JPH04243244A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPH04243244A JPH04243244A JP3004695A JP469591A JPH04243244A JP H04243244 A JPH04243244 A JP H04243244A JP 3004695 A JP3004695 A JP 3004695A JP 469591 A JP469591 A JP 469591A JP H04243244 A JPH04243244 A JP H04243244A
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- Japan
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- type resist
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- Withdrawn
Links
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は露光装置に関する。近年
の半導体装置は１チップに含まれる素子数がますます多
くなり，それに伴い，チップの周縁部に形成されるパッ
ドの数も増大し，その間隔も縮小の傾向にある。パッド
にワイヤボンディングを行うにあたり，まずパッドにバ
ンプを形成する必要がある。通常，金めっきにより金バ
ンプが形成されるが，金めっきを行うためのマスクのパ
ターニングは高精度を要するとともに，金めっきは低コ
スト化が望まれている。
の半導体装置は１チップに含まれる素子数がますます多
くなり，それに伴い，チップの周縁部に形成されるパッ
ドの数も増大し，その間隔も縮小の傾向にある。パッド
にワイヤボンディングを行うにあたり，まずパッドにバ
ンプを形成する必要がある。通常，金めっきにより金バ
ンプが形成されるが，金めっきを行うためのマスクのパ
ターニングは高精度を要するとともに，金めっきは低コ
スト化が望まれている。
【０００２】
【従来の技術】図３は金バンプを形成する従来例を説明
するための図である。金バンプを形成するウエハー上に
，ネガ型レジスト３が塗布されている。金バンプ形成用
のマスクを用いて，ネガ型レジスト３に投影露光する。 その際，ネガ型レジスト３の塗布されたウエハーの周縁
部を押さえ板２により押さえ，位置合わせを行って露光
する。図３に示す露光パターン５は金バンプの形成され
る場所で，図３には模式的にその一部を示している。金
バンプの形成される場所は露光されず，露光後現像する
と露光されない部分のネガ型レジスト３が除去されて，
チップの金バンプを形成する場所だけが露出する穴が形
成される。その後，電解めっきによりその穴を金で埋め
込んで金バンプを形成する。
するための図である。金バンプを形成するウエハー上に
，ネガ型レジスト３が塗布されている。金バンプ形成用
のマスクを用いて，ネガ型レジスト３に投影露光する。 その際，ネガ型レジスト３の塗布されたウエハーの周縁
部を押さえ板２により押さえ，位置合わせを行って露光
する。図３に示す露光パターン５は金バンプの形成され
る場所で，図３には模式的にその一部を示している。金
バンプの形成される場所は露光されず，露光後現像する
と露光されない部分のネガ型レジスト３が除去されて，
チップの金バンプを形成する場所だけが露出する穴が形
成される。その後，電解めっきによりその穴を金で埋め
込んで金バンプを形成する。
【０００３】ところで，押さえ板２は通常金属製であり
，ウエハーを押さえる爪の部分２Ｂも金属材料で形成さ
れているので，その下のネガ型レジスト３は露光されな
い。したがって，露光後現像すると，爪の部分の下のネ
ガ型レジスト３は除去されてウエハーが露出し，その部
分にも金めっきが施されることになる。その場所は，も
ともと，金めっき不要の部分であるから，金を不要に消
費することになるので，まず爪があたる周縁部を予備的
に露光しておいて，それから押さえ板２でもって爪の部
分２Ｂでウエハーを押さえ，精度よく位置合わせを行っ
た後，金バンプ形成のための主パターンの露光を行うこ
とにより，金の不要な消費を避けている。
，ウエハーを押さえる爪の部分２Ｂも金属材料で形成さ
れているので，その下のネガ型レジスト３は露光されな
い。したがって，露光後現像すると，爪の部分の下のネ
ガ型レジスト３は除去されてウエハーが露出し，その部
分にも金めっきが施されることになる。その場所は，も
ともと，金めっき不要の部分であるから，金を不要に消
費することになるので，まず爪があたる周縁部を予備的
に露光しておいて，それから押さえ板２でもって爪の部
分２Ｂでウエハーを押さえ，精度よく位置合わせを行っ
た後，金バンプ形成のための主パターンの露光を行うこ
とにより，金の不要な消費を避けている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし，従来の方法は
露光を２度行う必要があり，工程がかかり過ぎる。押さ
え板を用いなければ１回の露光ですむが，押さえ板２を
用いないとウエハーの支持が不安定になって精度のよい
位置合わせができない。
露光を２度行う必要があり，工程がかかり過ぎる。押さ
え板を用いなければ１回の露光ですむが，押さえ板２を
用いないとウエハーの支持が不安定になって精度のよい
位置合わせができない。
【０００５】本発明は上記の問題に鑑み，押さえ板２を
使用して，しかも１回の露光で済む露光装置を提供する
ことを目的とする。
使用して，しかも１回の露光で済む露光装置を提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の露光装置
を説明するための図，図２は実施例を説明するための図
であり，１はウエハー，２は押さえ板，２Ａは爪の部分
でウエハー１を押さえる部分，３はネガ型レジスト，４
は投影露光マスク，５は露光パターン，６はウエハーチ
ャックを表す。
を説明するための図，図２は実施例を説明するための図
であり，１はウエハー，２は押さえ板，２Ａは爪の部分
でウエハー１を押さえる部分，３はネガ型レジスト，４
は投影露光マスク，５は露光パターン，６はウエハーチ
ャックを表す。
【０００７】上記課題は，ウエハー１を露光する側から
押さえる押さえ板２を有し， 該押さえ板２が該ウエハ
ー１を押さえる部分２Ａは，光を透過する材料からなる
露光装置によって解決される。
押さえる押さえ板２を有し， 該押さえ板２が該ウエハ
ー１を押さえる部分２Ａは，光を透過する材料からなる
露光装置によって解決される。
【０００８】
【作用】押さえ板２がウエハー１を押さえる部分２Ａは
光が透過する材料からなるから，その部分のネガ型レジ
ストも露光され，現像後その部分が抜けることがなくな
る。したがって，本露光装置を用いれば，必要とする露
光パターンのみを形成することができる。本露光装置を
ネガ型レジストを用いる金バンプ形成に適用すれば，１
回の露光で済み，しかも金を不要に消費することもない
。
光が透過する材料からなるから，その部分のネガ型レジ
ストも露光され，現像後その部分が抜けることがなくな
る。したがって，本露光装置を用いれば，必要とする露
光パターンのみを形成することができる。本露光装置を
ネガ型レジストを用いる金バンプ形成に適用すれば，１
回の露光で済み，しかも金を不要に消費することもない
。
【０００９】
【実施例】本発明の露光装置により，金バンプ形成のた
めの露光を行う例について図１及び図２を参照しながら
説明する。
めの露光を行う例について図１及び図２を参照しながら
説明する。
【００１０】厚さ３０μｍのネガ型レジスト３が形成さ
れたウエハー１をウエハーチャック６上に載置し，ウエ
ハー１の周縁部を押さえ板２の爪の部分２Ａで露光する
側から押さえる。押さえ板２は金属製で，爪の部分２Ａ
だけは石英からなっている。
れたウエハー１をウエハーチャック６上に載置し，ウエ
ハー１の周縁部を押さえ板２の爪の部分２Ａで露光する
側から押さえる。押さえ板２は金属製で，爪の部分２Ａ
だけは石英からなっている。
【００１１】投影露光マスク４は，金パンプを形成する
露光を行うマスクで，金パンプを形成する部分が不透明
で，その他の部分は透明なパターンを持っている。露光
光は光学系（図示せず）により平行光線となっており，
投影露光マスク４のパターンが原寸大でネガ型レジスト
３に転写露光される。投影露光マスク４と金バンプを形
成すべきウエハー１を正確に位置合わせする。投影露光
マスク４の金パンプのパターンは，例えば７０μｍ×１
００ μｍの矩形が １１０μｍのピッチで並んでいる
。このパターンはネガ型レジスト３に転写露光され，現
像により，その部分だけが除去されてウエハー１の表面
に達する穴が形成される。この穴は丁度チップの周縁部
に並ぶパッドを露出するように開けられる。爪の部分２
Ａは透明なので，その下のネガ型レジスト３も露光され
，そこのネガ型レジスト３は現像後も残る。
露光を行うマスクで，金パンプを形成する部分が不透明
で，その他の部分は透明なパターンを持っている。露光
光は光学系（図示せず）により平行光線となっており，
投影露光マスク４のパターンが原寸大でネガ型レジスト
３に転写露光される。投影露光マスク４と金バンプを形
成すべきウエハー１を正確に位置合わせする。投影露光
マスク４の金パンプのパターンは，例えば７０μｍ×１
００ μｍの矩形が １１０μｍのピッチで並んでいる
。このパターンはネガ型レジスト３に転写露光され，現
像により，その部分だけが除去されてウエハー１の表面
に達する穴が形成される。この穴は丁度チップの周縁部
に並ぶパッドを露出するように開けられる。爪の部分２
Ａは透明なので，その下のネガ型レジスト３も露光され
，そこのネガ型レジスト３は現像後も残る。
【００１２】したがって，ネガ型レジスト３にはパッド
の場所だけに穴が開けられていることになる。電解めっ
きによりその穴からウエハー１のパッドの部分に金めっ
きを行い，厚さ約２５μｍの金バンプを形成した。
の場所だけに穴が開けられていることになる。電解めっ
きによりその穴からウエハー１のパッドの部分に金めっ
きを行い，厚さ約２５μｍの金バンプを形成した。
【００１３】その後，ネガ型レジスト３を専用の剥離液
により除去した。以上，金バンプを形成する例について
述べたが，本発明の露光装置はネガ型レジストを用いる
パターニング工程に，効果的に使用することができる。
により除去した。以上，金バンプを形成する例について
述べたが，本発明の露光装置はネガ型レジストを用いる
パターニング工程に，効果的に使用することができる。
【００１４】なお，爪の部分２Ａの材料は石英に限らず
透明な樹脂を使用してもよい。
透明な樹脂を使用してもよい。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
１回の露光でウエハー上の金バンプを形成する場所のみ
に位置精度よく金バンプを形成することができるので，
金を不要に消費することもなく，工程がふえることもな
い。
１回の露光でウエハー上の金バンプを形成する場所のみ
に位置精度よく金バンプを形成することができるので，
金を不要に消費することもなく，工程がふえることもな
い。
【００１６】本発明は特に半導体装置の製造コスト削減
に寄与するものである。
に寄与するものである。
【図１】本発明の露光装置を説明するための図である。
【図２】実施例を説明するための図である。
【図３】従来例を説明するための図である。
１はウエハー
２は押さえ板
２Ａは爪の部分でありウエハーを押さえる部分であって
透明材料 ２Ｂは爪の部分でありウエハーを押さえる部分であって
金属材料 ３はネガ型レジスト ４は投影露光マスク ５は露光パターン ６はウエハーチャック
透明材料 ２Ｂは爪の部分でありウエハーを押さえる部分であって
金属材料 ３はネガ型レジスト ４は投影露光マスク ５は露光パターン ６はウエハーチャック
Claims (1)
- 【請求項１】 ウエハー（１） を露光する側から押
さえる押さえ板（２） を有し， 該押さえ板（２）
が該ウエハー（１） を押さえる部分（２Ａ）は，光を
透過する材料からなることを特徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3004695A JPH04243244A (ja) | 1991-01-18 | 1991-01-18 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3004695A JPH04243244A (ja) | 1991-01-18 | 1991-01-18 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04243244A true JPH04243244A (ja) | 1992-08-31 |
Family
ID=11591025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3004695A Withdrawn JPH04243244A (ja) | 1991-01-18 | 1991-01-18 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04243244A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7282665B2 (en) * | 2002-10-02 | 2007-10-16 | Leister Process Technologies | Method and apparatus for processing articles with a laser beam |
-
1991
- 1991-01-18 JP JP3004695A patent/JPH04243244A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7282665B2 (en) * | 2002-10-02 | 2007-10-16 | Leister Process Technologies | Method and apparatus for processing articles with a laser beam |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |