JPH04277989A - メモリ制御装置 - Google Patents

メモリ制御装置

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JPH04277989A
JPH04277989A JP3039917A JP3991791A JPH04277989A JP H04277989 A JPH04277989 A JP H04277989A JP 3039917 A JP3039917 A JP 3039917A JP 3991791 A JP3991791 A JP 3991791A JP H04277989 A JPH04277989 A JP H04277989A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、映像信号データをシャ
フリング、またはデシャフリングするメモリ制御装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、映像信号を磁気テープなどを用
いて記録再生する際、再生時にテープの傷,外乱などに
よりドロップアウトが発生する。ドロップアウトが発生
すると映像信号を再現できない。特に、バースト状の大
きなドロップアウトが発生した場合、ドロップアウトの
周辺の映像信号データからドロップアウト区間の映像信
号データを予測することは不可能である。このような課
題を解決するために、入力映像信号を複数ブロックに分
割し、その順序を変更して記録し、再生時に元に戻すシ
ャフリング記録が知られている。
【0003】図8に外部からのアドレス制御を必要とす
るメモリ(以下、外部アドレスメモリと略す。)を用い
たシャフリングを行うメモリ制御装置のブロック図を示
す。11は映像信号データ入力端子、12は外部アドレ
スメモリ、13は外部アドレスメモリの出力データに同
期信号などを付加する信号変換器、14は外部アドレス
メモリの書き込みを制御する書き込み制御信号発生器、
15は外部アドレスメモリの読み出しを制御する読み出
し制御信号発生器、16は映像信号データ出力端子であ
る。ここで、外部アドレスメモリ12は書き込み制御信
号としてライトアドレス,ライトイネーブル,ライトク
ロックを、読み出し制御信号としてリードアドレス,リ
ードイネーブル,リードクロックを必要とする。その動
作は、ライトイネーブルが「1」のとき、ライトクロッ
クに同期して、そのライトクロックの示すライトアドレ
スに映像信号データを書き込む。また、リードイネーブ
ルが「1」の時、リードクロックに同期して、そのリー
ドクロックが示すリードアドレスに記憶されている映像
信号データを読み出す。
【0004】以下、図9〜図11を参照しながら1ライ
ンごとにシャフリングを行うラインシャフリングのメモ
リ制御装置について説明する。
【0005】図9はメモリの書き込み動作を示すタイミ
ング図であり、外部アドレスメモリを3個用いてシャフ
リングを行う。3個のメモリをメモリ1,メモリ2,メ
モリ3とする。図9で示すWE1はメモリ1のライトイ
ネーブル信号、WE2はメモリ2のライトイネーブル信
号、WE3はメモリ3のライトイネーブル信号、WAD
Sはメモリ1,メモリ2,メモリ3の共通のライトアド
レスであり、そのライトアドレスを27分割し、各々を
A1(K),A2(K),…,A27(K)で表す。ま
た、入力映像信号データを1ラインごとに(3×27)
個に分割し、図9に示すように1分割ごとにY(1,1
)〜Y(1,27),Y(2,1)〜Y(2,27),
Y(3,1)〜Y(3,27)とする。これらの分割さ
れた映像信号データを図9に示すWE1,WE2,WE
3,WADSに従って3個のメモリに書き込んでいく。
【0006】映像信号が書き込まれたメモリの状態図を
図10に示す。図10に示すように、メモリ1のアドレ
スA1(K)には映像信号データY(1,1)、メモリ
1のアドレスA2(K)には映像信号データY(1,2
)、メモリ2のアドレスA1(K)には映像信号データ
Y(2,1)、メモリ3のアドレスA1(K)には映像
信号データY(3,1)(以下、略す。)が書き込まれ
ている。
【0007】図11はメモリの読み出し動作を示すタイ
ミング図である。RE1はメモリ1のリードイネーブル
、RE2はメモリ2のリードイネーブル、RE3はメモ
リ3のリードイネーブル、RADSはメモリ1,メモリ
2,メモリ3共通のリードアドレスであり、ライトアド
レス同様27個に分割し、それらをA1(K),A2(
K),…,A27(K)と表す。読み出しはメモリ1,
メモリ2,メモリ3と順に読み出し図11に示す出力映
像信号を得る。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、外部アドレスメモリを用いているため、
メモリの制御にライトアドレス,リードアドレスを必要
とし、メモリ制御が複雑で、メモリ制御信号数が多く、
実装面積も大きくなるという問題点があった。
【0009】また、内部にアドレスカウント機能を有す
るメモリ(以下、内部アドレスメモリと略す。)を用い
た場合には、メモリへの書き込み禁止区間、メモリから
の読み出し禁止区間を制限されているので、シャフリン
グ,デシャフリングを行う場合、前記の書き込み禁止区
間,読み出し禁止区間のため、その範囲が制限されると
いう問題点があった。
【0010】本発明はこのような問題点を解消し、制御
が容易で、実装面積も小さく、内部アドレスメモリを用
いて広範囲なシャフリング,デシャフリングを行うメモ
リ制御装置を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明のメモリ制御装置は、(N1×N2)ブロックの
有効信号データと(N1×N3)ブロックの無効信号デ
ータを書き込むN1個の内部アドレスメモリと、前記N
1個の内部アドレスメモリの書き込みを制御する書き込
み制御信号発生器と、前記N1個の内部アドレスメモリ
の読み出しを制御する読み出し制御信号発生器と、前記
N1個のメモリの出力の無効信号データを別信号に変換
する信号変換器とを有し、その制御法として前記映像信
号の垂直ブランク区間のデータを無効信号データとして
有効信号データとともに振り分けてN1個のメモリに書
き込む場合、読み出しは1個のメモリから有効信号デー
タを読み出した後は、前記メモリ以外の(N1−1)個
のメモリのうち、少なくとも1個のメモリから無効信号
データが出力の映像信号の水平ブランク区間に読み出さ
れる。
【0012】また、映像信号の水平ブランク区間のデー
タを無効信号データとしてN1個のメモリに書き込む場
合、1個のメモリに有効信号データが書き込まれた後は
、前記メモリ以外の(N1−1)個のメモリのうち、少
なくとも1個のメモリに無効信号データが書き込まれ、
N1個のメモリから出力映像信号の有効ラインには有効
信号データが、出力映像信号の垂直ブランク区間には無
効信号データが振り分けて読み出される。
【0013】
【作用】上記の構成により、映像信号の垂直ブランク区
間のデータを無効信号データとして、有効ラインのデー
タは有効信号データとして一定の規則で振り分けてN1
個の内部アドレスメモリに書き込み、その読み出しは、
1個の内部アドレスメモリから有効信号データが読み出
された後、別の内部アドレスメモリから無効信号データ
を出力映像信号の水平ブランク区間に読み出して内部ア
ドレスメモリの読み出し禁止区間を短く設定している。
【0014】また、映像信号の有効信号データを1個の
内部アドレスメモリに書き込んだ後、映像信号の水平ブ
ランク区間の無効信号データを別の内部アドレスメモリ
に書き込み、その読み出しは、N1個の内部アドレスメ
モリに書き込まれた無効信号データを出力映像信号の垂
直ブランク区間に、有効信号データは出力映像信号の有
効ラインに振り分けて読み出して内部アドレスメモリの
書き込み禁止区間を短く設定している。
【0015】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明のさらに詳しい
説明をする。
【0016】図1に本発明の実施例におけるメモリ制御
装置全体のブロック図を示す。1は映像信号データ入力
端子、2はシャフリング,デシャフリングを行うための
内部アドレスメモリ、3は内部アドレスメモリの出力映
像信号データの水平ブランク区間、または垂直ブランク
区間にブランク信号,同期信号などを付加する信号変換
器、4は内部アドレスメモリ2の書き込みを制御する書
き込み制御信号発生器であり、リセットライト信号,ラ
イトイネーブル信号,ライトクロックを発生する。5は
内部アドレスメモリの読み出しを制御する読み出し制御
信号発生器であり、リセットリード信号,リードイネー
ブル信号,リードクロック信号を発生する。6は映像信
号データ出力端子である。ここで、内部アドレスメモリ
2の動作について説明する。リセットライト信号により
内部の書き込みアドレスがイニシャライズされ、ライト
イネーブル信号が「1」の時のみライトクロックに同期
して内部の書き込みアドレスが1番地ずつ増加すると同
時に、その内部の書き込みアドレスに映像信号データが
書き込まれる。また、リセットリード信号により内部の
読み出しアドレスがイニシャライズされ、リードイネー
ブル信号が「1」の時のみリードクロックに同期して内
部の読み出しアドレスが1番地ずつ増加すると同時に、
その内部読み出しアドレスと一致した内部書き込みアド
レスに書き込まれている映像信号データが読み出される
【0017】以上のように構成されたメモリ制御装置の
第1の実施例について、以下その動作について説明する
【0018】入力端子1に入力された映像信号データは
、まず書き込み制御信号発生器4から出力されるリセッ
トライト信号,ライトイネーブル信号,ライトクロック
に従い、有効信号データ、垂直ブランク部の無効信号デ
ータが内部アドレスメモリ2に書き込まれる。内部アド
レスメモリ2に書き込まれた映像信号データは、読み出
し制御信号発生器5から出力されるリセットリード信号
,リードイネーブル信号,リードクロックに従い、有効
信号データは出力映像信号の有効信号部に、無効信号デ
ータは出力映像信号の水平ブランク部に出力される。 内部アドレスメモリ2の出力する映像信号データは信号
変換器3において、ブランク部が同期信号などに置換さ
れ、出力端子6より出力される。
【0019】図2〜図4は図1の構成を持つメモリ制御
装置のタイミング図であり、入力映像信号をフィールド
ごとに1ラインを1ブロックとしてラインシャフリング
し、その方法は有効ラインを3の剰余系に従い3つの群
に分類し、それらを時系列で出力している。例えば、有
効ラインが1フィールドに9ラインあったとし、「1,
2,3,4,5,6,7,8,9」と入力されるとすれ
ば、その出力は「1,4,7,2,5,8,3,6,9
」と出力される。本実施例は1フィールドに有効ライン
が(3×27)ラインあり、それらを3の剰余系に従い
シャフリングしている。
【0020】図2は第1の実施例の書き込み動作を示す
タイミング図である。本実施例では、メモリを3個使用
し、それらをメモリ1,メモリ2、メモリ3とする。図
2のWE1はメモリ1のライトイネーブル信号、WE2
はメモリ2のライトイネーブル信号、WE3はメモリ3
のライトイネーブル信号、RSTW1はメモリ1のリセ
ットライト信号、RSTW2はメモリ2のリセットライ
ト信号、RSTW3はメモリ3のリセットライト信号で
ある。また、入力映像信号を1フィールドごとに有効信
号データを1水平ラインの有効信号部を1ブロックとし
、(3×27)ブロックに分割し、無効信号データは垂
直ブランク部を(3×54)ブロックに分割している。 分割された有効映像信号データY(1,1)〜Y(1,
27),Y(2,1)〜Y(2,27),Y(3,1)
〜Y(3,27)と無効信号データM(1,1)〜M(
1,54),M(2,1)〜M(2,54),M(3,
1)〜M(3,54)のうち、Y(1,1),Y(1,
2),…,Y(1,27),M(1,1),M(1,2
),…,M(1,54)はWE1とRSTW1で示すタ
イミングに従いメモリ1に書き込まれる。Y(2,1)
,Y(2,2),…,Y(2,27),M(2,1),
M(2,2),…,M(2,54)はWE2とRSYW
2に従いメモリ2に書き込まれる。Y(3,1),Y(
3,2),…,Y(3,27),M(3,1),M(3
,2),…,M(3,54)はWE3とRSTW3に従
いメモリ3に書き込まれる。
【0021】図3に映像信号データが書き込まれたメモ
リの状態図を示す。図3に示すように、メモリの内部書
き込みアドレスの前半には有効信号データが、後半には
無効信号データが書き込まれている。
【0022】図4は第1の実施例の読み出し動作を示す
タイミング図である。RE1はメモリ1のリードイネー
ブル信号、RE2はメモリ2のリードイネーブル信号、
RE3はメモリ3のリードイネーブル信号、RSTR1
はメモリ1のリセットリード信号、RSTR2はメモリ
2のリセットリード信号、RSTR3はメモリ3のリセ
ットリード信号である。図4に示すように、1個のメモ
リから有効信号データ1ブロックが読み出された後には
、必ず他の2個のメモリから出力映像信号の水平ブラン
クに無効信号データが読み出されている。例えば、メモ
リ1からY(1,1)が読み出された後にはメモリ2か
らM(2,28)が、メモリ3からM(3,1)が読み
出される。このように、有効信号データを読み出さない
区間では無効信号データを読み出すことで、メモリの読
み出し動作の禁止区間を短く設定している。
【0023】図5〜図7は図1のように構成された本発
明の第2の実施例のタイミング図であり、3個の内部ア
ドレスメモリを用いて、第1の実施例によりシャフリン
グされた映像信号を元に戻すデシャフリングをしている
【0024】図5は第2の実施例の書き込み動作を示す
タイミング図であり、WE1はメモリ1のライトイネー
ブル信号、WE2はメモリ2のライトイネーブル信号、
WE3はメモリ3のライトイネーブル信号、RSTW1
はメモリ1のリセットライト信号、RSTW2はメモリ
2のリセットライト信号、RSTW3はメモリ3のリセ
ットライト信号である。
【0025】図5に示すように、1個の内部アドレスメ
モリに1水平ラインの有効信号部が書き込まれると、他
の2個のメモリに入力映像信号の水平ブランク部が無効
信号部として書き込まれる。このようにして書き込まれ
たメモリの内部状態図を図6に示す。
【0026】図7は第2の実施例の読み出しのタイミン
グ図であり、RE1はメモリ1のリードイネーブル信号
、RE2はメモリ2のリードイネーブル信号,RE3は
メモリ3のリードイネーブル信号、RSTR1はメモリ
1のリセットリード信号、RSTR2はメモリ2のリセ
ットリード信号、RSTR3はメモリ3のリセットリー
ド信号である。図7に示すように、有効信号部は出力映
像信号の有効ラインに、無効信号部は出力映像信号の垂
直ブランク区間に振り分けて読み出される。このように
、有効信号データを書き込まない区間では無効信号デー
タを書き込むことでメモリの書き込み動作の禁止区間を
短く設定している。
【0027】以上のように本実施例では広範囲にわたる
シャフリング、またはデシャフリングに用いるメモリ制
御装置を、内部アドレスメモリを用いることで小型化す
ることが可能である。
【0028】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、映
像信号の有効信号データと映像信号の垂直ブランク区間
の無効信号データを振り分けて複数個のメモリに書き込
み、それぞれのメモリから有効信号データ,無効信号デ
ータを順に読み出し、無効信号データは出力映像信号の
水平ブランク区間に読み出すので、メモリの読み出し動
作の禁止区間を短く設定できる。また、映像信号の有効
信号データを1個の内部アドレスメモリに書き込んだ後
は、映像信号の水平ブランク部を無効信号データとして
別のメモリに書き込み、それぞれのメモリから有効信号
データは出力映像信号の有効ラインに、無効信号データ
は出力映像信号の垂直ブランク区間に振り分けて読み出
すので、メモリの書き込み動作の禁止区間を短く設定で
きる。よって、シャフリングメモリとして内部アドレス
メモリの使用が可能であり、制御信号が少なく、実装面
積も小さい合理化されたメモリ制御装置が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明における第1,第2の実施例のメモリ制
御装置の構成を示すブロック図
【図2】第1の実施例におけるメモリ制御装置の書き込
み動作を説明するためのタイミング図
【図3】第1の実施例におけるメモリの書き込み状態を
示す状態図
【図4】第1の実施例におけるメモリ制御装置の読み出
し動作を説明するためのタイミング図
【図5】本発明の第2の実施例におけるメモリ制御装置
の書き込み動作を説明するためのタイミング図
【図6】
第2の実施例におけるメモリの書き込み状態を示す状態
【図7】第2の実施例におけるメモリ制御装置の読み出
し動作を説明するためのタイミング図
【図8】従来のメモリ制御装置の構成を示すブロック図
【図9】従来のメモリ制御装置の書き込み動作を説明す
るためのタイミング図
【図10】従来例におけるメモリの書き込み状態を示す
状態図
【図11】従来のメモリ制御装置の読み出し動作を説明
するためのタイミング図
【符号の説明】
1  映像信号入力端子 2  内部アドレスメモリ 3  信号変換器 4  書き込み制御信号発生器 5  読み出し制御信号発生器 6  映像信号出力端子

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】入力映像信号データを(N1×N2)(N
    1,N2は自然数)ブロックの有効信号領域と(N1×
    N3)(N3は自然数)ブロックの無効信号領域に区分
    し、(N1×N2)ブロックに区分された有効映像信号
    領域Y(K,L)(1≦K≦N1,1≦L≦N2,K,
    Lは自然数),(N1×N3)ブロックに区分された無
    効映像信号領域M(K,J)(1≦J≦N3)において
    、N2ブロックの有効信号領域Y(A,L)(Aは定数
    )とN3ブロックの無効信号領域M(A,J)(Aは定
    数)を書き込むN1個のメモリと、前記N1個のメモリ
    各々へ書き込む映像信号領域に応じたメモリ書き込み制
    御信号を発生する書き込み制御信号発生器と、前記N1
    個のメモリの読み出しを制御するメモリ読み出し制御信
    号を発生する読み出し制御信号発生器と、前記N1個の
    メモリ出力の映像信号データの無効信号部を変換する信
    号変換器とを有するメモリ制御装置。
  2. 【請求項2】(N1×N3)ブロックの無効信号データ
    領域は入力映像信号の垂直ブランク区間とし、その垂直
    ブランク区間のデータをN1ブロックに分割しN1個の
    メモリに書き込み、前記垂直ブランク区間の無効信号デ
    ータを水平ブランク区間に読み出す請求項1記載のメモ
    リ制御装置
  3. 【請求項3】(N1×N3)ブロックの無効信号データ
    領域は入力映像信号の水平ブランク区間とし、その水平
    ブランク区間のデータをN1ブロックに分割しN1個の
    メモリに書き込み、前記水平ブランク区間の無効信号デ
    ータを垂直ブランク区間に読み出す請求項1記載のメモ
    リ制御装置。
  4. 【請求項4】N1個のメモリ各々の出力信号は時間軸上
    で交わりがなく、且つ1個のメモリから1ブロックの有
    効信号データを出力した後には必ず前記有効信号データ
    を出力したメモリを除く(N1−1)個のメモリから少
    なくとも1ブロックの無効信号データが出力される請求
    項2記載のメモリ制御装置。
  5. 【請求項5】N1個のメモリ各々に書き込まれる映像信
    号データは時間軸上で交わりがなく、且つ1個のメモリ
    に1ブロックの有効信号データを書き込んだ後には前記
    有効信号データを書き込んだメモリを除く(N1−1)
    個のメモリに少なくとも1ブロックの無効信号データを
    書き込む請求項3記載のメモリ制御装置。
  6. 【請求項6】内部にアドレスカウント機能を有するメモ
    リを用い、1ブロックの有効信号データを1ライン、ま
    たは複数ラインの有効信号データとし、有効信号データ
    、無効信号データをN1個のメモリに振り分けて書き込
    み、またN1個のメモリの読み出しアドレスのリセット
    を各々のタイミングでN1個のメモリに与えて読み出し
    てラインシャフリングをする請求項4記載のメモリ制御
    装置。
  7. 【請求項7】内部にアドレスカウント機能を有するメモ
    リを用い、1ブロックの有効信号データを1ライン、ま
    たは複数ラインの有効信号データとし、有効信号データ
    、無効信号データをN1個のメモリの書き込みアドレス
    のリセットを各々のタイミングでN1個のメモリに与え
    て書き込み、また書き込まれた信号データをN1個のメ
    モリから振り分けて読み出してラインシャフリングをす
    る請求項5記載のメモリ制御装置。
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