JPH0428127B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

産業上の利用分野 本発明は、固定チツプ抵抗器あるいは回路配線
基板等に設けられる厚膜タイプの電気抵抗体、特
に非酸化性雰囲気中で焼成して得られることが可
能な電気抵抗体及びその製造方法に関する。 従来の技術 電子機器の電気回路は、抵抗、コンデンサ、ダ
イオード、トランジスタ等の各種電気素子が回路
基板に実装されて構成されることが良く行われて
いるが、電子機器の小型化に伴つてこれらの電気
素子の実装密度をさらに高めることができる回路
基板が多く用いられるようになつてきた。 これらの回路基板に設けられる抵抗体には、抵
抗体材料ペーストを回路上に直接印刷して焼付け
ることにより形成した厚膜抵抗体、あるいは角板
状セラミツクチツプの両端に一対の電極を形成
し、双方の電極に跨がるように前記厚膜抵抗体を
形成した固定チツプ抵抗器等がある。 このような厚膜抵抗体を回路基板に設けるに
は、従来、例えば1500℃前後で焼成して得られた
アルミナ基板の表面にAgあるいはAg−Pd等の導
体材料ペースト塗布し、焼付けした後、例えば
RuO₂を抵抗体材料として含有するペーストをス
クリーン印刷等により塗布し、ついで750〜850℃
で焼付け、さらに必要に応じてトリミング等によ
り抵抗値の調整を行なうやり方が一般的である。 しかしながら近年、電子機器等に対する軽薄・
短小化、低コスト化の要求がさらに強まつてきて
おり、回路基板に対しても一層の小型化、低コス
ト化の検討が行われるようになつてきた。 前者の小型化のための具体的な対応としては、
第１に回路基板の多層化、第２に抵抗体の内装化
が行なわれている。回路基板を多層化した例とし
ては、AgあるいはAg−Pd系等の導体材料ペース
トを印刷したセラミツクグリーンシート（生シー
ト）を積層、圧着した後、大気中800〜1100℃で
同時焼成して得られる多層配線基板が挙げられ、
また、抵抗体を内装化した例としては、前記導体
材料ペーストを印刷したセラミツクグリーンシー
ト上にさらにRuO₂系抵抗体材料ペーストを印刷
し、前記と同様に積層、圧着した後、同時焼成し
て得られる抵抗体内装多層配線基板等が知られて
いる。 また、後者の低コスト化のための具体的な対応
としては、AgあるいはAg−Pd系材料のような高
価な貴金属系の導体材料に代わつて、安価なNi
あるいはCu等の卑金属系の導体材料を用い、こ
れらを窒素ガスあるいは水素を含む窒素ガス中
等、その酸化による高抵抗化を避けることができ
るような中性あるいは還元性の非酸化性雰囲気
中、800〜1100℃でグリーンセラミツクと同時焼
成して得られる多層配線基板が実用化されてい
る。また、特開昭56−153702号公報に記載されて
いるように、MoSi₂−TaSi₂及びガラスからなる
抵抗体材料を、銅（Cu）導体を有するアルミナ
基板上に塗布し、熱処理して得られる厚膜抵抗体
等も知られている。 発明が解決しようとする問題点 しかしながら、回路基板の小型化と低コスト化
を同時に行なうようにすると、RuO₂系抵抗体材
料は窒素ガスあるいは水素を含む窒素ガス雰囲気
中でグリーンセラミツクと同時焼成したときに還
元反応が起こり、抵抗値が低くなつて抵抗体とし
ての特性を示さなくなる。 また、MoSi₂−TaSi₂及びガラスからなる抵抗
体材料を非酸化性雰囲気中でグリーンセラミツク
シートと同時焼成すると、両者の膨張率、収縮率
の相違によるずれにより焼成体に反りが生じた
り、MoSi₂−TaSi₂の分解反応によりガスが発生
して焼成体にふくれが生じ易いと云う問題点があ
る。これを改善するために、特開昭60−198703号
公報に記載されているように、MoSi₂−弗化金属
塩（例えば弗化カルシウム）及びガラスよりなる
抵抗体材料を用いる例が知られており、これにつ
いては上記のような焼成時の反りやふくれは見ら
れない。 しかしながら、このMoSi₂−弗化金属及びガラ
スよりなる抵抗体材料をグリーンセラミツクシー
トに塗布し、同時焼成して得られた厚膜抵抗体
は、95％相対湿度中に1000時間放置すると、５〜
10％の抵抗値の増加が見られ、抵抗体としての所
定の機能を果たすことができない。 本発明の目的は、固定チツプ抵抗器あるいは一
般の回路基板等に使用できるのみならず、卑金属
導体材料とともに積層して多層基板に内装化する
ことのできる電気抵抗体であつて、抵抗値の安定
な電気抵抗体を提供することにある。 また、本発明の他の目的は、前記電気抵抗体の
特性をより一層向上させることのできる製造法を
提供することにある。 問題点を解決するための手段 本発明は、上記問題点を解決するために、マン
ガンのモリブデン酸塩を含有する焼成体を有する
ことを特徴とする電気抵抗体を提供するものであ
る。 また、本発明は、主成分にマンガンのモリブデ
ン酸塩及びその前駆体の内の少なくとも一種を含
有する抵抗体材料を熱処理し、この熱処理して得
られた抵抗体材料を用いて焼成し、マンガンのモ
リブデン酸塩を含有する焼成体からなる電気抵抗
体を得ることを特徴とする電気抵抗体の製造方法
を提供するものである。 次に本発明を詳細に説明する。 本発明におけるマンガンのモリブデン酸塩に
は、例えばMnMoO₄等が例示される。 このようなマンガンのモリブデン酸塩は、マン
ガンの酸化物と酸化モリブデン（MoO₃）の熱処
理によつて合成することができるが、その前駆体
を用いて熱処理することにより合成することもで
きる。 本発明においてはバインダーを用いることが好
ましく、これにはガラスが挙げられが、このガラ
スとしては一般に知られているガラスが用いら
れ、特定の組成のガラスに限定されるものではな
いが、Pb₃O₄、Bi₂O₃、SnO₂、CdOのような酸化
物は、これらを含む抵抗体材料を非酸化性雰囲気
中で焼成するときに還元されて金属化することが
あり、この金属は抵抗値を変化させるので、この
ようなことが起こることが好ましくない場合には
これらの酸化物を含有しないことが好ましい。 ガラス成分としては、SiO₂、B₂O₃、ZnO、
CaO、SrO、ZrO₂などが好ましく、これらの酸
化物の組成比は、 SiO₂ 12〜33重量％ B₂O₃ 20〜35重量％ ZnO又はSrO 13〜33重量％ CaO 10〜25重量％ ZrO₂ 15〜45重量％ が好ましい。 これら酸化物の組成物からガラスを製造するに
は、前記組成比になるようにそれぞれの酸化物を
秤量し、混合する。この混合物を坩堝に入れ、
1200〜1500℃に温度にて溶融した後、溶融液を例
えば水中に投入し、急冷させ、ガラス粗粉を得
る。この粗粉を例えばボールミル、振動ミルなど
の粉砕手段を用いて所望の粒度（例えば10μｍ以
下）になるまで粉砕すると、ガラス粉末が得られ
る。 前記は純粋の酸化物を混合して用いたが、これ
に限らず結果的に各酸化物の混合物からなるガラ
スになれば良く、各酸化物の前駆体をその一部又
は全部に用い、これを溶融してガラスにしても良
い。例えばCaO（酸化カルシウム）はCaCO₃（炭
酸カルシウム）、B₂O₃（酸化硼素）はホウ酸
（H₃BO₃）の熱処理により得られるので、CaO、
B₂O₃の一部又はその全部の代わりにそれぞれ
CaCO₃、H₂BO₃を用いることができる。その他
の成分の酸化物についても同様である。 前記のようにして得られるマンガンのモリブデ
ン酸塩、ガラス粉末は混合され、そのまま抵抗体
材料として用いても良いが、これを熱処理して粉
砕したものを抵抗体材料とすることがこれを焼成
して得た抵抗体の抵抗温度特性の上で好ましい。
この熱処理温度としては、800℃〜1200℃が好ま
しく、これより外れると抵抗体材料を電気抵抗体
に加工する各工程の作業条件等による組成比の微
妙な変動に対し、出来上がつた抵抗体の抵抗値が
影響を受け易く、所望の抵抗値を安定して得るこ
とが難しい。この熱処理は非酸化性雰囲気が望ま
しく、窒素ガスその他不活性ガス、あるいはこれ
らに水素ガスを含有させた混合ガスを用いること
が好ましい。 抵抗体材料の各成分の組成比は、マンガンのモ
リブデン酸塩50〜96重量％、ガラス粉末４〜50重
量％が好ましい。この範囲よりマンガンのモリブ
デン酸塩が少な過ぎ、ガラスが多過ぎると、焼成
して出来上がつた電気抵抗体の抵抗値が高くなり
過ぎ好ましくない場合があり、また、逆にマンガ
ンのモリブデン酸塩が多過ぎ、ガラスが少な過ぎ
ると焼成時の焼結性が悪くなり回路基板に安定に
保持できないことがある。しかし、抵抗体を回路
基板を積層して埋め込むような場合にはマンガン
のモリブデン酸塩が上記範囲より多い場合のみな
らず、100％でも良い。 このようにして得られた抵抗体材料粉末から固
定チツプ抵抗器あるいは厚膜抵抗体のための抵抗
体を作成するには、例えばセラミツクグリーンシ
ートにこれらの抵抗体材料粉末を塗布し、焼成す
るが、この塗布を行うためには例えばシルクスク
リーン印刷ができるようにこれら抵抗体材料粉末
にビヒクルが混合され塗液が調整される。このビ
ヒクルは、焼成の前段階で焼失できるようなもの
が好ましく、このためには有機物ビヒクル、すな
わち有機溶剤に樹脂を溶解又は分散させ、必要に
応じて可塑剤、分散剤等の各種添加剤を加えたも
のが好ましい。この有機溶剤にはブチルカービト
ールアセテート、ブチルカービトール、テレピン
油などが挙げられ、樹脂としてはエチルセルロー
ズ、ニトロセルローズ等のセルローズ誘導体、そ
の他の樹脂が上げられる。 この有機物ビヒクルと抵抗体材料粉末との使用
割合は使用する有機溶剤、樹脂等により変わる
が、有機溶剤と樹脂との使用割合は前者が20〜50
重量％、後者が80〜50重量％が適当である。これ
らの成分は例えば三本ロールミル、らいかい器な
どの混合手段を用いてペースト状にされる。 このようにして得られた抵抗体材料ペーストが
基板に塗布され、これがさらに後述の処理を施さ
れて抵抗体が作成されるが、この基板にはセラミ
ツクグリーンシートを導体材料や抵抗体材料とと
もに焼成して作成するもののみならず、予めセラ
ミツクグリーンシートを焼成し、これにさらに抵
抗体材料、導体材料を塗布した後焼成する方法で
も良い。これらは積層体を形成する場合にも適用
できる。 前記セラミツクグリーンシートとしては、例え
ば酸化アルミニウム（Al₂O₃）35〜45重量％、酸
化珪素（SiO₂）25〜35重量％、酸化硼素（B₂O₃）
10〜15重量％、酸化カルシウム（CaO）７〜13重
量％、酸化マグネシウム（MgO）７〜10重量％
等のセラミツク構成成分の酸化物混合物を有機物
ビヒクルとボールミル等で混合したスラリーをド
クターブレード等によりシート化したものが挙げ
られる。この際、マンガンのモリブデン酸塩にガ
ラスを併用しないときは、前記セラミツクグリー
ンシートにガラス分を多く含ませガラスを併用し
たと同様の効果を出すようにしても良い。前記有
機物ビヒクルには、アクリル酸エステル等のアク
リル樹脂、ポリビニルブチラール等の樹脂、グリ
セリン、フタル酸ジエチル等の可塑剤、カルボン
酸塩等の分散剤、水、有機溶剤等の溶剤から構成
される。 前記抵抗体材料ペーストはセラミツクグリーン
シートに例えばシルクスクリーン印刷等の手段に
より塗布され、乾燥後、400〜500℃で熱処理され
て樹脂成分が分解・燃焼させるのが好ましい。こ
の際、同時にNiあるいはCu等の卑金属導体材料
あるいはAg又はAg−Pdの貴金属導体材料のペー
ストも抵抗体材料ペースト塗膜と同様にセラミツ
クグリーンシートに塗布され、抵抗体材料ペース
トの塗布物と同様に処理される。 このNiあるいはCu等の卑金属導体材料あるい
はAg又はAg−Pdの貴金属導体材料のペースト組
成物としては、各々の金属粉末98〜85重量％にガ
ラスフリツトを２〜15重量％添加したものが例示
される。 このようにしてセラミツクグリーンシートに抵
抗体材料及び／又は導体材料が組み込まれるが、
固定チツプ抵抗器の場合にはこの未焼成基板の表
面のみ、多層基板の厚膜抵抗体の場合には前記抵
抗体材料、導体材料を未焼成状態で組み込んだも
のをさらに積層して所定の回路を構成するように
してから焼成する。この焼成により導体材料及
び／又は厚膜抵抗体材料を基板と同時に焼成体に
することができる。 この場合、NiあるいはCu等の卑金属導体材料
が導体材料に用いられるときは、その酸化による
高抵抗値化を防止するために、非酸化性雰囲気中
で焼成することが好ましく、その焼成温度は、例
えば800℃〜1100℃、0.5時間〜２時間が例示され
る。非酸化性雰囲気としては、窒素ガスその他不
活性ガス、これらの水素ガスを含有させた混合ガ
スも用いられる。また、Ag又はAg−Pdの貴金属
導体材料を用いるときは空気等の酸化性雰囲気中
で焼成することもできる。 前記のようにして導体及び／又は抵抗体を組み
込んだ回路配線基板が出来上がるが、焼成基板と
導体の間は勿論のこと、焼成基板と抵抗体との間
にも焼成に伴つてクラツク、歪み、ふくれ等を生
じることがないとともに、抵抗体は高温高湿度雰
囲気中に1000時間以上放置されてもその抵抗値が
±２％以内の変化に抑制され、その高い信頼性を
確保することができる。これは低抗体が導体及び
焼成基板と良くマツチングするためと、マンガン
のモリブデン酸塩とガラスの焼成体からなる低抗
体の独特の耐湿性に基づくものと考えられるが詳
細は明らかでない。なお、Ｘ線回折分析により前
記抵抗体中にマンガンのモリブテン酸塩を認める
ことができる。 本発明においては、上記の如くマンガンのモリ
ブデン酸塩を用いても良いが、このマンガンのモ
リブデン酸塩の代わりに熱処理によりマンガンの
モリブデン酸塩となる前駆体を一部又は全部用い
ることもできる。これらのいずれの場合もガラス
と混合して熱処理したものを粉砕し、抵抗体材料
とすることが好ましいが、この熱処理を行わず上
述の有機物ビヒクル等と混合して作成したペース
トを例えばグリーンセラミツクシートに塗布して
から、有機物除去の加熱処理を経て焼成し、直接
抵抗体を作成することもできる。 また、ガラスはこれを構成する酸化物の混合材
料がマンガンのモリブデン酸塩とともに結果的に
焼成される状態におかれれば良く、これらの酸化
物の前駆体をマンガンのモリブデン酸塩及び／又
はその前駆体とともにこの酸化物の一部又は全部
を上述したようにペースト状態にし、これを基板
に塗布して有機物の焼成、その後の焼成のいずれ
の過程で上記のガラス成分からなるガラスにな
り、これとマンガンのモリブデン酸塩及び／又は
その前駆体と焼成されことにより抵抗体を作製で
きるものであれば良い。例えば、ガラスの材料の
成分であるCaO（酸化カルシウム）はCaCO₃（炭
酸カルシウム）の加熱、B₂O₃（酸化硼素）はホウ
酸（H₂BO₃）の加熱から得られるので、CaO、
B₂O₃の一部又は全部の代わりにそれぞれCaCO₃、
H₂BO₃を用いることができる。本発明における
抵抗体材料とはその処理の過程で結果的にマンガ
ンのモリブデン酸塩とガラスとを主成分にするも
のであれば良い。 実施例 次に本発明の実施例を説明する。 実施例 １ 酸化物に換算して表１に示される組成になるよ
うに各成分を秤量し、混合した。 INDUSTRIAL APPLICATION FIELD The present invention relates to a thick film type electrical resistor provided on a fixed chip resistor or a circuit wiring board, etc., particularly an electrical resistor that can be obtained by firing in a non-oxidizing atmosphere, and the like. Regarding the manufacturing method. BACKGROUND TECHNOLOGY The electrical circuits of electronic devices are often constructed by mounting various electrical elements such as resistors, capacitors, diodes, and transistors on circuit boards, but as electronic devices become smaller, these Circuit boards that can further increase the packaging density of electrical elements have come into widespread use. The resistors installed on these circuit boards are either thick-film resistors formed by printing and baking resistor material paste directly onto the circuit, or a pair of electrodes formed at both ends of a square ceramic chip. There is also a fixed chip resistor in which the thick film resistor is formed so as to span both electrodes. In order to provide such a thick film resistor on a circuit board, conventionally, a conductive material paste such as Ag or Ag-Pd is applied to the surface of an alumina substrate obtained by firing at around 1500°C, and after baking, for example
A paste containing RuO ₂ as a resistor material is applied by screen printing, and then heated at 750 to 850℃.
The common method is to bake the resistor in a wafer, and then adjust the resistance value by trimming, etc., if necessary. However, in recent years, frivolous and
The demand for shorter, smaller, and lower costs is becoming stronger, and studies are being conducted to further reduce the size and cost of circuit boards. For the former, specific measures for downsizing include:
Firstly, circuit boards are becoming more multi-layered, and secondly, resistors are being built internally. An example of multi-layered circuit boards is obtained by laminating and pressing ceramic green sheets (raw sheets) printed with conductive material paste such as Ag or Ag-Pd, and then simultaneously firing them in the atmosphere at 800-1100℃. Examples include multilayer wiring boards,
In addition, as an example of internally incorporating a resistor, a _RuO2 -based resistor material paste is further printed on a ceramic green sheet printed with the conductor material paste, laminated and crimped in the same manner as above, and then co-fired. The resulting resistor-incorporated multilayer wiring board and the like are known. In addition, as a specific measure to reduce the cost of the latter, we will use inexpensive Ni to replace expensive noble metal conductor materials such as Ag or Ag-Pd materials.
Alternatively, base metal-based conductive materials such as Cu are used, and they are heated at 800°C in a neutral or reducing non-oxidizing atmosphere such as nitrogen gas or hydrogen-containing nitrogen gas to avoid high resistance due to oxidation. A multilayer wiring board obtained by co-firing with green ceramic at ~1100℃ has been put into practical use. Furthermore, as described in JP-A No. 56-153702, a resistor material made of MoSi ₂ -TaSi ₂ and glass is coated on an alumina substrate having a copper (Cu) conductor and heat-treated. Thick film resistors and the like are also known. Problems to be Solved by the Invention However, in order to reduce the size and cost of circuit boards at the same time, RuO ₂ -based resistor materials have been co-fired with green ceramics in nitrogen gas or hydrogen-containing nitrogen gas atmospheres. Sometimes a reduction reaction occurs, resulting in a low resistance value and no longer exhibiting properties as a resistor. Furthermore, when a resistor material made of MoSi ₂ - TaSi ₂ and glass is co-fired with a green ceramic sheet in a non-oxidizing atmosphere, the fired body may warp due to differences in the expansion and contraction rates of the two, and the MoSi There is a problem that gas is generated due to the decomposition reaction of ₂ -TaSi ₂ , which tends to cause blisters in the fired product. In order to improve this, an example is known in which a resistor material made of MoSi ₂ -metal fluoride (e.g. calcium fluoride) and glass is used, as described in JP-A-60-198703. There is no warping or blistering during firing as mentioned above. However, when a thick film resistor obtained by applying this MoSi ₂ -metal fluoride and glass resistor material to a green ceramic sheet and simultaneously firing the resistor material, the resistor material obtained by coating the resistor material made of MoSi 2 -metal fluoride and glass for 1000 hours in 95% relative humidity has a
A 10% increase in resistance value was observed, and the resistor could no longer perform its intended function. An object of the present invention is to provide an electrical resistor that can not only be used in fixed chip resistors or general circuit boards, but also can be laminated with base metal conductive materials and incorporated into multilayer boards, and which has stable resistance values. The purpose of the present invention is to provide an electrical resistor. Another object of the present invention is to provide a manufacturing method that can further improve the characteristics of the electrical resistor. Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, the present invention provides an electrical resistor characterized by having a fired body containing manganese molybdate. In addition, the present invention heat-treats a resistor material containing at least one of manganese molybdate and its precursor as a main component, and fires the resistor material obtained by this heat treatment to produce manganese. The present invention provides a method for producing an electrical resistor, which is characterized in that the electrical resistor is made of a fired body containing molybdate of the present invention. Next, the present invention will be explained in detail. Examples of the manganese molybdate in the present invention include MnMoO ₄ and the like. Such manganese molybdate can be synthesized by heat treatment of manganese oxide and molybdenum oxide (MoO ₃ ), but it can also be synthesized by heat treatment using its precursor. In the present invention, it is preferable to use a binder, and examples thereof include glass, and this glass may be a commonly known glass, and is not limited to a glass with a specific composition, but may include Pb ₃ Oxides such as O ₄ , Bi ₂ O ₃ , SnO ₂ , and CdO can be reduced and metallized when resistor materials containing them are fired in a non-oxidizing atmosphere; If it is undesirable for this to occur, it is preferable not to contain these oxides since they change the value. Glass components include SiO ₂ , B ₂ O ₃ , ZnO,
CaO, SrO, ZrO2, _etc. are preferred, and the composition ratio of these oxides is: _SiO2 12-33% by weight _{B2O3 20-35} % by weight ZnO or SrO 13-33% by weight CaO 10-25% by weight ZrO ₂ 15 to 45% by weight is preferred. In order to manufacture glass from a composition of these oxides, the respective oxides are weighed and mixed to achieve the above composition ratio. Put this mixture into a crucible,
After melting at a temperature of 1200 to 1500°C, the melt is poured into water, for example, and rapidly cooled to obtain coarse glass powder. Glass powder is obtained by pulverizing this coarse powder to a desired particle size (for example, 10 μm or less) using a pulverizing means such as a ball mill or a vibration mill. In the above, a mixture of pure oxides was used, but the glass is not limited to this, as long as the result is a mixture of each oxide. It may be melted to make glass. For example, CaO (calcium oxide) can be obtained from CaCO ₃ (calcium carbonate) and B ₂ O ₃ (boron oxide) can be obtained by heat treatment of boric acid (H ₃ BO ₃ ), so CaO,
each in place of part or all of B ₂ O ₃
CaCO ₃ and H ₂ BO ₃ can be used. The same applies to oxides of other components. The manganese molybdate and glass powder obtained in the above manner may be mixed and used as is as a resistor material, but it is better to heat-treat and pulverize this to make a resistor material. This is preferable in view of the resistance-temperature characteristics of the resistor obtained.
The temperature for this heat treatment is preferably 800℃ to 1200℃; if the temperature is outside this range, the finished resistor will be affected by subtle fluctuations in the composition ratio caused by the working conditions of each step of processing the resistor material into an electrical resistor. resistance value is easily affected, making it difficult to stably obtain a desired resistance value. This heat treatment is preferably performed in a non-oxidizing atmosphere, and it is preferable to use nitrogen gas or other inert gas, or a mixed gas containing these gases and hydrogen gas. The composition ratio of each component of the resistor material is preferably 50 to 96% by weight of manganese molybdate and 4 to 50% by weight of glass powder. If the amount of manganese molybdate is too low and the amount of glass is too high, the resistance value of the fired electrical resistor may become too high, which is undesirable. If the amount of glass is too large and the amount of glass is too small, the sinterability during firing may deteriorate and it may not be possible to stably hold it on the circuit board. However, when a resistor is embedded in a laminated circuit board, the manganese molybdate content may not only be greater than the above range, but may also be 100%. To create a resistor for a fixed chip resistor or a thick film resistor from the resistor material powder obtained in this way, for example, the resistor material powder is applied to a ceramic green sheet and fired. In order to perform this coating, a vehicle is mixed with these resistor material powders to prepare a coating liquid so that silk screen printing can be performed, for example. This vehicle is preferably one that can be burned out in the pre-firing stage.For this purpose, the resin is dissolved or dispersed in an organic vehicle, that is, an organic solvent, and various additives such as plasticizers and dispersants are added as necessary. Preferably added. Examples of the organic solvent include butyl carbitol acetate, butyl carbitol, turpentine oil, etc. Examples of the resin include cellulose derivatives such as ethyl cellulose and nitrocellulose, and other resins. The ratio of the organic vehicle to the resistor material powder varies depending on the organic solvent, resin, etc. used, but the ratio of the organic solvent to the resin is 20 to 50.
The latter is preferably 80 to 50% by weight. These components are made into a paste using a mixing means such as a three-roll mill or a sieve. The resistor material paste obtained in this way is applied to a substrate, which is further processed as described below to create a resistor. In addition to a method in which a ceramic green sheet is fired in advance, a resistor material and a conductor material are further coated on the ceramic green sheet, and then fired. These can also be applied when forming a laminate. The ceramic green sheet includes, for example, 35 to 45% by weight of aluminum oxide (Al ₂ O ₃ ), 25 to 35% by weight of silicon oxide (SiO ₂ ), and boron oxide (B ₂ O ₃ ).
10-15% by weight, calcium oxide (CaO) 7-13% by weight, magnesium oxide (MgO) 7-10% by weight
For example, a slurry prepared by mixing an oxide mixture of ceramic constituents with an organic vehicle using a ball mill or the like is formed into a sheet using a doctor blade or the like. At this time, when glass is not used in combination with manganese molybdate, the ceramic green sheet may contain a large amount of glass to produce the same effect as when glass is used in combination. The organic vehicle is comprised of an acrylic resin such as an acrylic ester, a resin such as polyvinyl butyral, a plasticizer such as glycerin or diethyl phthalate, a dispersant such as a carboxylic acid salt, and a solvent such as water or an organic solvent. The resistor material paste is preferably applied to a ceramic green sheet by means such as silk screen printing, dried, and then heat treated at 400 to 500°C to decompose and burn the resin components. At this time, a paste of a base metal conductor material such as Ni or Cu or a noble metal conductor material such as Ag or Ag-Pd is also applied to the ceramic green sheet in the same way as the resistor material paste coating, and the paste is also applied to the ceramic green sheet in the same way as the resistor material paste coating. will be processed. Examples of paste compositions of base metal conductor materials such as Ni or Cu or noble metal conductor materials such as Ag or Ag-Pd include those in which 2 to 15 weight % of glass frit is added to 98 to 85 weight % of each metal powder. . In this way, the resistor material and/or conductor material is incorporated into the ceramic green sheet, but
In the case of a fixed chip resistor, only the surface of this unfired substrate is used, and in the case of a thick film resistor of a multilayer board, the resistor material and conductor material incorporated in the unfired state are further laminated to form a predetermined circuit. It is then fired. By this firing, the conductor material and/or the thick film resistor material can be made into a fired body at the same time as the substrate. In this case, when a base metal conductor material such as Ni or Cu is used as the conductor material, it is preferable to sinter it in a non-oxidizing atmosphere in order to prevent the resistance value from increasing due to oxidation, and the sintering temperature is as follows: For example, 800°C to 1100°C for 0.5 hours to 2 hours. As the non-oxidizing atmosphere, nitrogen gas, other inert gases, and mixed gases containing these hydrogen gases are also used. Furthermore, when using a noble metal conductor material such as Ag or Ag-Pd, it can also be fired in an oxidizing atmosphere such as air. A circuit wiring board incorporating a conductor and/or a resistor is completed as described above, but cracks, distortions, etc. occur not only between the fired board and the conductor, but also between the fired board and the resistor due to firing. In addition to not causing any blistering, the resistor's resistance value is suppressed to change within ±2% even if it is left in a high temperature, high humidity atmosphere for more than 1000 hours, ensuring high reliability. This is thought to be due to the fact that the low antibody matches well with the conductor and fired substrate, and the unique moisture resistance of the low antibody made of manganese molybdate and a fired glass body, but the details are not clear. Incidentally, manganese molybutate can be found in the resistor by X-ray diffraction analysis. In the present invention, a molybdate of manganese may be used as described above, but instead of this molybdate of manganese, a part or all of a precursor that becomes a molybdate of manganese by heat treatment can also be used. In any of these cases, it is preferable to mix it with glass and heat treat it, then crush it and use it as a resistor material. However, a paste made by mixing it with the above-mentioned organic vehicle, etc. without performing this heat treatment can be used, for example, as a green ceramic sheet. It is also possible to directly create a resistor by coating the material on the surface of the material, heating it to remove organic matter, and then firing it. Further, the glass may be placed in a state where the mixed material of the oxides constituting the glass is fired together with manganese molybdate, and precursors of these oxides are combined with manganese molybdate and/or manganese molybdate. A part or all of this oxide together with its precursor is made into a paste state as described above, and this is applied to a substrate, and in any process of firing the organic material and subsequent firing, it becomes a glass made of the above glass components, Any material that can be used to produce a resistor by firing this with manganese molybdate and/or its precursor may be used. For example, CaO (calcium oxide), which is a component of glass materials, can be obtained by heating CaCO ₃ (calcium carbonate), and B ₂ O ₃ (boron oxide) can be obtained by heating boric acid (H ₂ BO ₃ ), so CaO,
CaCO ₃ in place of some or all of B ₂ O ₃ , respectively;
_H2BO3 can _be used. The resistor material in the present invention may be any material as long as its main components are manganese molybdate and glass as a result of the treatment process. Examples Next, examples of the present invention will be described. Example 1 Each component was weighed and mixed to have the composition shown in Table 1 in terms of oxide.

【表】 表中、単位は重量％。
ガラスＡ、ガラスＢのそれぞれの混合物を各別
にアルミナ坩堝中で1400℃で溶融し、その溶融液
を水中に投入し、急冷させた。この急冷物を取り
出してエタノールとともにポツトミルの中に入
れ、アルミナボールで24時間粉砕し、粒径10μｍ
以下のガラス粉末を得た。 また、酸化モリブデンとマンガンの酸化物から
マンガンのモリブデン酸塩を得た。 次に、前記で得たガラスＡ、ガラスＢのそれぞ
れのガラス粉末と前記で得たマンガンのモリブデ
ン酸塩を表２に示す割合になるように秤量し、混
合した。[Table] In the table, the unit is weight%.
Each of the mixtures of Glass A and Glass B was individually melted at 1400° C. in an alumina crucible, and the melt was poured into water and rapidly cooled. This quenched material was taken out and put into a pot mill with ethanol, and ground with an alumina ball for 24 hours to a particle size of 10 μm.
The following glass powder was obtained. In addition, manganese molybdate was obtained from molybdenum oxide and manganese oxide. Next, the glass powders of Glass A and Glass B obtained above and the manganese molybdate obtained above were weighed and mixed in the proportions shown in Table 2.

【表】 上記各試料を窒素（N₂）98.5vol％、水素
（H₂）1.5vol％のガス雰囲気中、1000℃、１時間
熱処理し、しかる後にエタノールとともにポツト
ミルにて粉砕し、乾燥して10μｍ以下のガラスと
マンガンのモリブデン酸塩の熱処理粉末の抵抗体
材料粉末を得た。 次に各試料の抵抗体材料粉末100重量部に有機
物ビヒクル（ブチルカービトール90重量部、エチ
ルセルローズ10重量部）25重量部を加え、ロール
ミルで混合し、抵抗体材料ペーストを得た。 一方、Al₂O₃40.0重量％、SiO₂35.0重量％、
B₂O₃13.0重量％、CaO7.0重量％、MgO5.0重量％
からなるセラミツク原料粉末100重量部にポリビ
ニルブチラール８重量部、フタル酸ジエチル８重
量部、オレイン酸0.5重量部、アセトン10重量部、
イソプルピルアルコール20重量部及びメチルエチ
ルケトン20重量部を加えてボールミルにより混合
してスラリーを作製し、脱泡処理した後にドクタ
ーブレード法により厚さ200μｍの長尺のセラミ
ツクグリーンシートを作製した。このセラミツク
グリーンシートから縦９mm横９mmのグリーンシー
ト片と、縦６mm横９mmのグリーンシート片とを切
り抜いた。 次に第１図に示す如く、上記の縦９mm横９mmの
グリーンシート片１上に、銅粉末95重量部、ガラ
スフリツト５重量部に有機物ビヒクルとしてブチ
ルカルビトール20重量部、エチルセルロース５重
量部を加え、これらを三本ロールミルにより混合
した導体材料ペーストをシルクスクリーン印刷
し、125℃、10分間乾燥させて導体材料塗膜２を
形成した。次いで、上記で得た抵抗体材料ペース
トを上記グリーンシート片１に上記と同様にシル
クスクリーン印刷し、125℃、10分間乾燥させて
厚膜抵抗体用塗膜３を形成した。 次にグリーンシート片１上に前記で得た縦６mm
横９mmのグリーンシート片４を図示鎖線で示すよ
うに重ね、100℃、150Kg／cm²で熱圧着する。次い
で、これを大気等の酸化性雰囲気中、400〜500℃
で加熱してグリーンシート片１，４、導体材料塗
膜２、抵抗体材料塗膜３のそれぞれの残留有機物
を分解・燃焼させる。 このようにして有機物を除去した後、
N₂98.5vol％、H₂1.5vol％の混合ガス中で、950
℃、１時間焼成し、第２図に示すようにグリーン
シート片１の焼成体の磁器層１ａ、グリーンシー
ト片４の焼成体の磁器層４ａの間に導体材料塗膜
２の焼成体の厚膜導体２ａ、抵抗体材料塗膜３の
焼成体の厚膜抵抗体３ａを有する多層セラミツク
基板を完成させた。この多層セラミツク基板に
は、後述する第３図、第４図に示されるような反
り、ふくれは見られなかつた。 このようにして得られた焼成体の多層セラミツ
ク基板を層方向に研磨して抵抗体層を露出させ、
この露出した抵抗体層をＸ線回折（CuKα線）に
より分析し、得られた結果を第５図に示す。これ
によりマンガンのモリブデン酸塩を確認すること
ができた。 次にこの多層セラミツク基板３ａの25℃におけ
る抵抗値（R₂₅）と125℃に加熱したときの抵抗
値（R₁₂₅）をデジタルマルチメータで測定し、抵
抗の温度係数（TCR）を次式により求めた。 TCR＝R₁₂₅−R₂₅／R₂₅×10000（ppm／℃） 上記のR₂₅の測定抵抗値及びTCRの計算値を表
２に示した。 また、上記で得られた多層セラミツク基板を60
℃、95％相対湿度のもとに1000時間放置した後の
25℃の抵抗値を測定し、その変化率を求めた結果
を表２に示す。 実施例 ２ 実施例１において、マンガンのモリブデン酸塩
及びガラス粉末の混合物について窒素（N₂）
98.5vol％、水素（H₂）1.5vol％のガス雰囲気中、
1000℃、１時間の熱処理を行わなかつた以外は同
様にして表２に示す抵抗体材料から多層セラミツ
ク基板を作製し、実施例１と同様にR₂₅、TCR、
抵抗変化率を求め、これらを表３に示す。[Table] Each of the above samples was heat-treated at 1000℃ for 1 hour in a gas atmosphere containing 98.5 vol% nitrogen (N ₂ ) and 1.5 vol% hydrogen (H ₂ ), then ground with ethanol in a pot mill, and dried. Resistor material powder of heat-treated powder of glass and manganese molybdate with a diameter of 10 μm or less was obtained. Next, 25 parts by weight of an organic vehicle (90 parts by weight of butyl carbitol, 10 parts by weight of ethyl cellulose) was added to 100 parts by weight of the resistor material powder of each sample and mixed in a roll mill to obtain a resistor material paste. On the other hand, Al ₂ O ₃ 40.0% by weight, SiO ₂ 35.0% by weight,
_{B2O3 13.0} % by weight, CaO7.0% by weight, MgO5.0% by weight
100 parts by weight of ceramic raw material powder consisting of 8 parts by weight of polyvinyl butyral, 8 parts by weight of diethyl phthalate, 0.5 parts by weight of oleic acid, 10 parts by weight of acetone,
20 parts by weight of isopropyl alcohol and 20 parts by weight of methyl ethyl ketone were added and mixed in a ball mill to prepare a slurry. After defoaming, a long ceramic green sheet with a thickness of 200 μm was prepared by a doctor blade method. A green sheet piece measuring 9 mm in length and 9 mm in width and another green sheet piece measuring 6 mm in length and 9 mm in width were cut out from this ceramic green sheet. Next, as shown in Figure 1, on top of the green sheet piece 1 measuring 9 mm in length and 9 mm in width, 95 parts by weight of copper powder, 5 parts by weight of glass frit, 20 parts by weight of butyl carbitol and 5 parts by weight of ethyl cellulose as an organic vehicle were added. A conductive material paste obtained by mixing these materials using a three-roll mill was silk screen printed and dried at 125° C. for 10 minutes to form a conductive material coating film 2. Next, the resistor material paste obtained above was silk screen printed on the green sheet piece 1 in the same manner as above and dried at 125° C. for 10 minutes to form a thick film resistor coating 3. Next, on the green sheet piece 1, the length 6 mm obtained above was
Green sheet pieces 4 each having a width of 9 mm are stacked as shown by the chain lines in the figure and heat-pressed at 100° C. and 150 kg/cm ² . Next, this is heated at 400 to 500℃ in an oxidizing atmosphere such as air.
The remaining organic matter in each of the green sheet pieces 1 and 4, the conductor material coating 2, and the resistor material coating 3 is decomposed and burned. After removing organic matter in this way,
In a mixed gas of 98.5vol% _N2 and 1.5vol% _H2 , 950
℃ for 1 hour, and as shown in FIG. A multilayer ceramic substrate having a thick film resistor 3a, which is a fired body of a film conductor 2a and a resistor material coating 3, was completed. In this multilayer ceramic substrate, no warping or blistering as shown in FIGS. 3 and 4, which will be described later, was observed. The multilayer ceramic substrate of the fired body thus obtained is polished in the layer direction to expose the resistor layer,
This exposed resistor layer was analyzed by X-ray diffraction (CuKα rays), and the results obtained are shown in FIG. This enabled the confirmation of manganese molybdate. Next, the resistance value (R ₂₅ ) of this multilayer ceramic substrate 3a at 25°C and the resistance value (R ₁₂₅ ) when heated to 125°C are measured with a digital multimeter, and the temperature coefficient of resistance (TCR) is calculated using the following formula. I asked for it. TCR=R ₁₂₅ −R ₂₅ /R ₂₅ ×10000 (ppm/° C.) Table 2 shows the measured resistance value of R ₂₅ and the calculated value of TCR. In addition, the multilayer ceramic substrate obtained above was
After standing for 1000 hours under ℃, 95% relative humidity
Table 2 shows the results of measuring the resistance value at 25°C and determining the rate of change. Example 2 In Example 1, nitrogen (N ₂ ) was added to the mixture of manganese molybdate and glass powder.
In a gas atmosphere of 98.5 vol% and hydrogen (H ₂ ) 1.5 vol%,
A multilayer ceramic substrate was fabricated from the resistor materials shown in Table 2 in the same manner as in Example 1, except that the heat treatment at 1000°C for 1 hour was not performed, and R ₂₅ , TCR,
The resistance change rate was determined and shown in Table 3.

【表】 比較例 １ （MoSi₂−TaSi₂ガラス系抵抗体材料） MoSi₂16重量部、TaSi₂9重量部の混合物を真
空中1400℃で加熱し、その生成物をエタノールと
ともにポツトミル中アルミナボールで24時間粉砕
し、乾燥させて10μｍ以下の微粉末を得た。この
ようにして得た微粉末25重量部に対し、BaO、
B₂O₃、MgO、CaO、SiO₂からなるガラスフリツ
ト75重量部と、有機物ビヒクル（ブチルカルビト
ール20重量部、エチルセルロース５重量部）25重
量部とを加え、ロールミルで混合して抵抗体材料
ペーストを得た。 この抵抗体材料ペーストを用いた以外は実施例
１と同様にして多層セラミツク基板を得た。 その結果、セラミツクグリーンシートに抵抗体
材料塗膜を形成し、これを加熱処理して有機物を
除去した後に同時焼成して得たものは、両者の焼
成体に膨張率、収縮率が異なることにより第３図
に示すように反りが見られ、また、MoSi₂、
TaSi₂の分解反応でSiO₂気体が発生することによ
り第４図に示すようにふくれが生じ、実用に供す
ることができなかつた。なお、１１ａは上記磁器
層１ａ，１４ａは上記磁器層４ａ，１３ａは上記
厚膜抵抗体３ａにそれぞれ対応する磁器層、厚膜
抵抗体である。 比較例 ２ （MoSi₂−BaF₂ガラス系抵抗体材料） MoSi₂70重量部、BaF₂20重量部と、SiO₂、
ZnO、ZrO₂、CaO、Al₂O₃からなるガラスフリツ
ト10重量部とをボールミルで混合し、得られた粉
末をアルゴン（Ar）ガス雰囲気中1200℃で熱処
理した後、これをエタノールとともにポツトミル
中アルミナボールで24時間粉砕し、乾燥させて
10μｍ以下の微粉末を得た。 この抵抗体材料ペーストを用いた以外は実施例
１と同様にして多層セラミツク基板を得た。この
多層セラミツク基板の厚膜抵抗体についても実施
例１と同様にして求めたR₂₅、TCR及び抵抗値の
変化率を表４に示す。[Table] Comparative Example 1 (MoSi ₂ - TaSi ₂ glass-based resistor material) A mixture of 16 parts by weight of MoSi ₂ and 9 parts by weight of TaSi ₂ was heated at 1400°C in vacuum, and the product was mixed with ethanol into alumina balls in a pot mill. The mixture was ground for 24 hours and dried to obtain a fine powder of 10 μm or less. For 25 parts by weight of the fine powder thus obtained, BaO,
75 parts by weight of glass frit consisting of B ₂ O ₃ , MgO, CaO, SiO ₂ and 25 parts by weight of an organic vehicle (20 parts by weight of butyl carbitol, 5 parts by weight of ethyl cellulose) were added and mixed in a roll mill to form a resistor material paste. I got it. A multilayer ceramic substrate was obtained in the same manner as in Example 1 except that this resistor material paste was used. As a result, we formed a resistor material coating on a ceramic green sheet, heat-treated it to remove organic matter, and then fired it simultaneously. As shown in Figure 3, warpage is observed, and MoSi ₂ ,
The decomposition reaction of TaSi ₂ generated SiO ₂ gas, which caused blistering as shown in Figure 4, making it impossible to put it to practical use. Note that 11a is the ceramic layer 1a, 14a is the ceramic layer 4a, and 13a is the ceramic layer and thick film resistor corresponding to the thick film resistor 3a, respectively. Comparative Example 2 (MoSi ₂ -BaF ₂ glass-based resistor material) 70 parts by weight of MoSi ₂ , 20 parts by weight of BaF ₂ , SiO ₂ ,
10 parts by weight of glass frit consisting of ZnO, ZrO ₂ , CaO, and Al ₂ O ₃ are mixed in a ball mill, and the resulting powder is heat-treated at 1200°C in an argon (Ar) gas atmosphere. Grind in a bowl for 24 hours and dry
A fine powder of 10 μm or less was obtained. A multilayer ceramic substrate was obtained in the same manner as in Example 1 except that this resistor material paste was used. Table 4 shows the R ₂₅ , TCR, and rate of change in resistance value obtained for the thick film resistor of this multilayer ceramic substrate in the same manner as in Example 1.

【表】 上記結果より、実施例の多層セラミツク基板は
いずれも反り、ふくれがなく、抵抗値の変化率も
±２％以内であるのに対し、比較例１の多層セラ
ミツク基板は反りが見られ、比較例２の多層セラ
ミツク基板は抵抗値の変化率が４倍も大きいこと
がわかる。 発明の効果 本発明によれば、マンガンのモリブデン酸塩を
含有する電気抵抗体を提供できるので、例えばマ
ンガンのモリブデン酸塩及びガラスを主成分とす
る組成の抵抗体材料を用いて、例えば卑金属体材
料とともに非酸化性雰囲気中でセラミツクグリー
シートとともに焼成することにより抵抗体を形成
するようにすると、焼成することにより焼成体に
反りやふくれが生じるようなことはなく、また、
抵抗体の特に高湿度下の経時変化を小さくでき
る。 これにより、抵抗体を組み込んだ回路基板の小
型化、コストの低減の両方の要求を満たし、回路
基板の一層の性能の向上に寄与できる。 また、マンガンのモリブデン酸塩を例えばガラ
スと熱処理し、この熱処理した抵抗体材料を焼成
して抵抗体にすると、抵抗の温度変化係数の絶対
値を小さくすることができ、回路の性能をさらに
向上することができる。[Table] From the above results, the multilayer ceramic substrates of Examples have no warping or blistering, and the rate of change in resistance value is within ±2%, whereas the multilayer ceramic substrate of Comparative Example 1 shows no warping. It can be seen that the multilayer ceramic substrate of Comparative Example 2 has a rate of change in resistance value that is four times larger. Effects of the Invention According to the present invention, it is possible to provide an electrical resistor containing manganese molybdate. If the resistor is formed by firing the material together with a ceramic grease sheet in a non-oxidizing atmosphere, the fired body will not warp or bulge during firing, and
Changes in the resistor over time, especially under high humidity conditions, can be reduced. This satisfies the demands for both miniaturization and cost reduction of a circuit board incorporating a resistor, and contributes to further improvement in the performance of the circuit board. In addition, by heat-treating manganese molybdate with glass, for example, and firing this heat-treated resistor material to make a resistor, the absolute value of the temperature change coefficient of resistance can be reduced, further improving circuit performance. can do.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第１図は本発明の電気抵抗体を製造するときの
焼成前の抵抗体材料塗膜と導体材料塗膜を基板に
形成し、多層構造にしようとする状態の一例を示
す図、第２図はその焼成体の断面図、第３図は従
来の抵抗体材料を使用して多層構造にしたときの
焼成体の断面図、第４図はさらにその焼成体にガ
スが発生した状態を示す説明図、第５図は本発明
の一実施例の電気抵抗体からマンガンのモリブデ
ン酸塩を検出したときのＸ線回折図である。 図中、１，４はグリーンシート片、２は導体材
料塗膜、３は抵抗体材料塗膜、１ａ，４ａは磁器
層、２ａは厚膜導体、３ａは厚膜抵抗体である。 Fig. 1 is a diagram showing an example of a state in which a resistor material coating film and a conductor material coating film before firing are formed on a substrate to form a multilayer structure when manufacturing the electrical resistor of the present invention, and Fig. 2 is a cross-sectional view of the fired body, Figure 3 is a cross-sectional view of the fired body when it has a multilayer structure using conventional resistor materials, and Figure 4 is an explanation showing the state in which gas is generated in the fired body. FIG. 5 is an X-ray diffraction diagram when manganese molybdate is detected from an electrical resistor according to an embodiment of the present invention. In the figure, 1 and 4 are green sheet pieces, 2 is a conductor material coating, 3 is a resistor material coating, 1a and 4a are ceramic layers, 2a is a thick film conductor, and 3a is a thick film resistor.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 １ マンガンのモリブデン酸塩を含有する焼成体
を有することを特徴とする電気抵抗体。 ２ 焼成体はマンガンのモリブデン酸塩及びその
前駆体の少なくとも一種を主成分に含有する抵抗
体材料から焼成されることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の電気抵抗体。 ３ 抵抗体材料の主成分はマンガンのモリブデン
酸塩及びその前駆体の内の少なくとも一種を当該
マンガンのモリブデン酸塩に換算して50〜96重量
％と、ガラス４〜50重量％とからなることを特徴
とする特許請求の範囲第２項記載の電気抵抗体。 ４ 主成分にマンガンのモリブデン酸塩及びその
前駆体の内の少なくとも一種を含有する抵抗体材
料を熱処理し、この熱処理して得られた抵抗体材
料を用いて焼成し、マンガンのモリブデン酸塩を
含有する焼成体からなる電気抵抗体を得ることを
特徴とする電気抵抗体の製造方法。 ５ 熱処理前の抵抗体材料の主成分はマンガンの
モリブデン酸塩及びその前駆体の内の少なくとも
一種を当該マンガンのモリブデン酸塩に換算して
50〜96重量％と、ガラス４〜50重量％とからなる
ことを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の電
気抵抗体の製造方法。[Scope of Claims] 1. An electrical resistor characterized by having a fired body containing manganese molybdate. 2. The electrical resistor according to claim 1, wherein the fired body is fired from a resistor material containing as a main component at least one of manganese molybdate and its precursor. 3. The main components of the resistor material are 50 to 96% by weight of at least one of manganese molybdate and its precursor, calculated as manganese molybdate, and 4 to 50% by weight of glass. The electrical resistor according to claim 2, characterized in that: 4 Heat-treating a resistor material containing at least one of manganese molybdate and its precursor as a main component, and firing the resistor material obtained by this heat treatment to produce manganese molybdate. 1. A method for producing an electrical resistor, the method comprising: obtaining an electrical resistor made of a fired body containing: 5 The main component of the resistor material before heat treatment is manganese molybdate and at least one of its precursors converted into manganese molybdate.
5. The method of manufacturing an electrical resistor according to claim 4, wherein the electrical resistor is comprised of 50 to 96% by weight and 4 to 50% by weight of glass.