JPH04288814A - X線リソグラフィ用マスクおよびx線リソグラフィ露光装置 - Google Patents
X線リソグラフィ用マスクおよびx線リソグラフィ露光装置Info
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- JPH04288814A JPH04288814A JP3077201A JP7720191A JPH04288814A JP H04288814 A JPH04288814 A JP H04288814A JP 3077201 A JP3077201 A JP 3077201A JP 7720191 A JP7720191 A JP 7720191A JP H04288814 A JPH04288814 A JP H04288814A
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- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 98
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 claims abstract description 71
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 184
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 15
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000582320 Homo sapiens Neurogenic differentiation factor 6 Proteins 0.000 description 1
- 102100030589 Neurogenic differentiation factor 6 Human genes 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、X線リソグラフィ用マ
スクおよびX線リソグラフィ露光装置に関する。
スクおよびX線リソグラフィ露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】X線リソグラフィ露光装置としては、X
線リソグラフィ光源が発するシンクロトロン放射光を、
ミラーを備えた光学系で反射した後、ベリリウム(Be
)等で形成したX線フィルタを通して密閉された露光チ
ャンバー内に導き、該露光チャンバー内に配置されたX
線リソグラフィ用マスク(以下、「X線マスク」と称す
。)に照射して該X線マスクのX線透過膜に形成されて
いるマスクパターンをウェハ上に投影するものがある。
線リソグラフィ光源が発するシンクロトロン放射光を、
ミラーを備えた光学系で反射した後、ベリリウム(Be
)等で形成したX線フィルタを通して密閉された露光チ
ャンバー内に導き、該露光チャンバー内に配置されたX
線リソグラフィ用マスク(以下、「X線マスク」と称す
。)に照射して該X線マスクのX線透過膜に形成されて
いるマスクパターンをウェハ上に投影するものがある。
【0003】前記シンクロトロン放射光は、前記X線リ
ソグラフィ光源から扇形状に放射され、円軌道面内(水
平面内)で発散し、前記円軌道面に垂直な面内(垂直面
内)では平行となっており、さらに前記円軌道面内では
略均一な強度分布を持っている。
ソグラフィ光源から扇形状に放射され、円軌道面内(水
平面内)で発散し、前記円軌道面に垂直な面内(垂直面
内)では平行となっており、さらに前記円軌道面内では
略均一な強度分布を持っている。
【0004】このため、露光領域内をシンクロトロン放
射光によって均一に照射するために次のような露光方式
がとられている。
射光によって均一に照射するために次のような露光方式
がとられている。
【0005】(1)ミラー振動方式(平面ミラー)放射
光の軌道面と水平に平面ミラーを設置し、軌道面内=ミ
ラーと水平面内で均一な強度分布を持った光が軌道面と
垂直な方向にスキャンしてX線マスクを照明するように
ミラーを振動させる。露光量の制御はミラーの振動速度
を制御することによって行なう。
光の軌道面と水平に平面ミラーを設置し、軌道面内=ミ
ラーと水平面内で均一な強度分布を持った光が軌道面と
垂直な方向にスキャンしてX線マスクを照明するように
ミラーを振動させる。露光量の制御はミラーの振動速度
を制御することによって行なう。
【0006】(2)ミラー振動方式(曲面ミラー)2枚
の曲面ミラーを使って、放射光を集光した後並行化する
。2枚めのミラーを前項(1)と同様に振動させること
によって放射光をスキャンする。露光量の制御も同様に
ミラーの振動速度を制御することによって行なう。
の曲面ミラーを使って、放射光を集光した後並行化する
。2枚めのミラーを前項(1)と同様に振動させること
によって放射光をスキャンする。露光量の制御も同様に
ミラーの振動速度を制御することによって行なう。
【0007】(3)電子ビーム揺動方式X線リソグラフ
ィ光源の蓄積リング内の発光点で電子をsine関数的
に揺動させることによって、軌道面だけでなく、その垂
直方向にも均一な強度分布を持った放射光を放射させる
。その光をそのまま光学系を使用せずにX線マスクに入
射すれば強度ムラ無く全面一括露光できるが、短波長成
分の影響を無くすため最近ではミラーが使用されている
。これによりX線マスクに入射する放射光はミラーの反
射面と水平な方向では均一な強度分布を持つが、垂直方
向では均一では無くなるので、ミラー反射面と垂直な方
向で、露光量を変化させてX線マスク全体が均一に露光
されるように制御する。
ィ光源の蓄積リング内の発光点で電子をsine関数的
に揺動させることによって、軌道面だけでなく、その垂
直方向にも均一な強度分布を持った放射光を放射させる
。その光をそのまま光学系を使用せずにX線マスクに入
射すれば強度ムラ無く全面一括露光できるが、短波長成
分の影響を無くすため最近ではミラーが使用されている
。これによりX線マスクに入射する放射光はミラーの反
射面と水平な方向では均一な強度分布を持つが、垂直方
向では均一では無くなるので、ミラー反射面と垂直な方
向で、露光量を変化させてX線マスク全体が均一に露光
されるように制御する。
【0008】(4)マスク・ウェハステージスキャン方
式 放射光は、軌道面と水平に設置した固定平面ミラーで反
射する。その反射光は放射光の軌道面内=ミラー反射面
に水平な面内で均一な強度分布を持つので、それと垂直
な方向にマスク・ウェハステージをスキャンする。露光
量の制御はマスク・ウェハステージの移動速度を制御す
ることによって行なう。
式 放射光は、軌道面と水平に設置した固定平面ミラーで反
射する。その反射光は放射光の軌道面内=ミラー反射面
に水平な面内で均一な強度分布を持つので、それと垂直
な方向にマスク・ウェハステージをスキャンする。露光
量の制御はマスク・ウェハステージの移動速度を制御す
ることによって行なう。
【0009】(5)固定凸面ミラー方式円筒型曲面ミラ
ーを放射光の軌道面と水平方向に配置して、垂直方向に
放射光を拡散させ、水平方向にはそのまま反射させる。 X線マスクに入射する光は放射光の軌道面内では均一な
強度分布を持つため、軌道面に水平な開口を持つシャッ
ターを設け、このシャッターを前記垂直方向に動かし、
その速度によって露光量を制御する。
ーを放射光の軌道面と水平方向に配置して、垂直方向に
放射光を拡散させ、水平方向にはそのまま反射させる。 X線マスクに入射する光は放射光の軌道面内では均一な
強度分布を持つため、軌道面に水平な開口を持つシャッ
ターを設け、このシャッターを前記垂直方向に動かし、
その速度によって露光量を制御する。
【0010】これらの方式で共通な点は、X線マスクお
よびウェハに入射する光はミラー反射面に水平な面内で
は略均一であるが、その垂直方向では強度分布を持ち、
ミラー、シャッターあるいはマスク・ウェハステージを
動かし、その速度を調節することによってミラー反射面
と垂直な方向の露光量を制御し、露光領域内を均一に照
射することである。
よびウェハに入射する光はミラー反射面に水平な面内で
は略均一であるが、その垂直方向では強度分布を持ち、
ミラー、シャッターあるいはマスク・ウェハステージを
動かし、その速度を調節することによってミラー反射面
と垂直な方向の露光量を制御し、露光領域内を均一に照
射することである。
【0011】前記X線マスクは、前記X線透過膜を支持
枠によって支持したものであり、該X線透過膜は、露光
波長のシンクロトロン放射光を透過し、かつ、アライメ
ント光(可視、赤外光)に対して透過性のよい緊張した
自己支持膜でなければならない。このような膜としては
、通常、厚さ1μmから6μmまでの無機膜または有機
膜が用いられるが、有機膜はX線耐性、寸法安定性等の
点に問題があり、現在は無機膜が主流になりつつある。
枠によって支持したものであり、該X線透過膜は、露光
波長のシンクロトロン放射光を透過し、かつ、アライメ
ント光(可視、赤外光)に対して透過性のよい緊張した
自己支持膜でなければならない。このような膜としては
、通常、厚さ1μmから6μmまでの無機膜または有機
膜が用いられるが、有機膜はX線耐性、寸法安定性等の
点に問題があり、現在は無機膜が主流になりつつある。
【0012】X線透過膜として知られている無機材料は
主に窒化ホウ素、シリコン、窒化シリコン、炭化シリコ
ン等である。これらのうち、窒化シリコンがX線および
可視赤外光透過率、強度、ひずみ特性、X線耐性等で適
度な値が得られ、かつ安定した製造が可能であるため、
最も多く使われている。
主に窒化ホウ素、シリコン、窒化シリコン、炭化シリコ
ン等である。これらのうち、窒化シリコンがX線および
可視赤外光透過率、強度、ひずみ特性、X線耐性等で適
度な値が得られ、かつ安定した製造が可能であるため、
最も多く使われている。
【0013】無機材料のX線透過膜は、一般的には、シ
リコンウェハ等の基板の上に蒸着法等によって所望の材
料の単層あるいは多層構造を有した膜を作成し、その後
必要に応じてその上にX線吸収体等の構造を作成した後
、基板裏面よりシンクロトロン放射光が透過する領域の
基板を化学的に取り除いて作成される。このときX線透
過膜が緊張した自己支持膜となり、かつX線マスクとし
て高い寸法安定性を得るためには、蒸着による膜作成時
の内部応力の制御が重要となってくる。このため膜作成
には作成条件を変えることによって応力を大きく変える
ことが可能な化学的気相成長法がしばしば使われている
。
リコンウェハ等の基板の上に蒸着法等によって所望の材
料の単層あるいは多層構造を有した膜を作成し、その後
必要に応じてその上にX線吸収体等の構造を作成した後
、基板裏面よりシンクロトロン放射光が透過する領域の
基板を化学的に取り除いて作成される。このときX線透
過膜が緊張した自己支持膜となり、かつX線マスクとし
て高い寸法安定性を得るためには、蒸着による膜作成時
の内部応力の制御が重要となってくる。このため膜作成
には作成条件を変えることによって応力を大きく変える
ことが可能な化学的気相成長法がしばしば使われている
。
【0014】この化学的気相成長法は、膜にしようとす
る材料の揮発性化合物を気化し、反応ガスとして反応室
内に送り込み、反応室内の基板上で、熱、プラズマ、光
等によって化学反応を行なわせ、基板の上に薄膜を作る
ものであり、反応室内圧力によって減圧化学気相成長法
および常圧化学気相成長法がある。
る材料の揮発性化合物を気化し、反応ガスとして反応室
内に送り込み、反応室内の基板上で、熱、プラズマ、光
等によって化学反応を行なわせ、基板の上に薄膜を作る
ものであり、反応室内圧力によって減圧化学気相成長法
および常圧化学気相成長法がある。
【0015】このX線マスクのX線透過膜については、
その薄膜生成機構が基板表面への反応ガスの拡散と深く
かかわっているため、作製した膜には反応ガスの拡散方
向、つまり反応ガスの流れの方向に沿って、略一次元的
な膜厚ムラ(フローパターン)ができやすい。このよう
な化学的気相成長方法のうち減圧化学気相成長法は、反
応ガスの平均自由行程および拡散定数が大きくなるため
膜厚ムラはかなり向上するが、それでも1枚のウェハ内
の膜厚ムラは常圧化学気相成長法が5〜6%程度である
のに対し、減圧化学気相成長法では2〜3%程度である
。
その薄膜生成機構が基板表面への反応ガスの拡散と深く
かかわっているため、作製した膜には反応ガスの拡散方
向、つまり反応ガスの流れの方向に沿って、略一次元的
な膜厚ムラ(フローパターン)ができやすい。このよう
な化学的気相成長方法のうち減圧化学気相成長法は、反
応ガスの平均自由行程および拡散定数が大きくなるため
膜厚ムラはかなり向上するが、それでも1枚のウェハ内
の膜厚ムラは常圧化学気相成長法が5〜6%程度である
のに対し、減圧化学気相成長法では2〜3%程度である
。
【0016】また、化学気相成長法の他にスパッタ蒸着
法やEB蒸着法、真空蒸着法等が用いられるが、これら
の蒸着による膜作成法においても膜厚ムラは発生し、そ
れが蒸着源と基板との幾何学的配置によって、同様に略
一次元的な膜厚ムラとなることがしばしばある。
法やEB蒸着法、真空蒸着法等が用いられるが、これら
の蒸着による膜作成法においても膜厚ムラは発生し、そ
れが蒸着源と基板との幾何学的配置によって、同様に略
一次元的な膜厚ムラとなることがしばしばある。
【0017】X線リソグラフフィ装置においては、前述
したようなシンクロトロン放射光及び光学系の性質から
くる強度分布以外に、種々の光学素子が理想的に作成さ
れていない等の理由で該強度分布が理想分布からずれて
ムラが生じる。
したようなシンクロトロン放射光及び光学系の性質から
くる強度分布以外に、種々の光学素子が理想的に作成さ
れていない等の理由で該強度分布が理想分布からずれて
ムラが生じる。
【0018】従来、前述したように露光領域内を均一に
照明するために該理想強度分布は各種露光方式によって
補正されていたが、理想強度分布からずれたムラは補正
されていなかった。このためウェハ上で露光量ムラが生
じでいた。
照明するために該理想強度分布は各種露光方式によって
補正されていたが、理想強度分布からずれたムラは補正
されていなかった。このためウェハ上で露光量ムラが生
じでいた。
【0019】このような露光量ムラを与える原因とてし
ては、光学系ミラーの反射率ムラと形状誤差、X線フィ
ルタの膜厚ムラ、姿勢設定誤差、光学素子への汚染物の
付着等がある。また、前述のX線透過膜の膜厚ムラも大
きな露光量ムラの原因となっている。従来、露光量ムラ
を減少させるためにはもっぱら、各種光学素子や光学シ
ステムの精度を上げる努力のみがなされてきた。
ては、光学系ミラーの反射率ムラと形状誤差、X線フィ
ルタの膜厚ムラ、姿勢設定誤差、光学素子への汚染物の
付着等がある。また、前述のX線透過膜の膜厚ムラも大
きな露光量ムラの原因となっている。従来、露光量ムラ
を減少させるためにはもっぱら、各種光学素子や光学シ
ステムの精度を上げる努力のみがなされてきた。
【0020】
【発明が解決しようとする課題】X線リソグラフィにお
ける露光量ムラは、前述したように転写パターンの線幅
誤差として現われ、例えば、0.2μmのゲート層パタ
ーン形成時に、該ゲート層パターンの転写パターン幅の
変動を±10%内に抑えるためには、露光量変動の許容
幅は、±20%内でなければならないと報告されている
(K. Deguchi et.al. NTT R&
D 39 601 (1990) )。実際には線幅誤
差は±2.5%以下に抑える必要があり、線幅誤差の原
因としては、露光量ムラ以外に、X線マスク作製時の寸
法誤差等も含まれるため、露光量ムラは最大5%(許容
範囲)に抑えなければならない。前述した光学系ミラー
の反射率ムラと形状誤差から2%程度、X線フィルタの
膜厚ムラによって1%程度の露光ムラが発生する。その
他の露光量ムラを考慮すると前記X線透過膜の膜厚ムラ
による露光量ムラは1%以下に抑えることが望ましい。
ける露光量ムラは、前述したように転写パターンの線幅
誤差として現われ、例えば、0.2μmのゲート層パタ
ーン形成時に、該ゲート層パターンの転写パターン幅の
変動を±10%内に抑えるためには、露光量変動の許容
幅は、±20%内でなければならないと報告されている
(K. Deguchi et.al. NTT R&
D 39 601 (1990) )。実際には線幅誤
差は±2.5%以下に抑える必要があり、線幅誤差の原
因としては、露光量ムラ以外に、X線マスク作製時の寸
法誤差等も含まれるため、露光量ムラは最大5%(許容
範囲)に抑えなければならない。前述した光学系ミラー
の反射率ムラと形状誤差から2%程度、X線フィルタの
膜厚ムラによって1%程度の露光ムラが発生する。その
他の露光量ムラを考慮すると前記X線透過膜の膜厚ムラ
による露光量ムラは1%以下に抑えることが望ましい。
【0021】1%の露光量ムラを与える膜厚ムラの大き
さは、X線透過膜を形成する物質や、使用するX線の波
長によって異なる。例えば、シンクロトロン放射光を炭
化ケイ素ミラーによって反射させ、ベリリウムフィルタ
ーを通過させた後の中心波長1μmの光を使用したとき
、膜厚2μmの窒化ケイ素のX線透過膜に対して1%の
露光量ムラを与える膜厚ムラは約34nmである。これ
は膜厚の1.7%にあたる。
さは、X線透過膜を形成する物質や、使用するX線の波
長によって異なる。例えば、シンクロトロン放射光を炭
化ケイ素ミラーによって反射させ、ベリリウムフィルタ
ーを通過させた後の中心波長1μmの光を使用したとき
、膜厚2μmの窒化ケイ素のX線透過膜に対して1%の
露光量ムラを与える膜厚ムラは約34nmである。これ
は膜厚の1.7%にあたる。
【0022】したがって、この系においてX線透過膜の
膜厚ムラによる露光量ムラを1%以下にするためには、
X線透過膜の膜厚ムラを34nm(1.7%)以下にし
なければならない。
膜厚ムラによる露光量ムラを1%以下にするためには、
X線透過膜の膜厚ムラを34nm(1.7%)以下にし
なければならない。
【0023】しかしながら、前述のように化学的気相成
長法で作成した膜では少なくとも2〜3%以上の膜厚ム
ラがあり、膜厚ムラによる露光量1%を超えてしまって
いた。
長法で作成した膜では少なくとも2〜3%以上の膜厚ム
ラがあり、膜厚ムラによる露光量1%を超えてしまって
いた。
【0024】しかし前記従来のX線リソグラフィ露光装
置では、前記膜厚ムラによる露光量ムラを補正する手段
は示されていなかった。
置では、前記膜厚ムラによる露光量ムラを補正する手段
は示されていなかった。
【0025】本発明は、上記従来の技術が有する問題点
に鑑みてなされたもので、X線リソグラフィ用マスクの
膜厚分布に基づいて、該X線リソグラフィ用マスクに照
射されるシンクロトロン放射光の強度を補正することに
より、高精度な露光を可能にするX線リソグラフィ用マ
スクおよびX線リソグラフィ露光装置を提供することを
目的としている。
に鑑みてなされたもので、X線リソグラフィ用マスクの
膜厚分布に基づいて、該X線リソグラフィ用マスクに照
射されるシンクロトロン放射光の強度を補正することに
より、高精度な露光を可能にするX線リソグラフィ用マ
スクおよびX線リソグラフィ露光装置を提供することを
目的としている。
【0026】
【課題を解決するための手段】本発明は、転写パターン
が描かれたX線透過膜と、該X線透過膜を支持する支持
枠とからなるX線リソグラフィ用マスクにおいて、前記
転写パターンが、前記X線透過膜の膜厚分布の変化方向
を基準にして描かれているものであり、前記転写パター
ンは、前記X線透過膜の膜厚分布が略一次元的に変化す
る方向を基準にして前記X線透過膜に描かれているもの
がある。
が描かれたX線透過膜と、該X線透過膜を支持する支持
枠とからなるX線リソグラフィ用マスクにおいて、前記
転写パターンが、前記X線透過膜の膜厚分布の変化方向
を基準にして描かれているものであり、前記転写パター
ンは、前記X線透過膜の膜厚分布が略一次元的に変化す
る方向を基準にして前記X線透過膜に描かれているもの
がある。
【0027】また、本発明は、シンクロトロン放射源と
、該シンクロトロン放射源が発したシンクロトロン放射
線を、X線リソグラフィ用マスクの、転写パターンが描
かれているX線透過膜の露光領域全域に照射させるため
の照明光学系とを備えたX線リソグラフィ露光装置にお
いて、前記X線リソグラフィ用マスクの転写パターンが
前記X線透過膜の膜厚分布の変化方向を基準にして描か
れており、前記X線リソグラフィ用マスクは、前記X線
透過膜の膜厚分布の変化方向と前記シンクロトロン放射
光の強度分布の変化方向とが一致されて配置され、さら
に、前記シンクロトロン放射光の強度分布と前記X線透
過膜の膜厚分布とに基づいて、前記露光領域の、前記シ
ンクロトロン放射光の強度分布の変化方向に対する、該
シンクロトロン放射光の照射時間を変化させる補正手段
を有するものである。
、該シンクロトロン放射源が発したシンクロトロン放射
線を、X線リソグラフィ用マスクの、転写パターンが描
かれているX線透過膜の露光領域全域に照射させるため
の照明光学系とを備えたX線リソグラフィ露光装置にお
いて、前記X線リソグラフィ用マスクの転写パターンが
前記X線透過膜の膜厚分布の変化方向を基準にして描か
れており、前記X線リソグラフィ用マスクは、前記X線
透過膜の膜厚分布の変化方向と前記シンクロトロン放射
光の強度分布の変化方向とが一致されて配置され、さら
に、前記シンクロトロン放射光の強度分布と前記X線透
過膜の膜厚分布とに基づいて、前記露光領域の、前記シ
ンクロトロン放射光の強度分布の変化方向に対する、該
シンクロトロン放射光の照射時間を変化させる補正手段
を有するものである。
【0028】前記X線リソグラフィ露光装置において、
前記X線リソグラフィ用マスクは、X線透過膜の膜厚分
布が略一次元的に変化する方向を基準にして転写パター
ンが描かれている場合と、複数のX線リソグラフィ用マ
スクを順に用いて、多重露光を行なう場合とがある。
前記X線リソグラフィ用マスクは、X線透過膜の膜厚分
布が略一次元的に変化する方向を基準にして転写パター
ンが描かれている場合と、複数のX線リソグラフィ用マ
スクを順に用いて、多重露光を行なう場合とがある。
【0029】
【作用】本発明は、X線リソグラフィ用マスクの露光領
域に照射するシンクロトロン放射光の強度分布の変化す
る方向と、前記X線リソグラフィ用マスクのX線透過膜
の膜厚分布の変化する方向とを一致させ、前記シンクロ
トロン放射光の強弱および前記X線透過膜の厚・薄に応
じて、前記露光領域に対するシンクロトロン放射光の照
射時間を変化させることにより、前記シンクロトロン放
射光がX線透過膜を透過することで形成される転写パタ
ーン像の強度を均一にする。
域に照射するシンクロトロン放射光の強度分布の変化す
る方向と、前記X線リソグラフィ用マスクのX線透過膜
の膜厚分布の変化する方向とを一致させ、前記シンクロ
トロン放射光の強弱および前記X線透過膜の厚・薄に応
じて、前記露光領域に対するシンクロトロン放射光の照
射時間を変化させることにより、前記シンクロトロン放
射光がX線透過膜を透過することで形成される転写パタ
ーン像の強度を均一にする。
【0030】
【実施例】次に本発明の実施例について、図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【0031】図1は本発明のX線リソグラフィ露光装置
の一実施例を示す斜視図である。
の一実施例を示す斜視図である。
【0032】本実施例のX線リソグラフィ露光装置は、
発光源10から放射されたシンクロトロン放射光(以下
、「放射光」と称す。)11を、露光領域L0 の全域
を照射できる大きさにするため、固定凸面ミラー12に
よって放射光軌道面に対して垂直な方向(y方向)に拡
大してX線マスク14に照射し、該X線マスク14のX
線透過膜16上に形成されているマスクパターンを、レ
ジストを塗布したシリコンウェハ18上に投影するもの
であり、露光量ムラを補正するためのシャッター13を
備えている。前記シャッター13、X線マスク14およ
びシリコンウェハ18は密閉した露光チャンバー(不図
示)内に収納されており、前記放射光11は、固定凸面
ミラー12で反射した後、前記露光チャンバーに設けら
れたX線フィルタを通して前記X線マスク14へ導かれ
る。
発光源10から放射されたシンクロトロン放射光(以下
、「放射光」と称す。)11を、露光領域L0 の全域
を照射できる大きさにするため、固定凸面ミラー12に
よって放射光軌道面に対して垂直な方向(y方向)に拡
大してX線マスク14に照射し、該X線マスク14のX
線透過膜16上に形成されているマスクパターンを、レ
ジストを塗布したシリコンウェハ18上に投影するもの
であり、露光量ムラを補正するためのシャッター13を
備えている。前記シャッター13、X線マスク14およ
びシリコンウェハ18は密閉した露光チャンバー(不図
示)内に収納されており、前記放射光11は、固定凸面
ミラー12で反射した後、前記露光チャンバーに設けら
れたX線フィルタを通して前記X線マスク14へ導かれ
る。
【0033】X線マスク14に照射された放射光11は
、その強度が、図2に示すように前記y軸方向の中央部
分が最大となって、前記X線マスク14の面内にて前記
y軸方向と直交するx軸方向の強度は同一y座標におい
て略均一となっている。
、その強度が、図2に示すように前記y軸方向の中央部
分が最大となって、前記X線マスク14の面内にて前記
y軸方向と直交するx軸方向の強度は同一y座標におい
て略均一となっている。
【0034】図2のx−y座標系にて示したX線マスク
14上での放射光11の、各座標における強度I(x,
y)は、該放射光11によるX線マスク14の照射範囲
の、前記x軸方向の両端のx座標をx1 ,x3 とし
、その中央部のx座標x2 とすると、 I(x1 ,y)=I(x2 ,y)=I(x3 y)
と表される。
14上での放射光11の、各座標における強度I(x,
y)は、該放射光11によるX線マスク14の照射範囲
の、前記x軸方向の両端のx座標をx1 ,x3 とし
、その中央部のx座標x2 とすると、 I(x1 ,y)=I(x2 ,y)=I(x3 y)
と表される。
【0035】このようにx軸方向には強度分布は均一で
あるが、y軸方向にはそうではないので、y軸方向の強
度分布を補正するため、前記X線マスク14の前記固定
凸面ミラー12側に配したシャッター13によって前記
X線マスク14への放射光11の照射量を制御する。前
記シャッター13は、前記固定凸面ミラー12にて反射
した放射光11を通過させるための開口部19が形成さ
れており、該開口部19をy軸方向に走査し、その移動
速度を変化させることで前記放射光11の照射量を制御
する。
あるが、y軸方向にはそうではないので、y軸方向の強
度分布を補正するため、前記X線マスク14の前記固定
凸面ミラー12側に配したシャッター13によって前記
X線マスク14への放射光11の照射量を制御する。前
記シャッター13は、前記固定凸面ミラー12にて反射
した放射光11を通過させるための開口部19が形成さ
れており、該開口部19をy軸方向に走査し、その移動
速度を変化させることで前記放射光11の照射量を制御
する。
【0036】本実施例のシャッター13は、図3におい
て+y方向(下から上方向)へ移動するものであり、y
方向の各部分の露光量は、シャッター13がその開口部
19の前シャッター20で開き、後シャッター21で閉
じるまでの照射時間Δt(y)と、その部分での放射光
11の強度I(x,y)との積によって決まる。したが
って、前記放射光11の、X線マスク14上における強
度I(x,y)の大小に応じて前記照射時間Δt(y)
を設定することにより、シリコンウェハ18に投影され
るマスクパターンの強度を一様にすることができる。
て+y方向(下から上方向)へ移動するものであり、y
方向の各部分の露光量は、シャッター13がその開口部
19の前シャッター20で開き、後シャッター21で閉
じるまでの照射時間Δt(y)と、その部分での放射光
11の強度I(x,y)との積によって決まる。したが
って、前記放射光11の、X線マスク14上における強
度I(x,y)の大小に応じて前記照射時間Δt(y)
を設定することにより、シリコンウェハ18に投影され
るマスクパターンの強度を一様にすることができる。
【0037】本実施例の場合、前記放射光11の強度分
布に対しては、図3の前シャッター強度補正走査および
後シャッター強度補正走査として示すように、前記シャ
ッター13の、時間tに対する移動量を定めることで、
強度分布に応じた照射時間を制御する。なお、実際には
、後シャッター21は前シャッター20に追従するため
、前シャッター20について定めればよい。
布に対しては、図3の前シャッター強度補正走査および
後シャッター強度補正走査として示すように、前記シャ
ッター13の、時間tに対する移動量を定めることで、
強度分布に応じた照射時間を制御する。なお、実際には
、後シャッター21は前シャッター20に追従するため
、前シャッター20について定めればよい。
【0038】このように、X線マスク14に照射された
放射光11の強度分布において前記x軸方向が均一であ
れば前述のようなシャッター13をy軸方向に走査させ
ることで、前記X線マスク14を透過した放射光11を
露光領域に均一に照射することが可能となる。本実施例
では、前記放射光11の強度分布による全体的な露光量
ムラを許容範囲である5%以内に抑えるために、前記X
線マスク14の膜厚分布によって生じる露光量ムラを1
%以下に抑える。
放射光11の強度分布において前記x軸方向が均一であ
れば前述のようなシャッター13をy軸方向に走査させ
ることで、前記X線マスク14を透過した放射光11を
露光領域に均一に照射することが可能となる。本実施例
では、前記放射光11の強度分布による全体的な露光量
ムラを許容範囲である5%以内に抑えるために、前記X
線マスク14の膜厚分布によって生じる露光量ムラを1
%以下に抑える。
【0039】X線マスク14は、前記X線透過膜16と
、X線透過窓17が形成された、前記X線透過膜16を
支持するための支持枠15とから構成されている。
、X線透過窓17が形成された、前記X線透過膜16を
支持するための支持枠15とから構成されている。
【0040】X線透過膜16は化学的気相成長法によっ
て作製した、厚さ2μmの窒化シリコン膜22(図4参
照)であり、前記X線マスク14作製前に分光反射率測
定式膜厚計を用いて前記窒化シリコン膜22の膜厚ムラ
を測定したところ、図4に示すような、膜厚分布を示す
ものであった。この、X線透過膜16を形成するための
窒化シリコン膜22の膜厚分布は、放射光11が前記X
線透過膜16を透過した後の露光ムラ発生の原因となる
。例えば、図4において、A1 −B1 線を中心線と
する第1のX線透過膜16A(図中一点破線部)を考え
、該第1のX線透過膜16Aを用いて、そのA1 −B
1 線を、図1に示すX線マスク14のA0 −B0
線に一致するようにして、X線マスク14を作製した場
合、該X線マスク14の第1のX線透過膜16Aを透過
した後の放射光11の強度分布I(x,y)は、図5に
示したように、x方向の均一性が失われて、
て作製した、厚さ2μmの窒化シリコン膜22(図4参
照)であり、前記X線マスク14作製前に分光反射率測
定式膜厚計を用いて前記窒化シリコン膜22の膜厚ムラ
を測定したところ、図4に示すような、膜厚分布を示す
ものであった。この、X線透過膜16を形成するための
窒化シリコン膜22の膜厚分布は、放射光11が前記X
線透過膜16を透過した後の露光ムラ発生の原因となる
。例えば、図4において、A1 −B1 線を中心線と
する第1のX線透過膜16A(図中一点破線部)を考え
、該第1のX線透過膜16Aを用いて、そのA1 −B
1 線を、図1に示すX線マスク14のA0 −B0
線に一致するようにして、X線マスク14を作製した場
合、該X線マスク14の第1のX線透過膜16Aを透過
した後の放射光11の強度分布I(x,y)は、図5に
示したように、x方向の均一性が失われて、
【0041】
【数1】
となっている。
【0042】このような強度分布に対し、前述の図3に
示した前シャッター強度補正走査および後シャッター強
度補正走査のように、シャッター13を走査させて露光
を行ない、そのときの露光量ムラを測定すると4.2%
であり、前記第1のX線透過膜16Aの膜厚分布を考慮
して、最適露光時間となるようにシャッター13の走査
速度を補正した場合でも、3.7%の露光量ムラが発生
することがわかった。この露光量ムラは、前記露光チャ
ンバ内において、X線マスク14に照射された放射光1
1、すなわち、X線フィルタを透過した後の放射光11
に対して、前記第1のX線透過膜16Aの膜厚分布によ
って発生したものであり、実際には、前記放射光11が
X線マスク14に達するまでに、反射あるいは透過する
、固定凸面ミラー12および前記X線フィルタの膜厚分
布等によっても、放射光11の強度ムラが生じ、その強
度ムラに関る露光量ムラ(3〜4%)が加わるため、実
際の全体的な露光ムラは約7〜8%となり前述の許容範
囲を越えている。
示した前シャッター強度補正走査および後シャッター強
度補正走査のように、シャッター13を走査させて露光
を行ない、そのときの露光量ムラを測定すると4.2%
であり、前記第1のX線透過膜16Aの膜厚分布を考慮
して、最適露光時間となるようにシャッター13の走査
速度を補正した場合でも、3.7%の露光量ムラが発生
することがわかった。この露光量ムラは、前記露光チャ
ンバ内において、X線マスク14に照射された放射光1
1、すなわち、X線フィルタを透過した後の放射光11
に対して、前記第1のX線透過膜16Aの膜厚分布によ
って発生したものであり、実際には、前記放射光11が
X線マスク14に達するまでに、反射あるいは透過する
、固定凸面ミラー12および前記X線フィルタの膜厚分
布等によっても、放射光11の強度ムラが生じ、その強
度ムラに関る露光量ムラ(3〜4%)が加わるため、実
際の全体的な露光ムラは約7〜8%となり前述の許容範
囲を越えている。
【0043】上述の第1のX線透過膜16Aの膜厚分布
により露光量ムラは、前記シャッター13のy方向の走
査に対して、該第1のX線透過膜16Aを透過した放射
光11のx方向の強度が均一でないために発生したもの
と考えられる。
により露光量ムラは、前記シャッター13のy方向の走
査に対して、該第1のX線透過膜16Aを透過した放射
光11のx方向の強度が均一でないために発生したもの
と考えられる。
【0044】そこで、本実施例では前記窒化シリコン膜
22において、X線透過膜16として、透過した放射光
11の少なくともx方向の強度が略均一となるような最
適な部分を探してその部分をX線透過膜16として用い
る。この最適な部分を探す方法としては、前記窒化シリ
コン膜22において、図6に示すように、A3 −B3
線を中心線として、X線透過膜16に相当する仮想膜2
2aを考え、該仮想膜22Aの面内において、前記A3
−B3 線方向を16行、該A3 −B3 線に垂直
な方向を15列にそれぞれ分割してそれらの各交点の膜
厚を測定し、測定した膜厚から、それらの膜厚分布が前
記A3 −B3 線に沿って、一次元的に変化するよう
な仮想膜22aを探す方法がある。この場合、測定した
各交点の膜厚から、前記16行それぞれについて行毎の
平均膜厚T(y)を求め、該平均膜厚T(y)に基づい
て前記A3 −B3 線方向の膜厚分布を調べる。そし
て上述の操作を、前記窒化シリコン膜22において前記
A3 −B3 線を5°間隔で180°まで変化させて
行ない、各A3 −B3 線に対する仮想膜22Aにつ
いて最も平均膜厚分布T(y)の差が大きい部分を探す
。
22において、X線透過膜16として、透過した放射光
11の少なくともx方向の強度が略均一となるような最
適な部分を探してその部分をX線透過膜16として用い
る。この最適な部分を探す方法としては、前記窒化シリ
コン膜22において、図6に示すように、A3 −B3
線を中心線として、X線透過膜16に相当する仮想膜2
2aを考え、該仮想膜22Aの面内において、前記A3
−B3 線方向を16行、該A3 −B3 線に垂直
な方向を15列にそれぞれ分割してそれらの各交点の膜
厚を測定し、測定した膜厚から、それらの膜厚分布が前
記A3 −B3 線に沿って、一次元的に変化するよう
な仮想膜22aを探す方法がある。この場合、測定した
各交点の膜厚から、前記16行それぞれについて行毎の
平均膜厚T(y)を求め、該平均膜厚T(y)に基づい
て前記A3 −B3 線方向の膜厚分布を調べる。そし
て上述の操作を、前記窒化シリコン膜22において前記
A3 −B3 線を5°間隔で180°まで変化させて
行ない、各A3 −B3 線に対する仮想膜22Aにつ
いて最も平均膜厚分布T(y)の差が大きい部分を探す
。
【0045】本実施例では、上述のような操作を行なっ
た結果、窒化シリコン膜22については、前述の図4に
おいて、A2 −B2 線を中心線とする第2のX線透
過膜16B(破線部)が平均膜厚分布T(y)の差が大
きくA2 −B2 線方向に沿って略一次元的な変化と
なっている。この第2のX線透過膜16Bについて各行
毎の平均膜厚T(y)の分布を図7に示す。図7からも
明らかなように、A2 −B2 線方向に沿って略一次
元的な変化となっている。
た結果、窒化シリコン膜22については、前述の図4に
おいて、A2 −B2 線を中心線とする第2のX線透
過膜16B(破線部)が平均膜厚分布T(y)の差が大
きくA2 −B2 線方向に沿って略一次元的な変化と
なっている。この第2のX線透過膜16Bについて各行
毎の平均膜厚T(y)の分布を図7に示す。図7からも
明らかなように、A2 −B2 線方向に沿って略一次
元的な変化となっている。
【0046】この第2のX線透過膜16Bについて該第
2のX線透過膜16Bを透過した後の放射光11の強度
分布の計算値を図8に示す。
2のX線透過膜16Bを透過した後の放射光11の強度
分布の計算値を図8に示す。
【0047】前記第2のX線透過膜16Bは、図7に示
すようにA2 側が厚く、B2 側が薄い膜厚分布を示
しているため、図8に示す強度分布では、前記第2のX
線透過膜16Bを透過した放射光11の最大強度部がB
2 側に移動しているものの同一y座標位置においてx
方向の強度は、
すようにA2 側が厚く、B2 側が薄い膜厚分布を示
しているため、図8に示す強度分布では、前記第2のX
線透過膜16Bを透過した放射光11の最大強度部がB
2 側に移動しているものの同一y座標位置においてx
方向の強度は、
【0048】
【数2】
となり、略均一である。
【0049】このような放射光11の強度分布から、前
記X線マスク14の第2のX線透過膜16Bの膜厚分布
に対する最適なシャッター13の走査量を求めると、前
述の図3の、前シャッター膜厚補正走査および後シャッ
ター膜厚補正走査として示すような動きとなり、この場
合の、前記第2のX線透過膜16Bの膜厚分布によって
生じる露光量ムラは計算により0.7%と推定された。
記X線マスク14の第2のX線透過膜16Bの膜厚分布
に対する最適なシャッター13の走査量を求めると、前
述の図3の、前シャッター膜厚補正走査および後シャッ
ター膜厚補正走査として示すような動きとなり、この場
合の、前記第2のX線透過膜16Bの膜厚分布によって
生じる露光量ムラは計算により0.7%と推定された。
【0050】ここで、前述のような第2のX線透過膜1
6Bを用い、前記A2 −B2 線を、図1に示すA0
−B0 線に一致させてX線マスク14を形成して配
置し、シリコンウェハ18の位置に、フォトダイオード
からなるX線検出器を配して、前記第2のX線透過膜1
6Bの膜厚分布によって生じると考えられる露光量ムラ
に相当する、放射光11の強度分布を測定したところ、
0.8%程度であり、前述の計算結果と略一致したもの
となってこの第2のX線透過膜16Bの膜厚分布による
露光量ムラから、前述の全体的な露光量ムラを求めると
、3.8〜4.8%であり、前記許容範囲内におさまっ
たことになる。
6Bを用い、前記A2 −B2 線を、図1に示すA0
−B0 線に一致させてX線マスク14を形成して配
置し、シリコンウェハ18の位置に、フォトダイオード
からなるX線検出器を配して、前記第2のX線透過膜1
6Bの膜厚分布によって生じると考えられる露光量ムラ
に相当する、放射光11の強度分布を測定したところ、
0.8%程度であり、前述の計算結果と略一致したもの
となってこの第2のX線透過膜16Bの膜厚分布による
露光量ムラから、前述の全体的な露光量ムラを求めると
、3.8〜4.8%であり、前記許容範囲内におさまっ
たことになる。
【0051】したがって、X線マスク14に略一次元的
膜厚分布がある場合、この膜厚分布の方向をシャッター
13の移動方向に一致させ、前記膜厚分布を考慮して、
前記シャッター13の移動速度を設定することで、大幅
に、膜厚ムラによる露光量ムラを減少させることができ
ることがわかった。また、本実施例においては、化学的
気相成長法によって成膜したX線透過膜を使用したが、
スパッタ法等その他の成膜法によりX線透過膜を作製し
てもよいことはいうまでもない。
膜厚分布がある場合、この膜厚分布の方向をシャッター
13の移動方向に一致させ、前記膜厚分布を考慮して、
前記シャッター13の移動速度を設定することで、大幅
に、膜厚ムラによる露光量ムラを減少させることができ
ることがわかった。また、本実施例においては、化学的
気相成長法によって成膜したX線透過膜を使用したが、
スパッタ法等その他の成膜法によりX線透過膜を作製し
てもよいことはいうまでもない。
【0052】次に本発明の他の実施例について説明する
。
。
【0053】図9は本発明のX線リソグラフィ露光装置
の他の実施例を示す斜視図である。発光源90より放射
されたシンクロトロン放射光(以下、「放射光」と称す
。)91は平面ミラー92によって、反射されてX線マ
スク94に入射し、該X線マスク94のX線透過膜96
上に形成されたマスクパターンを、レジストを塗布した
シリコンウェハ98上に転写す。このとき平面ミラー9
2は、放射光91が前記X線マスク94の露光領域L0
の全域に照射されるように、回転軸23を軸にして振
動される。この平面ミラー92の振動により、該平面ミ
ラー92で反射した放射光91は、図9中に点線で示し
たようにミラー反射面と垂直な方向で上下(y方向)に
振動して露光領域L0 の全域に照射される。このとき
平面ミラー92に対して放射光91の入射角が小さい方
が反射率が高いため、反射後の放射光91の強度分布は
図10のようになる。
の他の実施例を示す斜視図である。発光源90より放射
されたシンクロトロン放射光(以下、「放射光」と称す
。)91は平面ミラー92によって、反射されてX線マ
スク94に入射し、該X線マスク94のX線透過膜96
上に形成されたマスクパターンを、レジストを塗布した
シリコンウェハ98上に転写す。このとき平面ミラー9
2は、放射光91が前記X線マスク94の露光領域L0
の全域に照射されるように、回転軸23を軸にして振
動される。この平面ミラー92の振動により、該平面ミ
ラー92で反射した放射光91は、図9中に点線で示し
たようにミラー反射面と垂直な方向で上下(y方向)に
振動して露光領域L0 の全域に照射される。このとき
平面ミラー92に対して放射光91の入射角が小さい方
が反射率が高いため、反射後の放射光91の強度分布は
図10のようになる。
【0054】露光領域L0 内の最もA4 に近い位置
に放射光91の強度の最大値I(x,y)がきたときと
、同じくB4 に近い位置に最大値I(x,y’)がき
たときとでは反射強度はB4 に近い位置の方がA4
に近い位置よりも1.2倍強かった。このとき、X線透
過膜96が均一な厚さならば、露光時間は各位置での放
射光91の波長とX線透過膜96の前記膜厚でのX線吸
収率の波長異存性を考慮して決められる。
に放射光91の強度の最大値I(x,y)がきたときと
、同じくB4 に近い位置に最大値I(x,y’)がき
たときとでは反射強度はB4 に近い位置の方がA4
に近い位置よりも1.2倍強かった。このとき、X線透
過膜96が均一な厚さならば、露光時間は各位置での放
射光91の波長とX線透過膜96の前記膜厚でのX線吸
収率の波長異存性を考慮して決められる。
【0055】本実施例のX線リソグラフィ露光装置に、
前述の実施例と同様なX線透過膜16B(図4参照)を
用い、その中心線A2 −B2 を図9のA4 −B4
線に一致させて形成したX線マスク94を配置した。 そして、前記第2のX線透過膜16Bの膜厚ムラを考慮
しないときのミラー振動条件、すなわち、放射光91の
反射強度分布のみを考慮した条件で前記平面ミラー92
を振動させ、シリコンウェハ98を配置すべき位置でフ
ォトダイオードからなるX線検出器を用いて、全体的な
露光量ムラに相当する放射光91の強度分布を測定した
ところ約7.4%であった。そこで前述の実施例と同様
にして、X線透過膜16Bの膜厚ムラの平均値の分布(
図7参照)を求め、その膜厚分布より発生する露光量ム
ラを露光時間によって相殺できるように、平面ミラー9
2の振動方法を設定したところ、露光量ムラは約3.9
%に低下した。また、X線マスク94を配置せずに、同
様に露光量ムラを測定したところ、前記平面ミラー92
あるいはX線フィルタ(不図示)等によって約3.2%
の露光量ムラが生じていることがわかった。したがって
、第2X線透過膜16Bによる露光量ムラは補正前で4
.2%、補正後で0.7%であり、前述の実施例と同様
な結果となった。
前述の実施例と同様なX線透過膜16B(図4参照)を
用い、その中心線A2 −B2 を図9のA4 −B4
線に一致させて形成したX線マスク94を配置した。 そして、前記第2のX線透過膜16Bの膜厚ムラを考慮
しないときのミラー振動条件、すなわち、放射光91の
反射強度分布のみを考慮した条件で前記平面ミラー92
を振動させ、シリコンウェハ98を配置すべき位置でフ
ォトダイオードからなるX線検出器を用いて、全体的な
露光量ムラに相当する放射光91の強度分布を測定した
ところ約7.4%であった。そこで前述の実施例と同様
にして、X線透過膜16Bの膜厚ムラの平均値の分布(
図7参照)を求め、その膜厚分布より発生する露光量ム
ラを露光時間によって相殺できるように、平面ミラー9
2の振動方法を設定したところ、露光量ムラは約3.9
%に低下した。また、X線マスク94を配置せずに、同
様に露光量ムラを測定したところ、前記平面ミラー92
あるいはX線フィルタ(不図示)等によって約3.2%
の露光量ムラが生じていることがわかった。したがって
、第2X線透過膜16Bによる露光量ムラは補正前で4
.2%、補正後で0.7%であり、前述の実施例と同様
な結果となった。
【0056】そして実際に、これと略同様の膜厚分布を
持つX線透過膜上に金(Au)の吸収体で最小線幅0.
25μmのラインアンドスペースパターンを作成し、こ
れをX線マスク94として、レジストを塗布したシリコ
ンウェハ98に露光する際、前述のような平面ミラー9
2による膜厚分布に対する補正を行なったところ、線幅
誤差は約12nm(4.8%)だった。一方、膜厚分布
に対する補正を行なわないときには20nm程度(8%
)の線幅誤差が生じた。したがって、X線透過膜の膜厚
分布を前記平面ミラー92によって補正することで、前
記膜厚分布によって生じる露光量ムラに関る線幅誤差を
かなり低減することができたといえる。また、X線透過
膜が前述のような一次元的な膜厚分布を示さない場合で
あっても、前記平面ミラー92によって露光量ムラを補
正することが可能である。
持つX線透過膜上に金(Au)の吸収体で最小線幅0.
25μmのラインアンドスペースパターンを作成し、こ
れをX線マスク94として、レジストを塗布したシリコ
ンウェハ98に露光する際、前述のような平面ミラー9
2による膜厚分布に対する補正を行なったところ、線幅
誤差は約12nm(4.8%)だった。一方、膜厚分布
に対する補正を行なわないときには20nm程度(8%
)の線幅誤差が生じた。したがって、X線透過膜の膜厚
分布を前記平面ミラー92によって補正することで、前
記膜厚分布によって生じる露光量ムラに関る線幅誤差を
かなり低減することができたといえる。また、X線透過
膜が前述のような一次元的な膜厚分布を示さない場合で
あっても、前記平面ミラー92によって露光量ムラを補
正することが可能である。
【0057】例えば、図11および図12に示すような
、膜厚分布の窒化シリコン膜110,120を考え、そ
れらの膜厚分布を測定する。
、膜厚分布の窒化シリコン膜110,120を考え、そ
れらの膜厚分布を測定する。
【0058】この場合、各窒化シリコン膜110,12
0に対し、それらの各中心を通るA5 −B5 および
A6 −B6 線と、該A5 −B5 およびA6 −
B6線を中心線として、図9に示すX線マスク94のX
線透過膜97の大きさに相当する領域を考え、その領域
を縦横にそれぞれ12行、12列に等分し、その各交点
の膜厚を求める。さらに、行毎の12点の膜厚の平均を
求め、各窒化シリコン膜110,120について12個
の平均膜厚の最大値と最小値との差が最大となるA5
−B5 線とA6 −B6 線の方向を探す。図11お
よび図12に示す、A5 −B5 線とA6−B6 線
が、それぞれ窒化シリコン膜110,120において、
平均膜厚の差が最大となる方向であり、第3および第4
のX線透過膜110A,120Aが前記X線透過窓97
の大きさに相当する領域である。
0に対し、それらの各中心を通るA5 −B5 および
A6 −B6 線と、該A5 −B5 およびA6 −
B6線を中心線として、図9に示すX線マスク94のX
線透過膜97の大きさに相当する領域を考え、その領域
を縦横にそれぞれ12行、12列に等分し、その各交点
の膜厚を求める。さらに、行毎の12点の膜厚の平均を
求め、各窒化シリコン膜110,120について12個
の平均膜厚の最大値と最小値との差が最大となるA5
−B5 線とA6 −B6 線の方向を探す。図11お
よび図12に示す、A5 −B5 線とA6−B6 線
が、それぞれ窒化シリコン膜110,120において、
平均膜厚の差が最大となる方向であり、第3および第4
のX線透過膜110A,120Aが前記X線透過窓97
の大きさに相当する領域である。
【0059】上述の第3のX線透過膜110Aを用い、
その中心線A5 −B5 を、図9に示すA4 −B4
線に一致させてX線マスク94を形成して配置し、図
10に示した放射光91の強度分布を考慮して、前記平
面ミラー92の振動を制御し、露光量ムラを測定したと
ころ7.1%であったが、前記放射光91の強度分布に
加えて第3のX線透過膜110Aの膜厚分布を考慮して
前記平面ミラー92を制御した場合、露光量ムラは3.
2%となった。また、第4のX線透過膜120Aについ
ても同様にX線マスク94を形成し、前記放射光91の
強度分布のみを考慮した場合の露光量ムラは4.9%で
あり、放射光91の強度分布に加えて第4のX線透過膜
120Aの膜厚分布を考慮した場合の露光量ムラは1.
1%となった。
その中心線A5 −B5 を、図9に示すA4 −B4
線に一致させてX線マスク94を形成して配置し、図
10に示した放射光91の強度分布を考慮して、前記平
面ミラー92の振動を制御し、露光量ムラを測定したと
ころ7.1%であったが、前記放射光91の強度分布に
加えて第3のX線透過膜110Aの膜厚分布を考慮して
前記平面ミラー92を制御した場合、露光量ムラは3.
2%となった。また、第4のX線透過膜120Aについ
ても同様にX線マスク94を形成し、前記放射光91の
強度分布のみを考慮した場合の露光量ムラは4.9%で
あり、放射光91の強度分布に加えて第4のX線透過膜
120Aの膜厚分布を考慮した場合の露光量ムラは1.
1%となった。
【0060】このように、平面ミラー92を用いて、放
射光91の反射強度およびX線マスク94のX線透過膜
96の膜厚分布に基づいて、前記放射光91を走査させ
ることにより、前記X線透過膜96の膜厚分布が一次元
的に変化するものだけでなく、二次元的に変化するもの
であっても露光量ムラを大幅に改善することができた。
射光91の反射強度およびX線マスク94のX線透過膜
96の膜厚分布に基づいて、前記放射光91を走査させ
ることにより、前記X線透過膜96の膜厚分布が一次元
的に変化するものだけでなく、二次元的に変化するもの
であっても露光量ムラを大幅に改善することができた。
【0061】また、プロセス中多数回露光するために用
いる多重露光用の複数のX線マスクを作成する場合には
各回露光に用いるすべてのX線マスクにおいてX線透過
膜の膜厚分布方向とマスクパターンの方向が一致するよ
うにしなければならない。
いる多重露光用の複数のX線マスクを作成する場合には
各回露光に用いるすべてのX線マスクにおいてX線透過
膜の膜厚分布方向とマスクパターンの方向が一致するよ
うにしなければならない。
【0062】例えば、図11,図12に示した第3およ
び第4のX線透過膜110A,120Aを多重露光用マ
スクとして使用するときにはA5 −B5 線とA6
−B6 線とを一致させ、さらに、それぞれにマスクパ
ターンの方向を一致するようにしなければならない。こ
れを考慮せずにX線マスクを作成した場合、一方のX線
マスクのX線透過膜の膜厚分布による露光量ムラは補正
することができるが、他方については補正することがで
きない。 この場合、マスクパターンの線幅誤差は補正されなかっ
たX線透過膜の露光量ムラによって決まり、補正による
線幅誤差減少の効果は少ない。
び第4のX線透過膜110A,120Aを多重露光用マ
スクとして使用するときにはA5 −B5 線とA6
−B6 線とを一致させ、さらに、それぞれにマスクパ
ターンの方向を一致するようにしなければならない。こ
れを考慮せずにX線マスクを作成した場合、一方のX線
マスクのX線透過膜の膜厚分布による露光量ムラは補正
することができるが、他方については補正することがで
きない。 この場合、マスクパターンの線幅誤差は補正されなかっ
たX線透過膜の露光量ムラによって決まり、補正による
線幅誤差減少の効果は少ない。
【0063】例えば、前記第3のX線透過膜110Aに
対する補正を行なった場合、露光量ムラは前記第4のX
線透過膜120Aに関る4.9%となり、該第4のX線
透過膜120Aに対する補正を行なった場合露光量ムラ
は前記第3のX線透過膜110Aに関る7.1%となる
。したがって、複数のX線マスクを用いて多重露光を行
なう場合、マスクパターンの線幅誤差を少なくするため
各X線マスクを、それぞれX線透過膜の膜厚分布の方向
とマスクパターンの方向とが一致するように作製し、前
記膜厚分布に対する補正をすべてX線マスクにおいて行
なう必要がある。
対する補正を行なった場合、露光量ムラは前記第4のX
線透過膜120Aに関る4.9%となり、該第4のX線
透過膜120Aに対する補正を行なった場合露光量ムラ
は前記第3のX線透過膜110Aに関る7.1%となる
。したがって、複数のX線マスクを用いて多重露光を行
なう場合、マスクパターンの線幅誤差を少なくするため
各X線マスクを、それぞれX線透過膜の膜厚分布の方向
とマスクパターンの方向とが一致するように作製し、前
記膜厚分布に対する補正をすべてX線マスクにおいて行
なう必要がある。
【0064】前述した各実施例では、光学系として、そ
れぞれ、固定凸面ミラー方式およびミラー振動方式(平
面ミラー)を採用した例を示したが、その他の、ミラー
振動方式(曲面ミラー)、電子ビーム揺動方式およびマ
スク・ウェハステージスキャン方式等の場合であっても
同様に露光量ムラを抑えることができる。
れぞれ、固定凸面ミラー方式およびミラー振動方式(平
面ミラー)を採用した例を示したが、その他の、ミラー
振動方式(曲面ミラー)、電子ビーム揺動方式およびマ
スク・ウェハステージスキャン方式等の場合であっても
同様に露光量ムラを抑えることができる。
【0065】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、下記のような効果を奏する。
ているので、下記のような効果を奏する。
【0066】(1)シンクロトロン放射光の強度分布と
X線リソグラフィ用マスクのX線透過膜の膜厚分布とを
考慮して、前記X線リソグラフィ用マスクの露光領域に
対する、前記シンクロトロン放射光の照射時間を変化さ
せることにより、前記シンクロトロン放射光が前記X線
透過膜を透過することで形成される転写パターン像の強
度を略均一にすることができるので、前記シンクロトロ
ン放射光の強度ムラによる転写パターンの線幅誤差等の
露光量ムラを抑制でき、高精度な露光が可能となる。
X線リソグラフィ用マスクのX線透過膜の膜厚分布とを
考慮して、前記X線リソグラフィ用マスクの露光領域に
対する、前記シンクロトロン放射光の照射時間を変化さ
せることにより、前記シンクロトロン放射光が前記X線
透過膜を透過することで形成される転写パターン像の強
度を略均一にすることができるので、前記シンクロトロ
ン放射光の強度ムラによる転写パターンの線幅誤差等の
露光量ムラを抑制でき、高精度な露光が可能となる。
【0067】(2)複数のX線リソグラフィ用マスクを
用いて多重露光を行なう場合であっても、各X線リソグ
ラフィ用マスク毎に露光量ムラが抑制されるので、高精
度な露光を行なうことができる。
用いて多重露光を行なう場合であっても、各X線リソグ
ラフィ用マスク毎に露光量ムラが抑制されるので、高精
度な露光を行なうことができる。
【図1】本発明のX線リソグラフィ露光装置の一実施例
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図2】X線マスクのX線透過膜に照射されたシンクロ
トロン放射光の強度分布の一例を示す図である。
トロン放射光の強度分布の一例を示す図である。
【図3】補正手段であるシャッターの構成および該シャ
ッターの動作例を示す図である。
ッターの動作例を示す図である。
【図4】X線透過膜を作製するための、窒化シリコン膜
の膜厚分布の一例を示す図である。
の膜厚分布の一例を示す図である。
【図5】X線透過膜を透過した後のシンクロトロン放射
光の強度分布の一例を示す図である。
光の強度分布の一例を示す図である。
【図6】X線透過膜の作製方法を説明するための図であ
る。
る。
【図7】X線透過膜の平均膜厚の変化を示す特性図であ
る。
る。
【図8】X線透過膜を透過した後のシンクロトロン放射
光の強度分布の他の例を示す図である。
光の強度分布の他の例を示す図である。
【図9】本発明のX線リソグラフィ露光装置の他の実施
例を示す斜視図である。
例を示す斜視図である。
【図10】本発明の他の実施例において、X線マスク上
に照射されたシンクロトロン放射光の強度分布を示し側
面図である。
に照射されたシンクロトロン放射光の強度分布を示し側
面図である。
【図11】本発明の他の実施例に用いたX線マスクのX
線透過膜の膜厚分布の一例を示す図である。
線透過膜の膜厚分布の一例を示す図である。
【図12】本発明の他の実施例に用いたX線マスクのX
線透過膜の膜厚分布の他の例を示す図である。
線透過膜の膜厚分布の他の例を示す図である。
10,90 発光源
11,91 シンクロトロン放射光12
固定凸面ミラー 13 シャッター 14,94 X線マスク 15,95 支持枠 16,96 X線透過膜 17,79 X線透過窓 18,98 シリコンウェハ 19 開口部 20 前シャッター 21 後シャッター 22,110,120 窒化シリコン膜92
平面ミラー 93 回転軸
固定凸面ミラー 13 シャッター 14,94 X線マスク 15,95 支持枠 16,96 X線透過膜 17,79 X線透過窓 18,98 シリコンウェハ 19 開口部 20 前シャッター 21 後シャッター 22,110,120 窒化シリコン膜92
平面ミラー 93 回転軸
Claims (5)
- 【請求項1】 転写パターンが描かれたX線透過膜と
、該X線透過膜を支持する支持枠とからなるX線リソグ
ラフィ用マスクにおいて、前記転写パターンが、前記X
線透過膜の膜厚分布の変化方向を基準にして描かれてい
ることを特徴とするX線リソグラフィ用マスク。 - 【請求項2】 転写パターンは、X線透過膜の膜厚分
布が略一次元的に変化する方向を基準にして前記X線透
過膜に描かれていることを特徴とする請求項1記載のX
線リソグラフィ用マスク。 - 【請求項3】 シンクロトロン放射源と、該シンクロ
トロン放射源が発したシンクロトロン放射光を、X線リ
ソグラフィ用マスクの、転写パターンが描かれているX
線透過膜の露光領域全域に照射させるための照明光学系
とを備えたX線リソグラフィ露光装置において、前記X
線リソグラフィ用マスクの転写パターンが前記X線透過
膜の膜厚分布の変化方向を基準にして描かれており、前
記X線リソグラフィ用マスクは、前記X線透過膜の膜厚
分布の変化方向と前記シンクロトロン放射光の強度分布
の変化方向とが一致されて配置され、さらに、前記シン
クロトロン放射光の強度分布と前記X線透過膜の膜厚分
布とに基づいて、前記露光領域の、前記シンクロトロン
放射光の強度分布の変化方向に対する、該シンクロトロ
ン放射光の照射時間を変化させる補正手段を有すること
を特徴とするX線リソグラフィ露光装置。 - 【請求項4】 X線リソグラフィ用マスクは、X線透
過膜の膜厚分布が略一次元的に変化する方向を基準にし
て転写パターンが描かれていることを特徴とする請求項
3記載のX線リソグラフィ露光装置。 - 【請求項5】 複数のX線リソグラフィ用マスクを順
に用いて、多重露光を行なうことを特徴とする請求項3
あるいは4記載のX線リソグラフィ露光装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7720191A JP3025545B2 (ja) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | X線リソグラフィ用マスクおよびx線リソグラフィ露光装置 |
EP92302282A EP0505144B1 (en) | 1991-03-18 | 1992-03-17 | X-ray lithography mask, light exposure apparatus and process therefor |
DE69220116T DE69220116T2 (de) | 1991-03-18 | 1992-03-17 | Röntgenlithographische Maske, Belichtungsvorrichtung und das Verfahren hierzu |
US08/203,752 US5444753A (en) | 1991-03-18 | 1994-03-01 | X-ray lithography mask, light exposure apparatus and process therefore |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7720191A JP3025545B2 (ja) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | X線リソグラフィ用マスクおよびx線リソグラフィ露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04288814A true JPH04288814A (ja) | 1992-10-13 |
JP3025545B2 JP3025545B2 (ja) | 2000-03-27 |
Family
ID=13627215
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7720191A Expired - Fee Related JP3025545B2 (ja) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | X線リソグラフィ用マスクおよびx線リソグラフィ露光装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5444753A (ja) |
EP (1) | EP0505144B1 (ja) |
JP (1) | JP3025545B2 (ja) |
DE (1) | DE69220116T2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100841494B1 (ko) * | 2001-09-06 | 2008-06-25 | 산에이 기껜 가부시키가이샤 | 분할 노광장치 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3278317B2 (ja) * | 1995-03-24 | 2002-04-30 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP3255849B2 (ja) * | 1996-07-19 | 2002-02-12 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP3450622B2 (ja) * | 1996-07-19 | 2003-09-29 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびこれを用いたデバイス製造方法 |
US6069931A (en) * | 1997-02-28 | 2000-05-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask structure and mask holding mechanism for exposure apparatus |
US6167111A (en) * | 1997-07-02 | 2000-12-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus for synchrotron radiation lithography |
WO1999046807A1 (fr) * | 1998-03-09 | 1999-09-16 | Nikon Corporation | Procede et appareil d'exposition par balayage, procede de fabrication associe, dispositif et procede de fabrication associe |
DE10001291A1 (de) * | 2000-01-14 | 2001-07-19 | Zeiss Carl | Adaptronischer Spiegel |
JP2002093684A (ja) | 2000-09-18 | 2002-03-29 | Canon Inc | X線露光装置、x線露光方法、半導体製造装置および微細構造体 |
JP2002245947A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-08-30 | Canon Inc | 細線を有する基板及びその製造方法及び電子源基板及び画像表示装置 |
ATE515720T1 (de) * | 2003-08-13 | 2011-07-15 | Koninkl Philips Electronics Nv | Verfahren zum zurückhalten einer in einer strahlungsquelle erzeugten substanz mit hilfe eines filters |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5851514A (ja) * | 1981-09-22 | 1983-03-26 | Toshiba Corp | ウエハ露光方法及びその装置 |
US4831640A (en) * | 1986-05-14 | 1989-05-16 | The Perkin-Elmer Corporation | Illumination system for x-ray lithography |
EP0279670B1 (en) * | 1987-02-18 | 1997-10-29 | Canon Kabushiki Kaisha | A reflection type mask |
US5012500A (en) * | 1987-12-29 | 1991-04-30 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask support member, X-ray mask, and X-ray exposure process using the X-ray mask |
DE68927430T2 (de) * | 1988-09-02 | 1997-03-13 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Belichtungseinrichtung |
EP0359370B1 (en) * | 1988-09-14 | 1996-01-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure control in X-ray exposure apparatus |
US5005075A (en) * | 1989-01-31 | 1991-04-02 | Hoya Corporation | X-ray mask and method of manufacturing an X-ray mask |
-
1991
- 1991-03-18 JP JP7720191A patent/JP3025545B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-03-17 DE DE69220116T patent/DE69220116T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-03-17 EP EP92302282A patent/EP0505144B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-03-01 US US08/203,752 patent/US5444753A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100841494B1 (ko) * | 2001-09-06 | 2008-06-25 | 산에이 기껜 가부시키가이샤 | 분할 노광장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0505144B1 (en) | 1997-06-04 |
DE69220116D1 (de) | 1997-07-10 |
EP0505144A1 (en) | 1992-09-23 |
DE69220116T2 (de) | 1997-10-16 |
US5444753A (en) | 1995-08-22 |
JP3025545B2 (ja) | 2000-03-27 |
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