JPH04240744A - 多層配線基板の検査方法 - Google Patents
多層配線基板の検査方法Info
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- JPH04240744A JPH04240744A JP751091A JP751091A JPH04240744A JP H04240744 A JPH04240744 A JP H04240744A JP 751091 A JP751091 A JP 751091A JP 751091 A JP751091 A JP 751091A JP H04240744 A JPH04240744 A JP H04240744A
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はワークステーションやコ
ンピュータ等に用いるマルチチップモジュールのLSI
チップ搭載用多層配線基板の電気特性検査方法に関する
ものである。
ンピュータ等に用いるマルチチップモジュールのLSI
チップ搭載用多層配線基板の電気特性検査方法に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】近年、ワークステーションやコンピュー
タに対する小型化の要求は益々強くなっている。これら
の要求に対処するためLSIの実装においてはLSIチ
ップを直接実装するマルチチップモジュールの開発が盛
んに行なわれている。マルチチップモジュールに用いる
多層配線基板としてはセラミック基板、銅/ポリイミド
基板、シリコン基板などが用いられるがLSIチップを
直接搭載するため表面の電極及び配線は非常に微細にな
ってきており、多層配線基板の検査として従来のプリン
ト基板の検査方法のように保護ピンにより基板電極にコ
ンタクトをとる方法などが適用できなくなってきている
。
タに対する小型化の要求は益々強くなっている。これら
の要求に対処するためLSIの実装においてはLSIチ
ップを直接実装するマルチチップモジュールの開発が盛
んに行なわれている。マルチチップモジュールに用いる
多層配線基板としてはセラミック基板、銅/ポリイミド
基板、シリコン基板などが用いられるがLSIチップを
直接搭載するため表面の電極及び配線は非常に微細にな
ってきており、多層配線基板の検査として従来のプリン
ト基板の検査方法のように保護ピンにより基板電極にコ
ンタクトをとる方法などが適用できなくなってきている
。
【0003】以下図面を参照しながら、従来の多層配線
基板の検査方法の一例について説明する。
基板の検査方法の一例について説明する。
【0004】(図2)は従来の多層配線基板の検査装置
を示すものである。(図2)において、21はインサー
キットテスタ、オープン・ショートチェッカー等のテス
タである。23はプリント基板の電極とコンタクトをと
るためのテストフィクスチャ、24はテストフィクスチ
ャに固定されたコンタクトピン、22は多層配線基板で
ある。
を示すものである。(図2)において、21はインサー
キットテスタ、オープン・ショートチェッカー等のテス
タである。23はプリント基板の電極とコンタクトをと
るためのテストフィクスチャ、24はテストフィクスチ
ャに固定されたコンタクトピン、22は多層配線基板で
ある。
【0005】通常多層配線基板の検査装置は図2に示し
たように電気的な処理を行なうテスタ21と、多層配線
基板の電極とコンタクトをとるためのテストフィクスチ
ャ23より構成される。図3にテストフィクスチャ23
により多層配線基板の電極にコンタクトした状態の断面
図を示す。多層配線基板22の電極27にはコンタクト
ピン24が接触している。コンタクトピン24はベーク
、アクリルなどの固定ボード29に固定され固定ボード
29を加圧することにより接触圧を保っている。コンタ
クトピン24には引出し線26が接続されテスタ21に
接続されている。コンタクトピン24のピッチ30は最
小で1mm程度である。一方マルチチップモジュールの
多層配線基板22は、LSIチップを搭載するため電極
ピッチは最小で0.1mm、電極数は1000から30
00程度である。したがって、この従来例のようなテス
トフィクスチャ23では対応できない。また電極の微細
化に対応にするため半導体ウエハの測定に用いるプロー
ブカード用いる方法があるが電極数に制限があり500
電極程度までしか対応できず複数枚のプローブカードを
もちいて多層配線基板を分割して検査することになる。 また電極ピッチの微細化及び多電極に対処する方法とし
て移動可能な2本のプローブにより順次多層配線基板の
電極にコンタクトをとる方式がある。
たように電気的な処理を行なうテスタ21と、多層配線
基板の電極とコンタクトをとるためのテストフィクスチ
ャ23より構成される。図3にテストフィクスチャ23
により多層配線基板の電極にコンタクトした状態の断面
図を示す。多層配線基板22の電極27にはコンタクト
ピン24が接触している。コンタクトピン24はベーク
、アクリルなどの固定ボード29に固定され固定ボード
29を加圧することにより接触圧を保っている。コンタ
クトピン24には引出し線26が接続されテスタ21に
接続されている。コンタクトピン24のピッチ30は最
小で1mm程度である。一方マルチチップモジュールの
多層配線基板22は、LSIチップを搭載するため電極
ピッチは最小で0.1mm、電極数は1000から30
00程度である。したがって、この従来例のようなテス
トフィクスチャ23では対応できない。また電極の微細
化に対応にするため半導体ウエハの測定に用いるプロー
ブカード用いる方法があるが電極数に制限があり500
電極程度までしか対応できず複数枚のプローブカードを
もちいて多層配線基板を分割して検査することになる。 また電極ピッチの微細化及び多電極に対処する方法とし
て移動可能な2本のプローブにより順次多層配線基板の
電極にコンタクトをとる方式がある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記のような検査では
、次に示すような課題がある。まずプローブカードを用
いる方法では高価なプローブカードをたくさん必要とす
るため検査費用が非常に高くなる。また2本のプローブ
で順次測定する方法ではプローブの移動時間が1電極あ
たり1秒程度必要であるため検査時間が膨大になり検査
費用が膨大となる。
、次に示すような課題がある。まずプローブカードを用
いる方法では高価なプローブカードをたくさん必要とす
るため検査費用が非常に高くなる。また2本のプローブ
で順次測定する方法ではプローブの移動時間が1電極あ
たり1秒程度必要であるため検査時間が膨大になり検査
費用が膨大となる。
【0007】本発明は上記問題点に鑑み、低コストで信
頼性の高い検査方法を提供するものである。
頼性の高い検査方法を提供するものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め本発明の多層基板検査方法は、表面に電極を有した多
層配線基板の前記電極に加圧冶具に保持された半導体素
子の電極を加圧により接触させる工程、前記多層配線基
板の外部電極に電気特性測定装置に接続された接触子を
接触させる工程、前記電気特性測定装置により前記半導
体素子を動作させることにより前記多層配線基板の検査
を行なう工程を備えたものである。
め本発明の多層基板検査方法は、表面に電極を有した多
層配線基板の前記電極に加圧冶具に保持された半導体素
子の電極を加圧により接触させる工程、前記多層配線基
板の外部電極に電気特性測定装置に接続された接触子を
接触させる工程、前記電気特性測定装置により前記半導
体素子を動作させることにより前記多層配線基板の検査
を行なう工程を備えたものである。
【0009】
【作用】本発明は上記した構成によって多層配線基板を
介して半導体素子を動作させモジュールの特性を評価す
ることにより多層配線基板のオープン・ショートチェッ
ク等の検査を行なううものであり、多層配線基板の電極
とのコンタクトはそれに対応した半導体素子の電極を用
いるため電極の微細化に対し容易に対応できる。またモ
ジュールの全ての半導体素子を同時に多層配線基板に接
触させるため多電極に対しても容易に対応でき、短時間
で多層配線基板の検査を行なうことが出来ることとなる
。
介して半導体素子を動作させモジュールの特性を評価す
ることにより多層配線基板のオープン・ショートチェッ
ク等の検査を行なううものであり、多層配線基板の電極
とのコンタクトはそれに対応した半導体素子の電極を用
いるため電極の微細化に対し容易に対応できる。またモ
ジュールの全ての半導体素子を同時に多層配線基板に接
触させるため多電極に対しても容易に対応でき、短時間
で多層配線基板の検査を行なうことが出来ることとなる
。
【0010】
【実施例】以下本発明の一実施例の多層配線基板の検査
方法に付いて、図面を参照しながら説明する。また本実
施例でのべる多層配線基板は半田バンプによるフリップ
チップ実装や光硬化性樹脂を用いるマイクロバンプボン
ディング実装などのフェイスダウン実装用のものであり
多層配線基板の表面電極はLSIチップの電極と対応す
るものである。
方法に付いて、図面を参照しながら説明する。また本実
施例でのべる多層配線基板は半田バンプによるフリップ
チップ実装や光硬化性樹脂を用いるマイクロバンプボン
ディング実装などのフェイスダウン実装用のものであり
多層配線基板の表面電極はLSIチップの電極と対応す
るものである。
【0011】(図1)は本発明の実施例における工程別
断面図を示すものである。図1において、1は多層配線
基板、2は多層配線基板の外部電極、3は表面電極、4
は配線、5はLSIチップ、6はチップ5のバンプ(突
起電極)、7は加圧冶具のゴムシート、8は加圧冶具、
9はプローブカード、10はプローブ、11は検査ステ
ージである。
断面図を示すものである。図1において、1は多層配線
基板、2は多層配線基板の外部電極、3は表面電極、4
は配線、5はLSIチップ、6はチップ5のバンプ(突
起電極)、7は加圧冶具のゴムシート、8は加圧冶具、
9はプローブカード、10はプローブ、11は検査ステ
ージである。
【0012】以上のように構成された多層配線基板の検
査方法について、以下(図1)を用いて説明する。まず
(図1)aに示すように検査ステージ11に設置された
多層配線基板1の電極2と加圧冶具8に固着されたLS
Iチップ5のバンプ6を位置合わせする。多層配線基板
1はセラミック基板、シリコン基板、銅/ポリイミド基
板等であり配線層数は2ないし30層、表面電極3は1
000ないし3000程度である。表面電極3のピッチ
は100μmから300μm程度であり、その材質はA
u,Cu,Al 等である。一方、半導体素子であるL
SIチップ5のバンプ6は、微細加工によるLSIチッ
プ5の製造工程で作成されるため、バンプ6のビッチを
100μm〜300μm程度にすることは容易であり、
通常のバンプ形成工程で実現できる。LSIチップ5は
加圧冶具8にゴムシート8を介して相互の位置を合わし
た状態で固着されている。LSIチップ5は既に検査が
行なわれているものであり良品のLSIチップである。 次に多層配線基板1の外部電極2とプローブカード9の
プローブ10の位置合わせを行なう。またプローブ10
はLSIチップ5を動作させかつその動作が正常である
かの判定を行なうためのテスタに接続されている。また
ここで用いるプローブカード9は外部電極2とのコンタ
クトをとるためのみであるため、プローブ10のピッチ
も粗くピン数も少ない安価なものである。
査方法について、以下(図1)を用いて説明する。まず
(図1)aに示すように検査ステージ11に設置された
多層配線基板1の電極2と加圧冶具8に固着されたLS
Iチップ5のバンプ6を位置合わせする。多層配線基板
1はセラミック基板、シリコン基板、銅/ポリイミド基
板等であり配線層数は2ないし30層、表面電極3は1
000ないし3000程度である。表面電極3のピッチ
は100μmから300μm程度であり、その材質はA
u,Cu,Al 等である。一方、半導体素子であるL
SIチップ5のバンプ6は、微細加工によるLSIチッ
プ5の製造工程で作成されるため、バンプ6のビッチを
100μm〜300μm程度にすることは容易であり、
通常のバンプ形成工程で実現できる。LSIチップ5は
加圧冶具8にゴムシート8を介して相互の位置を合わし
た状態で固着されている。LSIチップ5は既に検査が
行なわれているものであり良品のLSIチップである。 次に多層配線基板1の外部電極2とプローブカード9の
プローブ10の位置合わせを行なう。またプローブ10
はLSIチップ5を動作させかつその動作が正常である
かの判定を行なうためのテスタに接続されている。また
ここで用いるプローブカード9は外部電極2とのコンタ
クトをとるためのみであるため、プローブ10のピッチ
も粗くピン数も少ない安価なものである。
【0013】次に(図1)bに示すように、加圧冶具8
を下降させLSIチップ5のバンプ6を多層配線基板1
の表面電極3に押しあてLSIチップ5のバンプ6を表
面電極3に接触させる。このときLSIチップの厚みの
ばらつきや加圧冶具8の多層配線板1に対する傾きはゴ
ムシート7が変形することにより吸収され全てのLSI
チップ5の全てのバンプ6が表面電極3に均一に接触す
る。バンプ6は、金、はんだ等でありその厚みは5ミク
ロンから200μm程度である。
を下降させLSIチップ5のバンプ6を多層配線基板1
の表面電極3に押しあてLSIチップ5のバンプ6を表
面電極3に接触させる。このときLSIチップの厚みの
ばらつきや加圧冶具8の多層配線板1に対する傾きはゴ
ムシート7が変形することにより吸収され全てのLSI
チップ5の全てのバンプ6が表面電極3に均一に接触す
る。バンプ6は、金、はんだ等でありその厚みは5ミク
ロンから200μm程度である。
【0014】次にプローブカード9を下降させプローブ
10を外部電極2に接触させる。その後テスタからLS
Iチップ5を動作させるためめの電源及び電気信号を外
部電極2に印加しLSIチップ5を動作させ、基板1、
チップ6を含めたモジュールの出力信号を再び外部電極
2より取り出しテスタでモジュールの良否の判定を行な
うことにより多層配線基板1の良否の判定を行なう。本
発明による多層基板1のテスト時間はモジュールの規模
により異なるが0.5分から3分程度である。またLS
Iチップ5は同一のものを繰り返し使うことが出来る。
10を外部電極2に接触させる。その後テスタからLS
Iチップ5を動作させるためめの電源及び電気信号を外
部電極2に印加しLSIチップ5を動作させ、基板1、
チップ6を含めたモジュールの出力信号を再び外部電極
2より取り出しテスタでモジュールの良否の判定を行な
うことにより多層配線基板1の良否の判定を行なう。本
発明による多層基板1のテスト時間はモジュールの規模
により異なるが0.5分から3分程度である。またLS
Iチップ5は同一のものを繰り返し使うことが出来る。
【0015】なお、本発明においては、電極3の数等に
応じて半導体素子としてのLSIチップ5は任意の個数
用いることができる。
応じて半導体素子としてのLSIチップ5は任意の個数
用いることができる。
【0016】
【発明の効果】以上のように本発明は、検査すべき多層
配線基板の表面電極にLSIチップを仮接続しモジュー
ルの特性検査を行なうことにより多層配線基板を検査す
る方法であるため、従来のようの高価なプローブカード
必要とせず非常に安価な方法で検査を行なうことが出来
る。また検査時間についてもLSIチップの動作を介し
て行なうため非常に高速で行なうことが出来短時間で行
なうことが出来る。また多層配線基板の電極の微細化に
たいしてもコンタクトを行なう部分はLSIチップの電
極であるため容易に対応できる。また従来の検査方法で
は主に多層配線基板の配線のオープン・ショートチェッ
クだあったが、本発明の方法ではLSIチップの動作を
介して行なうため周波数特性やノイズの評価も行なうこ
とが出来信頼性の高い検査方法を提供するものである。
配線基板の表面電極にLSIチップを仮接続しモジュー
ルの特性検査を行なうことにより多層配線基板を検査す
る方法であるため、従来のようの高価なプローブカード
必要とせず非常に安価な方法で検査を行なうことが出来
る。また検査時間についてもLSIチップの動作を介し
て行なうため非常に高速で行なうことが出来短時間で行
なうことが出来る。また多層配線基板の電極の微細化に
たいしてもコンタクトを行なう部分はLSIチップの電
極であるため容易に対応できる。また従来の検査方法で
は主に多層配線基板の配線のオープン・ショートチェッ
クだあったが、本発明の方法ではLSIチップの動作を
介して行なうため周波数特性やノイズの評価も行なうこ
とが出来信頼性の高い検査方法を提供するものである。
【図1】本発明の実施例における多層基板検査方法にお
ける工程別断面図である。
ける工程別断面図である。
【図2】従来の多層配線基板検査方法の斜視図である。
【図3】従来の多層配線基板検査方法の断面図である。
1 多層配線基板
2 外部電極
3 表面電極
4 配線
5 LSIチップ
6 バンプ
7 ゴムシート
8 加圧冶具
9 プローブカード
10 プローブ
11 検査ステージ
Claims (3)
- 【請求項1】表面に電極を有した多層配線基板の前記電
極に加圧冶具に保持された半導体素子の電極を加圧によ
り接触させる工程、前記多層配線基板の外部電極に電気
特性測定装置に接続された接触子を接触させる工程、前
記電気特性測定装置により前記半導体素子を動作させる
ことにより前記多層配線基板の検査を行なう工程を備え
たことを特徴とする多層配線基板の検査方法。 - 【請求項2】 半導体素子の電極が突起電極であるこ
とを特徴とする請求項1記載の多層配線基板の検査方法
。 - 【請求項3】 半導体素子が複数個であることを特徴
とする請求項1記載の多層配線基板の検査方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP751091A JP2921995B2 (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | 多層配線基板の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP751091A JP2921995B2 (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | 多層配線基板の検査方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04240744A true JPH04240744A (ja) | 1992-08-28 |
JP2921995B2 JP2921995B2 (ja) | 1999-07-19 |
Family
ID=11667784
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP751091A Expired - Fee Related JP2921995B2 (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | 多層配線基板の検査方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2921995B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009182244A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Sharp Corp | 太陽電池モジュールの製造方法 |
-
1991
- 1991-01-25 JP JP751091A patent/JP2921995B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009182244A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Sharp Corp | 太陽電池モジュールの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2921995B2 (ja) | 1999-07-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |