JPH0430515A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH0430515A JPH0430515A JP13739290A JP13739290A JPH0430515A JP H0430515 A JPH0430515 A JP H0430515A JP 13739290 A JP13739290 A JP 13739290A JP 13739290 A JP13739290 A JP 13739290A JP H0430515 A JPH0430515 A JP H0430515A
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- JP
- Japan
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- reaction chamber
- check
- door shutter
- flow rate
- flow controller
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
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- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体製造装置に関するものである。
第４図から８７図は従来の半導体製造装置の各工程を示
す断面図である。図において、（１）は複数の基板を塔
載する基板ボー） 、 （２）は基板ボート（ｌ）を収
容して反応が行なわれる反応室となる反応管、（３）は
反応管（２）の外周に設けられ次加熱用ヒーター（４）
は基板ボート１１）を反応室に収容及び回収を行ない、
反応室を減圧できるエンドキャップである。
す断面図である。図において、（１）は複数の基板を塔
載する基板ボー） 、 （２）は基板ボート（ｌ）を収
容して反応が行なわれる反応室となる反応管、（３）は
反応管（２）の外周に設けられ次加熱用ヒーター（４）
は基板ボート１１）を反応室に収容及び回収を行ない、
反応室を減圧できるエンドキャップである。
（５）はエンドキャップ（４）を上下することにょシ反
応呈端の開閉を行なう支柱、（６）は基板ボート（１１
を反応室に収容及び回収する際、エンドキャップ（４）
を開ける時に一時的に反応室端を閉・関するドアシャッ
ターである。（７）はドアシャッター（６）を回転及び
上下させることにより、反応室端の開閉を行なう支柱で
ある。（８）は基板ボート（１）を反応室の中央に位置
させて処理を行なう保温筒、＜９）ｔｌ；を基板に薄膜
を形成する半導体材料ガス（以下ガスと示す）の流量を
制御するガス流量コントローラ（以ドマスフローコント
ローラと呼ぶ）、Ｑｌ）はガスを反応室に導入するガス
導入管、αυはガス導入管□Ｉ’に納めであるカバーで
ある。
応呈端の開閉を行なう支柱、（６）は基板ボート（１１
を反応室に収容及び回収する際、エンドキャップ（４）
を開ける時に一時的に反応室端を閉・関するドアシャッ
ターである。（７）はドアシャッター（６）を回転及び
上下させることにより、反応室端の開閉を行なう支柱で
ある。（８）は基板ボート（１）を反応室の中央に位置
させて処理を行なう保温筒、＜９）ｔｌ；を基板に薄膜
を形成する半導体材料ガス（以下ガスと示す）の流量を
制御するガス流量コントローラ（以ドマスフローコント
ローラと呼ぶ）、Ｑｌ）はガスを反応室に導入するガス
導入管、αυはガス導入管□Ｉ’に納めであるカバーで
ある。
次に、半導体製造装置の製造工程について説明する。
まず、基板ボートＣ１）の収容について説明する。
第４図と第５図に示すように、エンドキャンプ（４）を
開け、−時的にドアシャッター（６）を閉める。
開け、−時的にドアシャッター（６）を閉める。
次に第６図に示すように、基板ボート（１）を保温筒（
８）に載せる。次に基板ボート（１）を反応室に収容す
る次め、ドアシャッター（６）を開ける。次に第７図に
示すようにエンドキャンプ（４）を閉め、基板ボート１
１）を反応室に収容する。
８）に載せる。次に基板ボート（１）を反応室に収容す
る次め、ドアシャッター（６）を開ける。次に第７図に
示すようにエンドキャンプ（４）を閉め、基板ボート１
１）を反応室に収容する。
次に基板の処理について説明する。
まず、第７図の状態で反応室内を減圧状態にし。
ガスを反応室に流し、処理（薄膜形成）を行なう。
処理後、ガスの排気を行ない、反応室内を常圧に戻す。
次に基板ボートｍの収容とは逆の動作を行ない基板ボー
ド（１）の回収を行なう。
ド（１）の回収を行なう。
ここで、基板に薄膜を形成する上で、ガスの流量精度及
び反応室内の減圧精度が、非常に厳しく要求されている
。
び反応室内の減圧精度が、非常に厳しく要求されている
。
そこで、半導体製造装置の新規導入時及びマスフローコ
ントローラ（９）の交換時において、マスフローコント
ローラ（９）の流量チエツク及び反応室内の気密チエツ
クが必要とされる。マスフローコントローラ（９）の流
量チエツクを行なう際、エンドキャップ（４）を開き、
ドアシャッター（６）を閉める。次にガス導入管α１が
納まっているカバー圓を取り外す。次にガス導入管（Ｉ
Ｇを取り外し、その部分にマスフローコントローラ（９
）の流量をチエツクする薄膜流量計を取り付ける。次に
、マスフローコントローラ（９）の流量チエツクを行な
う。次にガス導入管αｌを半導体製造装置に取り付は直
し、カバー其を取り付ける。次に、ドアシャッター（６
）を開け、エンドキャップ（４）を閉め処理待機状態に
戻す。次に、反応室内を減圧して気密チエツクを行なう
。
ントローラ（９）の交換時において、マスフローコント
ローラ（９）の流量チエツク及び反応室内の気密チエツ
クが必要とされる。マスフローコントローラ（９）の流
量チエツクを行なう際、エンドキャップ（４）を開き、
ドアシャッター（６）を閉める。次にガス導入管α１が
納まっているカバー圓を取り外す。次にガス導入管（Ｉ
Ｇを取り外し、その部分にマスフローコントローラ（９
）の流量をチエツクする薄膜流量計を取り付ける。次に
、マスフローコントローラ（９）の流量チエツクを行な
う。次にガス導入管αｌを半導体製造装置に取り付は直
し、カバー其を取り付ける。次に、ドアシャッター（６
）を開け、エンドキャップ（４）を閉め処理待機状態に
戻す。次に、反応室内を減圧して気密チエツクを行なう
。
従来の半導体製造装置は以上のように構成されていたの
で、上記のような一連の作業を行なわなければマスフロ
ーコントローラの流量チエツク及び反応室内の気密チエ
ツクができないという問題点があった。
で、上記のような一連の作業を行なわなければマスフロ
ーコントローラの流量チエツク及び反応室内の気密チエ
ツクができないという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので１反応室内を減圧できるドアシャッターを設け
、処理中を除いて常時閉めておくことにより、マスフロ
ーコントローラの流量チエツク及び反応室内の気密チエ
ツクを容易にできる半導体製造装置を得ることを目的と
する。
たもので１反応室内を減圧できるドアシャッターを設け
、処理中を除いて常時閉めておくことにより、マスフロ
ーコントローラの流量チエツク及び反応室内の気密チエ
ツクを容易にできる半導体製造装置を得ることを目的と
する。
この発明に係る半導体製造装置は、処理待機時に反応室
端を常時閉めて置き必要に応じて反応室内を減圧できる
ドアシャンターを設けたものであるＯ 〔作用〕 この発明におけるドア７ヤソメーは、処理待機時におい
て、エンドキャンプ（４）は下がっており、反応室内を
減圧できるドアシャンターは反応室端を閉めている状態
となる。そうすると、ガス導入管の納まっているカバー
を容易に取ｐ外し及び取り付けが行なえ、よってマスフ
ローコｙ ） ｏ −ラの流量チエツク及び反応室内の
気密チエツクを容易に行なうことができる。
端を常時閉めて置き必要に応じて反応室内を減圧できる
ドアシャンターを設けたものであるＯ 〔作用〕 この発明におけるドア７ヤソメーは、処理待機時におい
て、エンドキャンプ（４）は下がっており、反応室内を
減圧できるドアシャンターは反応室端を閉めている状態
となる。そうすると、ガス導入管の納まっているカバー
を容易に取ｐ外し及び取り付けが行なえ、よってマスフ
ローコｙ ） ｏ −ラの流量チエツク及び反応室内の
気密チエツクを容易に行なうことができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明するＯ
第１図〜第３図はこの発明の一実施例を示す半導体製造
装置の各工程を示す断面図で、図中符号（１）〜＋５１
、 （７）〜ａυは前記従来のものと同一につきその
説明は省略する。図において、（２）は反応室内を減圧
できるドアシャッターである。
装置の各工程を示す断面図で、図中符号（１）〜＋５１
、 （７）〜ａυは前記従来のものと同一につきその
説明は省略する。図において、（２）は反応室内を減圧
できるドアシャッターである。
このように構成され之半導体矢造装置において、処理待
機時にエンドキャンプ（４）は下げ、反応室内を減圧で
きるドアシャンター（６）は反応室端を閉めて置く。よ
って、必要に応じてマスフローコントローラ（９）の流
量チエツク及び反応室内の気密チエツクを容易に行なう
ことができる。
機時にエンドキャンプ（４）は下げ、反応室内を減圧で
きるドアシャンター（６）は反応室端を閉めて置く。よ
って、必要に応じてマスフローコントローラ（９）の流
量チエツク及び反応室内の気密チエツクを容易に行なう
ことができる。
次に動作について説明する。第１図から第２図に示すよ
うに、基板ボート（１）を保温筒に載せる。
うに、基板ボート（１）を保温筒に載せる。
次に第３図に示すように、反応室に基板ボート１１）を
収容する。基板ボート（１）の回収は上記とは逆の動作
によシ行なわれる。
収容する。基板ボート（１）の回収は上記とは逆の動作
によシ行なわれる。
以上のようにこの発明によれば、処理待機時に反応室端
を常時閉めた状態で必要に応じて反応室内を減圧できる
ドアシャッターを設けたので、マスフローコントローラ
の流量チエツク及び反応室内の気密チエツクを容易に行
なうことができ、また、同様に処理待機時にエンドキャ
ップを下げた状態であるため、基板ボートを反応室へ収
容及び回収する時間が短縮され、よって処理時間を短縮
できる半導体製造装置が得られるという効果がある０
を常時閉めた状態で必要に応じて反応室内を減圧できる
ドアシャッターを設けたので、マスフローコントローラ
の流量チエツク及び反応室内の気密チエツクを容易に行
なうことができ、また、同様に処理待機時にエンドキャ
ップを下げた状態であるため、基板ボートを反応室へ収
容及び回収する時間が短縮され、よって処理時間を短縮
できる半導体製造装置が得られるという効果がある０
第１図・ないし第３図はこの発明の一実施例である半導
体製造装置の各工程を示す断面図、第４図ないし第７図
は従来の半導体製造装置の各工程を示す断面図である。 図において、Ｏ諺は反応室内を減圧できるドアシャッタ
ーである。 なお１図中、同一符号は同一 ま几は相当部分を示す。
体製造装置の各工程を示す断面図、第４図ないし第７図
は従来の半導体製造装置の各工程を示す断面図である。 図において、Ｏ諺は反応室内を減圧できるドアシャッタ
ーである。 なお１図中、同一符号は同一 ま几は相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体基板を反応室に収容及び回収する際、一時的に閉
める反応室端ドアシヤツーを設け、処理待機時に反応室
端を閉めて置くことにより、必要に応じて反応室を減圧
できるようにしたことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13739290A JPH0430515A (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13739290A JPH0430515A (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0430515A true JPH0430515A (ja) | 1992-02-03 |
Family
ID=15197606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13739290A Pending JPH0430515A (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0430515A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100505839B1 (ko) * | 1997-03-12 | 2006-03-28 | 장익춘 | 공기주입식 요부 압박복대 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6338316B2 (ja) * | 1981-09-10 | 1988-07-29 | Fujitsu Ltd |
-
1990
- 1990-05-28 JP JP13739290A patent/JPH0430515A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6338316B2 (ja) * | 1981-09-10 | 1988-07-29 | Fujitsu Ltd |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100505839B1 (ko) * | 1997-03-12 | 2006-03-28 | 장익춘 | 공기주입식 요부 압박복대 |
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