JPH04247667A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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- JPH04247667A JPH04247667A JP3031429A JP3142991A JPH04247667A JP H04247667 A JPH04247667 A JP H04247667A JP 3031429 A JP3031429 A JP 3031429A JP 3142991 A JP3142991 A JP 3142991A JP H04247667 A JPH04247667 A JP H04247667A
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- Japan
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- pressure sensor
- semiconductor pressure
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 40
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
- G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
- G01L9/0054—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements integral with a semiconducting diaphragm
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
- G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
- G01L9/0055—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements bonded on a diaphragm
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Pressure Sensors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体圧力センサ、
特に、半導体圧力センサチップのパターン構造に関する
ものである。
特に、半導体圧力センサチップのパターン構造に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来の半導体圧力センサにおけ
る半導体圧力センサチップのパターン構造を示す断面図
である。図において、圧力センサチップ（１）上には、
ゲージ抵抗（２）がブリッジ状に形成されている。これ
らのゲージ抵抗（２）間は、不純物を拡散した抵抗層で
ある拡散部（３）により接続されている。拡散部（３）
内には、外部との電気的接続を行うためのコンタクト（
４）が設けられている。
る半導体圧力センサチップのパターン構造を示す断面図
である。図において、圧力センサチップ（１）上には、
ゲージ抵抗（２）がブリッジ状に形成されている。これ
らのゲージ抵抗（２）間は、不純物を拡散した抵抗層で
ある拡散部（３）により接続されている。拡散部（３）
内には、外部との電気的接続を行うためのコンタクト（
４）が設けられている。
【０００３】従来の半導体圧力センサは上述したように
構成され、圧力センサチップ（１）のパターンにおいて
、ゲージ抵抗（２）によってブリッジを形成させるため
、ゲージ抵抗（２）間を拡散部（３）により接続してい
る。この拡散部（３）は、簡単な形状であるが、各拡散
部（３）について、コンタクト（４）から拡散部（３）
を介して２つのゲージ抵抗（２）までの距離は同一では
ない（ｘ≠ｙ）。
構成され、圧力センサチップ（１）のパターンにおいて
、ゲージ抵抗（２）によってブリッジを形成させるため
、ゲージ抵抗（２）間を拡散部（３）により接続してい
る。この拡散部（３）は、簡単な形状であるが、各拡散
部（３）について、コンタクト（４）から拡散部（３）
を介して２つのゲージ抵抗（２）までの距離は同一では
ない（ｘ≠ｙ）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したような半導体
圧力センサでは、オフセット電圧の温度ドリフトが大き
くなり、測定誤差を生じて精度が低下するという問題点
があった。この発明は、このような問題点を解決するた
めになされたもので、オフセット電圧の温度ドリフトを
減少し、精度が高く歩留まりが向上した半導体圧力セン
サを得ることを目的とする。
圧力センサでは、オフセット電圧の温度ドリフトが大き
くなり、測定誤差を生じて精度が低下するという問題点
があった。この発明は、このような問題点を解決するた
めになされたもので、オフセット電圧の温度ドリフトを
減少し、精度が高く歩留まりが向上した半導体圧力セン
サを得ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体圧
力センサは、圧力センサチップのパターンにおいて、外
部との電気的接続する行うコンタクトを形成するための
第１拡散部を全て同一な形状とし、第１拡散部内のコン
タクト部分から、第１拡散部とゲージ抵抗とを接続する
ための第２拡散部までの距離も全て同一となるように配
置し、また、第２拡散部の抵抗値も全て同一となるよう
な形状としたものである。
力センサは、圧力センサチップのパターンにおいて、外
部との電気的接続する行うコンタクトを形成するための
第１拡散部を全て同一な形状とし、第１拡散部内のコン
タクト部分から、第１拡散部とゲージ抵抗とを接続する
ための第２拡散部までの距離も全て同一となるように配
置し、また、第２拡散部の抵抗値も全て同一となるよう
な形状としたものである。
【０００６】
【作用】この発明においては、第１拡散部の形状、コン
タクトから第２拡散部までの距離、及び第２拡散部の抵
抗値を全て同一にすることにより、オフセット電圧の温
度ドリフトを小さくすることができる。
タクトから第２拡散部までの距離、及び第２拡散部の抵
抗値を全て同一にすることにより、オフセット電圧の温
度ドリフトを小さくすることができる。
【０００７】
【実施例】図１は、この発明の一実施例による半導体圧
力センサを示す断面図である。なお、各図中、同一符号
は同一又は相当部分を示している。圧力センサチップ（
１）のパターンにおいて、ゲージ抵抗（２）によりブリ
ッジを形成するために、第１拡散部（３Ａ）及び第２拡
散部（５）により各ゲージ抵抗（２）が接続されている
。
力センサを示す断面図である。なお、各図中、同一符号
は同一又は相当部分を示している。圧力センサチップ（
１）のパターンにおいて、ゲージ抵抗（２）によりブリ
ッジを形成するために、第１拡散部（３Ａ）及び第２拡
散部（５）により各ゲージ抵抗（２）が接続されている
。
【０００８】上述したように構成された半導体圧力セン
サにおいては、第１拡散部（３Ａ）には、外部との電気
的接続を行うためにコンタクト（４）が形成されている
。このコンタクト（４）は、１つの第１拡散部（３Ａ）
に接続される２つの第２拡散部（５）からの距離が等し
い位置、すなわちａ＝ｂとなるように形成される。また
、第２拡散部（５）は、全て同一な抵抗値となるような
形状とする。
サにおいては、第１拡散部（３Ａ）には、外部との電気
的接続を行うためにコンタクト（４）が形成されている
。このコンタクト（４）は、１つの第１拡散部（３Ａ）
に接続される２つの第２拡散部（５）からの距離が等し
い位置、すなわちａ＝ｂとなるように形成される。また
、第２拡散部（５）は、全て同一な抵抗値となるような
形状とする。
【０００９】次に、半導体圧力センサの出力電圧の経温
変化を図２を参照して説明する。図示しないオペアンプ
により入力電圧を１０Ｖとしたとき、従来の半導体圧力
センサ（図中、Ａで示す）では、−３０℃〜１００℃の
温度変化で５〜１５ｍＶ程度の範囲で出力電圧が変化し
た。これに対して、この発明による半導体圧力センサ（
図中、Ｂで示す）では、２〜３ｍＶ程度に出力電圧の変
動範囲が狭まり、オフセット電圧の温度ドリフトを小さ
くすることができる。従って、半導体圧力センサの精度
及び製品の歩留まりを向上させることができる。
変化を図２を参照して説明する。図示しないオペアンプ
により入力電圧を１０Ｖとしたとき、従来の半導体圧力
センサ（図中、Ａで示す）では、−３０℃〜１００℃の
温度変化で５〜１５ｍＶ程度の範囲で出力電圧が変化し
た。これに対して、この発明による半導体圧力センサ（
図中、Ｂで示す）では、２〜３ｍＶ程度に出力電圧の変
動範囲が狭まり、オフセット電圧の温度ドリフトを小さ
くすることができる。従って、半導体圧力センサの精度
及び製品の歩留まりを向上させることができる。
【００１０】
【発明の効果】この発明は以上説明したとおり、外部と
の電気的接続を図るコンタクトを内部に形成し、それぞ
れ同一な形状を有する複数個の第１拡散部と、上記コン
タクトまでの距離が等しくなるように上記第１拡散部に
その一端で接続され、それぞれ同じ抵抗値を有する複数
個の第２拡散部と、この第２拡散部の他端間に接続され
、ブリッジを形成する複数個のゲージ抵抗とを備えたの
で、オフセット電圧の温度ドリフトを減少し、精度が高
く歩留まりが向上した半導体圧力センサが得られるとい
う効果を奏する。
の電気的接続を図るコンタクトを内部に形成し、それぞ
れ同一な形状を有する複数個の第１拡散部と、上記コン
タクトまでの距離が等しくなるように上記第１拡散部に
その一端で接続され、それぞれ同じ抵抗値を有する複数
個の第２拡散部と、この第２拡散部の他端間に接続され
、ブリッジを形成する複数個のゲージ抵抗とを備えたの
で、オフセット電圧の温度ドリフトを減少し、精度が高
く歩留まりが向上した半導体圧力センサが得られるとい
う効果を奏する。
【図１】この発明の一実施例による半導体圧力センサの
圧力センサチップを示す平面図である。
圧力センサチップを示す平面図である。
【図２】この発明及び従来の半導体圧力センサにおける
出力電圧の経温変化を示す線図である。
出力電圧の経温変化を示す線図である。
【図３】従来の半導体圧力センサの圧力センサチップを
示す平面図である。
示す平面図である。
（１） 圧力センサチップ
（２） ゲージ抵抗
（３Ａ） 第１拡散部
（４） コンタクト
（５） 第２拡散部
Claims (1)
- 【請求項１】 外部との電気的接続を図るコンタクト
を内部に形成し、それぞれ同一な形状を有する複数個の
第１拡散部と、上記コンタクトまでの距離が等しくなる
ように上記第１拡散部にその一端で接続され、それぞれ
同じ抵抗値を有する複数個の第２拡散部と、この第２拡
散部の他端間に接続され、ブリッジを形成する複数個の
ゲージ抵抗とを備えたことを特徴とする半導体圧力セン
サ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3031429A JP2612100B2 (ja) | 1991-02-01 | 1991-02-01 | 半導体圧力センサ |
| US07/767,627 US5220305A (en) | 1991-02-01 | 1991-09-30 | Semiconductor pressure sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3031429A JP2612100B2 (ja) | 1991-02-01 | 1991-02-01 | 半導体圧力センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04247667A true JPH04247667A (ja) | 1992-09-03 |
| JP2612100B2 JP2612100B2 (ja) | 1997-05-21 |
Family
ID=12331000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3031429A Expired - Lifetime JP2612100B2 (ja) | 1991-02-01 | 1991-02-01 | 半導体圧力センサ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5220305A (ja) |
| JP (1) | JP2612100B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995008756A1 (fr) * | 1993-09-20 | 1995-03-30 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Capteur de pression |
| US8314444B2 (en) | 2009-01-06 | 2012-11-20 | Alps Electric Co., Ltd. | Piezoresistive pressure sensor |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11135807A (ja) * | 1997-10-30 | 1999-05-21 | Hitachi Ltd | Ｓｏｉ型圧力センサ |
| DE19811935A1 (de) * | 1998-03-19 | 1999-09-23 | Hbm Waegetechnik Gmbh | Kraftmeßelement |
| JP4925306B2 (ja) * | 2007-02-28 | 2012-04-25 | 株式会社山武 | 圧力センサ |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56118374A (en) * | 1980-02-22 | 1981-09-17 | Hitachi Ltd | Semiconductor strain gauge |
| US4320664A (en) * | 1980-02-25 | 1982-03-23 | Texas Instruments Incorporated | Thermally compensated silicon pressure sensor |
| JPS5931404A (ja) * | 1982-08-16 | 1984-02-20 | Hitachi Ltd | 圧力センサ回路 |
| US4462018A (en) * | 1982-11-05 | 1984-07-24 | Gulton Industries, Inc. | Semiconductor strain gauge with integral compensation resistors |
| US5002901A (en) * | 1986-05-07 | 1991-03-26 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Method of making integral transducer structures employing high conductivity surface features |
-
1991
- 1991-02-01 JP JP3031429A patent/JP2612100B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1991-09-30 US US07/767,627 patent/US5220305A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995008756A1 (fr) * | 1993-09-20 | 1995-03-30 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Capteur de pression |
| US8314444B2 (en) | 2009-01-06 | 2012-11-20 | Alps Electric Co., Ltd. | Piezoresistive pressure sensor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2612100B2 (ja) | 1997-05-21 |
| US5220305A (en) | 1993-06-15 |
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