JPH04259727A - 含浸型陰極 - Google Patents
含浸型陰極Info
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Landscapes
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
、電子管に用いられる高電流密度の含浸型陰極に関する
。
含浸型陰極は、タングステン(w)の耐熱性の多孔質性
の基体金属にバリウム−カルシウム−アルミネート化合
物の電子放射材を含浸させたものに、さらに、電子放射
特性向上のため、陰極表面に、オスミウム(Os),ル
テニウム(Ru)の一種、あるいは、これ等の合金薄膜
を被着させたもので、一般に、Mタイプと称されている
。この陰極表面に被着させる薄膜の厚さは、約5,00
0オングストロームとするのが一般的であった。
例えば、陰極の電流密度1A/平方センチメートル,動
作温度1100℃の条件で動作させた場合、初期の陰極
電流を100%とすると20,000時間で約3%低下
していた。
0%低下するまでの期間を陰極の寿命と称しており、こ
の寿命が長い程良い陰極とされる。
るオスミウム等の被膜を有しない含浸型陰極に比べ寿命
が長いという事でこれまで多くの電子管の陰極として使
用されて来ており、特に、長寿命を必要するものの代表
的なものとされている衛星搭載用の電子管に使用されて
いた。
電子管の傾向としては、これまで以上に陰極の電流密度
が高くなると共に、陰極の寿命もこれまでに比べより長
い10万時間以上というのが一般的となって来ている。
陰極の電流密度4A/平方センチメートル,動作温度1
100℃の場合、推定寿命10万時間以下となり、寿命
要求を満すのは困難であった。
ルテニウム(Ru)の1種又はこれ等の合金からなる被
着膜の膜厚を厚くする方法が考え出された。
にオスミウムを被着させた含浸型陰極における電子放射
低下が、陰極表面のタングステン濃度と関係しているこ
とを考慮したもので、従来の一般的な被着膜の厚さ5,
000オングストロームをより厚くさせることにより、
陰極表面のタングステン濃度の上昇を遅くさせるねらい
である。
のの被着膜が12,000オグストロームを越えると、
被着膜が基体金属のタングステン(w)から剥れやすく
なるという問題点があった。この被着膜が剥れると、そ
の部分の電子放射特性は急激に低下するという問題点が
ある。
寿命の含浸型陰極を提供することにある。
らなる多孔質性の基体に電子放射物質を含浸させたペレ
ットを有する含浸型陰極において、電子放射面となる前
記ペレットの表面にタンタル膜を形成し、さらに、該タ
ンタル膜上にオスミウムと、ルテニウムと、前記オスミ
ウムと前記ルテニウムのうちの少くともいずれか1種を
主体とする合金とのうちのいずれか1種の被膜を付着さ
せている。
て説明する。
8〜20%の多孔質のタングステン金属基体2と、空孔
3とから形成されており、空孔3の中にはバリウム,カ
ルシウム,アルミネートの電子放射物質が含浸されてい
る。
グステン濃度の上昇を押える為の拡散遮蔽膜として、タ
ンタル(Ta)膜4が膜厚約3,000オングストロー
ムスパッタによって形成されている。
する為の75%オスミウム−25%ルテニウム合金膜5
が膜厚約5,000オングストロームスパッタによって
形成されている。
リブデンの金属円筒6にろう接されており、この金属円
筒6の内部には加熱源のヒータ7がアルミナ8で埋設さ
れている。
値の経時変化を示す特性図である。
を2極管に組込み、陰極表面温度を通常使用温度より5
0℃高い1,150℃になるようにヒータを加熱させる
と共に、陰極の電流密度5A/平方センチメートルを取
り出す為の陽極電圧を印加し、陰極の電子放射特性の経
時変化を調査した。
センチメートルを100とした時の指数を示す。Aは従
来の含浸型陰極,Bは実施例の含浸型陰極である。
型陰極の特性Bは、従来の含浸型陰極の特性Aよりも優
れていることが判る。
することにより、高電流密度,長寿命の電子管、すなわ
ち、衛星搭載用として適した電子管を得ることができる
。
少なくとも500オングストローム以上有れば、従来の
含浸型陰極の経時特性よりは優れていることが、実施例
と同様な方法で確認できた。
によれば、電子放射面となるオスミウム−ルテニウム合
金膜とタングステン基体金属との中間に拡散遮蔽膜とし
てのタンタル膜を形成させる事により、オスミウム−ル
テニウム合金膜の電子放射面へのタングステンの拡散並
びにタンタルの拡散を少なくすることが出来る。
オスミウム−ルテニウム合金のそれぞれの濃度が安定す
ることにより高い電子放射特性を安定して得ることがで
きる効果がある。
化を示す特性図である。
属円筒 7 ヒータ 8 アルミナ
Claims (1)
- 【請求項1】 高融点金属からなる多孔質性の基体に
電子放射物質を含浸させたペレットを有する含浸型陰極
において、電子放射面となる前記ペレットの表面にタン
タル膜を形成し、さらに、該タンタル膜上にオスミウム
と、ルテニウムと、前記オスミウムと前記ルテニウムの
うちの少くともいずれか1種を主体とする合金とのうち
のいずれか1種の被膜を付着させたことを特徴とする含
浸型陰極。
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---|---|---|---|
JP1965191A JP3225523B2 (ja) | 1991-02-13 | 1991-02-13 | 含浸型陰極 |
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Publications (2)
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JPH04259727A true JPH04259727A (ja) | 1992-09-16 |
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Family
ID=12005151
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1965191A Expired - Fee Related JP3225523B2 (ja) | 1991-02-13 | 1991-02-13 | 含浸型陰極 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP3225523B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09500232A (ja) * | 1994-03-15 | 1997-01-07 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | ディスペンサ陰極およびディスペンサ陰極の製造方法 |
-
1991
- 1991-02-13 JP JP1965191A patent/JP3225523B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JPH09500232A (ja) * | 1994-03-15 | 1997-01-07 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | ディスペンサ陰極およびディスペンサ陰極の製造方法 |
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---|---|
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