JPH04267544A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH04267544A JPH04267544A JP3050814A JP5081491A JPH04267544A JP H04267544 A JPH04267544 A JP H04267544A JP 3050814 A JP3050814 A JP 3050814A JP 5081491 A JP5081491 A JP 5081491A JP H04267544 A JPH04267544 A JP H04267544A
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Classifications
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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-
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［発明の目的］
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばＰＧＡ（Ｐｉｎ
Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ ｐａｃｋａｇｅ）タイプなど
の半導体装置に関する。
Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ ｐａｃｋａｇｅ）タイプなど
の半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】周知の通り、集積回路の高密度化、大規
模化等に伴い半導体装置には、その基板に熱伝導率や電
気特性などの優れたセラミック基板が用いられるように
なってきている。そしてセラミック基板の表面には、外
部回路に接続するための金属製のリードピンやリードワ
イヤあるいは冷却用のピンフィン等がろう接されて用い
られている。
模化等に伴い半導体装置には、その基板に熱伝導率や電
気特性などの優れたセラミック基板が用いられるように
なってきている。そしてセラミック基板の表面には、外
部回路に接続するための金属製のリードピンやリードワ
イヤあるいは冷却用のピンフィン等がろう接されて用い
られている。
【０００３】このようなセラミック基板を用いた半導体
装置の１つとして、ＰＧＡタイプの半導体装置について
図面を参照して説明する。図６は断面図であり、図７は
要部断面図である。図において、１は内部配線が設けら
れた多層のセラミック基板で、これは、例えば窒化アル
ミニウム（ＡｌＮ）によって形成されている。２は基板
１の下面側の凹部３に配着された半導体素子であり、半
導体素子２の電極部と基板１の内部配線の端子とは、ボ
ンディングワイヤ４によって接続されている。そして基
板１の下面には、半導体素子２を内包するようにして凹
部３を閉塞するキャップ５が、周囲にシールリング６を
設けて固着されている。
装置の１つとして、ＰＧＡタイプの半導体装置について
図面を参照して説明する。図６は断面図であり、図７は
要部断面図である。図において、１は内部配線が設けら
れた多層のセラミック基板で、これは、例えば窒化アル
ミニウム（ＡｌＮ）によって形成されている。２は基板
１の下面側の凹部３に配着された半導体素子であり、半
導体素子２の電極部と基板１の内部配線の端子とは、ボ
ンディングワイヤ４によって接続されている。そして基
板１の下面には、半導体素子２を内包するようにして凹
部３を閉塞するキャップ５が、周囲にシールリング６を
設けて固着されている。
【０００４】また、７は基板１の上面にスパッタリング
などによって形成された金属膜の接続部で、これは内部
配線のバイアホールに接続されている。そして接続部７
には、方端部の大径の頭部８をろう材９を用いてろう接
した軸体のリードピン１０が植設されている。なお、リ
ードピン１０は金属材料でなり、その表面にはろう材に
対する濡れ性を増すために、ろう材との親和性に富む金
属によるメッキが施されている。
などによって形成された金属膜の接続部で、これは内部
配線のバイアホールに接続されている。そして接続部７
には、方端部の大径の頭部８をろう材９を用いてろう接
した軸体のリードピン１０が植設されている。なお、リ
ードピン１０は金属材料でなり、その表面にはろう材に
対する濡れ性を増すために、ろう材との親和性に富む金
属によるメッキが施されている。
【０００５】しかしながら上記の従来技術においては、
基板１にリードピン１０を植設するにあたり、頭部８を
接続部７にろう接するが、ろう接では溶融したろう材９
がリードピン１０の表面状況等によって決まる状態にま
で、拘束を受けずに流動して固化する。この時、リード
ピン１０の表面にはメッキが施されており、これによっ
てろう材はろう接部分からより遠い位置にまで流動して
固化し、接続部７の面に対するろう材の濡れ角は大きな
ものとなっている。
基板１にリードピン１０を植設するにあたり、頭部８を
接続部７にろう接するが、ろう接では溶融したろう材９
がリードピン１０の表面状況等によって決まる状態にま
で、拘束を受けずに流動して固化する。この時、リード
ピン１０の表面にはメッキが施されており、これによっ
てろう材はろう接部分からより遠い位置にまで流動して
固化し、接続部７の面に対するろう材の濡れ角は大きな
ものとなっている。
【０００６】また、リードピン１０の基板１への植設は
、金属膜の接続部７を介しているものの、基板のセラミ
ックスと軸体の金属とは物理的特性等が異なっているた
め、容易なことではなかった。特にセラミックスと金属
とは熱膨張係数が大きく異なっており、ろう接を行うこ
とによる温度変化、すなわち室温から約 ８００℃の温
度の範囲で加熱、冷却されることにより、熱膨張係数の
差に依存した熱応力がろう接した部分の基板１に加わり
、植設したリードピン１０が接続部７にろう接されたま
ま基板１から脱落してしまったり、またろう接した部分
の近傍の基板１にクラックが発生したりした。さらに、
基板１にクラックが発生することによってリードピン１
０の基板１への固着強度が低下し、経時的に電気的な接
続不良あるいは不接触を生じ、半導体装置の信頼性を低
下させる虞があった。
、金属膜の接続部７を介しているものの、基板のセラミ
ックスと軸体の金属とは物理的特性等が異なっているた
め、容易なことではなかった。特にセラミックスと金属
とは熱膨張係数が大きく異なっており、ろう接を行うこ
とによる温度変化、すなわち室温から約 ８００℃の温
度の範囲で加熱、冷却されることにより、熱膨張係数の
差に依存した熱応力がろう接した部分の基板１に加わり
、植設したリードピン１０が接続部７にろう接されたま
ま基板１から脱落してしまったり、またろう接した部分
の近傍の基板１にクラックが発生したりした。さらに、
基板１にクラックが発生することによってリードピン１
０の基板１への固着強度が低下し、経時的に電気的な接
続不良あるいは不接触を生じ、半導体装置の信頼性を低
下させる虞があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記のようなセラミッ
クスと金属とのろう接部分に、熱膨張係数の差による熱
応力に起因した問題が発生するという状況に鑑みて本発
明はなされたもので、その目的とするところは基板に加
わる熱応力を低減して基板上に固着した軸体の脱落や割
れ等の問題を解消し、信頼性を向上させた半導体装置を
提供することにある。
クスと金属とのろう接部分に、熱膨張係数の差による熱
応力に起因した問題が発生するという状況に鑑みて本発
明はなされたもので、その目的とするところは基板に加
わる熱応力を低減して基板上に固着した軸体の脱落や割
れ等の問題を解消し、信頼性を向上させた半導体装置を
提供することにある。
【０００８】［発明の構成］
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
半導体素子を配着したセラミック基板と、このセラミッ
ク基板の面上に形成された金属膜の接続部と、この接続
部の上面に端部をろう接して固着した軸体とを有してな
るものにおいて、軸体の端部には、接続部の面に対する
ろう材の濡れ角の減少手段が備えられていることを特徴
とするものである。
半導体素子を配着したセラミック基板と、このセラミッ
ク基板の面上に形成された金属膜の接続部と、この接続
部の上面に端部をろう接して固着した軸体とを有してな
るものにおいて、軸体の端部には、接続部の面に対する
ろう材の濡れ角の減少手段が備えられていることを特徴
とするものである。
【００１０】
【作用】上記のように構成された半導体装置は、セラミ
ック基板の上にろう接する軸体端部に、ろう接面に対す
るろう材の濡れ角の減少手段を備えるようにしている。 そして、ろう材の濡れ角が減少することによって、接合
後の温度変化に伴ってろう接部分に加わる残留熱応力も
減少することから、軸体端部をろう接した部分の基板に
加わる熱応力が低減でき、基板上に固着した軸体の脱落
、基板の割れ等が発生せず、信頼性を向上させることが
できる。
ック基板の上にろう接する軸体端部に、ろう接面に対す
るろう材の濡れ角の減少手段を備えるようにしている。 そして、ろう材の濡れ角が減少することによって、接合
後の温度変化に伴ってろう接部分に加わる残留熱応力も
減少することから、軸体端部をろう接した部分の基板に
加わる熱応力が低減でき、基板上に固着した軸体の脱落
、基板の割れ等が発生せず、信頼性を向上させることが
できる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。尚、本発明は、発明者等の実験によって得られた
知見に基いてなされており、この知見によれば、ろう接
によってセラミック基板上にピン等の軸体を、基板面に
形成された金属薄膜を介して固着した場合、セラミック
基板に加わる残留熱応力はセラミック基板面、すなわち
金属薄膜面に対するろう材の濡れ角によって変化し、ろ
う材の濡れ角を減少させることで、接合後の温度変化に
伴ってろう接部分のセラミック基板に加わる残留熱応力
は小さくなる。
する。尚、本発明は、発明者等の実験によって得られた
知見に基いてなされており、この知見によれば、ろう接
によってセラミック基板上にピン等の軸体を、基板面に
形成された金属薄膜を介して固着した場合、セラミック
基板に加わる残留熱応力はセラミック基板面、すなわち
金属薄膜面に対するろう材の濡れ角によって変化し、ろ
う材の濡れ角を減少させることで、接合後の温度変化に
伴ってろう接部分のセラミック基板に加わる残留熱応力
は小さくなる。
【００１２】先ず、第１の実施例を図１により説明する
。図１は要部断面図であり、図において、１１は内部配
線が設けられた多層のセラミック基板で、これは前記し
た従来の技術における基板１に相当し、例えば窒化アル
ミニウム（ＡｌＮ）によって形成され、その下面側に形
成された凹部にはボンディングワイヤ等によって所定の
配線を行った半導体素子が配着され、この凹部はキャッ
プにより閉塞されている。また１２は基板１１の上面に
、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）の順
にスパッタリングによって薄膜を複層に形成し、さらに
Ａｕメッキを行って形成された金属薄膜の接続部で、こ
の接続部１２は内部配線のバイアホールに接続されてい
る。
。図１は要部断面図であり、図において、１１は内部配
線が設けられた多層のセラミック基板で、これは前記し
た従来の技術における基板１に相当し、例えば窒化アル
ミニウム（ＡｌＮ）によって形成され、その下面側に形
成された凹部にはボンディングワイヤ等によって所定の
配線を行った半導体素子が配着され、この凹部はキャッ
プにより閉塞されている。また１２は基板１１の上面に
、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）の順
にスパッタリングによって薄膜を複層に形成し、さらに
Ａｕメッキを行って形成された金属薄膜の接続部で、こ
の接続部１２は内部配線のバイアホールに接続されてい
る。
【００１３】１３はニッケル（Ｎｉ）・鉄（Ｆｅ）合金
によって形成された軸体のリードピンであり、このリー
ドピン１３は丸棒状の軸部１４と、片方側の端部に頭部
１５とを有し、その表面には、例えばＡｕメッキあるい
はＮｉメッキが施されている。また頭部１５は接続部１
２よりも小さく、軸部１４よりも大径であって、軸方向
断面形状が略円弧状の外周面を有していて、頭部１５の
軸方向の中間部には、断面形状が角形の周溝１６が形成
され、これによって溝１６の両周縁に鍔状部１７ａ ，
１７ｂ が形成されている。
によって形成された軸体のリードピンであり、このリー
ドピン１３は丸棒状の軸部１４と、片方側の端部に頭部
１５とを有し、その表面には、例えばＡｕメッキあるい
はＮｉメッキが施されている。また頭部１５は接続部１
２よりも小さく、軸部１４よりも大径であって、軸方向
断面形状が略円弧状の外周面を有していて、頭部１５の
軸方向の中間部には、断面形状が角形の周溝１６が形成
され、これによって溝１６の両周縁に鍔状部１７ａ ，
１７ｂ が形成されている。
【００１４】そして接続部１２にはリードピン１３が、
接続部１２の上面にリードピン１３の頭部１５の端面を
対向させるようにし、ろう材に銀ろう１８を用いたろう
接によって植設されている。なお、接続部１２の面と頭
部１５の端面との間、及び接続部１２の外周縁と頭部１
５の端面側の鍔状部１７ａ との間に形成される空間に
は、ろう接時に溶融した銀ろう１８が表面張力によって
流動して充填される。１９は、この時の接続部１２の面
に対する銀ろう１８の濡れ角である。ろう接時の銀ろう
１８の量がさらに多い場合には、銀ろう１８は頭部１５
の溝１６内を満たすように流動する。
接続部１２の上面にリードピン１３の頭部１５の端面を
対向させるようにし、ろう材に銀ろう１８を用いたろう
接によって植設されている。なお、接続部１２の面と頭
部１５の端面との間、及び接続部１２の外周縁と頭部１
５の端面側の鍔状部１７ａ との間に形成される空間に
は、ろう接時に溶融した銀ろう１８が表面張力によって
流動して充填される。１９は、この時の接続部１２の面
に対する銀ろう１８の濡れ角である。ろう接時の銀ろう
１８の量がさらに多い場合には、銀ろう１８は頭部１５
の溝１６内を満たすように流動する。
【００１５】このように構成した本実施例によれば、リ
ードピン１３の端部に設けられた頭部１５にろう材の濡
れ角の減少手段としての溝１６が形成されており、この
溝１６によりろう接時の鍔状部１７ａ 周囲の空間に充
填される銀ろう１８のリードピン１３での位置は、鍔状
部１７ａ の周縁の位置となる。また、接続部１２の上
面に対する濡れ角１９が頭部１５の鍔状部１７ａ の厚
さによってほぼ決められることとなり、銀ろう１８が溝
１６を満たし終わるまでは一定のものとなる。なおこの
時の濡れ角１９は、濡れ角の減少手段としての溝１６を
有しているため、前記の従来の技術に示されたものより
も小さな値となる。
ードピン１３の端部に設けられた頭部１５にろう材の濡
れ角の減少手段としての溝１６が形成されており、この
溝１６によりろう接時の鍔状部１７ａ 周囲の空間に充
填される銀ろう１８のリードピン１３での位置は、鍔状
部１７ａ の周縁の位置となる。また、接続部１２の上
面に対する濡れ角１９が頭部１５の鍔状部１７ａ の厚
さによってほぼ決められることとなり、銀ろう１８が溝
１６を満たし終わるまでは一定のものとなる。なおこの
時の濡れ角１９は、濡れ角の減少手段としての溝１６を
有しているため、前記の従来の技術に示されたものより
も小さな値となる。
【００１６】そして、ろう接部分での銀ろう１８の濡れ
角１９が小さな値に維持できるため、基板１１に加わる
熱応力は小さく、接続部１２近傍の基板１１にはクラッ
クが発生せず、また接続部１２にろう接されたリードピ
ン１３の脱落はない。またろう接の銀ろう１８の量が、
接続部１２の面と頭部１５の端面との間、及び接続部１
２の外周縁と鍔状部１７ａ の周縁との間にそれぞれ形
成される空間を満たしている量から、溝１６内を満たす
量まで変動しても、濡れ角１９はほぼ一定の小さな値を
維持でき、この銀ろう１８の量の変化に対しても基板１
１の小さな熱応力は変化せず、接続部１２近傍の基板１
１にはクラックが発生せず、また接続部１２にろう接さ
れたリードピン１３の脱落はない。このように本実施例
は、銀ろう１８の量の製造上のばらつきを溝１６によっ
て吸収することができる他に、銀ろう１８を溝１６内に
満たすことでリードピン１３の曲げ剛性を高くすること
ができる。そして経時的に電気的な接続不良あるいは不
接触を発生させることもなく、半導体装置の高い信頼性
を維持することができる。
角１９が小さな値に維持できるため、基板１１に加わる
熱応力は小さく、接続部１２近傍の基板１１にはクラッ
クが発生せず、また接続部１２にろう接されたリードピ
ン１３の脱落はない。またろう接の銀ろう１８の量が、
接続部１２の面と頭部１５の端面との間、及び接続部１
２の外周縁と鍔状部１７ａ の周縁との間にそれぞれ形
成される空間を満たしている量から、溝１６内を満たす
量まで変動しても、濡れ角１９はほぼ一定の小さな値を
維持でき、この銀ろう１８の量の変化に対しても基板１
１の小さな熱応力は変化せず、接続部１２近傍の基板１
１にはクラックが発生せず、また接続部１２にろう接さ
れたリードピン１３の脱落はない。このように本実施例
は、銀ろう１８の量の製造上のばらつきを溝１６によっ
て吸収することができる他に、銀ろう１８を溝１６内に
満たすことでリードピン１３の曲げ剛性を高くすること
ができる。そして経時的に電気的な接続不良あるいは不
接触を発生させることもなく、半導体装置の高い信頼性
を維持することができる。
【００１７】次に、第２の実施例を図２により説明する
。図２は要部断面図であり、図において、２１はＮｉ・
Ｆｅ合金によって形成された軸体のリードピンであり、
このリードピン２１には軸部２２と、片方側の端部に接
続部１２よりも小さく軸部２２よりも大径の２つの鍔状
部２３ａ ，２３ｂ を軸方向に離間して形成する頭部
２４とが設けられている。なお２つの鍔状部２３ａ ，
２３ｂ は厚さが異なり、薄い方の鍔状部２３ａ を最
外端側に位置させ、これで端面を構成し、両鍔状部２３
ａ ，２３ｂ の間には、断面形状が円弧状の周溝２５
が形成されている。そしてリードピン２１は、接続部１
２の上面に頭部２４の端面を対向させるようにして、ろ
う材に銀ろう２６を用いたろう接によって、前記第１の
実施例と同様に植設されている。なお、２７は接続部１
２の面に対する銀ろう２６の濡れ角である。
。図２は要部断面図であり、図において、２１はＮｉ・
Ｆｅ合金によって形成された軸体のリードピンであり、
このリードピン２１には軸部２２と、片方側の端部に接
続部１２よりも小さく軸部２２よりも大径の２つの鍔状
部２３ａ ，２３ｂ を軸方向に離間して形成する頭部
２４とが設けられている。なお２つの鍔状部２３ａ ，
２３ｂ は厚さが異なり、薄い方の鍔状部２３ａ を最
外端側に位置させ、これで端面を構成し、両鍔状部２３
ａ ，２３ｂ の間には、断面形状が円弧状の周溝２５
が形成されている。そしてリードピン２１は、接続部１
２の上面に頭部２４の端面を対向させるようにして、ろ
う材に銀ろう２６を用いたろう接によって、前記第１の
実施例と同様に植設されている。なお、２７は接続部１
２の面に対する銀ろう２６の濡れ角である。
【００１８】そして、上記のように構成された本実施例
においても、頭部２４にろう材の濡れ角の減少手段とし
ての鍔状部２３ａ 及び溝２５が形成されており、第１
の実施例と同様な作用、効果が得られる。なお、鍔状部
２３ａ の厚さを薄くしているために銀ろう２６の濡れ
角２７を小さくすることができ、基板１１に加わる熱応
力は小さくするうえで有効である。
においても、頭部２４にろう材の濡れ角の減少手段とし
ての鍔状部２３ａ 及び溝２５が形成されており、第１
の実施例と同様な作用、効果が得られる。なお、鍔状部
２３ａ の厚さを薄くしているために銀ろう２６の濡れ
角２７を小さくすることができ、基板１１に加わる熱応
力は小さくするうえで有効である。
【００１９】次に、第３の実施例を図３により説明する
。図３は要部断面図であり、図において、２８はＮｉ・
Ｆｅ合金によって形成された軸体のリードピンであり、
このリードピン２８は丸棒状の軸部２９と、片方側の端
部に頭部３０とを有している。また頭部３０は接続部１
２よりも小さく軸部２９よりも大径であって、軸方向断
面形状が円弧状の外周面を有する厚肉の円板であり、厚
さ方向の中間部の所定位置から端面にかけて、Ｎｉメッ
キが施された外面３１を備えている。
。図３は要部断面図であり、図において、２８はＮｉ・
Ｆｅ合金によって形成された軸体のリードピンであり、
このリードピン２８は丸棒状の軸部２９と、片方側の端
部に頭部３０とを有している。また頭部３０は接続部１
２よりも小さく軸部２９よりも大径であって、軸方向断
面形状が円弧状の外周面を有する厚肉の円板であり、厚
さ方向の中間部の所定位置から端面にかけて、Ｎｉメッ
キが施された外面３１を備えている。
【００２０】そしてリードピン２８は、接続部１２の上
面に頭部３０の端面を対向させるようにして、ろう材に
銀ろう３２を用いたろう接によって植設されている。な
お、接続部１２の面と頭部３０の端面との間、及び接続
部１２の外周縁と頭部３０のメッキが施された外面３１
との間に形成される空間には、ろう接時に溶融した銀ろ
う３２が流れて充填される。３３は接続部１２の面に対
する銀ろう３２の濡れ角である。
面に頭部３０の端面を対向させるようにして、ろう材に
銀ろう３２を用いたろう接によって植設されている。な
お、接続部１２の面と頭部３０の端面との間、及び接続
部１２の外周縁と頭部３０のメッキが施された外面３１
との間に形成される空間には、ろう接時に溶融した銀ろ
う３２が流れて充填される。３３は接続部１２の面に対
する銀ろう３２の濡れ角である。
【００２１】上記の構成のものにおいては、端部に設け
られた頭部３０に、所定の位置まで部分的にろう材との
親和性に富む、例えば銀ろう３２に対してＮｉメッキを
施した外面３１が形成されており、ろう接にあたり、メ
ッキを施した外面３１とその他のメッキを施さない面と
の銀ろう３２に対する濡れ性の差から、銀ろう３２が流
れる位置は外面３１の周縁までの範囲に、先ず定まる。 そして、ろう接後の銀ろう３２は、接続部１２の上面に
対する濡れ角３３が頭部３０のメッキ位置によって決め
られるようになっている。以上のように濡れ角３３は、
濡れ角の減少手段として部分的にメッキを施した外面３
１を設けているため、前記の従来の技術に示されたもの
よりも小さな値となっている。
られた頭部３０に、所定の位置まで部分的にろう材との
親和性に富む、例えば銀ろう３２に対してＮｉメッキを
施した外面３１が形成されており、ろう接にあたり、メ
ッキを施した外面３１とその他のメッキを施さない面と
の銀ろう３２に対する濡れ性の差から、銀ろう３２が流
れる位置は外面３１の周縁までの範囲に、先ず定まる。 そして、ろう接後の銀ろう３２は、接続部１２の上面に
対する濡れ角３３が頭部３０のメッキ位置によって決め
られるようになっている。以上のように濡れ角３３は、
濡れ角の減少手段として部分的にメッキを施した外面３
１を設けているため、前記の従来の技術に示されたもの
よりも小さな値となっている。
【００２２】このように本実施例おいても、ろう接部分
での銀ろう３２の濡れ角３３が小さな値に維持できるた
め、基板１１に加わる熱応力は小さく、接続部１２近傍
の基板１１にはクラックが発生せず、また接続部１２に
ろう接されたリードピン２８の脱落はない。そして経時
的に電気的な接続不良あるいは不接触を発生させること
もなく、半導体装置の高い信頼性を維持することができ
る。
での銀ろう３２の濡れ角３３が小さな値に維持できるた
め、基板１１に加わる熱応力は小さく、接続部１２近傍
の基板１１にはクラックが発生せず、また接続部１２に
ろう接されたリードピン２８の脱落はない。そして経時
的に電気的な接続不良あるいは不接触を発生させること
もなく、半導体装置の高い信頼性を維持することができ
る。
【００２３】次に、第４の実施例を図４により説明する
。図４は要部断面図であり、図において、３４はＮｉ・
Ｆｅ合金によって形成された軸体のリードピンであり、
このリードピン３４は丸棒状の軸部３５と、片方側の端
部に頭部３６とを有している。また頭部３６は接続部１
２よりも小さく軸部３５よりも大径の円錐台状を成すも
ので、円錐台の大径面を最外端面としており、円錐面の
中間部の所定位置から端面にかけて、Ｎｉメッキが施さ
れた外面３７を備えている。
。図４は要部断面図であり、図において、３４はＮｉ・
Ｆｅ合金によって形成された軸体のリードピンであり、
このリードピン３４は丸棒状の軸部３５と、片方側の端
部に頭部３６とを有している。また頭部３６は接続部１
２よりも小さく軸部３５よりも大径の円錐台状を成すも
ので、円錐台の大径面を最外端面としており、円錐面の
中間部の所定位置から端面にかけて、Ｎｉメッキが施さ
れた外面３７を備えている。
【００２４】そしてリードピン３４は、第３の実施例と
同様に、接続部１２の上面に頭部３６の端面を対向させ
るようにして、ろう材に銀ろう３８を用いたろう接によ
って植設されている。なお、接続部１２の面と頭部３６
の端面との間、及び接続部１２の外周縁と頭部３６のメ
ッキが施された外面３７との間に形成される空間には、
ろう接時に溶融した銀ろう３８が流れて充填される。３
９は接続部１２の面に対する銀ろう３８の濡れ角である
。
同様に、接続部１２の上面に頭部３６の端面を対向させ
るようにして、ろう材に銀ろう３８を用いたろう接によ
って植設されている。なお、接続部１２の面と頭部３６
の端面との間、及び接続部１２の外周縁と頭部３６のメ
ッキが施された外面３７との間に形成される空間には、
ろう接時に溶融した銀ろう３８が流れて充填される。３
９は接続部１２の面に対する銀ろう３８の濡れ角である
。
【００２５】上記のように構成された本実施例において
も、第３の実施例と同様な作用、効果が得られる。
も、第３の実施例と同様な作用、効果が得られる。
【００２６】さらに、第５の実施例を図５により説明す
る。図５は要部断面図であり、図において、４０はＮｉ
・Ｆｅ合金によって形成された軸体のリードピンであり
、このリードピン４０は丸棒状の軸部４１と、一方端に
頭部４２とを有し、頭部４２は接続部１２よりも小さく
軸部４１よりも大径の比較的薄い厚さの円板状に形成さ
れている。そして頭部４２から軸部４１の所定位置にか
け、Ｎｉメッキが施された外面４３を備えてリードピン
４０の端部を形成している。
る。図５は要部断面図であり、図において、４０はＮｉ
・Ｆｅ合金によって形成された軸体のリードピンであり
、このリードピン４０は丸棒状の軸部４１と、一方端に
頭部４２とを有し、頭部４２は接続部１２よりも小さく
軸部４１よりも大径の比較的薄い厚さの円板状に形成さ
れている。そして頭部４２から軸部４１の所定位置にか
け、Ｎｉメッキが施された外面４３を備えてリードピン
４０の端部を形成している。
【００２７】そしてリードピン４０は、第３の実施例と
同様に、接続部１２の上面に頭部４２の端面を対向させ
るようにして、ろう材に銀ろう４４を用いたろう接によ
って植設されている。なお、接続部１２の面と頭部４２
の端面との間、及び接続部１２の外周縁と頭部４２の周
縁の間、さらに頭部４２の周縁とメッキが施された軸部
４１の所定位置の間に形成される空間には、ろう接時に
溶融した銀ろう４４が流れて充填される。４５は接続部
１２の面に対する銀ろう４４の濡れ角である。
同様に、接続部１２の上面に頭部４２の端面を対向させ
るようにして、ろう材に銀ろう４４を用いたろう接によ
って植設されている。なお、接続部１２の面と頭部４２
の端面との間、及び接続部１２の外周縁と頭部４２の周
縁の間、さらに頭部４２の周縁とメッキが施された軸部
４１の所定位置の間に形成される空間には、ろう接時に
溶融した銀ろう４４が流れて充填される。４５は接続部
１２の面に対する銀ろう４４の濡れ角である。
【００２８】上記のように構成された本実施例において
も、第３の実施例と同様な作用、効果が得られる。また
頭部４２の周縁とメッキが施された軸部４１の所定位置
の間に形成される空間に銀ろう４４が充填されるため、
リードピン４０の端部における曲げ剛性を高くすること
ができる。
も、第３の実施例と同様な作用、効果が得られる。また
頭部４２の周縁とメッキが施された軸部４１の所定位置
の間に形成される空間に銀ろう４４が充填されるため、
リードピン４０の端部における曲げ剛性を高くすること
ができる。
【００２９】尚、本発明は上記の各実施例のみに限定さ
れるものではなく、軸体の材質や形状などや、端部の形
状及び溝の形状等、要旨を逸脱しない範囲内で適宜変更
して実施し得るものである。
れるものではなく、軸体の材質や形状などや、端部の形
状及び溝の形状等、要旨を逸脱しない範囲内で適宜変更
して実施し得るものである。
【００３０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
は、セラミック基板の上にろう接により固着する軸体の
端部に、ろう材の濡れ角の減少手段を備える構成とした
ことにより、基板に加わる熱応力が低減でき、基板上に
固着した軸体の脱落、基板の割れ等が発生せず、信頼性
を向上させることができる等の効果を奏する。
は、セラミック基板の上にろう接により固着する軸体の
端部に、ろう材の濡れ角の減少手段を備える構成とした
ことにより、基板に加わる熱応力が低減でき、基板上に
固着した軸体の脱落、基板の割れ等が発生せず、信頼性
を向上させることができる等の効果を奏する。
【図１】本発明の第１の実施例を示す要部断面図である
。
。
【図２】本発明の第２の実施例を示す要部断面図である
。
。
【図３】本発明の第３の実施例を示す要部断面図である
。
。
【図４】本発明の第４の実施例を示す要部断面図である
。
。
【図５】本発明の第５の実施例を示す要部断面図である
。
。
【図６】従来例を示す断面図である。
【図７】図６における要部断面図である。
１１ セラミック基板
１２ 接続部
１３ リードピン（軸体）
１５ 頭部（端部）
１６ 溝（濡れ角の減少手段）
１８ 銀ろう（ろう材）
１９ 濡れ角
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体素子を配着したセラミック基板
と、このセラミック基板の面上に形成された金属膜の接
続部と、この接続部の上面に端部をろう接して固着した
軸体とを有してなるものにおいて、前記軸体の端部には
、前記接続部の面に対するろう材の濡れ角の減少手段が
備えられていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3050814A JP3068224B2 (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3050814A JP3068224B2 (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04267544A true JPH04267544A (ja) | 1992-09-24 |
| JP3068224B2 JP3068224B2 (ja) | 2000-07-24 |
Family
ID=12869236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3050814A Expired - Fee Related JP3068224B2 (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3068224B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09223529A (ja) * | 1995-12-15 | 1997-08-26 | Ibiden Co Ltd | 電子部品搭載用基板及びその製造方法 |
| JP2001217342A (ja) * | 2000-02-03 | 2001-08-10 | Ngk Spark Plug Co Ltd | リードピン付き配線基板及びこれに用いるリードピン |
| JP2001217341A (ja) * | 2000-02-03 | 2001-08-10 | Ngk Spark Plug Co Ltd | リードピン付き配線基板 |
| US6583366B2 (en) | 2000-04-13 | 2003-06-24 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Substrate having pins |
| JP2004356583A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Ngk Spark Plug Co Ltd | ピン付樹脂製配線基板 |
| JP2006066404A (ja) * | 1995-12-15 | 2006-03-09 | Ibiden Co Ltd | 電子部品搭載用基板 |
| US7367099B2 (en) * | 2001-12-05 | 2008-05-06 | Commissariat A L'energie Atomique | Method for assembling two parts having accurate dimensions and use for brazing of a linac RFQ accelerator |
| JP2019060817A (ja) * | 2017-09-28 | 2019-04-18 | 日本特殊陶業株式会社 | 電子部品検査装置用配線基板 |
| JP2019140420A (ja) * | 2019-06-04 | 2019-08-22 | 京セラ株式会社 | 回路基板および電子装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101807236B1 (ko) * | 2016-12-07 | 2018-01-10 | 강동욱 | 손수레 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5043849U (ja) * | 1973-08-21 | 1975-05-02 | ||
| JPS6196754A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-15 | Nec Corp | ピン付き基板 |
| JPS6391986A (ja) * | 1986-10-06 | 1988-04-22 | 藤好 克聡 | 端子の製造方法および端子 |
| JPS63116379A (ja) * | 1986-10-28 | 1988-05-20 | インタ−ナショナル・ビジネス・マシ−ンズ・コ−ポレ−ション | コネクタ・ピン |
-
1991
- 1991-02-22 JP JP3050814A patent/JP3068224B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5043849U (ja) * | 1973-08-21 | 1975-05-02 | ||
| JPS6196754A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-15 | Nec Corp | ピン付き基板 |
| JPS6391986A (ja) * | 1986-10-06 | 1988-04-22 | 藤好 克聡 | 端子の製造方法および端子 |
| JPS63116379A (ja) * | 1986-10-28 | 1988-05-20 | インタ−ナショナル・ビジネス・マシ−ンズ・コ−ポレ−ション | コネクタ・ピン |
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| JPH09223529A (ja) * | 1995-12-15 | 1997-08-26 | Ibiden Co Ltd | 電子部品搭載用基板及びその製造方法 |
| JP2006066404A (ja) * | 1995-12-15 | 2006-03-09 | Ibiden Co Ltd | 電子部品搭載用基板 |
| JP2001217342A (ja) * | 2000-02-03 | 2001-08-10 | Ngk Spark Plug Co Ltd | リードピン付き配線基板及びこれに用いるリードピン |
| JP2001217341A (ja) * | 2000-02-03 | 2001-08-10 | Ngk Spark Plug Co Ltd | リードピン付き配線基板 |
| US6583366B2 (en) | 2000-04-13 | 2003-06-24 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Substrate having pins |
| US7367099B2 (en) * | 2001-12-05 | 2008-05-06 | Commissariat A L'energie Atomique | Method for assembling two parts having accurate dimensions and use for brazing of a linac RFQ accelerator |
| JP2004356583A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Ngk Spark Plug Co Ltd | ピン付樹脂製配線基板 |
| JP2019060817A (ja) * | 2017-09-28 | 2019-04-18 | 日本特殊陶業株式会社 | 電子部品検査装置用配線基板 |
| JP2019140420A (ja) * | 2019-06-04 | 2019-08-22 | 京セラ株式会社 | 回路基板および電子装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3068224B2 (ja) | 2000-07-24 |
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