semiconductor chip 6, and the efficiency of heat dissipation to the atmosphere is improved. Unlike conventional fins that are attached externally afterwards, it is possible to simplify the process of attaching the fins. The metal layer used as the fin can be made of aluminum or copper, which can be easily subjected to plastic working, to improve workability. For example, even if the mounting space is narrow, it can be processed into various shapes, so it is possible to form a radiation fin with a large surface area in an extremely small space.
【００１７】例えば、フォーミングのみならず、パンチ
ングの様な方法を用いて図７の様に加工することでも放
熱フィンを成形することが出来る。For example, the radiation fins can be formed not only by forming but also by processing as shown in FIG. 7 using a method such as punching.
【００１８】放熱フィンの面積は搭載される半導体チッ
プの発熱量と許容温度の上限値以下に温度を抑えること
が可能な放熱量が確保できるものであれば良い。パンチ
ングによる加工の場合にはキャリアテープ上の放熱効率
をあげるための金属層を形成する以前に行なうベースフ
ィルム１の孔明け加工によって、金属層のみを露出させ
なくても、図８のようにベースフィルム１の上の金属層
ごとパンチング加工により成形しただけでもよい。尚、
これらの放熱フィンに成形される部分の金属層に対して
はフォトレジスト等による防食加工を施しておく。The area of the heat dissipation fins may be any size as long as it can secure the amount of heat generated by the mounted semiconductor chip and the heat dissipation amount that can suppress the temperature to below the upper limit of the allowable temperature. In the case of processing by punching, the base film 1 is punched before forming the metal layer on the carrier tape to improve heat dissipation efficiency, so that the base film 1 can be formed as shown in Fig. 8 without exposing only the metal layer. It is also possible to simply form the entire metal layer on the film 1 by punching. still,
The metal layer formed into these heat dissipation fins is subjected to anti-corrosion treatment using photoresist or the like.
【００１９】例えば、図９のように実施例１と併用する
こともできる。熱伝導率の高い基板に対して、キャリア
テープ上の金属層を接続する部分と放熱フィン１１とす
る部分の両方を設けることにより、多数の部品が一つの
基板に実装される場合、基板の面積、各部品から発生す
る熱量により放熱量に限界を生じる場合がある。それを
補う手段としてキャリアテープ一体型の放熱フィン１１
を用いると、有効放熱面積が基板以外の部分で確保され
るので目的とする放熱量を得ることが可能となる。For example, it can also be used in combination with the first embodiment as shown in FIG. By providing both the part connecting the metal layer on the carrier tape and the part serving as the radiation fin 11 on a board with high thermal conductivity, when many components are mounted on one board, the area of the board can be reduced. , there may be a limit to the amount of heat dissipation due to the amount of heat generated from each component. As a means to compensate for this, a heat dissipation fin 11 integrated with a carrier tape is used.
By using this, the effective heat dissipation area is ensured in parts other than the substrate, so it is possible to obtain the desired amount of heat dissipation.
【００２０】〈実施例３〉放熱フィン１１となる金属層
を以下の方法で装着することも出来る。すなわち、キャ
リアテープで、半導体チップ６を接続する部分とは別に
、金属層２を接続する部分１２を、ダミーリードの様な
形状で設けておく。これに、半導体チップ６及びその周
辺の配線パターン５との干渉を避け、図１０の様な形状
で熱伝導性接着剤または熱圧着等により金属層２を接続
する。
次に半導体チップを熱圧着により電気的に接続しする、
更にこの部分にポッティングレジン等によるコーティン
グを施し、半導体チップで発生する熱を効率良く金属層
に伝導できるようにしておく。ポッティングレジン７に
はＳｉ等のフィラを混入することで放熱フィン１１とな
る金属層に対する熱伝導を更に促進することが可能とな
る。また、この放熱に寄与する金属層は半導体チップと
キャリアテープの電気的接続が済んだ後でキャリアテー
プ上に接合されるものとすれば、デバイスホールにあた
る部分の孔あけ加工を省くことで、半導体チップ裏側に
接合部分を設けることもできる。この構造では半導体チ
ップに生じた熱を、さらに効果的にキャリアテープから
放熱することができる。Embodiment 3 The metal layer that will become the radiation fins 11 can also be attached by the following method. That is, apart from the part to which the semiconductor chip 6 is connected, a part 12 to which the metal layer 2 is connected is provided in the carrier tape in the shape of a dummy lead. The metal layer 2 is connected to this using a thermally conductive adhesive or thermocompression bonding in a shape as shown in FIG. 10 while avoiding interference with the semiconductor chip 6 and the wiring pattern 5 around it. Next, the semiconductor chips are electrically connected by thermocompression bonding.
Furthermore, this portion is coated with potting resin or the like so that the heat generated by the semiconductor chip can be efficiently conducted to the metal layer. By mixing a filler such as Si into the potting resin 7, it is possible to further promote heat conduction to the metal layer that becomes the radiation fin 11. In addition, if the metal layer that contributes to heat dissipation is bonded onto the carrier tape after the electrical connection between the semiconductor chip and the carrier tape is completed, it is possible to eliminate the need for drilling holes in the semiconductor chip. A bonding portion can also be provided on the back side of the chip. With this structure, heat generated in the semiconductor chip can be more effectively dissipated from the carrier tape.
【００２１】このようにして形成した金属層に、実施例
１に記述した、放熱を目的とした基板上のパターンとの
接続及び実施例２の放熱フィンの成形加工等の方法を適
用しＴＣＰに組み込まれた半導体チップからの効率の良
い放熱を行なうことができる。その後、ソルダレジスト
等をキャリアテープ上の配線パターンの保護のために塗
布しても、金属層部分のキャリアテープに対する補強効
果によりその変形を防止及び抑制することができる。[0021] To the metal layer thus formed, the methods described in Example 1, such as connection with a pattern on a substrate for the purpose of heat radiation, and the method of forming heat radiation fins in Example 2, etc., were applied to form a TCP. Heat can be efficiently dissipated from the incorporated semiconductor chip. Thereafter, even if a solder resist or the like is applied to protect the wiring pattern on the carrier tape, deformation thereof can be prevented and suppressed due to the reinforcing effect of the metal layer portion on the carrier tape.
【００２２】[0022]
【発明の効果】本発明によれば、ＴＣＰを、直接、基板
に実装する際に基板及び雰囲気に対する放熱効率を向上
させることができ、大消費電力を持つ半導体チップをＴ
ＣＰとして単体で基板に実装する際に、従来のプラスチ
ックパッケージと同等か、それ以上の放熱効率を持たせ
ることができ、キャリアテープの変形を防ぐことができ
る。Effects of the Invention According to the present invention, it is possible to improve the heat dissipation efficiency to the substrate and atmosphere when TCP is directly mounted on the substrate, and it is possible to improve the heat dissipation efficiency with respect to the substrate and the atmosphere.
When mounted alone on a board as a CP, it can have heat dissipation efficiency equal to or higher than conventional plastic packages, and deformation of the carrier tape can be prevented.
【図１】熱伝導率を改善する目的の金属層をもったキャ
リアテープの斜視図。FIG. 1 is a perspective view of a carrier tape with a metal layer intended to improve thermal conductivity.
【図２】熱伝導率を改善する目的の金属層をもったキャ
リアテープ製造工程の説明図。FIG. 2 is an explanatory diagram of the manufacturing process of a carrier tape with a metal layer intended to improve thermal conductivity.
【図３】金属層のデバイスホール周辺における斜視図。FIG. 3 is a perspective view of the metal layer around the device hole.
【図４】熱伝導率を改善する目的の金属層をもったキャ
リアテープを用いたＴＣＰの基板実装の状態を示す斜視
図。FIG. 4 is a perspective view showing how TCP is mounted on a board using a carrier tape having a metal layer for improving thermal conductivity.
【図５】フィンとして加工する部分を残して切りだした
ＴＣＰの斜視図。FIG. 5 is a perspective view of a TCP cut out leaving a portion to be processed as a fin.
【図６】金属層をフィン上に加工する場合の形状を示す
斜視図。FIG. 6 is a perspective view showing a shape when processing a metal layer onto a fin.
【図７】パンチング加工により金属層をフィンとして加
工する場合の形状を示す斜視図。FIG. 7 is a perspective view showing the shape of a metal layer formed into a fin by punching.
【図８】パンチング加工によりキャリアテープごとフィ
ンとして加工する場合の形状を示す斜視図。FIG. 8 is a perspective view showing the shape of the carrier tape when it is processed into a fin by punching.
【図９】基板上の放熱パターンとフィン状の加工の併用
を示す斜視図。FIG. 9 is a perspective view showing the combined use of a heat dissipation pattern on a substrate and fin-like processing.
【図１０】金属層を後付けにより設けキャリアテープか
らの熱伝導を改善する場合の形状を示す斜視図。FIG. 10 is a perspective view showing a shape in which a metal layer is provided afterward to improve heat conduction from the carrier tape.
１・・・ベースフィルム、２・・・キャリアテープの熱
伝導率を向上させる金属層、３・・・スプロケットホー
ル、４・・・デバイスホール、５・・・配線パターン。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Base film, 2... Metal layer which improves the thermal conductivity of carrier tape, 3... Sprocket hole, 4... Device hole, 5... Wiring pattern.
Claims (3)
搭載したテープキャリアパッケージにおいて、配線パタ
ーンとの干渉を避けた形で少なくとも一層の金属層を設
けたことを特徴とする半導体テープキャリアパッケージ
。Claim 1: Connecting a semiconductor chip on a carrier tape,
A semiconductor tape carrier package characterized in that the tape carrier package mounted thereon is provided with at least one metal layer in a manner that avoids interference with a wiring pattern.
設けた前記金属層をフォーミングすることにより、放熱
フィンとして用る半導体テープキャリアパッケージ。2. The semiconductor tape carrier package according to claim 1, wherein the metal layer provided on the carrier tape is formed to be used as a heat dissipation fin.
続したテープキャリアパッケージにおいて、金属層を前
記キャリアテープもしくは前記キャリアテープと前記半
導体チップの双方に接合したことを特徴とする半導体テ
ープキャリアパッケージ。3. A semiconductor tape carrier package in which a semiconductor chip is mounted and connected to a carrier tape, wherein a metal layer is bonded to the carrier tape or to both the carrier tape and the semiconductor chip.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7278491A JPH04307945A (en) | 1991-04-05 | 1991-04-05 | Semiconductor tape carrier package |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7278491A JPH04307945A (en) | 1991-04-05 | 1991-04-05 | Semiconductor tape carrier package |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04307945A true JPH04307945A (en) | 1992-10-30 |
Family
ID=13499364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7278491A Pending JPH04307945A (en) | 1991-04-05 | 1991-04-05 | Semiconductor tape carrier package |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04307945A (en) |
-
1991
- 1991-04-05 JP JP7278491A patent/JPH04307945A/en active Pending
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