JPH04280649A - 半導体中不純物などの測定方法 - Google Patents
半導体中不純物などの測定方法Info
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- JPH04280649A JPH04280649A JP6881991A JP6881991A JPH04280649A JP H04280649 A JPH04280649 A JP H04280649A JP 6881991 A JP6881991 A JP 6881991A JP 6881991 A JP6881991 A JP 6881991A JP H04280649 A JPH04280649 A JP H04280649A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 92
- 239000012535 impurity Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 20
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 24
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 abstract 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 65
- 238000002368 isothermal capactiance transient spectroscopy Methods 0.000 description 7
- 238000001773 deep-level transient spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 5
- 102100031920 Dihydrolipoyllysine-residue succinyltransferase component of 2-oxoglutarate dehydrogenase complex, mitochondrial Human genes 0.000 description 4
- 101000992065 Homo sapiens Dihydrolipoyllysine-residue succinyltransferase component of 2-oxoglutarate dehydrogenase complex, mitochondrial Proteins 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 3
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 2
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハやチップ
などの不純物や欠陥などを非接触、非破壊かつ短時間で
測定する方法に関するものである。
などの不純物や欠陥などを非接触、非破壊かつ短時間で
測定する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハやチップなどは、それに含
まれている不純物または欠陥などを測定して、その評価
を行っている。この測定方法として、例えば、図４に示
した容量ＩＣＴＳ法（Ｉｓｏｔｈｅｒｍａｌ Ｃａｐａ
ｃｉｔａｎｃｅＴｒａｎｓｉｅｎｔ Ｓｐｅｃｔｒｏｓ
ｃｏｐｙ ：等温容量過渡分光法）による半導体中不純
物などの測定方法が知られている。
まれている不純物または欠陥などを測定して、その評価
を行っている。この測定方法として、例えば、図４に示
した容量ＩＣＴＳ法（Ｉｓｏｔｈｅｒｍａｌ Ｃａｐａ
ｃｉｔａｎｃｅＴｒａｎｓｉｅｎｔ Ｓｐｅｃｔｒｏｓ
ｃｏｐｙ ：等温容量過渡分光法）による半導体中不純
物などの測定方法が知られている。
【０００３】図４において、１１はＩＣＴＳ装置で、こ
れには一対のプローブ１２ａ，１２ｂ が接続され、か
つプローブ１２ａ，１２ｂ の各先端に接触針１３ａ，
１３ｂ が設けられている。 １４は半導体試料であって、これは図示を省略したが、
恒温槽内にセットされている。そして、半導体試料１４
の不純物などの測定は、それに所定の定温度を維持させ
た状態で、一対のプローブ１２ａ，１２ｂ の接触針１
３ａ，１３ｂ の各先端を、図示のように、半導体試料
１４の測定部分に間隔をおいて接触させて、その測定部
分の静電容量に基づく信号をＩＣＴＳ処理装置１１に入
力して、半導体試料１４の測定部分の不純物または欠陥
などを測定するものである。
れには一対のプローブ１２ａ，１２ｂ が接続され、か
つプローブ１２ａ，１２ｂ の各先端に接触針１３ａ，
１３ｂ が設けられている。 １４は半導体試料であって、これは図示を省略したが、
恒温槽内にセットされている。そして、半導体試料１４
の不純物などの測定は、それに所定の定温度を維持させ
た状態で、一対のプローブ１２ａ，１２ｂ の接触針１
３ａ，１３ｂ の各先端を、図示のように、半導体試料
１４の測定部分に間隔をおいて接触させて、その測定部
分の静電容量に基づく信号をＩＣＴＳ処理装置１１に入
力して、半導体試料１４の測定部分の不純物または欠陥
などを測定するものである。
【０００４】また、半導体中の不純物や欠陥などを非接
触で測定する方法として、レーザ励起マイクロ波ＤＬＴ
Ｓ法（Ｄｅｅｐ Ｌｅｖｅｌ Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ Ｓ
ｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ 深い準位過渡分光法）も知ら
れている。
触で測定する方法として、レーザ励起マイクロ波ＤＬＴ
Ｓ法（Ｄｅｅｐ Ｌｅｖｅｌ Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ Ｓ
ｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ 深い準位過渡分光法）も知ら
れている。
【０００５】このマイクロ波ＤＬＴＳ法は、半導体試料
を室温から所要の高温度域まで温度を上昇させながら、
この半導体試料に励起光としてのレーザ光を照射して、
半導体試料中の不純物や欠陥からキャリア（電子、正孔
）を放出させ、かつこの半導体試料にマイクロ波を照射
し、その反射マイクロ波からキャリアのライフタイムを
測定するものである。すなわち、前記マイクロ波の反射
強度は前記キャリア数に依存するため、このキャリアの
再結合による減少に従ってマイクロ波の反射強度も減衰
するから、時間に対するマイクロ波の反射強度の減衰曲
線を形成する。この減衰曲線から反射マイクロ波信号の
時間変化を測定して、それをＤＬＴＳ信号として半導体
試料の不純物準位などを求めるものである。
を室温から所要の高温度域まで温度を上昇させながら、
この半導体試料に励起光としてのレーザ光を照射して、
半導体試料中の不純物や欠陥からキャリア（電子、正孔
）を放出させ、かつこの半導体試料にマイクロ波を照射
し、その反射マイクロ波からキャリアのライフタイムを
測定するものである。すなわち、前記マイクロ波の反射
強度は前記キャリア数に依存するため、このキャリアの
再結合による減少に従ってマイクロ波の反射強度も減衰
するから、時間に対するマイクロ波の反射強度の減衰曲
線を形成する。この減衰曲線から反射マイクロ波信号の
時間変化を測定して、それをＤＬＴＳ信号として半導体
試料の不純物準位などを求めるものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前記図４に示した容量
ＩＣＴＳ法を用いた測定方法は、半導体試料１４に所定
の等温度を維持させた状態で不純物などの測定を行うか
ら、測定に要する時間が短い特徴がある。しかし、接触
針１３ａ，１３ｂ の各先端を半導体試料１４の表面に
接触させることが必要であるから、測定操作が繁雑であ
るとともに、接触針１３ａ，１３ｂ で半導体試料１４
の表面にきずを付けたり、汚染が生じるなどのおそれが
大きい課題がある。
ＩＣＴＳ法を用いた測定方法は、半導体試料１４に所定
の等温度を維持させた状態で不純物などの測定を行うか
ら、測定に要する時間が短い特徴がある。しかし、接触
針１３ａ，１３ｂ の各先端を半導体試料１４の表面に
接触させることが必要であるから、測定操作が繁雑であ
るとともに、接触針１３ａ，１３ｂ で半導体試料１４
の表面にきずを付けたり、汚染が生じるなどのおそれが
大きい課題がある。
【０００７】前記レーザ励起マイクロ波ＤＬＴＳ法は、
半導体試料にマイクロ波を照射し、その反射マイクロ波
の強度を測定するものであって、非接触であるから半導
体試料にきずを付けたり、汚染をするおそれがないこと
に対しては適切である。しかし、前記測定は半導体試料
の温度を上昇させながら行うことが必要であるから、測
定に要する時間が前記容積ＩＣＴＳ法の１０倍程度と長
くなるとともに、高温では影響を受ける半導体試料、例
えば、アモルファスＳｉなどの場合は測定が困難である
課題がある。
半導体試料にマイクロ波を照射し、その反射マイクロ波
の強度を測定するものであって、非接触であるから半導
体試料にきずを付けたり、汚染をするおそれがないこと
に対しては適切である。しかし、前記測定は半導体試料
の温度を上昇させながら行うことが必要であるから、測
定に要する時間が前記容積ＩＣＴＳ法の１０倍程度と長
くなるとともに、高温では影響を受ける半導体試料、例
えば、アモルファスＳｉなどの場合は測定が困難である
課題がある。
【０００８】本発明は上記のような課題を解決するもの
であって、非接触及び非破壊であるとともに、前記容量
ＩＣＴＳ法のように等温度を維持して測定を行うことに
よって、測定に要する時間が短く、かつ測定対象半導体
に対する制約がない半導体中不純物などの測定方法をう
ることを目的とするものである。
であって、非接触及び非破壊であるとともに、前記容量
ＩＣＴＳ法のように等温度を維持して測定を行うことに
よって、測定に要する時間が短く、かつ測定対象半導体
に対する制約がない半導体中不純物などの測定方法をう
ることを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体中不純物
などの測定方法は、等温度を維持させた半導体試料に励
起用の光を照射して、半導体試料の不純物や欠陥などか
らキャリアを放出させるとともに、この半導体試料にマ
イクロ波を照射して、前記キャリアを吸収した反射マイ
クロ波信号を等温マイクロ波過渡分光処理装置に入力処
理して、前記キャリアの過渡応答から前記半導体試料の
不純物などを測定することを特徴とするものである。
などの測定方法は、等温度を維持させた半導体試料に励
起用の光を照射して、半導体試料の不純物や欠陥などか
らキャリアを放出させるとともに、この半導体試料にマ
イクロ波を照射して、前記キャリアを吸収した反射マイ
クロ波信号を等温マイクロ波過渡分光処理装置に入力処
理して、前記キャリアの過渡応答から前記半導体試料の
不純物などを測定することを特徴とするものである。
【００１０】前記励起用の光としては任意のものを使用
することが可能であり、例えば、レーザ光やＬＥＤ光ま
たはランプ光を分光した光を挙げることができる。そし
て、前記等温マイクロ波過渡分光処理装置は、前記従来
のＩＣＴＳ処理装置（等温容量過渡分光処理装置）にお
けるＣ（容量）に代えて、マイクロ波を使用するととも
に、キャリア励起光源を用いるものである。
することが可能であり、例えば、レーザ光やＬＥＤ光ま
たはランプ光を分光した光を挙げることができる。そし
て、前記等温マイクロ波過渡分光処理装置は、前記従来
のＩＣＴＳ処理装置（等温容量過渡分光処理装置）にお
けるＣ（容量）に代えて、マイクロ波を使用するととも
に、キャリア励起光源を用いるものである。
【００１１】
【作用】前記本発明の半導体中不純物などの測定方法は
、半導体試料を恒温槽などに収容して、半導体試料に所
定の一定温度を維持させる。このように一定温度を維持
させた半導体試料にレーザ光などの励起用の光を照射し
て、半導体試料の不純物や欠陥などからキャリアを放出
させるとともに、この半導体試料に対してマイクロ波を
照射して、前記キャリアを吸収した反射マイクロ波信号
を等温マイクロ波過渡分光処理装置に入力し、前記キャ
リアの過渡応答を解析するこによって、前記半導体試料
の不純物や欠陥などを測定するものである。
、半導体試料を恒温槽などに収容して、半導体試料に所
定の一定温度を維持させる。このように一定温度を維持
させた半導体試料にレーザ光などの励起用の光を照射し
て、半導体試料の不純物や欠陥などからキャリアを放出
させるとともに、この半導体試料に対してマイクロ波を
照射して、前記キャリアを吸収した反射マイクロ波信号
を等温マイクロ波過渡分光処理装置に入力し、前記キャ
リアの過渡応答を解析するこによって、前記半導体試料
の不純物や欠陥などを測定するものである。
【００１２】
【実施例】本発明の半導体中不純物などの測定方法の第
１実施例を、図１に示した測定装置に基づいて説明する
。
１実施例を、図１に示した測定装置に基づいて説明する
。
【００１３】図１において、１は恒温槽で、その内部に
設けたステージ２上に半導体試料３が置かれる。４は半
導体試料３に励起用の光を照射するために、ステージ２
の上位に配置された可視または赤外単色光源であり、こ
こでは半導体レーザが用いられている。５は半導体試料
３の表面に傾斜してマイクロ波を射出して照射するため
に、ステージ２の上位に配置されたマイクロ波発生装置
、６はマイクロ波発生装置５が射出したマイクロ波が半
導体試料３に照射されて反射したマイクロ波が入射され
るマイクロ波検出器で、このマイクロ波検出器５が出力
したマイクロ波信号をＩＭＴＳ処理装置７（Ｉｓｏｔｈ
ｅｒｍａｌ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ
Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ ：等温マイクロ波過渡分
光処理装置）に入力する。そして、前記半導体レーザ４
及びマイクロ波発生装置５とマイクロ波検出器６は、前
記恒温槽１外に配置されている。
設けたステージ２上に半導体試料３が置かれる。４は半
導体試料３に励起用の光を照射するために、ステージ２
の上位に配置された可視または赤外単色光源であり、こ
こでは半導体レーザが用いられている。５は半導体試料
３の表面に傾斜してマイクロ波を射出して照射するため
に、ステージ２の上位に配置されたマイクロ波発生装置
、６はマイクロ波発生装置５が射出したマイクロ波が半
導体試料３に照射されて反射したマイクロ波が入射され
るマイクロ波検出器で、このマイクロ波検出器５が出力
したマイクロ波信号をＩＭＴＳ処理装置７（Ｉｓｏｔｈ
ｅｒｍａｌ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ
Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ ：等温マイクロ波過渡分
光処理装置）に入力する。そして、前記半導体レーザ４
及びマイクロ波発生装置５とマイクロ波検出器６は、前
記恒温槽１外に配置されている。
【００１４】そして、前記恒温槽１内を所定の等温度に
設定して、ステージ２上の半導体試料３を等温度に維持
させる。この状態で半導体レーザ４が射出したレーザ光
を半導体試料３の表面に照射して、半導体試料３中の不
純物や欠陥などからキャリア（電子、正孔）を放出させ
ると同時に、マイクロ波発生装置５で射出したマイクロ
波を半導体試料３の表面に傾斜させて入射し反射させる
。この半導体試料３の表面で反射されたマイクロ波が、
前記レーザ光で励起されて半導体試料３の不純物や欠陥
などから、それらに対応して放出されたキャリアを吸収
してマイクロ波検出器５に入射する。そして、マイクロ
波検出器５からマイクロ波信号がＩＭＴＳ処理装置７に
入力されるから、ＩＭＴＳ処理装置７が前記入力された
マイクロ波が吸収した前記キャリアの過渡応答を解析し
て、半導体試料３中の不純物などを測定するものである
。
設定して、ステージ２上の半導体試料３を等温度に維持
させる。この状態で半導体レーザ４が射出したレーザ光
を半導体試料３の表面に照射して、半導体試料３中の不
純物や欠陥などからキャリア（電子、正孔）を放出させ
ると同時に、マイクロ波発生装置５で射出したマイクロ
波を半導体試料３の表面に傾斜させて入射し反射させる
。この半導体試料３の表面で反射されたマイクロ波が、
前記レーザ光で励起されて半導体試料３の不純物や欠陥
などから、それらに対応して放出されたキャリアを吸収
してマイクロ波検出器５に入射する。そして、マイクロ
波検出器５からマイクロ波信号がＩＭＴＳ処理装置７に
入力されるから、ＩＭＴＳ処理装置７が前記入力された
マイクロ波が吸収した前記キャリアの過渡応答を解析し
て、半導体試料３中の不純物などを測定するものである
。
【００１５】このように、半導体試料３にマイクロ波を
照射して測定を行うから、半導体試料３にきずを付けた
り、汚染を生じさせるおそれはなく、かつ測定操作が簡
単である。そして、半導体試料３に一定温度を維持させ
た状態で、半導体試料３にレーザ光及びマイクロ波を照
射して、反射マイクロ波をマイクロ波検出器５に入射す
るから、この測定に要する時間は、例えば、測定に対し
て温度の掃引を要する前記従来のマイクロ波ＤＬＴＳ法
の測定所要時間の１／１０程度に短くなり、半導体試料
３の不純物や欠陥などを効率よく測定することが可能で
ある。
照射して測定を行うから、半導体試料３にきずを付けた
り、汚染を生じさせるおそれはなく、かつ測定操作が簡
単である。そして、半導体試料３に一定温度を維持させ
た状態で、半導体試料３にレーザ光及びマイクロ波を照
射して、反射マイクロ波をマイクロ波検出器５に入射す
るから、この測定に要する時間は、例えば、測定に対し
て温度の掃引を要する前記従来のマイクロ波ＤＬＴＳ法
の測定所要時間の１／１０程度に短くなり、半導体試料
３の不純物や欠陥などを効率よく測定することが可能で
ある。
【００１６】なお、半導体試料３の複数箇所において、
その不純物などを測定する場合は、前記ステージ２と共
に半導体試料３を固定して、マイクロ波発生装置５とマ
イクロ波検出器６などを、例えば、Ｘ軸とＹ軸との２方
向に移動可能にして、半導体試料３に対するマイクロ波
の照射位置を順次に変更可能にする。また、マイクロ波
発生装置５とマイクロ波検出器５などを固定し、ステー
ジ２と共に半導体試料３を、例えば、前記のように移動
させることによって、半導体試料３の必要範囲の不純物
などを測定することも可能である。この場合、前記のよ
うに、半導体試料３を固定して、マイクロ波発生装置５
とマイクロ波検出器５などを移動させれば、ステージ２
と半導体試料３との位置関係などを不変にすることが容
易であるから、測定を継続している間連続して半導体試
料３の温度を正確に等温度に維持することが容易であり
、不純物などを高精度で測定することに対して適する。
その不純物などを測定する場合は、前記ステージ２と共
に半導体試料３を固定して、マイクロ波発生装置５とマ
イクロ波検出器６などを、例えば、Ｘ軸とＹ軸との２方
向に移動可能にして、半導体試料３に対するマイクロ波
の照射位置を順次に変更可能にする。また、マイクロ波
発生装置５とマイクロ波検出器５などを固定し、ステー
ジ２と共に半導体試料３を、例えば、前記のように移動
させることによって、半導体試料３の必要範囲の不純物
などを測定することも可能である。この場合、前記のよ
うに、半導体試料３を固定して、マイクロ波発生装置５
とマイクロ波検出器５などを移動させれば、ステージ２
と半導体試料３との位置関係などを不変にすることが容
易であるから、測定を継続している間連続して半導体試
料３の温度を正確に等温度に維持することが容易であり
、不純物などを高精度で測定することに対して適する。
【００１７】図２は測定装置の第２実施例を示すもので
あって、恒温槽１内に半導体試料３を載置するステージ
２を配置する。そして、半導体レーザ４及びマイクロ波
発生装置５とマイクロ波検出器６のそれぞれも恒温槽１
内に配置して、マイクロ波検出器５が出力したマイクロ
波信号をＩＭＴＳ処理装置（図示省略）に入力するよう
に構成されている。
あって、恒温槽１内に半導体試料３を載置するステージ
２を配置する。そして、半導体レーザ４及びマイクロ波
発生装置５とマイクロ波検出器６のそれぞれも恒温槽１
内に配置して、マイクロ波検出器５が出力したマイクロ
波信号をＩＭＴＳ処理装置（図示省略）に入力するよう
に構成されている。
【００１８】この測定装置による半導体中不純物などの
測定方法は、前記図１に示した測定装置と同じであるが
、半導体レーザ４が射出したレーザ光を半導体試料３の
表面に直接照射することが可能であるとともに、マイク
ロ波発生装置５が射出したマイクロ波を半導体試料３の
表面に直接入射することができ、かつ半導体試料３の表
面で反射されたマイクロ波もマイクロ波検出器５に直接
入射させることが可能である。
測定方法は、前記図１に示した測定装置と同じであるが
、半導体レーザ４が射出したレーザ光を半導体試料３の
表面に直接照射することが可能であるとともに、マイク
ロ波発生装置５が射出したマイクロ波を半導体試料３の
表面に直接入射することができ、かつ半導体試料３の表
面で反射されたマイクロ波もマイクロ波検出器５に直接
入射させることが可能である。
【００１９】図３は測定装置の第３実施例である。この
測定装置は、恒温槽１内にステージ２及びマイクロ波発
生装置５とマイクロ波検出器６とを配置して、マイクロ
波検出器５が出力したマイクロ波信号をＩＭＴＳ処理装
置（図示省略）に入力するように構成されている。そし
て、ランプなどの光源４ａとその分光器８とを恒温槽１
外に配置し、分光器８に接続した光学ファイバー９を恒
温槽１内に挿入して、分光器８が分光した光源４ａの光
を光学ファイバー９でテスージ２上の半導体試料３に直
接照射するものである。
測定装置は、恒温槽１内にステージ２及びマイクロ波発
生装置５とマイクロ波検出器６とを配置して、マイクロ
波検出器５が出力したマイクロ波信号をＩＭＴＳ処理装
置（図示省略）に入力するように構成されている。そし
て、ランプなどの光源４ａとその分光器８とを恒温槽１
外に配置し、分光器８に接続した光学ファイバー９を恒
温槽１内に挿入して、分光器８が分光した光源４ａの光
を光学ファイバー９でテスージ２上の半導体試料３に直
接照射するものである。
【００２０】この測定装置による半導体中不純物などの
測定方法も、前記図１に示した測定装置と同じであるが
、恒温槽１の外部に光源４ａを配置しているから、任意
の光源を使用することが可能である。
測定方法も、前記図１に示した測定装置と同じであるが
、恒温槽１の外部に光源４ａを配置しているから、任意
の光源を使用することが可能である。
【００２１】
【発明の効果】本発明の半導体中不純物などの測定方法
は、上記のように、一定温度を維持させた半導体試料の
不純物や欠陥から光励起によりキャリアを放出させ、か
つ半導体試料にマイクロ波を照射して、その反射マイク
ロ波を等温マイクロ波過渡分光処理装置で処理して、前
記キャリアに基づいて不純物や欠陥を測定するものであ
る。したがって、半導体試料に対する接触が不要である
から、不純物などの測定によって半導体試料にきずを付
けたり、汚染するようなおそれがなく、かつ測定操作が
容易である。
は、上記のように、一定温度を維持させた半導体試料の
不純物や欠陥から光励起によりキャリアを放出させ、か
つ半導体試料にマイクロ波を照射して、その反射マイク
ロ波を等温マイクロ波過渡分光処理装置で処理して、前
記キャリアに基づいて不純物や欠陥を測定するものであ
る。したがって、半導体試料に対する接触が不要である
から、不純物などの測定によって半導体試料にきずを付
けたり、汚染するようなおそれがなく、かつ測定操作が
容易である。
【００２２】また、前記のように、半導体試料の温度を
一定に維持して測定を行うから、その測定に要する時間
が、例えば、非接触、非破壊であるが、測定に対して温
度掃引を要する、前記従来のレーザ励起マイクロ波ＤＬ
ＴＳ法に比して大巾に短縮するから、半導体試料の不純
物や欠陥などを効率よく測定することが可能である。し
かも、半導体試料の測定時の温度を一定に維持するから
、高温度では構造などが変化するおそれがある半導体試
料も測定対象にすることができ、ほぼ任意の半導体試料
の不純物や欠陥などを測定することが可能である。
一定に維持して測定を行うから、その測定に要する時間
が、例えば、非接触、非破壊であるが、測定に対して温
度掃引を要する、前記従来のレーザ励起マイクロ波ＤＬ
ＴＳ法に比して大巾に短縮するから、半導体試料の不純
物や欠陥などを効率よく測定することが可能である。し
かも、半導体試料の測定時の温度を一定に維持するから
、高温度では構造などが変化するおそれがある半導体試
料も測定対象にすることができ、ほぼ任意の半導体試料
の不純物や欠陥などを測定することが可能である。
【図１】本発明第１実施例の測定装置の構成図である。
【図２】本発明第２実施例の測定装置の構成図である。
【図３】本発明第３実施例の測定装置の構成図である。
【図４】従来例の構成図である。
１ 恒温槽
３ 半導体試料
４ 半導体レーザ
５ マイクロ波発生装置
６ マイクロ波検出器
７ ＩＭＴＳ処理装置
Claims (1)
- 【請求項１】 等温度を維持させた半導体試料に励起
用の光を照射して、半導体試料の不純物や欠陥などから
キャリアを放出させるとともに、この半導体試料にマイ
クロ波を照射して、前記キャリアを吸収した反射マイク
ロ波信号を等温マイクロ波過渡分光処理装置に入力処理
して、前記キャリアの過渡応答から前記半導体試料の不
純物などを測定する半導体中不純物などの測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6881991A JPH04280649A (ja) | 1991-03-09 | 1991-03-09 | 半導体中不純物などの測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6881991A JPH04280649A (ja) | 1991-03-09 | 1991-03-09 | 半導体中不純物などの測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04280649A true JPH04280649A (ja) | 1992-10-06 |
Family
ID=13384708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6881991A Pending JPH04280649A (ja) | 1991-03-09 | 1991-03-09 | 半導体中不純物などの測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04280649A (ja) |
-
1991
- 1991-03-09 JP JP6881991A patent/JPH04280649A/ja active Pending
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