JPH04288089A - メタクリルオキシ基またはアクリルオキシ基を有するオルガノシランの製造法 - Google Patents

メタクリルオキシ基またはアクリルオキシ基を有するオルガノシランの製造法

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JPH04288089A
JPH04288089A JP3284601A JP28460191A JPH04288089A JP H04288089 A JPH04288089 A JP H04288089A JP 3284601 A JP3284601 A JP 3284601A JP 28460191 A JP28460191 A JP 28460191A JP H04288089 A JPH04288089 A JP H04288089A
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ハース マルグレート
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    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02Silicon compounds
    • C07F7/08Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/18Compounds having one or more C—Si linkages as well as one or more C—O—Si linkages
    • C07F7/1804Compounds having Si-O-C linkages
    • C07F7/1872Preparation; Treatments not provided for in C07F7/20
    • C07F7/1892Preparation; Treatments not provided for in C07F7/20 by reactions not provided for in C07F7/1876 - C07F7/1888

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、メタクリルオキシ基ま
たはアクリルオキシ基を有する、以下にはアクリルシラ
ンとも呼称されている、オルガノシランを製造する方法
に関する。この方法は、公知の、アルカリメタクリレー
トまたはアルカリアクリレートと、クロルアルキルシラ
ンとの、相転移触媒の存在下での反応を基礎とする。
【0002】
【従来の技術】この反応は、特願昭40−51348号
明細書に記載されており;これには、メタクリル酸また
はアクリル酸の固体アルカリ金属塩と、一般式II:

0003】
【化4】
【0004】[式中、R2およびR3はC1〜C4アル
キル基を表わし、mは0〜2を表わし、nは1〜4を表
わす]のクロルアルキルシランとを、固液相転移触媒と
して4級アンモニウム塩の存在下に反応させることによ
って、一般式I:
【0005】
【化5】
【0006】[式中、R1は水素原子またはメチル基を
表わし、R2はC原子1〜4個を有するアルキル基を表
わし、R3はC原子1〜4個を有するアルキル基を表わ
し、mは0または1を表わし、nは1〜4までの数字を
表わす]で示されるアクリルシランを製造することがで
きることが記載されている。
【0007】相転移触媒として、この特許出願明細書に
は、トリエチルアミン、ジメチルアニリン、テトラメチ
ルアンモニウムクロリドおよびベンジルトリメチルアン
モニウムクロリドが挙げられている。最後に挙げられた
2つの化合物は、この特許出願明細書の例では、メタク
リル酸またはアクリル酸のアルカリ金属塩からなる固体
相と、クロルアルキルシランからなる液体相との間の反
応のために、相転移触媒として使用される。
【0008】反応の実施には、この触媒を使用する際に
、140℃〜180℃の高い反応温度が必要とされ、こ
の場合に反応時間は部分的に10時間までかかる。更に
、アルカリメタクリレートまたはアルカリアクリレート
のモル量の10倍になることもある。塩化アルキルシラ
ンの高い過剰量が必要である。更に付加的に溶剤、例え
ばジメチルホルムアミド、トルエンまたはキシロールが
使用されなければならない。
【0009】オルガノシランの収量は、この公知の方法
では、明らかに90%を下回り、かつ通例、70%の数
値が得られるのみである。しかもアルカリ金属(メタ)
アクリレート/塩化アルキルシランが1:1のモル比の
場合には、収率は65%のみであり、および副生成物と
して大量のポリマー物質が生成する。更に過剰量のクロ
ルアルキルシラン、付加的溶剤、長い反応時間および使
用すべき高い反応温度が、決定的な欠点を表わしている
。長い反応時間およびクロルシランの高い過剰量は、著
しい空時収量の減少をまねく。更に、クロルアルキルシ
ランの高い過剰量および付加的な溶剤の使用は、蒸留に
よるオルガノシランの精製の際のエネルギー均衡を悪化
させる。その上、付加的な溶剤の使用は、オルガノシラ
ンの収量に不利に作用する。
【0010】高い温度は、不都合なポリマー生成物を形
成するだけでなく、4級アンモニウム塩の、ほとんど定
量的な崩壊を生じさせる。当業者には、4級アンモニウ
ム塩が110〜120℃以上で、急速に分解することは
、公知である。ハロゲン化物と(メタ)アクリレートと
の陰イオン交換により、4級アンモニウム塩の熱分解の
際に、珪素不含のメタクリル酸エステルまたはアクリル
酸エステルおよび3級アミンが生じる。トリメチルベン
ジルアンモニウムメタクリレートまたは−アクリレート
から、分解生成物として、蒸留の方法では、アクリルシ
ランから分離しにくい、相応する高沸点メタクリル酸ベ
ンジルエステルまたはアクリル酸ベンジルエステルおよ
びジメチルベンジルアミンが生じる。当業者には、この
汚染が一般式Iのアクリルシランの使用を阻害するか、
または更に阻止し得ることが、公知である。こうして、
ベンジル酸エステルはアクリルシラン水溶液の上に、油
状膜を形成し、このような水溶液をガラス繊維のサイズ
として使用することを妨げる。他方では、3級アミンは
、過酸化物で開始される重合反応でのアクリルシランの
使用を損なうことがあるが、これは重合反応が重合速度
を不都合に上昇させることがあるからである。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】従って、アルカリ金属
(メタ)アクリレートとクロルアルキルシランとの反応
をアクリルシラン形成下で、低い反応温度で作業するこ
とができ、高い空時収量が得られ、かつポリマーの反応
生成物、珪素不含のメタクリル酸エステルまたはアクリ
ル酸エステルおよび3級アミンの含量が可能な限り僅か
であるように、実するという、課題が課された。
【0012】
【課題を解決するための手段】この課題の解決としては
、一般式I:
【0013】
【化6】
【0014】[式中、R1は水素原子またはメチル基を
表わし、R2はC原子1〜4個を有するアルキル基を表
わし、R3はC原子1〜4個を有するアルキル基、また
は合計C原子2〜4個を有するアルコキシアルキル基を
表わし、mは0または1または2を表わし、nは1、3
、または4を表わす]で示されるアクリルシランを、メ
タクリル酸またはアクリル酸のアルカリ金属塩と、一般
式II:
【0015】
【化7】
【0016】[式中、R2,R3,mおよびnは上記の
意味を表わし、Halは塩素または臭素を表わす]で示
されるハロゲンアルキルシランとの相転移触媒の存在下
での反応によって、製造する方法が見い出され、この方
法は、相転移触媒として、一般式III:
【0017】
【化8】
【0018】[式中、Y(−) はハロゲン化物イオン
を表わし、R4,R5およびR6はC原子1〜12個を
有する同一の、または異なる脂肪族基、および/または
C原子5〜7個を有する脂環式基、および/またはベン
ジル基を表わし、またはR4およびR5は一緒に基
【0
019】
【数2】
【0020】の成分であってもよく、この場合にaは4
、5または6を表わし、および2つのC原子の間にある
環は1つの酸素によって中断されていてもよい、または
R6は一般式IIの化合物からHalを減少したオルガ
ノシラン基であってもよい]で示されるピリジニウム塩
を使用し、反応を80〜150℃の温度で行なうことを
特徴とする。
【0021】本発明による方法の場合には、前記の日本
の刊行物に記載された方法の場合よりも、著しく低い温
度で作業することができ、更に公知方法の場合よりも、
はるかに高い収量が得られる。特に、ポリマー生成物、
珪素不含のメタクリル酸エステルまたはアクリル酸エス
テルおよび3級アミンの含量は極めて僅かである。それ
というのも、本発明により使用されるピリジニウム塩は
、4級アンモニウム塩を基礎とする相転移触媒よりも、
明らかに高い熱安定性を有するからである。
【0022】本発明による適当なピリジニウム塩は、前
記の式IIIのものに相当する。例として次のものが挙
げられる: 1−(2′−エチル−ヘキシル)−4−ジメチルアミノ
−ピリジニウム−ブロミド、1−(2′−エチル−ヘキ
シル)−4−ジ−n−ブチルアミノ−ピリジニウム−ク
ロリド、1−(2′−エチル−ヘキシル)−4−ジ−n
−ヘキシルアミノ−ピリジニウム−クロリド、1−ネオ
ペンチル−4−(4′−メチル−ピペリジニル)−ピリ
ジニウム−クロリド、1−n−オクチル−4−ジメチル
アミノ−ピリジニウム−ブロミド、1−ネオペンチル−
4−ジ−n−ブチルアミノ−ピリジニウム−クロリド、
1−(2′−エチル−ヘキシル)−4−(4′−メチル
−ピペリジニル)−ピリジニウム−クロリド、1−(2
′−エチル−ヘキシル)−4−モルホリニル−ピリジニ
ウム−クロリド、1−(3′−トリメトキシシリル−プ
ロピル)−4−ジメチルアミノ−ピリジニウム−クロリ
ド、1−(3′−トリエトキシシリル−プロピル)−4
−ジメチルアミノ−ピリジニウム−クロリド、1−(3
′−トリメトキシシリル−プロピル)−4−ジ−n−ブ
チルアミノ−ピリジニウム−クロリド、1−(3′−ト
リメトキシシリル−プロピル)−4−(4′−メチル−
ピペリジニル)−ピリジニウム−クロリド、1−トリメ
トキシシリル−メチル−4−ジ−n−ヘキシルアミノ−
ピリジニウム−クロリド、1−(4′−トリメトキシシ
リル−ブチル)−4−ジ−n−ブチルアミノ−ピリジニ
ウム−クロリド、1−(3′−トリメトキシシリル−プ
ロピル)−4−ジ−シクロヘキシルアミノ−ピリジニウ
ム−クロリドまたは1−(3′−トリエトキシシリル−
プロピル)−4−ジ−ベンジルアミノ−ピリジニウム−
クロリド。
【0023】また、ビス−塩、例えば1,10−ビス−
(4−ジヘキシルアミノ−ピリジニウム)−デカン−ジ
ブロミドも適当である。
【0024】特に、1−(3′−トリメトキシシリル−
プロピル)−4−ジメチルアミノ−ピリジニウム−クロ
リドおよび1−(3′−トリエトキシシリル−プロピル
)−4−ジメチルアミノ−ピリジニウム−クロリドが適
当である。
【0025】本発明により使用されるピリジニウム塩は
、基礎ピリジンとハロゲンアルカリシランの一部または
全量とを一緒に加熱することによって、アルカリ塩との
反応の前に、その場で製造されることができる。
【0026】記載されたピリジニウム塩を触媒として使
用することによって、メタクリル酸またはアクリル酸の
アルカリ塩と、一般式IIのハロゲンアルカリシランと
の変換の反応速度は、公知方法と比較して、著しく高め
られ、この場合、同時に反応温度は低下され、および反
応時間は短縮される。従って、本発明による方法では、
反応温度は80〜150℃、有利に100〜140℃で
あり、および反応時間は15〜180分、有利に30〜
120分である。
【0027】触媒はアルカリメタクリレートまたは−ア
クリレート1モルに対して、0.001モル〜0.05
モル、有利に0.005モル〜0.03モルの量で使用
される。
【0028】反応相手は一般に、化学量論的比率で、互
いに使用される。ハロゲンアルキルシランならびにアル
カリ(メタ)アクリレートの僅少の過剰量が可能であり
、従って使用されるアルカリ(メタ)アクリレートのハ
ロゲンシランに対するモル比は有利に、1.2:1〜1
:1.2である。
【0029】有利に、反応は、付加的な溶剤の不在下に
行なわれる。しかし、反応が有機性無水溶剤(例えばア
ルコール)、例えば反応相手と一緒に反応系に導入され
るものの存在下に開始することもできる。しかし、この
ような溶剤は、さらに反応の進行中、有利に既に反応の
初めに、反応混合物から完全に除去されるべきである。
【0030】ハロゲン化アルキルシランの高い過剰量を
回避することによって、および反応の際の付加的溶剤を
中止することによって、高い空時収量ならびに有効なエ
ネルギー均衡が得られ、これは反応に利用されなかった
クロルアルキルシランおよび溶剤の留去がなされないか
らである。本発明の方法により、公知方法と比較して、
コスト高な蒸留塔を用いた蒸留なしに、高い純度のアク
リルシランが得られる。
【0031】アルカリ金属メタクリレートまたはアルカ
リ金属アクリレートとして、本発明により相応するカリ
ウム塩またはナトリウム塩が使用される。これらは固体
の形でも、あるいは溶液または適当な溶剤中の分散液の
形でも、反応へと使用されることができる。有利な実施
形式は、メタクリル酸またはアクリル酸を、カリウムア
ルコラートまたはナトリウムアルコラートのアルコール
溶液で中和することによって、製造された、メタクリレ
ートまたはアクリレートを使用する。ここで得られた溶
液または分散液は、ハロゲンアルキルシランおよび相転
移触媒と、混合され、引き続きアルコールは留去され、
その際にアルコールの除去で、アルカリメタクリレート
またはアルカリアクリレートとハロゲンアルキルシラン
との間の反応が、開始される。
【0032】一般式IIの本発明により使用され得るハ
ロゲン化アルキルシランの例は、次のものである:クロ
ルメチルジメチルメトキシシラン、3−クロルプロピル
トリメトキシシラン、3−クロルプロピルトリエトキシ
シラン、3−クロルプロピル−トリス−(メトキシエト
キシ)シラン、3−クロルプロピル−メチル−ジメトキ
シシラン、3−クロルプロピル−ブチル−ジメトキシシ
ラン、4−クロルブチルトリメトキシシラン、4−クロ
ルブチル−メチル−ジメトキシシラン、4−クロルブチ
ル−トリス−(メトキシエトキシ)シラン。
【0033】アルカリメタクリレートまたはアルカリア
クリレートと一般式IIのハロゲンアルキルシランとの
反応は、反応成分と相転移触媒とを、選択されたモル比
で、混合することによって、行なわれる。最後に、この
場合に得られる反応混合物は、絶えず混合されながら、
反応温度にもたらされ;但し場合により、存在する付加
的な溶剤は留去される。
【0034】反応終了後、形成されたアクリルシランは
自体公知方法で、単離される。好ましくは、これらは沈
殿したアルカリクロリドの分離後、または得られた反応
混合物から直接留去される。アクリルシランの保護のた
めに、一般に蒸留を減圧下で実施するのが、有利である
【0035】既に反応の間に、反応混合物に、自体公知
の重合抑制剤を添加することは、有利である。このため
に適当な物質は、例えば、ヒドロキノン、ヒドロキノン
モノメチルエーテル、N,N′−ジフェニル−p−フェ
ニレンジアミン、フェニル−2−ナフチルアミン、2,
6−ジ−t−ブチル−4−メチル−フェノールであり、
これらは、アクリルシランに対して0.001〜1重量
%の量で添加される。重合抑制剤は、単独で、あるいは
混合物で、使用されてよい。また蒸留されたか、または
他の方法で単離された純粋な生成物も、有利に同一の抑
制剤を添加される。
【0036】本発明により製造されたアクリルシランは
例えば、接着促進剤として、ガラス繊維のサイズ中に、
使用される。
【0037】
【実施例】例  1 メタクリル酸86g(1モル)を、撹拌下に、メタノー
ル中に25%のカリウムメチレート溶液280gを用い
て中和させる。引き続き、連続的撹拌下に、N,N′−
ジフェニル−p−フェニレンジアミン0.6g、1−(
2′−エチル−ヘキシル)−4−ジメチルアミノ−ピリ
ジニウム−クロリド2.8g(0.009モル)および
3−クロルプロピルトリメトキシシラン198.5g(
1モル)を添加し、かつメタノールを留去する。反応混
合物を125℃で、1.5時間保持し、および冷却後に
KClを濾過する。KCLを、メタノールを用いて洗浄
する。合せた濾液からメタノールを蒸発させ、および残
滓を減圧下に蒸留する。沸点82℃(0.4ミリバール
)の3−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン
230gが得られ、これは使用したメタクリル酸に対し
て、収率92.7%に相応する。純度は98.5%であ
る。ガスクロマトグラム中では、専ら4−ジメチルアミ
ノピリジンの痕跡および4−エチルヘキシルメタクリレ
ート0.01%が検出されるのみである。
【0038】例  2 カリウムアクリレート110.2g(1モル)を3−ク
ロルプロピルトリメトキシシラン198.5g(1モル
)、1−ネオペンチル−4−(4′−メチル−ピペリジ
ニル)−ピリジニウム−クロリド2.8g(0.01モ
ル)およびN,N′−ジフェニル−p−フェニレンジア
ミン0.3gと混合し、かつ撹拌下に128℃に加熱す
る。2時間後に冷却し、かつ副生成物として生じたKC
lを濾過する。KClをメタノール50gを用いて洗浄
する。合せた濾液からメタノールを蒸発させ、残滓を減
圧下に蒸留し、この際に、沸点80℃(0.5ミリバー
ル)の3−アクリルオキシプロピルトリメトキシシラン
108.5gが得られる。使用したカリウムアクリレー
トに対して、収率は92.7%である。純度は98.8
%である。ガスクロマトグラム中では、専らネオペンチ
ルアクリレートおよび4−(4′−メチル−ピペリジニ
ル)−ピリジンの痕跡が検出されるのみである。
【0039】例  3 ナトリウムメタクリレート54g(0.5モル)を3−
クロルプロピルトリメトキシシラン99.3g(0.5
モル)、1−(2′−エチル−ヘキシル)−4−ジメチ
ルアミノ−ピリジニウム−クロリド1.6g(0.00
6モル)およびN,N′−ジフェニル−p−フェニレン
ジアミン0.4gと混合し、かつ撹拌下に120℃に1
.5時間加熱する。副生成物として形成された塩化ナト
リウムを濾別し、かつメタノール80gを用いて洗浄す
る。合せた濾液からメタノールを蒸発させ、残滓を減圧
下に蒸留し、この際に、沸点82℃(0.4ミリバール
)の3−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン
112gが得られる。使用したナトリウムメタクリレー
トに対して、収率は90.3%である。純度は98.5
%である。ガスクロマトグラム中では、専ら2−エチル
ヘキシルメタクリレートおよび4−ジメチルアミノ−ピ
リジンの痕跡が検出されるのみである。
【0040】例  4 カリウムメタクリレート124g(1モル)を3−クロ
ルプロピルトリメトキシシラン198.5g(1モル)
、1−(3′−トリメトキシシリルプロピル)−4−ジ
メチルアミノ−ピリジニウム−クロリド2.7gおよび
N,N′−ジフェニル−p−フェニレンジアミン0.5
gと混合し、かつ撹拌下に135℃に加熱する。 1時間後に冷却し、生じた塩化カリウムを濾別し、かつ
メタノール60gを用いて洗浄する。合せた濾液からメ
タノールを蒸発させ、残滓を減圧下に蒸留する。沸点8
2℃(0.4ミリバール)の3−メタクリルオキシプロ
ピルトリメトキシシラン225gが得られる。使用した
カリウムメタクリレートに対して、収率は90.7%で
ある。純度は99.0%である。ガスクロマトグラム中
では、専ら4−ジメチルアミノ−ピリジンの痕跡が検出
されるのみである。pH4の2%の水溶液は、決して油
状の析出物を含有しない。
【0041】例5〜8 例4からの変法により、3−クロル−プロピルトリメト
キシシランおよび相転移触媒1−(3′−トリメトキシ
シリル−プロピル)−4−ジメチルアミノ−ピリジニウ
ム−クロリドの代わりに、第1表に記載のクロルアルキ
ルシランおよび触媒AからDを使用し、その他は例4と
同様の方法である。第1表には、相応するメタクリルオ
キシシランの、得られた収量および沸点を記載している
【0042】例  9 4−ジメチルアミノピリジン1.74g(0.015モ
ル)を3−クロルプロピルトリメトキシシラン201.
5g(0.015モル)中に溶解させ、撹拌下に135
℃に加熱し、およびこの温度で15分間放置する。60
℃に冷却後、カリウムメタクリレート124.2g(1
モル)およびN,N′−ジフェニル−p−フェニレンジ
アミン0.6gを添加する。混合物を再び135℃にも
たらす。1時間後に冷却し、生じた塩化カリウムを濾別
しメタノール80gを用いて洗浄する。合せた濾液から
メタノールを蒸発させ、残滓を減圧下に蒸留する。沸点
83℃(0.4ミリバール)の3−メタクリルオキシプ
ロピルトリメトキシシラン228.1gが得られる。使
用したカリウムメタクリレートに対して、収率は92%
である。純度は99.0%である。ガスクロマトグラム
中では、専ら4−ジメチルアミノ−ピリジンの痕跡が検
出されるのみである。
【0043】比較例 例4の繰り返しであるが、1−(3′−トリメトキシシ
リルプロピル)−4−ジメチルアミノ−ピリジニウム−
クロリドの代わりに、相転移触媒としてトリメチル−ベ
ンジルアンモニウムクロリドを3.0g(0.016モ
ル)の量で使用する。撹拌下に濾液を蒸留する際に、沸
点範囲60〜86℃(0.3ミリバール)の蒸留物19
5gが得られる。ガスクロマトグラフィー分析から、3
−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン35.
0gの含量が確認され、これは使用したカリウムメタク
リレートに対して、収率14.1%に相応する。蒸留液
はジメチルベンジルアミン0.37%およびベンジルメ
タクリレート0.48%を含有する。減圧下に充填塔(
充填物:ラーシッヒリング)を通して蒸留することによ
って、沸点90℃(1ミリバール)の3−メタクリルオ
キシ−プロピルトリメトキシシラン28.5gが得られ
る。純度はガスクロマトグラフィー分析によれば97.
1%である。pH4の2%の水溶液は、表面上に明らか
に認められる油膜を含有する。これは、n−ヘキサンを
用いて抽出後に、質量分析法による分析によって、ジメ
チルベンジルアミンとベンジルメタクリレートとからな
る混合物であることがわかった。
【0044】
【表1】

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  一般式I: 【化1】 [式中、R1は水素原子またはメチル基を表わし、R2
    はC原子1〜4個を有するアルキル基を表わし、R3は
    C原子1〜4個を有するアルキル基、または合計C原子
    数2〜4個を有するアルコキシアルキル基を表わし、m
    は0または1または2を表わし、nは1、3、または4
    を表わす]で示される、メタクリルオキシ基またはアク
    リルオキシ基を含有するオルガノシランを、アルカリ金
    属メタクリレートまたはアルカリ金属アクリレートと、
    一般式II: 【化2】 [式中、R2,R3,mおよびnは上述の意味を表わし
    、Halは塩素または臭素を表わす]のハロゲン化アル
    キルシランとを相転移触媒の存在下に反応させることに
    よって、製造する方法において、反応を80℃〜150
    ℃の温度で実施し、かつ触媒として、一般式III:【
    化3】 [式中、Y(−) はハロゲン化物イオンを表わし、R
    4,R5およびR6はC原子1〜12個を有する同一の
    、または異なる脂肪族基および/またはC原子5〜7個
    を有する脂環式基および/またはベンジル基を表わし、
    またはR4およびR5は一緒になって基 【数1】 の成分であってもよく、この場合にaは4、5または6
    を表わし、および2個のC原子の間にある環は1つの酸
    素原子によって中断されていてもよく、またはR6は一
    般式IIのHalが減少された化合物のオルガノシラン
    基であってもよい]で示されるピリジニウム塩を使用す
    ることを特徴とする、メタクリルオキシ基またはアクリ
    ルオキシ基を有するオルガノシランの製造法。
  2. 【請求項2】  ピリジニウム塩として、1−(3′−
    トリアルコキシシリルプロピル)−4−ジメチルアミノ
    −ピリジニウムクロリドを使用する、請求項1記載の方
    法。
  3. 【請求項3】  使用されるアルカリメタクリレートま
    たはアルカリアクリレートと、式IIのハロゲンアルキ
    ルシランとのモル比が、1.2:1〜1:1.2である
    、請求項1または2記載の方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100335501C (zh) * 1996-09-26 2007-09-05 中外制药株式会社 抗人副甲状腺激素相关蛋白的抗体
JP2009503068A (ja) * 2005-08-05 2009-01-29 モーメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・インク 有機酸若しくはシアン酸と、ハロアルコキシシランを用いたオルガノアルコキシシランの調製方法
JP2009067778A (ja) * 2007-08-21 2009-04-02 Shin Etsu Chem Co Ltd 放射線重合性官能基含有オルガノシリルアミンの製造方法及び放射線重合性官能基含有オルガノシリルアミン
JP4688311B2 (ja) * 2001-02-22 2011-05-25 東レ・ダウコーニング株式会社 (メタ)アクリル官能基含有有機ケイ素化合物の製造方法

Families Citing this family (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5380901A (en) * 1992-01-30 1995-01-10 The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce Multifunctional acrylates and the synthesis thereof
US5468893A (en) * 1994-07-08 1995-11-21 The Goodyear Tire & Rubber Company Preparation of sulfur-containing organosilicon compounds
US5405985A (en) * 1994-07-08 1995-04-11 The Goodyear Tire & Rubber Company Preparation of sulfur-containing organosilicon compounds
JP3445370B2 (ja) * 1994-07-18 2003-09-08 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 メタクリロキシプロピルジメチルクロロシランの製造方法
DE4430729C2 (de) 1994-08-30 2002-05-23 Degussa Acryloxypropylalkoxysilane, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung
JPH09143187A (ja) * 1995-11-21 1997-06-03 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd 高純度メタクリロキシプロピルジメチルクロロシランの製造方法
US5663396A (en) * 1996-10-31 1997-09-02 The Goodyear Tire & Rubber Company Preparation of sulfur-containing organosilicon compounds
US5905150A (en) * 1997-08-27 1999-05-18 General Electric Company Process for preparing organosilanes
DE19854218A1 (de) 1998-11-25 2000-05-31 Degussa 3-Methacryloxy- und 3-Acryloxyisobutylalkoxysilane
DE10118489C1 (de) * 2001-04-12 2002-07-25 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur Herstellung ungesättigter Organosiliciumverbindungen
FR2830014B1 (fr) * 2001-09-21 2005-02-18 Rhodia Chimie Sa Procede d'obtention de monoorganoxysilanes halogenes utilisables notamment en tant qu'intermediaires de synthese
FR2830013B1 (fr) * 2001-09-21 2005-02-25 Rhodia Chimie Sa Procede d'obtention de monoorganoxysilanes halogenes utilisables notamment en tant qu'intermediaires de synthese
DE10258982B3 (de) * 2002-12-16 2004-08-05 Degussa Ag Verfahren zur Herstellung von Acryloxy- oder Methacryloxygruppen enthaltenden Organosilanen höchster Reinheit
DE10308579B3 (de) 2003-02-27 2004-06-24 Wacker-Chemie Gmbh Verfahren zur Stabilisierung ungesättigter Organosiliziumverbindungen
US7151040B2 (en) * 2004-08-31 2006-12-19 Micron Technology, Inc. Methods for increasing photo alignment margins
US7910288B2 (en) 2004-09-01 2011-03-22 Micron Technology, Inc. Mask material conversion
US7115525B2 (en) * 2004-09-02 2006-10-03 Micron Technology, Inc. Method for integrated circuit fabrication using pitch multiplication
US7655387B2 (en) * 2004-09-02 2010-02-02 Micron Technology, Inc. Method to align mask patterns
US7390746B2 (en) 2005-03-15 2008-06-24 Micron Technology, Inc. Multiple deposition for integration of spacers in pitch multiplication process
US7253118B2 (en) 2005-03-15 2007-08-07 Micron Technology, Inc. Pitch reduced patterns relative to photolithography features
US7611944B2 (en) 2005-03-28 2009-11-03 Micron Technology, Inc. Integrated circuit fabrication
US7371627B1 (en) 2005-05-13 2008-05-13 Micron Technology, Inc. Memory array with ultra-thin etched pillar surround gate access transistors and buried data/bit lines
US7120046B1 (en) 2005-05-13 2006-10-10 Micron Technology, Inc. Memory array with surrounding gate access transistors and capacitors with global and staggered local bit lines
US7429536B2 (en) 2005-05-23 2008-09-30 Micron Technology, Inc. Methods for forming arrays of small, closely spaced features
US7560390B2 (en) 2005-06-02 2009-07-14 Micron Technology, Inc. Multiple spacer steps for pitch multiplication
US7396781B2 (en) * 2005-06-09 2008-07-08 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for adjusting feature size and position
US7888721B2 (en) 2005-07-06 2011-02-15 Micron Technology, Inc. Surround gate access transistors with grown ultra-thin bodies
US7768051B2 (en) 2005-07-25 2010-08-03 Micron Technology, Inc. DRAM including a vertical surround gate transistor
US7413981B2 (en) * 2005-07-29 2008-08-19 Micron Technology, Inc. Pitch doubled circuit layout
US8123968B2 (en) * 2005-08-25 2012-02-28 Round Rock Research, Llc Multiple deposition for integration of spacers in pitch multiplication process
US7816262B2 (en) * 2005-08-30 2010-10-19 Micron Technology, Inc. Method and algorithm for random half pitched interconnect layout with constant spacing
US7696567B2 (en) 2005-08-31 2010-04-13 Micron Technology, Inc Semiconductor memory device
US7829262B2 (en) * 2005-08-31 2010-11-09 Micron Technology, Inc. Method of forming pitch multipled contacts
US7322138B2 (en) * 2005-08-31 2008-01-29 Southern Imperial, Inc. Shelf edge sign holder
US7759197B2 (en) * 2005-09-01 2010-07-20 Micron Technology, Inc. Method of forming isolated features using pitch multiplication
US7557032B2 (en) * 2005-09-01 2009-07-07 Micron Technology, Inc. Silicided recessed silicon
US7687342B2 (en) 2005-09-01 2010-03-30 Micron Technology, Inc. Method of manufacturing a memory device
US7416943B2 (en) 2005-09-01 2008-08-26 Micron Technology, Inc. Peripheral gate stacks and recessed array gates
US7393789B2 (en) 2005-09-01 2008-07-01 Micron Technology, Inc. Protective coating for planarization
US7572572B2 (en) 2005-09-01 2009-08-11 Micron Technology, Inc. Methods for forming arrays of small, closely spaced features
US7776744B2 (en) * 2005-09-01 2010-08-17 Micron Technology, Inc. Pitch multiplication spacers and methods of forming the same
US7842558B2 (en) * 2006-03-02 2010-11-30 Micron Technology, Inc. Masking process for simultaneously patterning separate regions
US7476933B2 (en) 2006-03-02 2009-01-13 Micron Technology, Inc. Vertical gated access transistor
US7902074B2 (en) 2006-04-07 2011-03-08 Micron Technology, Inc. Simplified pitch doubling process flow
US8003310B2 (en) * 2006-04-24 2011-08-23 Micron Technology, Inc. Masking techniques and templates for dense semiconductor fabrication
US7488685B2 (en) * 2006-04-25 2009-02-10 Micron Technology, Inc. Process for improving critical dimension uniformity of integrated circuit arrays
US7795149B2 (en) 2006-06-01 2010-09-14 Micron Technology, Inc. Masking techniques and contact imprint reticles for dense semiconductor fabrication
US7723009B2 (en) 2006-06-02 2010-05-25 Micron Technology, Inc. Topography based patterning
US7611980B2 (en) 2006-08-30 2009-11-03 Micron Technology, Inc. Single spacer process for multiplying pitch by a factor greater than two and related intermediate IC structures
EP2064249A4 (en) * 2006-09-13 2011-05-25 Dow Corning Organosilicate functional fiber transfer catalysts
US7666578B2 (en) 2006-09-14 2010-02-23 Micron Technology, Inc. Efficient pitch multiplication process
US8129289B2 (en) 2006-10-05 2012-03-06 Micron Technology, Inc. Method to deposit conformal low temperature SiO2
US7923373B2 (en) * 2007-06-04 2011-04-12 Micron Technology, Inc. Pitch multiplication using self-assembling materials
US8563229B2 (en) 2007-07-31 2013-10-22 Micron Technology, Inc. Process of semiconductor fabrication with mask overlay on pitch multiplied features and associated structures
US7737039B2 (en) 2007-11-01 2010-06-15 Micron Technology, Inc. Spacer process for on pitch contacts and related structures
US7659208B2 (en) 2007-12-06 2010-02-09 Micron Technology, Inc Method for forming high density patterns
US7790531B2 (en) 2007-12-18 2010-09-07 Micron Technology, Inc. Methods for isolating portions of a loop of pitch-multiplied material and related structures
US8030218B2 (en) 2008-03-21 2011-10-04 Micron Technology, Inc. Method for selectively modifying spacing between pitch multiplied structures
US8076208B2 (en) 2008-07-03 2011-12-13 Micron Technology, Inc. Method for forming transistor with high breakdown voltage using pitch multiplication technique
DE102008040475A1 (de) 2008-07-16 2010-01-21 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Verhinderung der Polymerisation von ungesättigten Organosiliciumverbindungen
US8101497B2 (en) 2008-09-11 2012-01-24 Micron Technology, Inc. Self-aligned trench formation
US8492282B2 (en) 2008-11-24 2013-07-23 Micron Technology, Inc. Methods of forming a masking pattern for integrated circuits
EP2621936B1 (en) 2010-09-30 2014-10-22 Dow Corning Corporation Process for preparing an acryloyloxysilane
US8580886B2 (en) 2011-09-20 2013-11-12 Dow Corning Corporation Method for the preparation and use of bis (alkoxysilylorgano)-dicarboxylates
KR20150003148A (ko) * 2011-12-02 2015-01-08 다우 코닝 코포레이션 에스테르―작용성 실란 및 그의 제조 및 용도; 및 상 전이 촉매로서의 이미늄 화합물의 용도
CN103333198A (zh) * 2013-06-21 2013-10-02 安徽硅宝翔飞有机硅新材料有限公司 一种不饱合酰氧基硅烷及其制备方法
DE102013214830A1 (de) 2013-07-30 2015-02-05 Evonik Industries Ag Verfahren, Vorrichtung und deren Verwendung zur Herstellung von Acryloxy- und Methacryloxypropyltrialkoxysilanen
CN105061487B (zh) * 2015-08-07 2017-09-26 荆州市江汉精细化工有限公司 一种甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷的生产方法
JP6930484B2 (ja) * 2018-04-17 2021-09-01 信越化学工業株式会社 有機ケイ素化合物およびその製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2582568A (en) * 1947-08-26 1952-01-15 Dow Corning Silicon-containing esters
US2956044A (en) * 1956-08-06 1960-10-11 Dow Corning Acryloxymethylsilicon polymers
US3258477A (en) * 1963-07-19 1966-06-28 Dow Corning Acryloxyalkylsilanes and compositions thereof
US3878263A (en) * 1972-07-10 1975-04-15 Stauffer Chemical Co Acrylate-functional polysiloxane polymers
JPS57179210A (en) * 1981-04-28 1982-11-04 Sunstar Giken Kk Room temperature curing elastic composition
DE3564273D1 (en) * 1984-07-07 1988-09-15 Bayer Ag Process for the preparation of lactic acid silyl esters
JPS6253995A (ja) * 1985-09-02 1987-03-09 Toray Ind Inc 分子内に不飽和エステル基を含有するジアルコキシシラン
US4647683A (en) * 1986-03-27 1987-03-03 (Swc) Stauffer-Wacker Silicones Corporation Preparing ester containing organosilicon compounds
JPS63179881A (ja) * 1987-01-19 1988-07-23 Shin Etsu Chem Co Ltd 有機けい素化合物
US4946977A (en) * 1987-09-25 1990-08-07 Huels Troisdorf Ag Method for the preparation of organosilanes containing methacryloxy or acryloxy groups

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100335501C (zh) * 1996-09-26 2007-09-05 中外制药株式会社 抗人副甲状腺激素相关蛋白的抗体
JP4688311B2 (ja) * 2001-02-22 2011-05-25 東レ・ダウコーニング株式会社 (メタ)アクリル官能基含有有機ケイ素化合物の製造方法
JP2009503068A (ja) * 2005-08-05 2009-01-29 モーメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・インク 有機酸若しくはシアン酸と、ハロアルコキシシランを用いたオルガノアルコキシシランの調製方法
JP2009067778A (ja) * 2007-08-21 2009-04-02 Shin Etsu Chem Co Ltd 放射線重合性官能基含有オルガノシリルアミンの製造方法及び放射線重合性官能基含有オルガノシリルアミン

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Publication number Publication date
CA2054411A1 (en) 1992-05-01
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ES2082895T3 (es) 1996-04-01
DE4034612A1 (de) 1992-05-07
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US5117027A (en) 1992-05-26
EP0483480B1 (de) 1996-01-31
ATE133675T1 (de) 1996-02-15

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