JPH0426844A - 異物検査方法 - Google Patents
異物検査方法Info
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- JPH0426844A JPH0426844A JP2132035A JP13203590A JPH0426844A JP H0426844 A JPH0426844 A JP H0426844A JP 2132035 A JP2132035 A JP 2132035A JP 13203590 A JP13203590 A JP 13203590A JP H0426844 A JPH0426844 A JP H0426844A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 43
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 24
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 abstract description 5
- 238000004040 coloring Methods 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005018 casein Substances 0.000 description 1
- BECPQYXYKAMYBN-UHFFFAOYSA-N casein, tech. Chemical compound NCCCCC(C(O)=O)N=C(O)C(CC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CC(C)C)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(CC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(C(C)O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(COP(O)(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(N)CC1=CC=CC=C1 BECPQYXYKAMYBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021240 caseins Nutrition 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N dichromate(2-) Chemical compound [O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、シャドウマスク、リードフレーム、螢光表示
管用電極などの製造に適用されているフォトファブリケ
ーシッン分野のレジストコーテイング後の基材に対して
、その表面に付着したごみや表面の傷等の欠陥(以下異
物と総称する)を検出する異物検査方法に関する。
管用電極などの製造に適用されているフォトファブリケ
ーシッン分野のレジストコーテイング後の基材に対して
、その表面に付着したごみや表面の傷等の欠陥(以下異
物と総称する)を検出する異物検査方法に関する。
シャドウマスク、リードフレーム、螢光表示管用電極な
どの製造に適用されているフォトフアプリケション工程
には、金属基板に対する前処理及び脱脂工程、レジスト
コーティング工程、製版工程、エツチング、剥離及び洗
浄工程等があり、これらの各工程は自動化(インライン
化)されているが、各工程のモニター及び外観検査など
の自動化は行われておらず9目視による外観検査に頬っ
ている。しかしながら、これらの自動化に対してのニー
ズは大きいものがある。特にレジストコーテイング後の
基材に対する外観検査の自動化の要望には根強いものが
ある。これは、レジストコーティングにおいて欠陥が発
生すると良品率に対する影響が大きいからである。
どの製造に適用されているフォトフアプリケション工程
には、金属基板に対する前処理及び脱脂工程、レジスト
コーティング工程、製版工程、エツチング、剥離及び洗
浄工程等があり、これらの各工程は自動化(インライン
化)されているが、各工程のモニター及び外観検査など
の自動化は行われておらず9目視による外観検査に頬っ
ている。しかしながら、これらの自動化に対してのニー
ズは大きいものがある。特にレジストコーテイング後の
基材に対する外観検査の自動化の要望には根強いものが
ある。これは、レジストコーティングにおいて欠陥が発
生すると良品率に対する影響が大きいからである。
しかしながら、現在のところ、レジストコーテイング後
の基材の異物を自動的に検出可能な異物検査装置として
実用運用できる装置は開発されていない、これは、フォ
トファブリケーンヨンに用いる材料表面の特性によって
、異物検出が困難なためである。
の基材の異物を自動的に検出可能な異物検査装置として
実用運用できる装置は開発されていない、これは、フォ
トファブリケーンヨンに用いる材料表面の特性によって
、異物検出が困難なためである。
一般に平面上に付着した異物の検出には、被検査面に対
してレーザ光等の検出光を照射し、異物による散乱光を
検出する方法が知られている(例えば、特開昭60−6
7845号公報参照)、従って、レジストコーテイング
後の基材表面の異物検出にもこの技術を適用することが
考えられる。すなわち、第6図に示すように、金属基板
1a表面にレジストコーティング層1bを形成してなる
基材1に対して、光源を備えた投光系(図示せず)によ
って検出光2を照射し、基材lの表面に存在する異物3
による散乱光4を、レンズ5及び検出器6からなる受光
系で検出するように構成し。
してレーザ光等の検出光を照射し、異物による散乱光を
検出する方法が知られている(例えば、特開昭60−6
7845号公報参照)、従って、レジストコーテイング
後の基材表面の異物検出にもこの技術を適用することが
考えられる。すなわち、第6図に示すように、金属基板
1a表面にレジストコーティング層1bを形成してなる
基材1に対して、光源を備えた投光系(図示せず)によ
って検出光2を照射し、基材lの表面に存在する異物3
による散乱光4を、レンズ5及び検出器6からなる受光
系で検出するように構成し。
かつこれらの投光系、受光系に対して基材lを相対的に
移動させることにより、基材1表面の異物検出が可能で
あると考えられる。ところが、実際に第6図に示す構成
で異物検出を行ったところ、検出器6の検出信号は第7
図に示すように大きく変動しており、基材1の位置Aに
存在する異物3の検出が極めて困難であった。
移動させることにより、基材1表面の異物検出が可能で
あると考えられる。ところが、実際に第6図に示す構成
で異物検出を行ったところ、検出器6の検出信号は第7
図に示すように大きく変動しており、基材1の位置Aに
存在する異物3の検出が極めて困難であった。
この理由は次の通りである。すなわち、フォトファプリ
ケージテンに用いる金属基板1aは多くの場合。
ケージテンに用いる金属基板1aは多くの場合。
金属材料を圧延したものであり1表面にかなり大きいあ
らさ(ガラス基板やシリコン基板に比較して)がある、
その金属基板1aに対してレジストをコーティングする
と、レジストコーティング層1bの表面は平坦となる。
らさ(ガラス基板やシリコン基板に比較して)がある、
その金属基板1aに対してレジストをコーティングする
と、レジストコーティング層1bの表面は平坦となる。
しかしながら、フォトファプリケージテンに用いられる
レジストは9通常カゼイン、PVAなどの水溶性コロイ
ドに重クロム酸塩を添加したものが用いられており、こ
れらのレジストはほぼ透明で、異物検出のために照射さ
れた光に対しても透明である。このため、基材表面の異
物を検出すぺ(検出光2を照射すると、その検出光2が
レジストコーティング層1bを透過して金属基板1aの
表面に達し、その表面の凹凸によって乱反射し、その散
乱光7が検出器6に入射する。従って、第7図に示すよ
うに、検出器6の出力信号は金属基板1aの表面粗さに
よる散乱光量に応じて大きく変動し、換言すればノイズ
が大きくなっており。
レジストは9通常カゼイン、PVAなどの水溶性コロイ
ドに重クロム酸塩を添加したものが用いられており、こ
れらのレジストはほぼ透明で、異物検出のために照射さ
れた光に対しても透明である。このため、基材表面の異
物を検出すぺ(検出光2を照射すると、その検出光2が
レジストコーティング層1bを透過して金属基板1aの
表面に達し、その表面の凹凸によって乱反射し、その散
乱光7が検出器6に入射する。従って、第7図に示すよ
うに、検出器6の出力信号は金属基板1aの表面粗さに
よる散乱光量に応じて大きく変動し、換言すればノイズ
が大きくなっており。
異物による散乱光を認識できなくなっていた。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、金属基
板の表面あらさによるノイズを抑えて異物を検出するこ
との可能な異物検査方法を提供することを目的とする。
板の表面あらさによるノイズを抑えて異物を検出するこ
との可能な異物検査方法を提供することを目的とする。
かかる問題点を解決すべくなされた本発明は1表面にレ
ジストコーティング層を有する基材に対して検出光を照
射し、その表面からの散乱光の光量を測定して異物を検
出する異物検査方法であって、前記レジストコーティン
グ層を着色しておき、そのレジストコーティング層によ
って吸収される波長の光を検出光として用いることを特
徴とする異物検査方法を要旨とする。
ジストコーティング層を有する基材に対して検出光を照
射し、その表面からの散乱光の光量を測定して異物を検
出する異物検査方法であって、前記レジストコーティン
グ層を着色しておき、そのレジストコーティング層によ
って吸収される波長の光を検出光として用いることを特
徴とする異物検査方法を要旨とする。
以下1本発明を、第1図を参照して更に詳細に説明する
。検査すべき基材11は金属基板11a上にレジストコ
ーティング層11bを存しているが1本発明では、この
レジストコーティング層11bとして、適当な色に着色
したものを用いる。この基材11に対して。
。検査すべき基材11は金属基板11a上にレジストコ
ーティング層11bを存しているが1本発明では、この
レジストコーティング層11bとして、適当な色に着色
したものを用いる。この基材11に対して。
投光系(図示せず)によって検出光12を照射し、基材
11の表面に存在する異物13による散乱光14をレン
ズ15及び検出器16を備えた受光系で検出する。
11の表面に存在する異物13による散乱光14をレン
ズ15及び検出器16を備えた受光系で検出する。
すなわち、散乱光14をレンズ15で検出器16上に集
光し、検出器16は受光光量を測定し、測定値があらか
しめ設定した値以上となると異物があると判断する。
光し、検出器16は受光光量を測定し、測定値があらか
しめ設定した値以上となると異物があると判断する。
この際2本発明では検出光12として9着色したレジス
トコーティング層11bによって吸収される波長の光を
用いる。このような波長の検出光は光源自体を選定する
ことにより形成してもよいし、或いは適当なフィルタを
光源と基材11との間に介在させることにより形成して
もよい、なお、検出光12はレジストコーティング層1
1bを感光させることのない波長領域に選定することは
言うまでもない。
トコーティング層11bによって吸収される波長の光を
用いる。このような波長の検出光は光源自体を選定する
ことにより形成してもよいし、或いは適当なフィルタを
光源と基材11との間に介在させることにより形成して
もよい、なお、検出光12はレジストコーティング層1
1bを感光させることのない波長領域に選定することは
言うまでもない。
レジストコーティング層11bに着色する色と、検出光
の色との組み合わせとしては、第1表に示すようなもの
が使用できる。しかし2本発明はこの組み合わせの例に
限定されるものではない。
の色との組み合わせとしては、第1表に示すようなもの
が使用できる。しかし2本発明はこの組み合わせの例に
限定されるものではない。
第1表
〔作用〕
異物検出に当っては
基材11と。
投光系及び受光
系からなる検出装置を相対的に移動させ、検出光12で
基材11を照射し、その散乱光14を検出器16で検出
する。この際、基材11のレジストコーティング層11
bをそれに吸収される色の検出光12で照射すると、そ
の検出光12はレジストコーティング層11bで吸収さ
れる。このため、レジストコーティング層11bの下の
金属基板11aの表面があらく、凹凸があってもその凹
凸による散乱光がほとんど発生しない。
基材11を照射し、その散乱光14を検出器16で検出
する。この際、基材11のレジストコーティング層11
bをそれに吸収される色の検出光12で照射すると、そ
の検出光12はレジストコーティング層11bで吸収さ
れる。このため、レジストコーティング層11bの下の
金属基板11aの表面があらく、凹凸があってもその凹
凸による散乱光がほとんど発生しない。
また、レジストコーテイング層11b表面は平滑である
のでこの面での散乱光もほとんど生じない、かくして、
レジストコーティング層11bの表面に異物が無い場合
には検出器16に入射する散乱光量が少なく。
のでこの面での散乱光もほとんど生じない、かくして、
レジストコーティング層11bの表面に異物が無い場合
には検出器16に入射する散乱光量が少なく。
金属基板11aやレジストコーティング層11bの表面
あらさによるノイズがほとんど存在しなくなる。そして
、基材11表面に異物13が存在すると、その異物が検
出光12で照射さることにより散乱光を発生するので、
第2図に示すように、検出器16による検出信号は異物
の存在する部分(A位置)で大きく突出することとなり
、異物を確実に検出することができる。
あらさによるノイズがほとんど存在しなくなる。そして
、基材11表面に異物13が存在すると、その異物が検
出光12で照射さることにより散乱光を発生するので、
第2図に示すように、検出器16による検出信号は異物
の存在する部分(A位置)で大きく突出することとなり
、異物を確実に検出することができる。
以下1本発明方法を適用してレジストコーテイング後の
シャドウマスク用基材表面の異物検出を行う装置の1例
を説明する。第3図はその異物検出装置を概略的に示す
側面図、第4図はその概略平面図であり、受光系の図示
は省略している。第5図はその受光系の概略正面図であ
る。第3図〜第5図において、31は検査されるべき基
材であり1巻取31Aの形態でセットされ、その巻取3
1Aから繰り出されるようになっている。この基材31
には、赤色に着色されたレジストコーティング層が形成
されている。32は、基材31をその長平方向に搬送す
る搬送ローラである。33は検出光34を基材31上に
直線X−Xに沿って細い帯状に照射する投光系であり、
白色光を照射するハロゲンランプ等の光源35と、光源
35からの検出光を基材31上に細い帯状に集光させる
レンズ36と、光源35からの光を緑色の光(波長50
0〜600nm程度)にするフィルタ37等からなって
いる。38は。
シャドウマスク用基材表面の異物検出を行う装置の1例
を説明する。第3図はその異物検出装置を概略的に示す
側面図、第4図はその概略平面図であり、受光系の図示
は省略している。第5図はその受光系の概略正面図であ
る。第3図〜第5図において、31は検査されるべき基
材であり1巻取31Aの形態でセットされ、その巻取3
1Aから繰り出されるようになっている。この基材31
には、赤色に着色されたレジストコーティング層が形成
されている。32は、基材31をその長平方向に搬送す
る搬送ローラである。33は検出光34を基材31上に
直線X−Xに沿って細い帯状に照射する投光系であり、
白色光を照射するハロゲンランプ等の光源35と、光源
35からの検出光を基材31上に細い帯状に集光させる
レンズ36と、光源35からの光を緑色の光(波長50
0〜600nm程度)にするフィルタ37等からなって
いる。38は。
検出光34で照射された基材11表面からの散乱光39
を受光する受光系であり、結像レンズ40と検出器即ち
リニアイメージセンサ41等からなる。
を受光する受光系であり、結像レンズ40と検出器即ち
リニアイメージセンサ41等からなる。
上記構成の異物検出装置において、基材31が矢印B方
向に走行しており、その際に投光系33が基材31を直
線X−Xに沿って細い帯状に緑色の検出光で照射し、受
光系38がその直線X−X上の散乱光を監視する。この
際、緑色の検出光34は基材11表面の赤色のレジスト
コーティング層で吸収されるため、レジストコーティン
グ層の下の金属基板表面のあらさによる散乱光の発生は
なく、受光系38にはノイズがあまり生していない、そ
して、基材11の表面に異物があるとその異物による散
乱光が受光系38に入射するので、受光系38のリニア
イメージセンサ41による検出信号が増加し、これによ
り異物が検出される。かくして、基材31の全面に対し
て連続的に異物検査を行うことができる。
向に走行しており、その際に投光系33が基材31を直
線X−Xに沿って細い帯状に緑色の検出光で照射し、受
光系38がその直線X−X上の散乱光を監視する。この
際、緑色の検出光34は基材11表面の赤色のレジスト
コーティング層で吸収されるため、レジストコーティン
グ層の下の金属基板表面のあらさによる散乱光の発生は
なく、受光系38にはノイズがあまり生していない、そ
して、基材11の表面に異物があるとその異物による散
乱光が受光系38に入射するので、受光系38のリニア
イメージセンサ41による検出信号が増加し、これによ
り異物が検出される。かくして、基材31の全面に対し
て連続的に異物検査を行うことができる。
なお、上記実施例では、レジストコーティング層を赤色
に着色し、検出光を緑色としたが、これらの色の組み合
わせは種々変更可能である。また、上記実施例では光源
35としてハロゲンランプを用い、基材31を帯状に常
時照射する構成としているが1 これに代えて、レーザ
ビームを直線X−Xに沿って走査させる構成としてもよ
い。
に着色し、検出光を緑色としたが、これらの色の組み合
わせは種々変更可能である。また、上記実施例では光源
35としてハロゲンランプを用い、基材31を帯状に常
時照射する構成としているが1 これに代えて、レーザ
ビームを直線X−Xに沿って走査させる構成としてもよ
い。
以上の説明から明らかなように9本発明は、レジストコ
ーティング層を着色し、そのレジストコーティング層で
吸収される検出光を用いて基材表面を照射する構成とす
ることにより1 レジストコーティング層の下の金属基
板表面の凹凸による散乱光の発生を防止することができ
、レジストコーティング層表面の異物を確実に検出する
ことができ、フォトファブリケーション分野のレジスト
コーテイング後の基材の異物検出の自動化を可能とする
という効果を有している。
ーティング層を着色し、そのレジストコーティング層で
吸収される検出光を用いて基材表面を照射する構成とす
ることにより1 レジストコーティング層の下の金属基
板表面の凹凸による散乱光の発生を防止することができ
、レジストコーティング層表面の異物を確実に検出する
ことができ、フォトファブリケーション分野のレジスト
コーテイング後の基材の異物検出の自動化を可能とする
という効果を有している。
第1図は本発明方法により異物を検出する状態を説明す
る概略側面図、第2図は第1図の検出器による検出信号
レベルを示すグラフ、第3図は本発明方法の実施に使用
する異物検出装置を概略的に示す側面図、第4図はその
概略平面図であり、受光系を省略している。 第5図は第3図の装置の受光系を示す概略正面図、第6
図は従来技術を適用して基材の異物検査を行う状態を示
す概略側面図、第7図は第6図の受光系による検出信号
レベルを示すグラフである。 11−基材、1la−金属基板、11b−レジスコーテ
ィング層、12−検出光、13−異物、14散乱光、1
5−結像レンズ、16−・・検出器。 ト 代理人 弁理士 乗 松 恭 三 第1 図 11・−基材 第2図 r−ムーー、 へ・・n(へ−)二\′にミ
る概略側面図、第2図は第1図の検出器による検出信号
レベルを示すグラフ、第3図は本発明方法の実施に使用
する異物検出装置を概略的に示す側面図、第4図はその
概略平面図であり、受光系を省略している。 第5図は第3図の装置の受光系を示す概略正面図、第6
図は従来技術を適用して基材の異物検査を行う状態を示
す概略側面図、第7図は第6図の受光系による検出信号
レベルを示すグラフである。 11−基材、1la−金属基板、11b−レジスコーテ
ィング層、12−検出光、13−異物、14散乱光、1
5−結像レンズ、16−・・検出器。 ト 代理人 弁理士 乗 松 恭 三 第1 図 11・−基材 第2図 r−ムーー、 へ・・n(へ−)二\′にミ
Claims (1)
- 表面にレジストコーティング層を有する基材に対して
検出光を照射し、その表面からの散乱光の光量を測定し
て異物を検出する異物検査方法であって、前記レジスト
コーティング層を着色しておき、そのレジストコーティ
ング層によって吸収される波長の光を検出光として用い
ることを特徴とする異物検査方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2132035A JPH0426844A (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 異物検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2132035A JPH0426844A (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 異物検査方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0426844A true JPH0426844A (ja) | 1992-01-30 |
Family
ID=15071981
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2132035A Pending JPH0426844A (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 異物検査方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0426844A (ja) |
Cited By (4)
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-
1990
- 1990-05-22 JP JP2132035A patent/JPH0426844A/ja active Pending
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