JPH04285378A - マイクロ弁 - Google Patents
マイクロ弁Info
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- JPH04285378A JPH04285378A JP3340589A JP34058991A JPH04285378A JP H04285378 A JPH04285378 A JP H04285378A JP 3340589 A JP3340589 A JP 3340589A JP 34058991 A JP34058991 A JP 34058991A JP H04285378 A JPH04285378 A JP H04285378A
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- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 238000010923 batch production Methods 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F15—FLUID-PRESSURE ACTUATORS; HYDRAULICS OR PNEUMATICS IN GENERAL
- F15C—FLUID-CIRCUIT ELEMENTS PREDOMINANTLY USED FOR COMPUTING OR CONTROL PURPOSES
- F15C5/00—Manufacture of fluid circuit elements; Manufacture of assemblages of such elements integrated circuits
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/8593—Systems
- Y10T137/86493—Multi-way valve unit
- Y10T137/86574—Supply and exhaust
- Y10T137/86622—Motor-operated
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Electrically Driven Valve-Operating Means (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は請求項1の上位概念に示
されたマイクロ弁に関する。
されたマイクロ弁に関する。
【0002】
【従来技術】英国特許第2155152−A号に、半導
体技術から公知の多層ストラクチャ技術により製造され
ているマイクロ弁が示されている。このマイクロ機械弁
は、実質的に3つの層を有し、それらのうちシリコンか
ら成る担体層の中に、入口および出口ならびに弁座が形
成されている。支持層に中間層が続き、中間層に外側カ
バー層が続く。この場合これらの層は、両方の接続口間
の圧力媒質接続を形成する室を構成する。このマイクロ
弁の場合、カバー層は同時にダイヤフラムとして構成さ
れており、このダイヤフラムの中へ、弁座に所属する閉
成部材が統合化されている。さらにダイヤフラム上に静
電操作装置が設けられており、この装置を用いて弁を開
くことができる。弁を開く場合、この閉成部材はダイヤ
フラムの変形の下に層平面に垂直な方向へ変位される。 弁の閉成はダイヤフラムの復帰力により行なわれる。こ
の場合、操作装置が遮断される時は、この復帰力の影響
の下に閉成部材が再び弁座へ置かれる。そのため静電式
操作装置は、入力側に加わる液圧のほかにさらに弾性ダ
イヤフラムの力に打ち勝つ必要がある。このマイクロ弁
の圧力調整の構成は煩雑な操作装置を必要とする、何故
ならば著しく大きい操作力を必要とするからである。
体技術から公知の多層ストラクチャ技術により製造され
ているマイクロ弁が示されている。このマイクロ機械弁
は、実質的に3つの層を有し、それらのうちシリコンか
ら成る担体層の中に、入口および出口ならびに弁座が形
成されている。支持層に中間層が続き、中間層に外側カ
バー層が続く。この場合これらの層は、両方の接続口間
の圧力媒質接続を形成する室を構成する。このマイクロ
弁の場合、カバー層は同時にダイヤフラムとして構成さ
れており、このダイヤフラムの中へ、弁座に所属する閉
成部材が統合化されている。さらにダイヤフラム上に静
電操作装置が設けられており、この装置を用いて弁を開
くことができる。弁を開く場合、この閉成部材はダイヤ
フラムの変形の下に層平面に垂直な方向へ変位される。 弁の閉成はダイヤフラムの復帰力により行なわれる。こ
の場合、操作装置が遮断される時は、この復帰力の影響
の下に閉成部材が再び弁座へ置かれる。そのため静電式
操作装置は、入力側に加わる液圧のほかにさらに弾性ダ
イヤフラムの力に打ち勝つ必要がある。このマイクロ弁
の圧力調整の構成は煩雑な操作装置を必要とする、何故
ならば著しく大きい操作力を必要とするからである。
【0003】
【発明の効果】請求項1の特徴部分に示された構成を有
する本発明のマイクロ弁は、これが完全な3/4路弁を
構成する利点を有する。本発明のマイクロ弁の対称的な
層構造は著しく簡単で有利である、何故ならば個々の層
を製造する場合、種々異なるストラクチャが多くは必要
とされないからである。これに関連して、複数個の層の
表面ストラクチャ化だけしか必要とされないことも有利
である。このストラクチャ化は、精密機械工学による通
常のリトグラフ式ストラクチャ転写法によりバッチ工程
において、適切な層材料へ例えばシリコンまたはガラス
へ転写できる。この場合この弁は簡単に、層の相互の接
着により形成できる。しかしマイクロ弁ストラクチャを
リガ(Liga)技術で製造することもできる。この場
合、リトグラフ法において鋳込みの型が層のストラクチ
ャのために製造され、さらに本来の層は成型ステップに
おいて形成される。この方法の場合、マイクロ弁はプラ
スチックまたは他の材料から形成することもできる。前
述の方法はコスト的に有利な大量生産に適している。
する本発明のマイクロ弁は、これが完全な3/4路弁を
構成する利点を有する。本発明のマイクロ弁の対称的な
層構造は著しく簡単で有利である、何故ならば個々の層
を製造する場合、種々異なるストラクチャが多くは必要
とされないからである。これに関連して、複数個の層の
表面ストラクチャ化だけしか必要とされないことも有利
である。このストラクチャ化は、精密機械工学による通
常のリトグラフ式ストラクチャ転写法によりバッチ工程
において、適切な層材料へ例えばシリコンまたはガラス
へ転写できる。この場合この弁は簡単に、層の相互の接
着により形成できる。しかしマイクロ弁ストラクチャを
リガ(Liga)技術で製造することもできる。この場
合、リトグラフ法において鋳込みの型が層のストラクチ
ャのために製造され、さらに本来の層は成型ステップに
おいて形成される。この方法の場合、マイクロ弁はプラ
スチックまたは他の材料から形成することもできる。前
述の方法はコスト的に有利な大量生産に適している。
【0004】本発明のマイクロ弁のもう1つの利点は、
固定子平面としての外側の層が同時に、中央の層すなわ
ちすべり平面において構成されたフラットすべり弁に対
する保護体を形成することである。この場合、フラット
すべり弁は層平面において変位可能である。フラットす
べり弁を変位させるための駆動部材として例えば静電駆
動装置が適している。これは層表面に電極を被着するこ
とにより実現されている。駆動部材のために必要とされ
る電極は、弁の構造の幾何学的寸法に実施的に影響を与
えない。
固定子平面としての外側の層が同時に、中央の層すなわ
ちすべり平面において構成されたフラットすべり弁に対
する保護体を形成することである。この場合、フラット
すべり弁は層平面において変位可能である。フラットす
べり弁を変位させるための駆動部材として例えば静電駆
動装置が適している。これは層表面に電極を被着するこ
とにより実現されている。駆動部材のために必要とされ
る電極は、弁の構造の幾何学的寸法に実施的に影響を与
えない。
【0005】請求項2以下のように、請求項1に示され
たマイクロスイッチを構成できる。フラットすべり弁が
曲がり方向バーにおいて第2の層と接続されている構成
は著しく有利である。この曲がり方向バーはばねとして
作用し、このばねの復帰力は、フラットすべり弁が外力
で作動されない時は、フラットすべり弁を常に所定の初
期位置へ移行させる。有利に、帰還接続口、動作接続口
および供給接続口が次のように相並ぶように設けられて
いる。即ち弁が第1の位置、フラットすべり弁の休止位
置において動作接続口を、供給接続口とも帰還接続口と
も接続しないように設けられている。その結果、弁は“
閉じられている”。次にフラットすべり弁を変位させる
際に変位の方向に応じて動作接続口を付加接続口と接続
できる。他方、別の動作接続口は帰還接続口と接続され
る。第2の層におけるフラットすべり弁の変位は、層2
と層1,3との間に細長い中間室が形成される時にだけ
、可能となる。この中間室は有利に次のように形成でき
る。即ち中間層−これを介して層1,2と3が互いに接
続されている−における切欠きがフラットすべり弁のお
よび曲がり方向バーの領域において形成されることによ
り、形成できる。フラットすべり弁と第1および第3の
層の間の中間室の実現のもう1つの有利な構成は次の点
にある。即ちフラットすべり弁を両側でその厚さを低減
するか、または第1のおよび第3の層をフラットすべり
弁のおよび曲がり方向バーの領域においてその厚さを低
減させる。フラットすべり弁の静電駆動は有利に、フラ
ットすべり弁の上側および下側へおよび/または曲がり
方向バーの上側または下側に設けられる電極により、実
現される。これに対向して第1および第3の層の上に対
向電極は変位方向へ位置がずらされて設けられている。 フラットすべり弁の上の電極の配置を、フラットすべり
弁の表側および裏側に関して対称的にし、さらに対向電
極の配置も対称的に実現すると著しく有利である。 この場合、電極と対向電極との間の電圧の印加の際に力
の垂直成分が互いに打ち消し合う。その結果、力の水平
成分が残り、これがフラットすべり弁の変位を作動する
。電極は簡単にかつ有利に金属のシート層としてまたは
ドーピングされたシリコン層により実現される。
たマイクロスイッチを構成できる。フラットすべり弁が
曲がり方向バーにおいて第2の層と接続されている構成
は著しく有利である。この曲がり方向バーはばねとして
作用し、このばねの復帰力は、フラットすべり弁が外力
で作動されない時は、フラットすべり弁を常に所定の初
期位置へ移行させる。有利に、帰還接続口、動作接続口
および供給接続口が次のように相並ぶように設けられて
いる。即ち弁が第1の位置、フラットすべり弁の休止位
置において動作接続口を、供給接続口とも帰還接続口と
も接続しないように設けられている。その結果、弁は“
閉じられている”。次にフラットすべり弁を変位させる
際に変位の方向に応じて動作接続口を付加接続口と接続
できる。他方、別の動作接続口は帰還接続口と接続され
る。第2の層におけるフラットすべり弁の変位は、層2
と層1,3との間に細長い中間室が形成される時にだけ
、可能となる。この中間室は有利に次のように形成でき
る。即ち中間層−これを介して層1,2と3が互いに接
続されている−における切欠きがフラットすべり弁のお
よび曲がり方向バーの領域において形成されることによ
り、形成できる。フラットすべり弁と第1および第3の
層の間の中間室の実現のもう1つの有利な構成は次の点
にある。即ちフラットすべり弁を両側でその厚さを低減
するか、または第1のおよび第3の層をフラットすべり
弁のおよび曲がり方向バーの領域においてその厚さを低
減させる。フラットすべり弁の静電駆動は有利に、フラ
ットすべり弁の上側および下側へおよび/または曲がり
方向バーの上側または下側に設けられる電極により、実
現される。これに対向して第1および第3の層の上に対
向電極は変位方向へ位置がずらされて設けられている。 フラットすべり弁の上の電極の配置を、フラットすべり
弁の表側および裏側に関して対称的にし、さらに対向電
極の配置も対称的に実現すると著しく有利である。 この場合、電極と対向電極との間の電圧の印加の際に力
の垂直成分が互いに打ち消し合う。その結果、力の水平
成分が残り、これがフラットすべり弁の変位を作動する
。電極は簡単にかつ有利に金属のシート層としてまたは
ドーピングされたシリコン層により実現される。
【0006】
【実施例】図1にマイクロ弁が示されている。このマイ
クロ弁は実質的に層1,2および3から構成されており
、これらは中間層4と5を介して互いに結合されている
。層1〜5は材料の選択およびマイクロ弁の構造に応じ
てそれぞれ下層において構成することができる。材料と
して例えばシリコンまたはガラスが適している。これら
は、バッチ工程においてリトグラフによるストラクチャ
転写法により、簡単に加工処理が可能であり、さらに例
えば酸化シリコン層を介して固着工程により互いに結合
できる。しかしマイクロ弁の本発明によるストラクチャ
は、プラスチックまたは金属から成るLIGA技術によ
っても製造することができる。図1において層3のセグ
メントが切欠されて示されている。そのため層2の平面
図が得られる。マイクロ弁の構成は完全に対称的である
。そのため第1の層と第3の層3−これらはマイクロ弁
の固定子平面を構成している−は同一にストラクチャ化
されている。第1の層1において、したがって第3の層
3においてもこの実施例では2つの帰還接続口T1,T
2(T1′,T2′)ならびに2つの動作接続口A,B
(A′,B′)および1つの付加接続口P(P′)が形
成されている。この実施例においてはこれらの接続口は
パイプ状のチャンネルとして構成されている。これらの
チャンネルは層平面に平行に走行して完全に第1の層1
の中にないし第3の層3の中に存在する。中央の領域は
、第2の層の中に形成された、貫通開口24と25を有
するフラットすべり弁に対向する。この中央の領域にお
いてだけ、これらの接続口のチャンネルは第2の層2の
方向への接続開口を有する。層1と3のこのストラクチ
ャ化は例えば、複数個の下層から成る層1と3の形成に
より実現できる。端子の別の実現化は、接続口を貫通開
口として、第1の層1および第3の層3における層平面
に垂直に設けることによる。第3の層3の切欠きがフラ
ットすべり弁の領域において実施されているため、接続
開口を有する接続口チャンネルが側面で示されている。 第2の層において形成されたすべり弁エレメントは、部
分的に被われている。22で曲がり方向バーが示されて
おり、この曲がり方向バーにフラットすべり弁が第2の
層により取り付けられている。さらにフラットすべり弁
の表面へ被着された、弁の駆動手段の一部であるとして
の電極272が示されている。
クロ弁は実質的に層1,2および3から構成されており
、これらは中間層4と5を介して互いに結合されている
。層1〜5は材料の選択およびマイクロ弁の構造に応じ
てそれぞれ下層において構成することができる。材料と
して例えばシリコンまたはガラスが適している。これら
は、バッチ工程においてリトグラフによるストラクチャ
転写法により、簡単に加工処理が可能であり、さらに例
えば酸化シリコン層を介して固着工程により互いに結合
できる。しかしマイクロ弁の本発明によるストラクチャ
は、プラスチックまたは金属から成るLIGA技術によ
っても製造することができる。図1において層3のセグ
メントが切欠されて示されている。そのため層2の平面
図が得られる。マイクロ弁の構成は完全に対称的である
。そのため第1の層と第3の層3−これらはマイクロ弁
の固定子平面を構成している−は同一にストラクチャ化
されている。第1の層1において、したがって第3の層
3においてもこの実施例では2つの帰還接続口T1,T
2(T1′,T2′)ならびに2つの動作接続口A,B
(A′,B′)および1つの付加接続口P(P′)が形
成されている。この実施例においてはこれらの接続口は
パイプ状のチャンネルとして構成されている。これらの
チャンネルは層平面に平行に走行して完全に第1の層1
の中にないし第3の層3の中に存在する。中央の領域は
、第2の層の中に形成された、貫通開口24と25を有
するフラットすべり弁に対向する。この中央の領域にお
いてだけ、これらの接続口のチャンネルは第2の層2の
方向への接続開口を有する。層1と3のこのストラクチ
ャ化は例えば、複数個の下層から成る層1と3の形成に
より実現できる。端子の別の実現化は、接続口を貫通開
口として、第1の層1および第3の層3における層平面
に垂直に設けることによる。第3の層3の切欠きがフラ
ットすべり弁の領域において実施されているため、接続
開口を有する接続口チャンネルが側面で示されている。 第2の層において形成されたすべり弁エレメントは、部
分的に被われている。22で曲がり方向バーが示されて
おり、この曲がり方向バーにフラットすべり弁が第2の
層により取り付けられている。さらにフラットすべり弁
の表面へ被着された、弁の駆動手段の一部であるとして
の電極272が示されている。
【0007】図2にマイクロ弁の多層構成の断面が、フ
ラットすべり弁の領域において示されている。両方の固
定子平面1と3は中間層4と5を介してすべり弁面2と
結合されている。中間層4と5は、これらがフラットす
べり弁および曲がり方向バーの領域において切欠きを有
するようにストラクチャ化されている。その目的はフラ
ットすべり弁が、矢印で示されている運動方向へ変位可
能となるためである。図2に、端子T1,T1′,A,
A′,P,P′,B,B′,T2,T2′を構成するチ
ャンネル−これらは層平面に平行に延在する−が、第2
の層2への接続開口10と共に示されている。両方の貫
通開口24と25を有するフラットすべり弁は第1の位
置において示されている。これは例えば休止位置である
、即ちフラットすべり弁の駆動手段が作動されていない
時の位置である。この位置においては、それぞれ対向す
る両方の動作接続口AとA′ならびにBとB′が、貫通
開口24と25により互いに結合されている。この場合
、フラットすべり弁の特別のストラクチャおよび端子の
配置により、動作接続口A,A′およびB,B′の、帰
還接続口T1,T1′,T2,T2′へのまたは供給接
続口P,P′への接続は形成されない。フラットすべり
弁を変位させると、例えば動作接続口A′およびAと帰
還接続口T1およびT1′との結合が形成可能となり、
他方、動作接続口BおよびB′が付加接続口PおよびP
′へ接続される。フラットすべり弁の、休止位置から他
の方向への変位の場合は、それに応じて動作接続口Bお
よびB′が帰還接続口T2およびT2′と接続され、他
方、動作接続口AおよびA′が供給接続口PおよびP′
と接続される。即ちここに示されているマイクロ弁のフ
ラットすべり弁は3つの異なる位置を取ることが可能で
さらに4つの異なる接続口を有することができる。この
ことは3/4変位弁に相応する。
ラットすべり弁の領域において示されている。両方の固
定子平面1と3は中間層4と5を介してすべり弁面2と
結合されている。中間層4と5は、これらがフラットす
べり弁および曲がり方向バーの領域において切欠きを有
するようにストラクチャ化されている。その目的はフラ
ットすべり弁が、矢印で示されている運動方向へ変位可
能となるためである。図2に、端子T1,T1′,A,
A′,P,P′,B,B′,T2,T2′を構成するチ
ャンネル−これらは層平面に平行に延在する−が、第2
の層2への接続開口10と共に示されている。両方の貫
通開口24と25を有するフラットすべり弁は第1の位
置において示されている。これは例えば休止位置である
、即ちフラットすべり弁の駆動手段が作動されていない
時の位置である。この位置においては、それぞれ対向す
る両方の動作接続口AとA′ならびにBとB′が、貫通
開口24と25により互いに結合されている。この場合
、フラットすべり弁の特別のストラクチャおよび端子の
配置により、動作接続口A,A′およびB,B′の、帰
還接続口T1,T1′,T2,T2′へのまたは供給接
続口P,P′への接続は形成されない。フラットすべり
弁を変位させると、例えば動作接続口A′およびAと帰
還接続口T1およびT1′との結合が形成可能となり、
他方、動作接続口BおよびB′が付加接続口PおよびP
′へ接続される。フラットすべり弁の、休止位置から他
の方向への変位の場合は、それに応じて動作接続口Bお
よびB′が帰還接続口T2およびT2′と接続され、他
方、動作接続口AおよびA′が供給接続口PおよびP′
と接続される。即ちここに示されているマイクロ弁のフ
ラットすべり弁は3つの異なる位置を取ることが可能で
さらに4つの異なる接続口を有することができる。この
ことは3/4変位弁に相応する。
【0008】図3に第2の層2の平面図が即ちすべり弁
平面が示されている。第2の層2から、2つの貫通開口
24と25を有するフラットすべり弁20が切り出され
てストラクチャ化されている。フラットすべり弁は曲が
り方向バー22を介して第2の層2と結合されている。 さらにフラットすべり弁の表面に電極271と272が
設けられている。曲がり方向バー22の構造に応じて、
即ち曲がり方向バー22の個数と曲がり方向バーの有利
な変位方向に関する曲がり方向バーの方向づけとに応じ
て、さらにフラットすべり弁20の上の電極271,2
72の配置と、第2の層2と同じ側の、第1の層および
第3の層3の表面の対向電極の配置に応じて、フラット
すべり弁20が1つの方向へまたは複数個の方向へ変位
可能となる。図3に示された実施例の場合はフラットす
べり弁20が矢印50で示された方向へ変位される。
平面が示されている。第2の層2から、2つの貫通開口
24と25を有するフラットすべり弁20が切り出され
てストラクチャ化されている。フラットすべり弁は曲が
り方向バー22を介して第2の層2と結合されている。 さらにフラットすべり弁の表面に電極271と272が
設けられている。曲がり方向バー22の構造に応じて、
即ち曲がり方向バー22の個数と曲がり方向バーの有利
な変位方向に関する曲がり方向バーの方向づけとに応じ
て、さらにフラットすべり弁20の上の電極271,2
72の配置と、第2の層2と同じ側の、第1の層および
第3の層3の表面の対向電極の配置に応じて、フラット
すべり弁20が1つの方向へまたは複数個の方向へ変位
可能となる。図3に示された実施例の場合はフラットす
べり弁20が矢印50で示された方向へ変位される。
【0009】図4の(A)および図4の(B)に静電駆
動構成の基本図が示されている。矢印50はすべり弁5
2の所望の運動方向を示す。図4の(A)にすべり弁5
2の両側表面にそれぞれ電極551と552が被着され
ている。ケーシングの対向する壁51と53の上に、電
極551と552に対して空間的に位置のずらされた対
向電極581,582および591,592が、設けら
れている。所望の運動方向に応じて、電極551,55
2と対向電極581,591との間に電圧が印加される
、または電極551,552と対向電極582,592
との間に電圧が印加される。この場合、電極にして対向
電極を対称的に配置すると、力の垂直成分が打ち消され
る;力の水平成分だけが残り、これが層平面におけるす
べり弁52の変位を作動する。図4の(B)に示されて
いる変形実施例の場合は、すべり弁52とケーシング5
1,53の表面に、複数個の電極571と572ならび
に複数個の対向電極58と59が被着されている。しか
しこの装置の動作法は図4の(A)に示されている装置
の動作に相応する。
動構成の基本図が示されている。矢印50はすべり弁5
2の所望の運動方向を示す。図4の(A)にすべり弁5
2の両側表面にそれぞれ電極551と552が被着され
ている。ケーシングの対向する壁51と53の上に、電
極551と552に対して空間的に位置のずらされた対
向電極581,582および591,592が、設けら
れている。所望の運動方向に応じて、電極551,55
2と対向電極581,591との間に電圧が印加される
、または電極551,552と対向電極582,592
との間に電圧が印加される。この場合、電極にして対向
電極を対称的に配置すると、力の垂直成分が打ち消され
る;力の水平成分だけが残り、これが層平面におけるす
べり弁52の変位を作動する。図4の(B)に示されて
いる変形実施例の場合は、すべり弁52とケーシング5
1,53の表面に、複数個の電極571と572ならび
に複数個の対向電極58と59が被着されている。しか
しこの装置の動作法は図4の(A)に示されている装置
の動作に相応する。
【図1】マイクロ弁の部分的に切欠きして示す斜視図で
ある。
ある。
【図2】マイクロ弁の断面図である。
【図3】マイクロ弁のスライド弁平面の平面図である。
【図4】静電駆動装置の基本図である。
1〜5 層、 T1,T1′,A,A′,P,P′
,B,B′,T2,T2′接続口、 10 接続開
口、 20 フラットすべり弁、 24,25
貫通開口、 271,272,551,552,5
81,582,591,592電極
,B,B′,T2,T2′接続口、 10 接続開
口、 20 フラットすべり弁、 24,25
貫通開口、 271,272,551,552,5
81,582,591,592電極
Claims (12)
- 【請求項1】 第1の層を有しており、該第1の層の
中に少なくとも1つの供給接続口と少なくとも第1の帰
還接続口がストラクチャ化されており、さらに第2の層
を有しており、該第2の層は少なくとも第1のストラク
チャ化された中間層を介して第1の層と結合されており
、この場合、第2の層の中に静電的に操作可能な手段が
ストラクチャ化されており、これにより少なくとも1つ
の供給接続口の開口度が変化可能である形式の、流体流
の切り換えまたは制御用の、多層ストラクチャ構成のマ
イクロ弁において、−第1の層(1)の中に少なくとも
2つの動作接続口(A,B)と少なくとも第2の帰還接
続口(T2)がストラクチャ化されており、−マイクロ
弁が第2の層(2)に対して対称的に構成されており、
この場合、第2の層(2)の上へ少なくとも1つの別の
ストラクチャされた中間層(5)を介して第3の層(3
)が被着されており、さらに前記第3の層が第1の層(
1)に対して鏡対称的にストラクチャ化されており、さ
らに前記の第3の層は少なくとも2つの別の動作端子口
(A′,B′)、少なくとも1つの別の供給接続口(P
′)および少なくとも2つの別の帰還接続口(T1′,
T2′)を有しており、この場合、第1の層と第3の層
(3)における対向するそれぞれ2つの接続口が対を形
成しており、−さらに第2の層(2)における静電的に
操作可能な手段として、層平面において変位可能な少な
くとも1つのフラットすべり弁(20)が少なくとも2
つの貫通開口(24,25)を有するようにストラクチ
ャ化されていることを特徴とするマイクロ弁。 - 【請求項2】 動作接続口(A,A′,B,B′)、
供給接続口(P,P′)および/または帰還接続口(T
,T′)が、第1の層(1)の中におよび/または第3
の層(3)の中に貫通開口として形成されている請求項
1記載のマイクロ弁。 - 【請求項3】 動作接続口(A,A′,B,B′)、
供給接続口(P,P′)および/または帰還接続口(T
,T′)が層平面に平行に延在する、管状のチャンネル
として第1の層(1)および第3の層(3)の中に形成
されており、さらに動作接続口(A,A′,B,B′)
、供給接続口(P,P′)および/または帰還接続口(
T,T′)が、フラットすべり弁(20)の貫通開口(
24,25)の領域においてだけ、第2の層平面の方向
へ接続開口(10)を有している請求項1記載のマイク
ロ弁。 - 【請求項4】 フラットすべり弁(20)が1つまた
は複数個の曲がり方向バー(22)において第2の層(
2)と結合されている請求項1から3までのいずれか1
項記載のマイクロ弁。 - 【請求項5】 第1のストラクチャ化された中間層(
4)と第2のストラクチャ化された中間層(5)がフラ
ットすべり弁(20)のおよび曲がり方向バー(22)
の領域において、切欠を有している請求項4記載のマイ
クロ弁。 - 【請求項6】 第2の層(2)が、フラットすべり弁
(20)の領域においておよび曲がり方向バー(22)
の領域においてその厚さが低減されており、および/ま
たは第1の層(1)および第3の層(3)は、第2の層
(2)と同じ側の表面がフラットすべり弁(20)のお
よび曲がり方向バー(22)の領域において、その厚さ
が低減されている請求項1から5までのいずれか1項記
載のマイクロ弁。 - 【請求項7】 フラットすべり弁(20)の第1の位
置におい少なくとも2つの貫通開口(24,25)がそ
れぞれ、1つの対を形成する動作接続口(A,A′,B
,B′)の間の接続を形成するようにし、この場合、動
作接続口(A,A′,B,B′)の、供給接続口(P,
P′)へのまたは帰還接続口(T1,T1′,T2,T
2′)への接続は形成されないようにし、さらにフラッ
トすべり弁(20)の少なくとも2つの別の位置におい
て、少なくとも2つの貫通開口(24,25)が、一対
の動作接続口(A,A′,B,B′)と少なくとも一対
の供給接続口(P,P′)との間の接続が、および他の
一対の動作接続口(B,B′;A,A′)と一対の帰還
接続口(T1,T1′;T2,T2′)との間の接続が
形成されるようにした請求項1から6までのいずれか1
項記載のマイクロ弁。 - 【請求項8】 フラットすべり弁(20)の第1の位
置がマイクロ弁の休止位置であるようにした請求項1か
ら7までのいずれか1項記載のマイクロ弁。 - 【請求項9】 フラットすべり弁のおよび/または曲
がり方向バー(22)の上側および下側にそれぞれ1つ
のまたは複数個の電極(571,572)が設けられて
おり、−第1の層(1)のおよび第3の層(3)の、第
2の層(2)と同じ側の表面上へフラットすべり弁(2
0)の上に被着された電極(571,572)に対して
変位方向へ位置がずらされて対向電極(581,582
,591,592)が設けられており、−さらにフラッ
トすべり弁(20)の上の電極(571,572)と第
1の層(1)の上のおよび第2の層(2)の上の対向電
極(581,582,591,592)との間に、電圧
を加える手段が設けられている請求項1から8までのい
ずれか1項記載のマイクロ弁。 - 【請求項10】 フラットすべり弁(20)の表面上
の電極(572)が、フラットすべり弁(20)の下側
表面上の電極(573)に対して対称的に設けられてお
り、さらに第1の層(1)の上の対向電極(58,58
1,582)が、第3の層(3)の上の対向電極(59
,591,592)に対して対称的に設けられている請
求項9記載のマイクロ弁。 - 【請求項11】 電極(571,572)および対向
電極(581,582,591,592)が、金属薄膜
としてまたはドーピングされたシリコン層として実現さ
れている請求項9記載のマイクロ弁。 - 【請求項12】 マイクロ弁構成体の層(1,2,3
)のストラクチャが、バッチ工程においてリトグラフに
よるストラクチャ転写法により、適切な層材料へ例えば
シリコンまたはガラスへ転写されており、−さらにこれ
らの層が互いに接着されている請求項1から11までの
いずれか1項記載のマイクロ弁。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4041579A DE4041579A1 (de) | 1990-12-22 | 1990-12-22 | Mikroventil |
DE4041579.1 | 1990-12-22 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04285378A true JPH04285378A (ja) | 1992-10-09 |
Family
ID=6421293
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3340589A Pending JPH04285378A (ja) | 1990-12-22 | 1991-12-24 | マイクロ弁 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5178190A (ja) |
JP (1) | JPH04285378A (ja) |
DE (1) | DE4041579A1 (ja) |
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- 1991-12-24 JP JP3340589A patent/JPH04285378A/ja active Pending
Also Published As
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---|---|
DE4041579A1 (de) | 1992-06-25 |
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