JPH04268556A - レジストパターン形成方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法Info
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- JPH04268556A JPH04268556A JP3028998A JP2899891A JPH04268556A JP H04268556 A JPH04268556 A JP H04268556A JP 3028998 A JP3028998 A JP 3028998A JP 2899891 A JP2899891 A JP 2899891A JP H04268556 A JPH04268556 A JP H04268556A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置（ＩＣ，Ｌ
ＳＩ）等の製造工程中で使用されるレジストパターンの
形成方法に関するものである。
ＳＩ）等の製造工程中で使用されるレジストパターンの
形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来このような分野における技術として
は、例えば、（１）特公昭６２−５９２９６号公報、（
２）半導体集積回路技術 第３７回シンポジウム講演
論文集（１９８９．１２）ｐ．１３〜１８「位相シフト
露光法によるレジストパターン形成」に示すようなもの
があった。
は、例えば、（１）特公昭６２−５９２９６号公報、（
２）半導体集積回路技術 第３７回シンポジウム講演
論文集（１９８９．１２）ｐ．１３〜１８「位相シフト
露光法によるレジストパターン形成」に示すようなもの
があった。
【０００３】投影露光によるホトリソグラフィ技術の分
野においても、半導体装置の高集積化に対応できる微細
なレジストパターンを形成できる技術が種々提案されて
いる。それらの技術の中で注目されている技術の１つに
位相シフト法と称される技術がある。この方法は、例え
ば、上記公告公報（１）に開示されており、ウエハ上で
の光コントラストを上げるために、ホトマスク上に露光
光の位相をずらす透明な薄膜（位相シフタ）を部分的に
設けて投影露光法の解像力を向上させる技術である。
野においても、半導体装置の高集積化に対応できる微細
なレジストパターンを形成できる技術が種々提案されて
いる。それらの技術の中で注目されている技術の１つに
位相シフト法と称される技術がある。この方法は、例え
ば、上記公告公報（１）に開示されており、ウエハ上で
の光コントラストを上げるために、ホトマスク上に露光
光の位相をずらす透明な薄膜（位相シフタ）を部分的に
設けて投影露光法の解像力を向上させる技術である。
【０００４】応用例として、上記文献（２）に開示され
た位相シフト法によるレジストパターン形成方法等があ
る。上述の公告公報（１）に開示のホトマスクは、図８
にその一部断面図を示すように、露光光を遮光する遮光
部１１及び露光光を透過する透過部１３を具えるホトマ
スク１５であって、透過部１３の隣り合ったものの少な
くとも一対において、透過光が干渉して強め合うことが
ないように、上記一対の透過部を通過する光に位相差を
与える位相シフタ１７を、上記一対の透過部の少なくと
も一方に設けたものであった。
た位相シフト法によるレジストパターン形成方法等があ
る。上述の公告公報（１）に開示のホトマスクは、図８
にその一部断面図を示すように、露光光を遮光する遮光
部１１及び露光光を透過する透過部１３を具えるホトマ
スク１５であって、透過部１３の隣り合ったものの少な
くとも一対において、透過光が干渉して強め合うことが
ないように、上記一対の透過部を通過する光に位相差を
与える位相シフタ１７を、上記一対の透過部の少なくと
も一方に設けたものであった。
【０００５】このホトマスク１５を用いることにより、
遮光部１１及び透過部１３のレジスト上での光コントラ
ストが向上するので、位相シフタを設けない場合より微
細なライン・アンドスペースパターンが得られる。また
、上記文献（２）に開示のレジストパターン形成方法は
、例えば図９に要部平面図を示すように、孤立の遮光部
２１（図中斜線を付して強調して示す）の中に透過部２
３が作られ、その部分の透過光の位相を反転させるよう
に、透過部２３上にシフタ２５（点線で示す）が設けら
れたホトマスク２７を用い、ネガ型レジストの微細な孤
立抜きパターンを形成するものであった。
遮光部１１及び透過部１３のレジスト上での光コントラ
ストが向上するので、位相シフタを設けない場合より微
細なライン・アンドスペースパターンが得られる。また
、上記文献（２）に開示のレジストパターン形成方法は
、例えば図９に要部平面図を示すように、孤立の遮光部
２１（図中斜線を付して強調して示す）の中に透過部２
３が作られ、その部分の透過光の位相を反転させるよう
に、透過部２３上にシフタ２５（点線で示す）が設けら
れたホトマスク２７を用い、ネガ型レジストの微細な孤
立抜きパターンを形成するものであった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上述
べたいずれの方法であっても、今後ますます微細化の進
むＩＣ，ＬＳＩパターン、その中でもスペースパターン
では、０．２μｍレベルのパターンを形成することは非
常に困難である。本発明は、以上述べた投影露光装置に
よる０．２μｍレベルのスペースパターンの形成が困難
であるという問題点を解決するために、プロセスマージ
ンの広い優れたレジストパターン形成方法を提供するこ
とを目的とする。
べたいずれの方法であっても、今後ますます微細化の進
むＩＣ，ＬＳＩパターン、その中でもスペースパターン
では、０．２μｍレベルのパターンを形成することは非
常に困難である。本発明は、以上述べた投影露光装置に
よる０．２μｍレベルのスペースパターンの形成が困難
であるという問題点を解決するために、プロセスマージ
ンの広い優れたレジストパターン形成方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、（Ａ）投影露光法によりレジストパター
ンを形成するにあたり、解像限界以下の微細なピッチで
並べられた調光用遮光パターン、電極形成用遮光パター
ン及び位相シフタを有する位相シフトパターンを具備す
るホトマスクを介してレジストを露光するようにしたも
のである。
成するために、（Ａ）投影露光法によりレジストパター
ンを形成するにあたり、解像限界以下の微細なピッチで
並べられた調光用遮光パターン、電極形成用遮光パター
ン及び位相シフタを有する位相シフトパターンを具備す
るホトマスクを介してレジストを露光するようにしたも
のである。
【０００８】また、位相シフタのエッジラインを利用し
、微細なパターンを得る。更に、転写されるパターンの
寸法を調光用遮光パターンに基づいてコントロールする
。また、マスクを二度用いエッジラインを交差させるよ
うにパターニングし、ホールあるいはピラーパターンを
得るようにしたものである。 （Ｂ）投影露光法によりレジストパターンを形成するに
あたり、位相シフタのエッジの一部、又は全部が光の透
過率をコントロールする調光膜上に位置するように形成
されているホトマスクを介してレジストを露光するよう
にしたものである。
、微細なパターンを得る。更に、転写されるパターンの
寸法を調光用遮光パターンに基づいてコントロールする
。また、マスクを二度用いエッジラインを交差させるよ
うにパターニングし、ホールあるいはピラーパターンを
得るようにしたものである。 （Ｂ）投影露光法によりレジストパターンを形成するに
あたり、位相シフタのエッジの一部、又は全部が光の透
過率をコントロールする調光膜上に位置するように形成
されているホトマスクを介してレジストを露光するよう
にしたものである。
【０００９】また、位相シフタのエッジラインを利用し
、微細なパターンを得る。更に、転写されるパターンの
寸法を調光膜の透過率によってコントロールするように
したものである。また、マスクを二度用いエッジライン
を交差させるようにパターニングし、ホールあるいはピ
ラーパターンを形成するようにしたものである。
、微細なパターンを得る。更に、転写されるパターンの
寸法を調光膜の透過率によってコントロールするように
したものである。また、マスクを二度用いエッジライン
を交差させるようにパターニングし、ホールあるいはピ
ラーパターンを形成するようにしたものである。
【００１０】
【作用】本発明によれば、レジストパターン形成方法に
おいて、ネガ型レジストを用いた場合は、微細なスペー
スパターンを、ポジ型レジストを用いた場合には、ライ
ンパターンを形成するのに、露光光学系では解像限界以
下の微細なピッチで配列された調光用遮光パターンと、
電極形成用遮光パターンと、露光光の位相をシフトさせ
る透明な位相シフタを有する位相シフトパターンとを具
備するホトマスクを用い、該ホトマスクをステッパによ
り転写する。
おいて、ネガ型レジストを用いた場合は、微細なスペー
スパターンを、ポジ型レジストを用いた場合には、ライ
ンパターンを形成するのに、露光光学系では解像限界以
下の微細なピッチで配列された調光用遮光パターンと、
電極形成用遮光パターンと、露光光の位相をシフトさせ
る透明な位相シフタを有する位相シフトパターンとを具
備するホトマスクを用い、該ホトマスクをステッパによ
り転写する。
【００１１】このホトマスクでは、位相シフタのエッジ
部分を用いた転写を行う。位相シフタのエッジ部は、転
写されたウエハ上で非常に狭い光強度の小さい部分を作
るので、これを利用する。この時に、微細な調光用遮光
パターンは、ウエハ上では像を作らず光量を低下させる
のみの作用をする。これによりウエハ上での光強度をコ
ントロールし、レジスト寸法をコントロールすることが
できる。また、形成された未露光部の不要な部分は、通
常的に構成された別のマスクにより再露光する。また、
この方法は、上記マスクを二度用いエッジライン部を交
差させ、微細なホールあるいはピラーパターンを形成す
ることもできる。
部分を用いた転写を行う。位相シフタのエッジ部は、転
写されたウエハ上で非常に狭い光強度の小さい部分を作
るので、これを利用する。この時に、微細な調光用遮光
パターンは、ウエハ上では像を作らず光量を低下させる
のみの作用をする。これによりウエハ上での光強度をコ
ントロールし、レジスト寸法をコントロールすることが
できる。また、形成された未露光部の不要な部分は、通
常的に構成された別のマスクにより再露光する。また、
この方法は、上記マスクを二度用いエッジライン部を交
差させ、微細なホールあるいはピラーパターンを形成す
ることもできる。
【００１２】また、レジストパターン形成方法において
、ネガ型レジストを用いた場合は、微細なスペースパタ
ーンを、ポジ型レジストを用いた場合には、ラインパタ
ーンを形成するのに露光光の位相をシフトさせる透明な
薄膜（位相シフタ）及び光量を調節する調光膜のついた
ホトマスクをステッパにより転写するものである。この
ホトマスクでは位相シフタのエッジの部分を用いた転写
を行う。位相シフタのエッジ部は、転写されたウエハ上
で非常に狭い光強度の小さい部分を作るので、これを利
用する。この時にマスク基板（レチクル基板）に部分的
に透過率の異なる領域を設け、ウエハ上での光強度をコ
ントロールし、レジスト寸法をコントロールする。ここ
で形成された未露光部の不要な部分は通常に構成された
別のマスクを用い再露光する。また、前記した位相シフ
タを有するホトマスクを二度用い、エッジライン部を交
差させ微細なホールあるいはピラーパターンを形成する
こともできる。
、ネガ型レジストを用いた場合は、微細なスペースパタ
ーンを、ポジ型レジストを用いた場合には、ラインパタ
ーンを形成するのに露光光の位相をシフトさせる透明な
薄膜（位相シフタ）及び光量を調節する調光膜のついた
ホトマスクをステッパにより転写するものである。この
ホトマスクでは位相シフタのエッジの部分を用いた転写
を行う。位相シフタのエッジ部は、転写されたウエハ上
で非常に狭い光強度の小さい部分を作るので、これを利
用する。この時にマスク基板（レチクル基板）に部分的
に透過率の異なる領域を設け、ウエハ上での光強度をコ
ントロールし、レジスト寸法をコントロールする。ここ
で形成された未露光部の不要な部分は通常に構成された
別のマスクを用い再露光する。また、前記した位相シフ
タを有するホトマスクを二度用い、エッジライン部を交
差させ微細なホールあるいはピラーパターンを形成する
こともできる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。ここではパターンの適応例とし
てＧａＡｓ−ＩＣのゲートパターンマスクを作製した。 図１は本発明の実施例を示す第１のホトマスクを概略的
に示した平面図であり、図１（ａ）はその全体の平面図
、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ部拡大平面図である。 図２は本発明の実施例を示す第２のホトマスクを概略的
に示した平面図である。
ながら詳細に説明する。ここではパターンの適応例とし
てＧａＡｓ−ＩＣのゲートパターンマスクを作製した。 図１は本発明の実施例を示す第１のホトマスクを概略的
に示した平面図であり、図１（ａ）はその全体の平面図
、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ部拡大平面図である。 図２は本発明の実施例を示す第２のホトマスクを概略的
に示した平面図である。
【００１４】まず、第１のホトマスク３１は、そのパタ
ーン領域の下に０〜９０％の透過率を持った調光用遮光
パターン３９上に構成されている。また、第１のホトマ
スク３１は、ゲート電極の配線部に相当する部分に遮光
部３３を具える。更に、この第１のホトマスク３１は、
遮光部３３及び光透過部３５の両領域にわたり設けられ
た位相シフト法用の位相シフタ３７を含み、そのエッジ
部の一部３７ａが遮光部３３内に位置するように設けら
れた位相シフタ３７を具える。後述するが、位相シフタ
３７のエッジ部の一部３７ａがゲート電極のゲート長を
与える部分の形成用マスクとして機能する。
ーン領域の下に０〜９０％の透過率を持った調光用遮光
パターン３９上に構成されている。また、第１のホトマ
スク３１は、ゲート電極の配線部に相当する部分に遮光
部３３を具える。更に、この第１のホトマスク３１は、
遮光部３３及び光透過部３５の両領域にわたり設けられ
た位相シフト法用の位相シフタ３７を含み、そのエッジ
部の一部３７ａが遮光部３３内に位置するように設けら
れた位相シフタ３７を具える。後述するが、位相シフタ
３７のエッジ部の一部３７ａがゲート電極のゲート長を
与える部分の形成用マスクとして機能する。
【００１５】ここで、この実施例における調光用遮光パ
ターン３９は、露光光学系の解像限界以下のピッチで配
列された微細なクロムパターンからなる。ここではウエ
ハ上に転写される寸法で０．２μｍ▲□▼のクロムがｌ
１ （０．４μｍ）ピッチで形成されている例を示した
。 このピッチでのクロムパターンは、次のパターニング実
験で用いるステッパ，ｉ線のＮＡ０．４２の光学系では
、ウエハ上での光強度分布は一様に低下するだけで、光
コントラストは略０となる。つまり、パターニングに影
響せずに光強度を下げることができる。
ターン３９は、露光光学系の解像限界以下のピッチで配
列された微細なクロムパターンからなる。ここではウエ
ハ上に転写される寸法で０．２μｍ▲□▼のクロムがｌ
１ （０．４μｍ）ピッチで形成されている例を示した
。 このピッチでのクロムパターンは、次のパターニング実
験で用いるステッパ，ｉ線のＮＡ０．４２の光学系では
、ウエハ上での光強度分布は一様に低下するだけで、光
コントラストは略０となる。つまり、パターニングに影
響せずに光強度を下げることができる。
【００１６】また、遮光部３３はクロムで形成し、位相
シフタ３７は電子線レジストＯＥＢＲ−１００〔東京応
化工業（株）製〕で形成している。位相シフタ３７の膜
厚は３１０μｍとしてある。この位相シフタ３７を透過
することにより、パターニングで用いたｉ線の光は、位
相が１８０°ずれる。一方、第２のホトマスク４１は、
第１のホトマスク３１の遮光部３３に対応する領域４３
ａと、第１のホトマスク３１に形成した位相シフタ３７
のエッジ部分３７ａに対応する領域４３ｂ（但し、この
エッジ部分３７ａをゲート長方向において充分含むよう
な幅の領域）を有する遮光部４３を具え、それ以外は光
透過部４２となっている。 〔パターニング実験その１〕まず、スピンコート法によ
り、直径３インチ（７．６２ｃｍ）のシリコン基板上に
ネガ型レジストとして、ＬＭＲ−ＵＶ〔富士薬品工業（
株）製〕を１μｍ厚で塗布する。
シフタ３７は電子線レジストＯＥＢＲ−１００〔東京応
化工業（株）製〕で形成している。位相シフタ３７の膜
厚は３１０μｍとしてある。この位相シフタ３７を透過
することにより、パターニングで用いたｉ線の光は、位
相が１８０°ずれる。一方、第２のホトマスク４１は、
第１のホトマスク３１の遮光部３３に対応する領域４３
ａと、第１のホトマスク３１に形成した位相シフタ３７
のエッジ部分３７ａに対応する領域４３ｂ（但し、この
エッジ部分３７ａをゲート長方向において充分含むよう
な幅の領域）を有する遮光部４３を具え、それ以外は光
透過部４２となっている。 〔パターニング実験その１〕まず、スピンコート法によ
り、直径３インチ（７．６２ｃｍ）のシリコン基板上に
ネガ型レジストとして、ＬＭＲ−ＵＶ〔富士薬品工業（
株）製〕を１μｍ厚で塗布する。
【００１７】次に、レジスト塗布済みのこのシリコン基
板をホットプレートを用い７０°Ｃで１分間ベークする
。次に、この試料をｉ線投影露光装置ＲＡ１０１ＵＬＩ
Ｉ〔（株）日立製作所製〕にセットし、図１を用いて説
明した第１のホトマスク３１を含むマスクを介し、１５
０ｍＪ／ｃｍ２ の露光量で第１の露光をする。この第
１の露光によりレジストに形成される潜像は、図３に示
すようなものである。即ち、図３において、レジスト５
１の図１の第１のホトマスク３１の遮光部３３に対応す
る領域が未露光部５３となり、位相シフタ３７のエッジ
部に対応する領域とが擬似未露光部５４になり、それ以
外の領域は露光部５５になる。
板をホットプレートを用い７０°Ｃで１分間ベークする
。次に、この試料をｉ線投影露光装置ＲＡ１０１ＵＬＩ
Ｉ〔（株）日立製作所製〕にセットし、図１を用いて説
明した第１のホトマスク３１を含むマスクを介し、１５
０ｍＪ／ｃｍ２ の露光量で第１の露光をする。この第
１の露光によりレジストに形成される潜像は、図３に示
すようなものである。即ち、図３において、レジスト５
１の図１の第１のホトマスク３１の遮光部３３に対応す
る領域が未露光部５３となり、位相シフタ３７のエッジ
部に対応する領域とが擬似未露光部５４になり、それ以
外の領域は露光部５５になる。
【００１８】この時、第１のホトマスク３１と同様なも
ので、調光用遮光パターンのないマスクパターンの部分
では、ウエハ上のレジストは実質的に１５０ｍＪ／ｃｍ
２ の露光を受けるが、今回の調光用遮光パターン３９
では２５％の光をカットするため、対応する領域では１
５０×０．７５＝１１２．５ｍＪ／ｃｍ２ の露光を受
ける。
ので、調光用遮光パターンのないマスクパターンの部分
では、ウエハ上のレジストは実質的に１５０ｍＪ／ｃｍ
２ の露光を受けるが、今回の調光用遮光パターン３９
では２５％の光をカットするため、対応する領域では１
５０×０．７５＝１１２．５ｍＪ／ｃｍ２ の露光を受
ける。
【００１９】次に、投影露光装置のホトマスクを第１の
ホトマスク３１から、図２に示す第２のホトマスク４１
に代え、第１の露光済み試料に対し第２のホトマスク４
１を介し、１２０ｍＪ／ｃｍ２ の露光量で第２の露光
を行う。この第２の露光によりレジスト５１に形成され
る潜像は、図４のようなものである。即ち、図４におけ
るレジスト５１の図１に示すホトマスク３１の遮光部３
３に対応する領域と、位相シフタ３７のエッジ部の一部
３７ａに対応する領域のみが未露光部５３ａ（第２の露
光部の未露光部）になり、それ以外の領域は全て露光さ
れる。
ホトマスク３１から、図２に示す第２のホトマスク４１
に代え、第１の露光済み試料に対し第２のホトマスク４
１を介し、１２０ｍＪ／ｃｍ２ の露光量で第２の露光
を行う。この第２の露光によりレジスト５１に形成され
る潜像は、図４のようなものである。即ち、図４におけ
るレジスト５１の図１に示すホトマスク３１の遮光部３
３に対応する領域と、位相シフタ３７のエッジ部の一部
３７ａに対応する領域のみが未露光部５３ａ（第２の露
光部の未露光部）になり、それ以外の領域は全て露光さ
れる。
【００２０】第２の露光済みの試料をホットプレートを
用い１１０°で１分間ベーキングする。その後、この試
料をＬＭＲ−ＵＶ現像液〔富士薬品工業（株）製〕を用
い、３０秒間スプレー現像する。現像後に得られるレジ
ストパターンは、図５のようなものである。図５におい
て、６１はレジストパターン、６３はレジスト残存部、
６５はレジストが現像液により溶解され、シリコン基板
が露出している部分である。このレジストパターン６１
のゲート長を与える部分の寸法Ｌを、ＳＥＭ測長機Ｓ−
６０００〔（株）日立製作所製〕を用いて測定したとこ
ろ、第２のマスクの透過率１００％の部分上に相当する
ものは０．１μｍ、透過率８０％の部分に相当するもの
は０．１５μｍ、透過率６５％部分に相当するものは０
．２μｍであることがわかった。このレジストパターン
６１上にゲート電極形成用金属を被着させた後、リフト
オフすれば０．１μｍ，０．１５μｍ，０．２μｍのゲ
ート長を持ったゲート電極が得られる。 〔パターニング実験その２〕第１の露光時の露光量を５
０ｍＪ／ｃｍ２ から１５０ｍＪ／ｃｍ２ までの範囲
の複数の値とし、第２の露光時の露光量は、１２０ｍＪ
／ｃｍ２ と一定にし、パターニング実験１と同様な手
順でパターニング実験を行う。
用い１１０°で１分間ベーキングする。その後、この試
料をＬＭＲ−ＵＶ現像液〔富士薬品工業（株）製〕を用
い、３０秒間スプレー現像する。現像後に得られるレジ
ストパターンは、図５のようなものである。図５におい
て、６１はレジストパターン、６３はレジスト残存部、
６５はレジストが現像液により溶解され、シリコン基板
が露出している部分である。このレジストパターン６１
のゲート長を与える部分の寸法Ｌを、ＳＥＭ測長機Ｓ−
６０００〔（株）日立製作所製〕を用いて測定したとこ
ろ、第２のマスクの透過率１００％の部分上に相当する
ものは０．１μｍ、透過率８０％の部分に相当するもの
は０．１５μｍ、透過率６５％部分に相当するものは０
．２μｍであることがわかった。このレジストパターン
６１上にゲート電極形成用金属を被着させた後、リフト
オフすれば０．１μｍ，０．１５μｍ，０．２μｍのゲ
ート長を持ったゲート電極が得られる。 〔パターニング実験その２〕第１の露光時の露光量を５
０ｍＪ／ｃｍ２ から１５０ｍＪ／ｃｍ２ までの範囲
の複数の値とし、第２の露光時の露光量は、１２０ｍＪ
／ｃｍ２ と一定にし、パターニング実験１と同様な手
順でパターニング実験を行う。
【００２１】次に、この試料の上の調光用遮光パターン
のないパターンによる第１の露光量を違えた各レジスト
パターンのゲート長の与える部分の寸法Ｌを、上記ＳＥ
Ｍ測長機Ｓ−６０００を用いそれぞれ測定する。第１の
露光量に対する寸法Ｌの変化の様子を、図６に示すよう
に、横軸に第１の露光の露光量（ｍＪ／ｃｍ２ ）をと
り、縦軸に測定したレジストパターンのゲート長を与え
る部分の寸法Ｌ（μｍ）をとって示した。露光量を変化
させることにより、レジストパターンの寸法を制御でき
ることがわかる。これと同様に調光用遮光パターンによ
り露光量を調節することで、同じ露光量で寸法をコント
ロールできることがわかる。 〔調光用遮光パターン〕いろいろな、透過率を得るため
の調光用遮光パターンとして、図７のような例を挙げる
ことができる。ここで、ａは解像限界以下のピッチ、ｂ
は遮光パターンのｘ方向の寸法、ｃは遮光パターンのｙ
方向の寸法である。即ち、ｂ×ｃ（但し、ｂ，ｃともａ
以下である）の調光用遮光パターンを解像限界以下のピ
ッチａでｘ，ｙ両方向に配列する。
のないパターンによる第１の露光量を違えた各レジスト
パターンのゲート長の与える部分の寸法Ｌを、上記ＳＥ
Ｍ測長機Ｓ−６０００を用いそれぞれ測定する。第１の
露光量に対する寸法Ｌの変化の様子を、図６に示すよう
に、横軸に第１の露光の露光量（ｍＪ／ｃｍ２ ）をと
り、縦軸に測定したレジストパターンのゲート長を与え
る部分の寸法Ｌ（μｍ）をとって示した。露光量を変化
させることにより、レジストパターンの寸法を制御でき
ることがわかる。これと同様に調光用遮光パターンによ
り露光量を調節することで、同じ露光量で寸法をコント
ロールできることがわかる。 〔調光用遮光パターン〕いろいろな、透過率を得るため
の調光用遮光パターンとして、図７のような例を挙げる
ことができる。ここで、ａは解像限界以下のピッチ、ｂ
は遮光パターンのｘ方向の寸法、ｃは遮光パターンのｙ
方向の寸法である。即ち、ｂ×ｃ（但し、ｂ，ｃともａ
以下である）の調光用遮光パターンを解像限界以下のピ
ッチａでｘ，ｙ両方向に配列する。
【００２２】このように構成すると、この部分での全体
の透過率は、ｂ×ｃ／ａ２ となる。遮光パターンは必
ずしも矩形でなくてもよい。ここで、解像限界以下のピ
ッチａは露光光学系の開口数をＮＡ、波長をλとして、
ａ＜０．５・λ／ＮＡとするのがよい。次に、本発明の
他の実施例を示すレジストパターン形成方法について説
明する。
の透過率は、ｂ×ｃ／ａ２ となる。遮光パターンは必
ずしも矩形でなくてもよい。ここで、解像限界以下のピ
ッチａは露光光学系の開口数をＮＡ、波長をλとして、
ａ＜０．５・λ／ＮＡとするのがよい。次に、本発明の
他の実施例を示すレジストパターン形成方法について説
明する。
【００２３】図１０は本発明の他の実施例を示す第１の
ホトマスクを概略的に示した平面図、図１１は本発明の
他の実施例を示す第２のホトマスクを概略的に示した平
面図である。まず、第１のホトマスク７１はそのパター
ン領域に調光膜７３を設け、それにゲート電極の配線部
に相当する部分に遮光部７５を具える。更に、この第１
のホトマスク７１は、遮光部７５と調光膜７３の両領域
にわたり設けられた位相シフト法用の位相シフタ７７を
具える。後に説明するが、位相シフタ７７のエッジ部の
一部７７ａがゲート電極のゲート長を与える部分形成用
のマスクとして機能する。
ホトマスクを概略的に示した平面図、図１１は本発明の
他の実施例を示す第２のホトマスクを概略的に示した平
面図である。まず、第１のホトマスク７１はそのパター
ン領域に調光膜７３を設け、それにゲート電極の配線部
に相当する部分に遮光部７５を具える。更に、この第１
のホトマスク７１は、遮光部７５と調光膜７３の両領域
にわたり設けられた位相シフト法用の位相シフタ７７を
具える。後に説明するが、位相シフタ７７のエッジ部の
一部７７ａがゲート電極のゲート長を与える部分形成用
のマスクとして機能する。
【００２４】ここで、この実施例の透過率を持った調光
膜７３は、膜厚３０Å以下の非常に薄いクロムで形成さ
れている。例えば、膜厚２０Åの薄いクロムで８０％、
膜厚３０Åの薄いクロムで６５％の透過率である。また
、遮光部７５は、８００Å厚のクロムで形成し、位相シ
フタ７７は電子線レジストＯＥＢＲ−１００〔東京応化
工業（株）製〕で形成している。位相シフタ７７の膜厚
は、３１０μｍとしてある。この位相シフタを透過する
ことによりパターニングで用いたｉ線の光は、位相が１
８０°ずれる。
膜７３は、膜厚３０Å以下の非常に薄いクロムで形成さ
れている。例えば、膜厚２０Åの薄いクロムで８０％、
膜厚３０Åの薄いクロムで６５％の透過率である。また
、遮光部７５は、８００Å厚のクロムで形成し、位相シ
フタ７７は電子線レジストＯＥＢＲ−１００〔東京応化
工業（株）製〕で形成している。位相シフタ７７の膜厚
は、３１０μｍとしてある。この位相シフタを透過する
ことによりパターニングで用いたｉ線の光は、位相が１
８０°ずれる。
【００２５】一方、第２のホトマスク８１は、第１のホ
トマスク７１の遮光部７５に対応する領域８３ａと、第
１のホトマスク７１に設けた位相シフタ７７のエッジ部
分７７ａに対応する領域（但し、このエッジ部分７７ａ
をゲート長方向において充分含むような幅の領域）８３
ｂとの上に遮光部８３を具え、それ以外は光透過部８２
となっている。 〔パターニング実験その１〕スピンコート法により、直
径３インチのシリコン基板上に、ネガ型レジストとして
この実施例の場合、ＬＭＲ−ＵＶ〔富士薬品工業（株）
製〕を１μｍ厚で塗布する。
トマスク７１の遮光部７５に対応する領域８３ａと、第
１のホトマスク７１に設けた位相シフタ７７のエッジ部
分７７ａに対応する領域（但し、このエッジ部分７７ａ
をゲート長方向において充分含むような幅の領域）８３
ｂとの上に遮光部８３を具え、それ以外は光透過部８２
となっている。 〔パターニング実験その１〕スピンコート法により、直
径３インチのシリコン基板上に、ネガ型レジストとして
この実施例の場合、ＬＭＲ−ＵＶ〔富士薬品工業（株）
製〕を１μｍ厚で塗布する。
【００２６】次に、レジスト塗布済みのこのシリコン基
板をホットプレートを用い７０°Ｃで１分間ベークする
。次に、この試料をｉ線投影露光装置ＲＡ１０１ＵＬＩ
Ｉ〔（株）日立製作所製〕にセットし、図１０に示す第
１のホトマスク７１を介し、１５０ｍＪ／ｃｍ２ の露
光量で第１の露光をする。この第１の露光によりレジス
トに形成される潜像は、図１２のようなものとなる。
板をホットプレートを用い７０°Ｃで１分間ベークする
。次に、この試料をｉ線投影露光装置ＲＡ１０１ＵＬＩ
Ｉ〔（株）日立製作所製〕にセットし、図１０に示す第
１のホトマスク７１を介し、１５０ｍＪ／ｃｍ２ の露
光量で第１の露光をする。この第１の露光によりレジス
トに形成される潜像は、図１２のようなものとなる。
【００２７】図１２におけるレジスト９１の図１０の第
１のホトマスク７１の遮光部７５に対応する領域９３と
、位相シフタ７７のエッジ部の一部７７ａに対応する領
域９４とが未露光部になり、それ以外の領域は露光部９
５となる。また、この時、透過率１００％の領域上のパ
ターンでは、レジストは、実質的に１５０ｍＪ／ｃｍ２
の露光を受けるが、透過率８０％部分に対応する領域
では１２０ｍＪ／ｃｍ２ ，６５％の領域上のパターン
では９７．５ｍＪ／ｃｍ２ の露光を受ける。
１のホトマスク７１の遮光部７５に対応する領域９３と
、位相シフタ７７のエッジ部の一部７７ａに対応する領
域９４とが未露光部になり、それ以外の領域は露光部９
５となる。また、この時、透過率１００％の領域上のパ
ターンでは、レジストは、実質的に１５０ｍＪ／ｃｍ２
の露光を受けるが、透過率８０％部分に対応する領域
では１２０ｍＪ／ｃｍ２ ，６５％の領域上のパターン
では９７．５ｍＪ／ｃｍ２ の露光を受ける。
【００２８】次に、投影露光装置のホトマスクを図１０
に示す第１のホトマスク７１から図１１に示す第２のホ
トマスク８１に代え、第１の露光済み試料に対し第２の
ホトマスク８１を介し、１２０ｍＪ／ｃｍ２ の露光量
で第２の露光を行う。この第２のホトマスク８１には、
遮光部７５に対応する領域８３ａと、位相シフタ７７の
エッジ部の一部７７ａに対応する領域８３ｂからなる遮
光部８３が形成されている。
に示す第１のホトマスク７１から図１１に示す第２のホ
トマスク８１に代え、第１の露光済み試料に対し第２の
ホトマスク８１を介し、１２０ｍＪ／ｃｍ２ の露光量
で第２の露光を行う。この第２のホトマスク８１には、
遮光部７５に対応する領域８３ａと、位相シフタ７７の
エッジ部の一部７７ａに対応する領域８３ｂからなる遮
光部８３が形成されている。
【００２９】この第２のホトマスク８１を用いた第２の
露光により、レジスト９１に形成される潜像は、図１３
のようなものである。即ち、図１３におけるレジスト９
１の図１０のホトマスク７１の遮光部７５に対応する領
域と、位相シフタ７７のエッジ部の一部７７ａに対応す
る領域が未露光部９３ａ（第２の露光部の未露光部）に
なり、それ以外の領域は全て露光部９５となる。
露光により、レジスト９１に形成される潜像は、図１３
のようなものである。即ち、図１３におけるレジスト９
１の図１０のホトマスク７１の遮光部７５に対応する領
域と、位相シフタ７７のエッジ部の一部７７ａに対応す
る領域が未露光部９３ａ（第２の露光部の未露光部）に
なり、それ以外の領域は全て露光部９５となる。
【００３０】第２の露光済みの試料をホットプレートを
用い１１０°で１分間ベーキングする。その後、この試
料をＬＭＲ−ＵＶ現像液〔富士薬品工業（株）製〕を用
い、３０秒間スプレー現像する。現像後に得られるレジ
ストパターンは、図１４のようなものである。図１４に
おいて、１０１はレジストパターン、１０３はレジスト
残存部、１０５はレジストが現像液により溶解され、シ
リコン基板が露出している部分である。このレジストパ
ターン１０１のゲート長を与える部分の寸法ＬをＳＥＭ
測長機Ｓ−６０００〔（株）日立製作所製〕を用いて測
定したところ、第１のマスクの透過率１００％の部分上
に相当するものは０．１μｍ、透過率８０％の部分に相
当するものは０．１５μｍ、透過率６５％部分に相当す
るものは０．２μｍであることがわかった。このレジス
トパターン１０１上にゲート電極形成用金属を被着させ
た後、リフトオフすれば０．１μｍ，０．１５μｍ，０
．２μｍのゲート長を持ったゲート電極が得られる。 〔パターニング実験その２〕第１の露光時の露光量を５
０ｍＪ／ｃｍ２ から１５０ｍＪ／ｃｍ２ までの範囲
の複数の値とし、第２の露光時の露光量は、１２０ｍＪ
／ｃｍ２ と一定にしパターニング実験１と同様な手順
でパターニング実験を行う。
用い１１０°で１分間ベーキングする。その後、この試
料をＬＭＲ−ＵＶ現像液〔富士薬品工業（株）製〕を用
い、３０秒間スプレー現像する。現像後に得られるレジ
ストパターンは、図１４のようなものである。図１４に
おいて、１０１はレジストパターン、１０３はレジスト
残存部、１０５はレジストが現像液により溶解され、シ
リコン基板が露出している部分である。このレジストパ
ターン１０１のゲート長を与える部分の寸法ＬをＳＥＭ
測長機Ｓ−６０００〔（株）日立製作所製〕を用いて測
定したところ、第１のマスクの透過率１００％の部分上
に相当するものは０．１μｍ、透過率８０％の部分に相
当するものは０．１５μｍ、透過率６５％部分に相当す
るものは０．２μｍであることがわかった。このレジス
トパターン１０１上にゲート電極形成用金属を被着させ
た後、リフトオフすれば０．１μｍ，０．１５μｍ，０
．２μｍのゲート長を持ったゲート電極が得られる。 〔パターニング実験その２〕第１の露光時の露光量を５
０ｍＪ／ｃｍ２ から１５０ｍＪ／ｃｍ２ までの範囲
の複数の値とし、第２の露光時の露光量は、１２０ｍＪ
／ｃｍ２ と一定にしパターニング実験１と同様な手順
でパターニング実験を行う。
【００３１】次に、この試料の上の第１の露光量を違え
た各レジストパターンのゲート長の与える部分の寸法Ｌ
をＳＥＭ測長機Ｓ−６０００を用いそれぞれ測定する。 第１の露光の露光量（ｍＪ／ｃｍ２ ）に対する寸法Ｌ
（μｍ）の変化の様子を図１５に、横軸に第１の露光の
露光量をとり、縦軸に測定したレジストパターンのゲー
ト長を与える部分の寸法Ｌをとって示した。露光量を変
化させることにより、レジストパターンの寸法を制御で
きること、第１のマスクの薄いクロムの膜厚をコントロ
ール、つまり、透過率をコントロールすることによりパ
ターン寸法を制御できることがわかる。 〔比較例 １〕Ｃｒパターンだけで構成される一枚の
マスクでのパターニング実験を行った。このマスクパタ
ーンに図１４でＬの幅がウエハ上で０．１〜１．０まで
、０．１μｍきざみで水準を設けたものである。これを
先と同様のレジストステッパを用いて露光量を２０ｍＪ
／ｃｍ２ から５００ｍＪ／ｃｍ２ まで変化させてパ
ターニング実験した。ＳＥＭ測長機Ｓ−６０００により
観察したところ図１４におけるＬの幅に相当するところ
で一番細かったのは０．３μｍであった。これは０．４
μｍと０．３μｍのマスクでそれぞれ３００ｍＪ／ｃｍ
２ ，２４０ｍＪ／ｃｍ２ の時に得られたが、それよ
り露光量を上げた時には、パターンが解像しなくなり０
．３μｍより細いパターンは得られなかった。
た各レジストパターンのゲート長の与える部分の寸法Ｌ
をＳＥＭ測長機Ｓ−６０００を用いそれぞれ測定する。 第１の露光の露光量（ｍＪ／ｃｍ２ ）に対する寸法Ｌ
（μｍ）の変化の様子を図１５に、横軸に第１の露光の
露光量をとり、縦軸に測定したレジストパターンのゲー
ト長を与える部分の寸法Ｌをとって示した。露光量を変
化させることにより、レジストパターンの寸法を制御で
きること、第１のマスクの薄いクロムの膜厚をコントロ
ール、つまり、透過率をコントロールすることによりパ
ターン寸法を制御できることがわかる。 〔比較例 １〕Ｃｒパターンだけで構成される一枚の
マスクでのパターニング実験を行った。このマスクパタ
ーンに図１４でＬの幅がウエハ上で０．１〜１．０まで
、０．１μｍきざみで水準を設けたものである。これを
先と同様のレジストステッパを用いて露光量を２０ｍＪ
／ｃｍ２ から５００ｍＪ／ｃｍ２ まで変化させてパ
ターニング実験した。ＳＥＭ測長機Ｓ−６０００により
観察したところ図１４におけるＬの幅に相当するところ
で一番細かったのは０．３μｍであった。これは０．４
μｍと０．３μｍのマスクでそれぞれ３００ｍＪ／ｃｍ
２ ，２４０ｍＪ／ｃｍ２ の時に得られたが、それよ
り露光量を上げた時には、パターンが解像しなくなり０
．３μｍより細いパターンは得られなかった。
【００３２】なお、上記実施例においては、調光膜はク
ロムの膜厚を代えることにより、光の透過率を変える例
について説明したが、調光膜自体を取り換えるようにし
てもよい。例えば、クロムの調光膜に代えて、酸化タン
タルの調光膜を用いるようにしてもよい。また、この発
明において、ホトマスクとはレチクルをも含む。
ロムの膜厚を代えることにより、光の透過率を変える例
について説明したが、調光膜自体を取り換えるようにし
てもよい。例えば、クロムの調光膜に代えて、酸化タン
タルの調光膜を用いるようにしてもよい。また、この発
明において、ホトマスクとはレチクルをも含む。
【００３３】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００３４】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、ホトマスクの光の透過する領域に位相シフタの
エッジがある場合、このエッジ部分に対向するウエハ上
には露光光の強度が非常に弱い領域、つまり擬似未露光
部が生じることを積極的に利用して、レジストに微細な
未露光部を形成し、これによりレジストパターンを形成
することができる。
よれば、ホトマスクの光の透過する領域に位相シフタの
エッジがある場合、このエッジ部分に対向するウエハ上
には露光光の強度が非常に弱い領域、つまり擬似未露光
部が生じることを積極的に利用して、レジストに微細な
未露光部を形成し、これによりレジストパターンを形成
することができる。
【００３５】このため、０．２μｍ以下の微細なスペー
スパターンやラインパターンを容易に形成することがで
きる。然も、このレジストパターンの線幅はマスク上に
形成した調光用遮光パターンをコントロールすることに
より容易に制御することができる。また、露光量を増減
することによって、このレジストパターンの線幅をコン
トロールすることも可能である。
スパターンやラインパターンを容易に形成することがで
きる。然も、このレジストパターンの線幅はマスク上に
形成した調光用遮光パターンをコントロールすることに
より容易に制御することができる。また、露光量を増減
することによって、このレジストパターンの線幅をコン
トロールすることも可能である。
【００３６】更に、レジストパターンの線幅はマスク上
に形成した調光膜の透過率を制御することにより容易に
制御できる。また、レジストパターンの線幅は露光量を
増減することによってコントロールすることが可能であ
る。従って、微細なレジストパターン形成が可能であり
、かつフォーカスマージンの広いレジストパターン形成
方法を提供することができる。
に形成した調光膜の透過率を制御することにより容易に
制御できる。また、レジストパターンの線幅は露光量を
増減することによってコントロールすることが可能であ
る。従って、微細なレジストパターン形成が可能であり
、かつフォーカスマージンの広いレジストパターン形成
方法を提供することができる。
【図１】本発明の実施例を示す第１のホトマスクを概略
的に示した平面図である。
的に示した平面図である。
【図２】本発明の実施例を示す第２のホトマスクを概略
的に示した平面図である。
的に示した平面図である。
【図３】本発明の実施例を示す第１露光後レジストに形
成される潜像を示す図である。
成される潜像を示す図である。
【図４】本発明の実施例を示す第２露光後レジストに形
成される潜像を示す図である。
成される潜像を示す図である。
【図５】本発明の実施例を示す第１及び第２露光後得ら
れたレジストパターンを示す平面図である。
れたレジストパターンを示す平面図である。
【図６】本発明の実施例を示す第１露光の露光量（ｍＪ
／ｃｍ２ ）に対するレジストパターンのゲート長を与
える部分の寸法Ｌ（μｍ）の特性図である。
／ｃｍ２ ）に対するレジストパターンのゲート長を与
える部分の寸法Ｌ（μｍ）の特性図である。
【図７】本発明の実施例を示す調光用遮光パターンの一
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
【図８】従来のホトマスクの一部断面図である。
【図９】従来の他のホトマスクの一部平面図である。
【図１０】本発明の他の実施例を示す第１のホトマスク
を概略的に示した平面図である。
を概略的に示した平面図である。
【図１１】本発明の他の実施例を示す第２のホトマスク
を概略的に示した平面図である。
を概略的に示した平面図である。
【図１２】本発明の他の実施例を示す第１露光後レジス
トに形成される潜像を示す図である。
トに形成される潜像を示す図である。
【図１３】本発明の他の実施例を示す第２露光後レジス
トに形成される潜像を示す図である。
トに形成される潜像を示す図である。
【図１４】本発明の他の実施例を示す第１及び第２露光
後得られたレジストパターンを示す平面図である。
後得られたレジストパターンを示す平面図である。
【図１５】本発明の他の実施例を示す第１露光の露光量
（ｍＪ／ｃｍ２ ）に対するレジストパターンのゲート
長を与える部分の寸法Ｌ（μｍ）の特性図である。
（ｍＪ／ｃｍ２ ）に対するレジストパターンのゲート
長を与える部分の寸法Ｌ（μｍ）の特性図である。
３１，７１ 第１のホトマスク
３９ 調光用遮光パターン
３３，４３，７５，８３ 遮光部３５，４２，８
２ 光透過部 ３７，７７ 位相シフタ ３７ａ，７７ａ 位相シフタのエッジ部の一部（
エッジ部分） ４１，８１ 第２のホトマスク ４３ａ，４３ｂ，８３ａ，８３ｂ 領域５１，９
１ レジスト ５３，５３ａ，９３ａ 未露光部５４ 擬
似未露光部 ５５，９５ 露光部 ６１，１０１ レジストパターン６３，１０３
レジスト残存部 ６５，１０５ シリコン基板が露出している部分
７３ 調光膜
２ 光透過部 ３７，７７ 位相シフタ ３７ａ，７７ａ 位相シフタのエッジ部の一部（
エッジ部分） ４１，８１ 第２のホトマスク ４３ａ，４３ｂ，８３ａ，８３ｂ 領域５１，９
１ レジスト ５３，５３ａ，９３ａ 未露光部５４ 擬
似未露光部 ５５，９５ 露光部 ６１，１０１ レジストパターン６３，１０３
レジスト残存部 ６５，１０５ シリコン基板が露出している部分
７３ 調光膜
Claims (8)
- 【請求項１】 投影露光法によりレジストパターンを
形成するにあたり、解像限界以下の微細なピッチで並べ
られた調光用遮光パターン、電極形成用遮光パターン及
び位相シフタを有する位相シフトパターンを具備するホ
トマスクを介してレジストを露光することを特徴とする
レジストパターン形成方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のレジストパターン形成
方法において、位相シフタのエッジラインを利用し、微
細なパターンを形成するレジストパターン形成方法。 - 【請求項３】 請求項１記載のレジストパターン形成
方法において、転写されるパターンの寸法を調光用遮光
パターンに基づいてコントロールすることを特徴とする
レジストパターン形成方法。 - 【請求項４】 請求項１記載のレジストパターン形成
方法において、マスクを二度用いエッジラインを交差さ
せるようにパターニングし、ホールあるいはピラーパタ
ーンを形成するレジストパターン形成方法。 - 【請求項５】 投影露光法によりレジストパターンを
形成するにあたり、位相シフタのエッジの一部、又は全
部が光の透過率をコントロールする調光膜上に位置する
ように形成されているホトマスクを介してレジストを露
光することを特徴とするレジストパターン形成方法。 - 【請求項６】 請求項５記載のレジストパターン形成
方法において、位相シフタのエッジラインを利用し、微
細なパターンを形成するレジストパターン形成方法。 - 【請求項７】 請求項５記載のレジストパターン形成
方法において、転写されるパターンの寸法を調光膜の透
過率によってコントロールすることを特徴とするレジス
トパターン形成方法。 - 【請求項８】 請求項５記載のレジストパターン形成
方法において、マスクを二度用いエッジラインを交差さ
せるようにパターニングし、ホールあるいはピラーパタ
ーンを形成するレジストパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3028998A JPH04268556A (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | レジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3028998A JPH04268556A (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | レジストパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04268556A true JPH04268556A (ja) | 1992-09-24 |
Family
ID=12264081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3028998A Withdrawn JPH04268556A (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | レジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04268556A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07146545A (ja) * | 1993-06-12 | 1995-06-06 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | エネルギー節約型フォトマスク |
| JPH07219206A (ja) * | 1993-11-15 | 1995-08-18 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | フォトマスク |
| KR100305399B1 (ko) * | 1994-12-31 | 2001-11-22 | 박종섭 | 중첩오차측정마크마스크및중첩오차측정마크형성방법 |
| US7172838B2 (en) | 2002-09-27 | 2007-02-06 | Wilhelm Maurer | Chromeless phase mask layout generation |
-
1991
- 1991-02-25 JP JP3028998A patent/JPH04268556A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07146545A (ja) * | 1993-06-12 | 1995-06-06 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | エネルギー節約型フォトマスク |
| DE4420409B4 (de) * | 1993-06-12 | 2005-06-09 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd., Ichon | Photomaske mit Mustern zur Verringerung der erforderlichen Lichtleistung eines Steppers |
| JPH07219206A (ja) * | 1993-11-15 | 1995-08-18 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | フォトマスク |
| KR100305399B1 (ko) * | 1994-12-31 | 2001-11-22 | 박종섭 | 중첩오차측정마크마스크및중첩오차측정마크형성방법 |
| US7172838B2 (en) | 2002-09-27 | 2007-02-06 | Wilhelm Maurer | Chromeless phase mask layout generation |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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