JPH04229688A - 半導体垂直キャビティ面発光レーザ - Google Patents
半導体垂直キャビティ面発光レーザInfo
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- JPH04229688A JPH04229688A JP3140640A JP14064091A JPH04229688A JP H04229688 A JPH04229688 A JP H04229688A JP 3140640 A JP3140640 A JP 3140640A JP 14064091 A JP14064091 A JP 14064091A JP H04229688 A JPH04229688 A JP H04229688A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 70
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 40
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 24
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 4
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- -1 Ag and Al Chemical class 0.000 abstract 1
- 238000013139 quantization Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 60
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000024188 Andala Species 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100063942 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) dot-1 gene Proteins 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001194 electroluminescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 239000000700 radioactive tracer Substances 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
- H01S5/18375—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors based on metal reflectors
-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
- H01S5/18377—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors comprising layers of different kind of materials, e.g. combinations of semiconducting with dielectric or metallic layers
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は導電性ミラーを有する垂
直キャビティ面発光レーザ(Vertical Cav
itySurface Emitting Laser
) に関する。
直キャビティ面発光レーザ(Vertical Cav
itySurface Emitting Laser
) に関する。
【0002】
【従来の技術】光ファイバ通信のために光学技術と電子
技術とを統合させる大いなる努力が続けられている。光
伝送システムは一般的に、光源(例えば、発光ダイオー
ドまたはレーザ)、光ファイバおよび検出器から構成さ
れている。光ファイバ通信用の実用的な光源として、小
型で効率がよく信頼性の高い半導体レーザが使用されて
いる。
技術とを統合させる大いなる努力が続けられている。光
伝送システムは一般的に、光源(例えば、発光ダイオー
ドまたはレーザ)、光ファイバおよび検出器から構成さ
れている。光ファイバ通信用の実用的な光源として、小
型で効率がよく信頼性の高い半導体レーザが使用されて
いる。
【0003】垂直キャビティ面発光レーザダイオード(
以下「VCSEL」という)は、プレーナ技術により製
造できるデバイスとして、また、光通信、光ディスク、
レーザプリンタおよび光センサシステムのような広い範
囲の重要な用途を有する一群のデバイスとして有望であ
る。VCSELでは、レーザ動作キャビティはレーザチ
ップの上面に対して垂直である。従って、レーザチップ
の表面と平行なレーザ動作キャビティを有する端面発光
レーザのパッキング密度に比べて高いパッキング密度が
得られる。これにより、高密度レーザアレー、光通信シ
ステムにおける高データ伝送、光通信システムにおける
超高速並列処理および電子チップ間における高速で広大
なデータ伝送用ルートの提供などに極めて有望な前途が
開ける。更に、VCSELのビームの円形特性は、VC
SELを高出力用途におけるビーム結合に適したものと
する。
以下「VCSEL」という)は、プレーナ技術により製
造できるデバイスとして、また、光通信、光ディスク、
レーザプリンタおよび光センサシステムのような広い範
囲の重要な用途を有する一群のデバイスとして有望であ
る。VCSELでは、レーザ動作キャビティはレーザチ
ップの上面に対して垂直である。従って、レーザチップ
の表面と平行なレーザ動作キャビティを有する端面発光
レーザのパッキング密度に比べて高いパッキング密度が
得られる。これにより、高密度レーザアレー、光通信シ
ステムにおける高データ伝送、光通信システムにおける
超高速並列処理および電子チップ間における高速で広大
なデータ伝送用ルートの提供などに極めて有望な前途が
開ける。更に、VCSELのビームの円形特性は、VC
SELを高出力用途におけるビーム結合に適したものと
する。
【0004】VCSELでは、光出力は薄膜成長方向に
入る。この方向は通常、注入電流の方向と平行である。 この特徴により、ミラーおよび電気接点はレーザ構造体
の同じ側(すなわち、デバイスの上面(前面)または底
面(後面)の何れか)を物理的に占有する。一般的に、
ミラーは上面の中央部付近に配置され、電極はミラーの
周辺に配置される。同じデザインのデバイスでは、前面
ミラーおよび電極は同一平面(共面)にあるが、若干の
他のデバイスでは、面は互いに垂直に偏心されている。
入る。この方向は通常、注入電流の方向と平行である。 この特徴により、ミラーおよび電気接点はレーザ構造体
の同じ側(すなわち、デバイスの上面(前面)または底
面(後面)の何れか)を物理的に占有する。一般的に、
ミラーは上面の中央部付近に配置され、電極はミラーの
周辺に配置される。同じデザインのデバイスでは、前面
ミラーおよび電極は同一平面(共面)にあるが、若干の
他のデバイスでは、面は互いに垂直に偏心されている。
【0005】共面配置の一例は、“ジャパニーズ ジ
ャーナル オブ アップライドフィジックス”,1
8巻、12号(1979年)、2329〜2230頁の
「GaInAsP/InP面発光注入レーザ」と題する
エッチ・ソダらの論文および“IEEE ジャーナル
オブ クオンタム エレクトニクス”QE−1
9巻、6号(1983年6月)、1035〜1041頁
の「キャビティ長さが短いGaInAsP/InP面発
光注入レーザ」と題するエッチ・ソダらの論文に開示さ
れている。これらの何れの論文も、ミラー/電極共面配
置構成を有し、Auミラーの厚さが数十分の1μmであ
る面発光レーザについて説明している。しかし、エス・
キノシタは、このようなミラーは量子効率が低くなるこ
とを指摘している。
ャーナル オブ アップライドフィジックス”,1
8巻、12号(1979年)、2329〜2230頁の
「GaInAsP/InP面発光注入レーザ」と題する
エッチ・ソダらの論文および“IEEE ジャーナル
オブ クオンタム エレクトニクス”QE−1
9巻、6号(1983年6月)、1035〜1041頁
の「キャビティ長さが短いGaInAsP/InP面発
光注入レーザ」と題するエッチ・ソダらの論文に開示さ
れている。これらの何れの論文も、ミラー/電極共面配
置構成を有し、Auミラーの厚さが数十分の1μmであ
る面発光レーザについて説明している。しかし、エス・
キノシタは、このようなミラーは量子効率が低くなるこ
とを指摘している。
【0006】例えば、“ジャパニーズ ジャーナル
オブ アップライド フィジックス”,26巻、
3号(1987年3月)、410〜415頁の「高反射
性TiO2 /SiO2 多層ブラッグ反射器を有する
GaAlAs/GaAs面発光レーザ」と題するススム
キノシタらの論文に記載されている。この論文は、
多層(半導体または誘電体)ミラーを使用するレーザ構
造体の発達をもたらした。例えば、“アップライド
フィジックス レタース(Appl.Phys.Le
tters) ”54巻、20号(1989年5月15
日)1959〜1961頁の「高出力垂直キャビティ面
発光AlGaAs/GaAsダイオードレーザ」と題す
るエル・エム・ジンキーヴィッツ(L.M.Zinki
ewicz)らの論文および“オプトエレクトロニクス
デバイス アンド テクノロジース(Optoel
ectronics−Devicesand Tech
nologies)”3巻、2号(1988年12月)
131〜142頁の「面発光半導体レーザの最近の進歩
」と題するケンイチ イガの論文などにも開示されて
いる。
オブ アップライド フィジックス”,26巻、
3号(1987年3月)、410〜415頁の「高反射
性TiO2 /SiO2 多層ブラッグ反射器を有する
GaAlAs/GaAs面発光レーザ」と題するススム
キノシタらの論文に記載されている。この論文は、
多層(半導体または誘電体)ミラーを使用するレーザ構
造体の発達をもたらした。例えば、“アップライド
フィジックス レタース(Appl.Phys.Le
tters) ”54巻、20号(1989年5月15
日)1959〜1961頁の「高出力垂直キャビティ面
発光AlGaAs/GaAsダイオードレーザ」と題す
るエル・エム・ジンキーヴィッツ(L.M.Zinki
ewicz)らの論文および“オプトエレクトロニクス
デバイス アンド テクノロジース(Optoel
ectronics−Devicesand Tech
nologies)”3巻、2号(1988年12月)
131〜142頁の「面発光半導体レーザの最近の進歩
」と題するケンイチ イガの論文などにも開示されて
いる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような構
造は複雑で、しかも、厄介である。ミラーと電極を単一
のユニットに一体化させることによりVCSELの構造
を単純化しようとする試みがなされたが、比較的低い量
子効率しか得られなかった。ミラーは厚さ0.55μm
の反射Agミラーからなり、このミラーはレーザの電極
としての機能も果たした。発光は、23対の半導体層か
らなるλ/4反射スタックにより起こされ、この半導体
は各対内で異なる屈折率を有する。これは、例えば、“
ジャーナルオブ アップライド フィジックス”6
6巻、11号(1989年12月)5629〜5631
頁の「Agミラーを有するAlGaAs−GaAsおよ
びAlGaAs−GaAs−InGaAs垂直キャビテ
ィ面発光レーザ」と題するデッペ・デー・ジー(Dep
pe D.G.)らの論文に記載されている。従って、
プレーナ技術を用いる簡単な方法により製造することが
できる、優れた量子効率を有するVCSELの開発が強
く求められている。
造は複雑で、しかも、厄介である。ミラーと電極を単一
のユニットに一体化させることによりVCSELの構造
を単純化しようとする試みがなされたが、比較的低い量
子効率しか得られなかった。ミラーは厚さ0.55μm
の反射Agミラーからなり、このミラーはレーザの電極
としての機能も果たした。発光は、23対の半導体層か
らなるλ/4反射スタックにより起こされ、この半導体
は各対内で異なる屈折率を有する。これは、例えば、“
ジャーナルオブ アップライド フィジックス”6
6巻、11号(1989年12月)5629〜5631
頁の「Agミラーを有するAlGaAs−GaAsおよ
びAlGaAs−GaAs−InGaAs垂直キャビテ
ィ面発光レーザ」と題するデッペ・デー・ジー(Dep
pe D.G.)らの論文に記載されている。従って、
プレーナ技術を用いる簡単な方法により製造することが
できる、優れた量子効率を有するVCSELの開発が強
く求められている。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、活性層を有す
るレーザ動作キャビティ、底面(後面)ミラーと上面(
前面)ミラーおよび光の伝搬方向と概ね平行な方向に励
起電流を流すための前面および後面電極からなる半導体
垂直キャビティ面発光レーザに関する。
るレーザ動作キャビティ、底面(後面)ミラーと上面(
前面)ミラーおよび光の伝搬方向と概ね平行な方向に励
起電流を流すための前面および後面電極からなる半導体
垂直キャビティ面発光レーザに関する。
【0009】本発明によれば、前面ミラーは薄い、半透
明の金属層からなり、これは前面電極としても機能する
。この金属層は非合金オーミックコンタクトを形成する
高濃度にドープされた層の上に乗っている。この金属は
例えば、AgまたはAlから選択され、5〜55nmの
範囲内の厚さで堆積されている。VCSELは半導体デ
バイスであり、この半導体材料は、GaAs,GaIn
As,InP,InGaPAsおよびその他の関連半導
体のようなIII−V 族またはII−VI 族化合物
半導体である。GaAs活性層を有するVCSELの場
合、前面の金属ミラー/電極側からの光出力は54%も
の高さの外部微分量子効率を発生する。これはVCSE
L構造体で得られた最高の量子効率である。従来のVC
SEL構造体の一般的な量子効率は10〜30%程度で
ある。このVCSELはプレーナ技術を用いて製造する
のに適する。
明の金属層からなり、これは前面電極としても機能する
。この金属層は非合金オーミックコンタクトを形成する
高濃度にドープされた層の上に乗っている。この金属は
例えば、AgまたはAlから選択され、5〜55nmの
範囲内の厚さで堆積されている。VCSELは半導体デ
バイスであり、この半導体材料は、GaAs,GaIn
As,InP,InGaPAsおよびその他の関連半導
体のようなIII−V 族またはII−VI 族化合物
半導体である。GaAs活性層を有するVCSELの場
合、前面の金属ミラー/電極側からの光出力は54%も
の高さの外部微分量子効率を発生する。これはVCSE
L構造体で得られた最高の量子効率である。従来のVC
SEL構造体の一般的な量子効率は10〜30%程度で
ある。このVCSELはプレーナ技術を用いて製造する
のに適する。
【0010】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明を更に詳細
に説明する。本発明のVCSELにおけるレーザ動作キ
ャビティは活性層、底面(後面)ミラーおよび上面(前
面)金属ミラーからなる。前記底面(後面)ミラーは1
/4波長多層分布反射型(DBR)構造体を形成する複
数個の半導体層対のスタック(積重体)からなる。また
、前記上面(前面)金属ミラーはレーザのレーザ動作発
光に対して半透明であり、しかも、上面ミラーを通して
レーザ動作発光を起こす上面電極としても機能する。 金属ミラー/電極からの光出力は高い微分量子効率を発
生する。このデバイスはプレーナ技術により容易に製造
することができる。
に説明する。本発明のVCSELにおけるレーザ動作キ
ャビティは活性層、底面(後面)ミラーおよび上面(前
面)金属ミラーからなる。前記底面(後面)ミラーは1
/4波長多層分布反射型(DBR)構造体を形成する複
数個の半導体層対のスタック(積重体)からなる。また
、前記上面(前面)金属ミラーはレーザのレーザ動作発
光に対して半透明であり、しかも、上面ミラーを通して
レーザ動作発光を起こす上面電極としても機能する。 金属ミラー/電極からの光出力は高い微分量子効率を発
生する。このデバイスはプレーナ技術により容易に製造
することができる。
【0011】図1の(A)は全体が符号10で示される
、本発明によるVCSELの模式図である。VCSEL
10は、基板11;各対の一方の層は該対の他方の層の
屈折率と異なる屈折率を有する、複数個の半導体層対の
1/4波長スタック12;第1の閉込め層13;活性層
14;第2の閉込め層15;高濃度にドープされたコン
タクト層16;前面ミラーおよびデバイスの非合金オー
ミック上面(前面)電極として同時に機能する金属ドッ
ト17;および基板11の底面と接触してデバイスの底
面(後面)電極を形成する導電性層18からなる。図示
されていないが、追加の閉込め層および緩衝層などもこ
のレーザ構造体中に含めることもできる。
、本発明によるVCSELの模式図である。VCSEL
10は、基板11;各対の一方の層は該対の他方の層の
屈折率と異なる屈折率を有する、複数個の半導体層対の
1/4波長スタック12;第1の閉込め層13;活性層
14;第2の閉込め層15;高濃度にドープされたコン
タクト層16;前面ミラーおよびデバイスの非合金オー
ミック上面(前面)電極として同時に機能する金属ドッ
ト17;および基板11の底面と接触してデバイスの底
面(後面)電極を形成する導電性層18からなる。図示
されていないが、追加の閉込め層および緩衝層などもこ
のレーザ構造体中に含めることもできる。
【0012】次に、本発明によるVCSEL10の構成
について概説する。基板11は、GaAs,GaInA
s,InP,InGaPAsおよびその他の関連半導体
のようなIII−V 族またはII−VI 族化合物半
導体のような高濃度にドープされたn+ 形III−V
族またはII−VI 族半導体である。一般的に、こ
の基板の厚さは100〜500μmの範囲内であり、基
板のドープ濃度は1×1017〜1×1019cm−3
の範囲内である。光電子集積回路のような幾つかの用途
では、基板11はシリコンのマスター基板上に最初に成
長される。これは、マスター基板上に成長される多数の
デバイスにとって普通のことである。
について概説する。基板11は、GaAs,GaInA
s,InP,InGaPAsおよびその他の関連半導体
のようなIII−V 族またはII−VI 族化合物半
導体のような高濃度にドープされたn+ 形III−V
族またはII−VI 族半導体である。一般的に、こ
の基板の厚さは100〜500μmの範囲内であり、基
板のドープ濃度は1×1017〜1×1019cm−3
の範囲内である。光電子集積回路のような幾つかの用途
では、基板11はシリコンのマスター基板上に最初に成
長される。これは、マスター基板上に成長される多数の
デバイスにとって普通のことである。
【0013】1/4波長スタック12は、後面(底面)
多層分布反射型(DBR)ミラーを形成する複数個の半
導体層対(または周期)から構成されている。この半導
体層対の数は一般的に、10〜40の範囲内である。各
対内の一方の半導体層は該対の他方の半導体層よりも高
い屈折率を有する。対内の各半導体層の厚さはλ/4に
等しい。ここで、λはレーザデバイスの光波長である。 GaAsレーザのような、λ=0.87μmでレーザ動
作する活性領域を有するデバイスの場合、それぞれ3.
64と2.97の屈折率を有するGaAsおよびAlA
sのような半導体の対からなる1/4波長スタックは、
62nm厚のGaAs層と73nm厚のAlAs層から
なる。また、AlAsおよびAl0.05Ga0.95
Asのスタックはそれぞれ厚さが73nmと60nmの
層の対からなる。
多層分布反射型(DBR)ミラーを形成する複数個の半
導体層対(または周期)から構成されている。この半導
体層対の数は一般的に、10〜40の範囲内である。各
対内の一方の半導体層は該対の他方の半導体層よりも高
い屈折率を有する。対内の各半導体層の厚さはλ/4に
等しい。ここで、λはレーザデバイスの光波長である。 GaAsレーザのような、λ=0.87μmでレーザ動
作する活性領域を有するデバイスの場合、それぞれ3.
64と2.97の屈折率を有するGaAsおよびAlA
sのような半導体の対からなる1/4波長スタックは、
62nm厚のGaAs層と73nm厚のAlAs層から
なる。また、AlAsおよびAl0.05Ga0.95
Asのスタックはそれぞれ厚さが73nmと60nmの
層の対からなる。
【0014】一般的に、第1の閉込め層12および第2
の閉込め層は活性領域14を閉じ込めるため、および、
光キャビティの長さ(L)(すなわち、活性領域の厚さ
)を調節するために配設されている。光キャビティ長さ
は2L=N・λでなければならない。ここで、Nは整数
であり、λはレーザの動作光波長である。一般的に、各
閉込め層の厚さは0〜3μmの範囲内である。構造的干
渉性を得るために、閉込め層の厚さはλ/2またはλ/
4の倍数でなければならない。好ましい実施例では、閉
じ込め領域はAlx Ga1−x As(ここで、xは
0.1〜0.4の範囲内の数である)からなる。
の閉込め層は活性領域14を閉じ込めるため、および、
光キャビティの長さ(L)(すなわち、活性領域の厚さ
)を調節するために配設されている。光キャビティ長さ
は2L=N・λでなければならない。ここで、Nは整数
であり、λはレーザの動作光波長である。一般的に、各
閉込め層の厚さは0〜3μmの範囲内である。構造的干
渉性を得るために、閉込め層の厚さはλ/2またはλ/
4の倍数でなければならない。好ましい実施例では、閉
じ込め領域はAlx Ga1−x As(ここで、xは
0.1〜0.4の範囲内の数である)からなる。
【0015】活性領域14は、電子(−)と正孔(+)
が再結合し、適当な励起下でレーザ発光を起こす領域で
ある。好ましい実施例では、活性領域は低濃度にドープ
された(1×1016〜5×1017cm−3)GaA
s層であり、その厚さは0.1〜1μmの範囲内である
。この単一層は、厚さが約1〜30nmの狭ギャップ半
導体からなり、広ギャップ半導体により閉じ込められた
量子井戸(QW)構造と置き換えることもできる。別法
として、活性領域を形成するこの単一層は極めて薄いバ
リヤを有する多重量子井戸構造である超格子構造で置き
換えることもできる。
が再結合し、適当な励起下でレーザ発光を起こす領域で
ある。好ましい実施例では、活性領域は低濃度にドープ
された(1×1016〜5×1017cm−3)GaA
s層であり、その厚さは0.1〜1μmの範囲内である
。この単一層は、厚さが約1〜30nmの狭ギャップ半
導体からなり、広ギャップ半導体により閉じ込められた
量子井戸(QW)構造と置き換えることもできる。別法
として、活性領域を形成するこの単一層は極めて薄いバ
リヤを有する多重量子井戸構造である超格子構造で置き
換えることもできる。
【0016】高濃度にドープされたコンタクト層16は
厚さが0.01〜0.1μmであり、第2の閉込め層と
ミラー/電極ドット17との間の非合金オーミックコン
タクトの形成を容易にするために配設されている。一般
的に、コンタクト層16のドープ濃度は1×1019〜
5×1020cm−3の範囲内である。
厚さが0.01〜0.1μmであり、第2の閉込め層と
ミラー/電極ドット17との間の非合金オーミックコン
タクトの形成を容易にするために配設されている。一般
的に、コンタクト層16のドープ濃度は1×1019〜
5×1020cm−3の範囲内である。
【0017】ドット17は金属からなり、これは、前面
ミラーとして、また、前面電極として同時に機能し、ミ
ラー/電極を通して発光を起こす。本発明によれば、導
電性材料はAgおよびAlのような金属から選択される
。このような金属は、5nm〜50nmの範囲内の厚さ
に堆積された時、半透明および半反射特性を示す。この
場合、反射率(R)は20〜99%の範囲内であり、透
過率(T)は80〜1%の範囲内である。ミラー/電極
17は非合金オーミックコンタクトである。このような
コンタクトは、100〜500℃、好ましくは、100
〜250℃の範囲内の温度で蒸着により堆積される。蒸
着温度が高くなるほど半導体中で金属が望ましくない合
金形成を起こし、粗い界面形態を形成し、金属ミラー/
電極の反射特性を劣化させる。
ミラーとして、また、前面電極として同時に機能し、ミ
ラー/電極を通して発光を起こす。本発明によれば、導
電性材料はAgおよびAlのような金属から選択される
。このような金属は、5nm〜50nmの範囲内の厚さ
に堆積された時、半透明および半反射特性を示す。この
場合、反射率(R)は20〜99%の範囲内であり、透
過率(T)は80〜1%の範囲内である。ミラー/電極
17は非合金オーミックコンタクトである。このような
コンタクトは、100〜500℃、好ましくは、100
〜250℃の範囲内の温度で蒸着により堆積される。蒸
着温度が高くなるほど半導体中で金属が望ましくない合
金形成を起こし、粗い界面形態を形成し、金属ミラー/
電極の反射特性を劣化させる。
【0018】厚さが1〜10μmの金属電極18は基板
11の底面(後面)に形成され、活性領域を通して垂直
に流れる電流を形成し、レーザ発光を起こさせる。本発
明のレーザは、例えば、レーザの形成材料を汚染しない
銅またはその他の伝熱性材料からなるヒートシンクプレ
ートと接触する電極18に配設することもできる。
11の底面(後面)に形成され、活性領域を通して垂直
に流れる電流を形成し、レーザ発光を起こさせる。本発
明のレーザは、例えば、レーザの形成材料を汚染しない
銅またはその他の伝熱性材料からなるヒートシンクプレ
ートと接触する電極18に配設することもできる。
【0019】ミラー性能の効率を高めるために、p+
形ドープ層(1×1018〜5×1019cm−3)を
有すること以外は後面ミラー12における対と同様な、
高屈折率/低屈折率材料の層を2〜20対有する1/4
波長スタック21(図8参照)を閉込め層15と高濃度
にドープされたコンタクト層16の間に間挿することも
できる。スタック21は、特に、金属層の厚さが20n
m未満の場合に、上面ミラーの反射率を高めるために間
挿される。
形ドープ層(1×1018〜5×1019cm−3)を
有すること以外は後面ミラー12における対と同様な、
高屈折率/低屈折率材料の層を2〜20対有する1/4
波長スタック21(図8参照)を閉込め層15と高濃度
にドープされたコンタクト層16の間に間挿することも
できる。スタック21は、特に、金属層の厚さが20n
m未満の場合に、上面ミラーの反射率を高めるために間
挿される。
【0020】半導体層12〜16は、有機金属気相エピ
タキシャル法(MOVPE)、有機金属化学気相成長法
(MOCVD)または分子線エピタキシャル法(MBE
)若しくは水素化物気相エピタキシャル法(VPE)な
どのような公知の方法により基板11上に成長させるこ
とができる。好ましい実施例では、VCSEL構造体は
、高濃度にドープされた基板11上に、バリアン ゲ
ン II(Varian Gen II) 分子線エ
ピタキシャル装置により、分子線エピタキシャル法(M
BE)に従って成長される。層12〜16を成長させた
後、部分的に形成された構造体を別の高真空チャンバに
移し、ここで、金属層を堆積させ、所望の反射率および
透過率を得るのに十分な厚さの非合金オーミックコンタ
クトを形成させる。その後、標準的な光リソグラフ技術
を使用し、円形金属ドット17を画成する。次いで、例
えば、Inからなる後面電極薄膜18を基板11の底面
に形成させる。最後に、レーザの後面側を、In電極を
介して、または、エポキシ樹脂のような接着剤により、
他のデバイスにとって普通のヒートシンクとして機能す
る銅スラブ上に配設させる。
タキシャル法(MOVPE)、有機金属化学気相成長法
(MOCVD)または分子線エピタキシャル法(MBE
)若しくは水素化物気相エピタキシャル法(VPE)な
どのような公知の方法により基板11上に成長させるこ
とができる。好ましい実施例では、VCSEL構造体は
、高濃度にドープされた基板11上に、バリアン ゲ
ン II(Varian Gen II) 分子線エ
ピタキシャル装置により、分子線エピタキシャル法(M
BE)に従って成長される。層12〜16を成長させた
後、部分的に形成された構造体を別の高真空チャンバに
移し、ここで、金属層を堆積させ、所望の反射率および
透過率を得るのに十分な厚さの非合金オーミックコンタ
クトを形成させる。その後、標準的な光リソグラフ技術
を使用し、円形金属ドット17を画成する。次いで、例
えば、Inからなる後面電極薄膜18を基板11の底面
に形成させる。最後に、レーザの後面側を、In電極を
介して、または、エポキシ樹脂のような接着剤により、
他のデバイスにとって普通のヒートシンクとして機能す
る銅スラブ上に配設させる。
【0021】好ましい実施例では、本発明のVCSEL
はAlx Ga1−x As/GaAsレーザ構造体で
あり、これは昇順に、厚さが1〜2μmのIn電極18
;厚さが約500μmの(001)面に配向された高ド
ープ(2×1018cm−3)n+ −GaAs基板1
1;後面ミラー12からなる。この後面ミラー12は多
層分布反射型(DBR)ミラーを形成する30対のN+
形(5×1017〜5×1018 cm−3 )半導
体層の1/4波長スタックからなる。
はAlx Ga1−x As/GaAsレーザ構造体で
あり、これは昇順に、厚さが1〜2μmのIn電極18
;厚さが約500μmの(001)面に配向された高ド
ープ(2×1018cm−3)n+ −GaAs基板1
1;後面ミラー12からなる。この後面ミラー12は多
層分布反射型(DBR)ミラーを形成する30対のN+
形(5×1017〜5×1018 cm−3 )半導
体層の1/4波長スタックからなる。
【0022】前記スタックの各対は膜厚73nmのn+
−AlAsと膜厚60nmのAl0.05Ga0.9
5Asからなる。このDBR構造体(後面ミラー12)
の反射スペクトルをパーキン・エルマー(Perkin
−Elmer)ラムダ9型UV/VIS/NIR分光光
度計を測定したところ、〜0.87μmに中心がある広
い高屈折率バンドを示し、反射率は>99%であった。 これらの結果は計算された反射率曲線と非常によく一致
する。
−AlAsと膜厚60nmのAl0.05Ga0.9
5Asからなる。このDBR構造体(後面ミラー12)
の反射スペクトルをパーキン・エルマー(Perkin
−Elmer)ラムダ9型UV/VIS/NIR分光光
度計を測定したところ、〜0.87μmに中心がある広
い高屈折率バンドを示し、反射率は>99%であった。 これらの結果は計算された反射率曲線と非常によく一致
する。
【0023】後面ミラーの次には、膜厚が約3μmのn
+ −Al0.20Ga0.80As(5×1017c
m−3)からなる第1閉込め層;膜厚が約0.6μmの
p− −GaAsからなる低濃度にドープされた(5×
1016cm−3)活性層14;および膜厚が約0.5
μmのp+ −Al0.30Ga0.70As(5×1
016cm−3)からなる第2閉込め層がそれぞれ続く
。これらの層の最上面に、膜厚が約0.0625μmの
、薄い、高濃度にドープされた(5×1019cm−3
)、p+ −Al0.10Ga0.90Asからなるコ
ンタクト層を堆積させ、オーミックコンタクトを形成さ
せる。
+ −Al0.20Ga0.80As(5×1017c
m−3)からなる第1閉込め層;膜厚が約0.6μmの
p− −GaAsからなる低濃度にドープされた(5×
1016cm−3)活性層14;および膜厚が約0.5
μmのp+ −Al0.30Ga0.70As(5×1
016cm−3)からなる第2閉込め層がそれぞれ続く
。これらの層の最上面に、膜厚が約0.0625μmの
、薄い、高濃度にドープされた(5×1019cm−3
)、p+ −Al0.10Ga0.90Asからなるコ
ンタクト層を堆積させ、オーミックコンタクトを形成さ
せる。
【0024】直径が約20μmの銀(Ag)のドット1
7を、約5〜50nm、好ましくは35nmの厚さで、
非合金オーミックコンタクトを形成する条件下で、コン
タクト層16の上面に形成させる。この範囲内の厚さで
は、ドット17はレーザ発光に対して半透明であり、ド
ットをVCSELのミラーおよび前面電極として使用す
ることができる。銀は優れた導電性を有し、レーザ活性
材料GaAsのエネルギーバンドギャップに対応する0
.87μm付近の波長で高い反射率を有するので、金属
ミラー/電極形成材料として選択される。
7を、約5〜50nm、好ましくは35nmの厚さで、
非合金オーミックコンタクトを形成する条件下で、コン
タクト層16の上面に形成させる。この範囲内の厚さで
は、ドット17はレーザ発光に対して半透明であり、ド
ットをVCSELのミラーおよび前面電極として使用す
ることができる。銀は優れた導電性を有し、レーザ活性
材料GaAsのエネルギーバンドギャップに対応する0
.87μm付近の波長で高い反射率を有するので、金属
ミラー/電極形成材料として選択される。
【0025】バリアン ゲン II(Varian
Gen II) 分子線エピタキシャル装置により成
長されたレーザ構造体を透過型電子顕微鏡で分析したと
ころ、均質なGaAs活性領域と、底面ミラー構造の界
面鮮鋭度が示された。別の高真空チャンバで、120℃
で20〜200nmの範囲内の様々な厚さで堆積された
Ag層をX線θ/2θ走査を行ったところ、Ag膜は多
結晶であることが示された。標準的な光リソグラフ技術
を使用し、5〜100μmの範囲内の直径を有する円形
Agドットを画成した。 3HNO3 :4H2 Oからなエッチング剤を使用し
、不要なAg領域を蝕刻除去した。この際、コンタクト
層16の清浄で平滑なAlx Ga1−x As面が得
られる。
Gen II) 分子線エピタキシャル装置により成
長されたレーザ構造体を透過型電子顕微鏡で分析したと
ころ、均質なGaAs活性領域と、底面ミラー構造の界
面鮮鋭度が示された。別の高真空チャンバで、120℃
で20〜200nmの範囲内の様々な厚さで堆積された
Ag層をX線θ/2θ走査を行ったところ、Ag膜は多
結晶であることが示された。標準的な光リソグラフ技術
を使用し、5〜100μmの範囲内の直径を有する円形
Agドットを画成した。 3HNO3 :4H2 Oからなエッチング剤を使用し
、不要なAg領域を蝕刻除去した。この際、コンタクト
層16の清浄で平滑なAlx Ga1−x As面が得
られる。
【0026】微小なプローブを用いて、本発明のVCS
ELレーザを電気的にポンピングさせ、そして、エレク
トロルミネセンス(EL)スペクトルをSPEX170
2/04分光計および光電子増倍管により分析した。電
流−電圧特性をソニー/テクトロニクス370プログラ
マブルカーブトレーサによりプログラムに従ってチェッ
クした。レーザダイオードの閾値電圧をGaAs利得媒
体のエネルギーバンドギャップに対して選択する。この
電圧は室温で1.4eVである。閾値電圧以上では、電
流は順方向バイアスと直線的関係を維持する。このこと
は非合金Agコンタクトがオーミックであることを示す
。測定は全て室温で行った。従って、特別な冷却技術は
全く使用しなかった。
ELレーザを電気的にポンピングさせ、そして、エレク
トロルミネセンス(EL)スペクトルをSPEX170
2/04分光計および光電子増倍管により分析した。電
流−電圧特性をソニー/テクトロニクス370プログラ
マブルカーブトレーサによりプログラムに従ってチェッ
クした。レーザダイオードの閾値電圧をGaAs利得媒
体のエネルギーバンドギャップに対して選択する。この
電圧は室温で1.4eVである。閾値電圧以上では、電
流は順方向バイアスと直線的関係を維持する。このこと
は非合金Agコンタクトがオーミックであることを示す
。測定は全て室温で行った。従って、特別な冷却技術は
全く使用しなかった。
【0027】直径が20μmで厚さが35nmのAgス
ポットを有するVCSELのELスペクトルを図2に示
す。図2の曲線(a) は35mAのレーザ動作閾値以
下である。このスペクトルは明確なファブリ・ペロー(
FP)モードを特徴とする。FPモードの半値全幅(F
WHM)は0.74nmである。図2の曲線(b) は
閾値以上のレーザ動作スペクトルを示す。レーザ動作ピ
ークの幅は0.01nm未満であり、分光計の分解能に
より限定される。より一層鮮鋭なFPモードのピーク間
距離と同じピーク間距離(〜20.6nm)を有する広
いピークは、Agスポットの側面からの自然発生的な発
光によるものと思われる。
ポットを有するVCSELのELスペクトルを図2に示
す。図2の曲線(a) は35mAのレーザ動作閾値以
下である。このスペクトルは明確なファブリ・ペロー(
FP)モードを特徴とする。FPモードの半値全幅(F
WHM)は0.74nmである。図2の曲線(b) は
閾値以上のレーザ動作スペクトルを示す。レーザ動作ピ
ークの幅は0.01nm未満であり、分光計の分解能に
より限定される。より一層鮮鋭なFPモードのピーク間
距離と同じピーク間距離(〜20.6nm)を有する広
いピークは、Agスポットの側面からの自然発生的な発
光によるものと思われる。
【0028】FMモードのFWHMはAgミラーが薄く
なるほど、大きくなる。FPモードの細かさから、Ag
、空気およびAl0.10Ga0.90Asの既知の光
学定数を用いて、異なる厚さのAgミラーの反射率が算
出される(図3参照)。底面ミラーの反射率は計算上一
定として選択する(エム・ボーン(M.Born)およ
びイー・ボルフ(E.Wolf)の“プリンシプルス
オブ オプチックス(Principles of
Optics) ,第6版(ニューヨーク州のペル
ガモン出版から1980年に発行)628〜631頁参
照)。Ag膜厚が〜40nm未満になると、反射率は急
激に減少する。広いピークのFWHMから、〜40%の
反射率が得られる。この値はGaAsと空気との間の反
射率に匹敵する。
なるほど、大きくなる。FPモードの細かさから、Ag
、空気およびAl0.10Ga0.90Asの既知の光
学定数を用いて、異なる厚さのAgミラーの反射率が算
出される(図3参照)。底面ミラーの反射率は計算上一
定として選択する(エム・ボーン(M.Born)およ
びイー・ボルフ(E.Wolf)の“プリンシプルス
オブ オプチックス(Principles of
Optics) ,第6版(ニューヨーク州のペル
ガモン出版から1980年に発行)628〜631頁参
照)。Ag膜厚が〜40nm未満になると、反射率は急
激に減少する。広いピークのFWHMから、〜40%の
反射率が得られる。この値はGaAsと空気との間の反
射率に匹敵する。
【0029】Agミラーの厚さが200nmの場合、広
いピークだけが見られ、鮮鋭なFPモードは認められな
い。図3に示された200nmAg厚における反射率は
Agの光学データを用いて計算することにより得られる
。 パルス動作以下のレーザ動作閾値とAgミラーの厚さと
の関係を図4に示す。Agミラーの直径は20μmであ
る。レーザ動作閾値電流はAgミラーの厚さが低下する
につれて上昇する。この現象は、Ag膜厚の減少による
反射率の減少(図3参照)により定性的に説明すること
ができる。
いピークだけが見られ、鮮鋭なFPモードは認められな
い。図3に示された200nmAg厚における反射率は
Agの光学データを用いて計算することにより得られる
。 パルス動作以下のレーザ動作閾値とAgミラーの厚さと
の関係を図4に示す。Agミラーの直径は20μmであ
る。レーザ動作閾値電流はAgミラーの厚さが低下する
につれて上昇する。この現象は、Ag膜厚の減少による
反射率の減少(図3参照)により定性的に説明すること
ができる。
【0030】図5は上面のAgミラーからの光出力と励
起電流との関係を示す。光出力は、0.85μm付近で
較正されたANDO AQ−1125光出力計により
測定した。Agミラーの直径は20μmで、厚さは30
nmであった。1%デューティサイクル(100ns,
0.1MHz)の注入電流パルスをレーザダイオードに
加えた。11.5mWの最大出力以下では出力飽和は認
められなかった。0.86μmのレーザ動作波長で54
%の外部微分量子効率が得られる0.76mW/mAの
大きな勾配値が達成された。23〜100nmの範囲内
の様々なAg膜厚における量子効率を図7に示す。
起電流との関係を示す。光出力は、0.85μm付近で
較正されたANDO AQ−1125光出力計により
測定した。Agミラーの直径は20μmで、厚さは30
nmであった。1%デューティサイクル(100ns,
0.1MHz)の注入電流パルスをレーザダイオードに
加えた。11.5mWの最大出力以下では出力飽和は認
められなかった。0.86μmのレーザ動作波長で54
%の外部微分量子効率が得られる0.76mW/mAの
大きな勾配値が達成された。23〜100nmの範囲内
の様々なAg膜厚における量子効率を図7に示す。
【0031】図6は70nm以下のAg膜厚を有するA
gミラーの反射率、透過率および吸収率の間の関係を示
す。これらのパラメータの合計は常に100%になる。 図6に示された3本の曲線はAg、空気およびAl0.
10Ga0.90Asの既知の光学定数を用い、かつ、
底面(後面)ミラーの反射率を一定として算出された(
エム・ボーンらの前掲書参照)。吸収率曲線と透過率曲
線を比較すると、膜厚が<50nmでは吸収率よりも透
過率のほうが大きいことがわかる。このような厚さだけ
が上面(前面)Agミラーからのレーザ発光の場合に有
用である。
gミラーの反射率、透過率および吸収率の間の関係を示
す。これらのパラメータの合計は常に100%になる。 図6に示された3本の曲線はAg、空気およびAl0.
10Ga0.90Asの既知の光学定数を用い、かつ、
底面(後面)ミラーの反射率を一定として算出された(
エム・ボーンらの前掲書参照)。吸収率曲線と透過率曲
線を比較すると、膜厚が<50nmでは吸収率よりも透
過率のほうが大きいことがわかる。このような厚さだけ
が上面(前面)Agミラーからのレーザ発光の場合に有
用である。
【0032】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のVCSE
Lにおけるレーザ動作キャビティは活性層、底面(後面
)ミラーおよび上面(前面)金属ミラーからなる。前記
底面(後面)ミラーは1/4波長多層分布反射型(DB
R)構造体を形成する複数個の半導体層対のスタック(
積重体)からなる。また、前記上面(前面)金属ミラー
はレーザのレーザ動作発光に対して半透明であり、しか
も、上面ミラーを通してレーザ動作発光を起こす上面電
極としても機能する。金属ミラー/電極からの光出力は
高い微分量子効率を発生する。例えば、GaAs活性層
を有するVCSELの場合、前面の金属ミラー/電極側
からの光出力は54%もの高さの外部微分量子効率を発
生する。これはVCSEL構造体で得られた最高の量子
効率である。従来のVCSEL構造体の一般的な量子効
率は10〜30%程度である。本発明のVCSELデバ
イスはプレーナ技術により容易に製造することができる
。
Lにおけるレーザ動作キャビティは活性層、底面(後面
)ミラーおよび上面(前面)金属ミラーからなる。前記
底面(後面)ミラーは1/4波長多層分布反射型(DB
R)構造体を形成する複数個の半導体層対のスタック(
積重体)からなる。また、前記上面(前面)金属ミラー
はレーザのレーザ動作発光に対して半透明であり、しか
も、上面ミラーを通してレーザ動作発光を起こす上面電
極としても機能する。金属ミラー/電極からの光出力は
高い微分量子効率を発生する。例えば、GaAs活性層
を有するVCSELの場合、前面の金属ミラー/電極側
からの光出力は54%もの高さの外部微分量子効率を発
生する。これはVCSEL構造体で得られた最高の量子
効率である。従来のVCSEL構造体の一般的な量子効
率は10〜30%程度である。本発明のVCSELデバ
イスはプレーナ技術により容易に製造することができる
。
【図1】(A)は半透明前面ミラー/電極を有するVC
SELの模式図、(B)は(A)のレーザのエネルギー
バンド模式図、(C)は(A)のレーザの材料の屈折率
プロファイルの模式図である。
SELの模式図、(B)は(A)のレーザのエネルギー
バンド模式図、(C)は(A)のレーザの材料の屈折率
プロファイルの模式図である。
【図2】直径20μm、厚さ45nmのAgドットの閾
値電流以下(a)および以上(b)におけるエレクトロ
ルミネッセンス(EL)の、光強度(I)に対する波長
λの関係を示す特性図である。
値電流以下(a)および以上(b)におけるエレクトロ
ルミネッセンス(EL)の、光強度(I)に対する波長
λの関係を示す特性図である。
【図3】Agミラーに対するファブリ・ペロー(FP)
モードの反射率(R)と半値全幅(FWHM)の関係を
示す特性図である。
モードの反射率(R)と半値全幅(FWHM)の関係を
示す特性図である。
【図4】直径20μmのAgミラーの膜厚に対するレー
ザ動作閾値電流の関係を示す特性図である。
ザ動作閾値電流の関係を示す特性図である。
【図5】1%のデューティサイクル(0.1MHz ,
100ns)における、直径20μm、厚さ30nmの
Agドットを有するVCSELのポンピング電流に対す
る光出力の関係を示す特性図である。
100ns)における、直径20μm、厚さ30nmの
Agドットを有するVCSELのポンピング電流に対す
る光出力の関係を示す特性図である。
【図6】Ag膜厚に対する反射率、透過率および吸収率
の関係を示す特性図である。
の関係を示す特性図である。
【図7】Ag前面ミラーの膜厚に対する外部微分量子効
率の関係を示す特性図である。
率の関係を示す特性図である。
【図8】活性領域とミラー/電極との間に間挿された追
加のミラースタックを有する図1の(A)のVCSEL
の模式図である。
加のミラースタックを有する図1の(A)のVCSEL
の模式図である。
10 VCSEL
11 基板
12 1/4波長スタック
13 第1の閉込め層
14 活性層
15 第2の閉込め層
16 コンタクト層
17 金属ドット
18 導電性層
21 追加の1/4波長スタック
Claims (20)
- 【請求項1】 GaAs,GaAlAs,GaInA
s,InP,InGaPAsおよびその他の関連するI
II−V 族およびII−VI 族化合物半導体からな
る群から選択される少なくとも1種類の半導体、光輻射
線を発生する活性領域と前記輻射線を反射する後面ミラ
ーを含む複数個の層からなる半導体垂直キャビティ面発
光レーザにおいて、前記レーザは、前記半導体本体に非
合金オーミックコンタクトを形成し、同時に、レーザの
前面電極としても機能する金属の前面ミラー;および、
前面ミラーと協力して、活性領域に対して概ね垂直な方
向で、しかも、光輻射線の伝搬方向に対して概ね平行な
方向に励起電流を流すための後面電極;を更に含み;前
記前面ミラーは、活性領域に対して垂直な方向に前面ミ
ラーを通して光輻射線を透過させることのできる厚さに
堆積された高反射性の金属層からなり、前記金属層は銀
およびアルミニウムからなる群から選択される金属から
なり、膜厚は5〜50nmの範囲内である;ことを特徴
とする半導体垂直キャビティ面発光レーザ。 - 【請求項2】 前記半透明金属層は銀からなる請求項
1の半導体垂直キャビティ面発光レーザ。 - 【請求項3】 前記銀層の膜厚は約40nmである請
求項2の半導体垂直キャビティ面発光レーザ。 - 【請求項4】 前記後面ミラーは、異なる屈折率を有
する4分の1波長層を10〜40対有する多層分布反射
型ミラーである請求項1の半導体垂直キャビティ面発光
レーザ。 - 【請求項5】 前記活性領域はGaAsからなり、前
記後面ミラーはAlAsとGaAsおよびAlAsとA
l0.05Ga0.95Asから選択される4分の1波
長層の対からなる請求項4の半導体垂直キャビティ面発
光レーザ。 - 【請求項6】 各対内で異なる屈折率を有する4分の
1波長層を2〜20対有する多層分布反射型(DBR)
構造体が活性領域と前面ミラーとの間に間挿されている
請求項1の半導体垂直キャビティ面発光レーザ。 - 【請求項7】 前記DBR構造体はAlAsとGaA
sおよびAlAsとAl0.05Ga0.95Asから
選択される層対からなる請求項6の半導体垂直キャビテ
ィ面発光レーザ。 - 【請求項8】 前記半導体層は分子線エピタキシャル
法により半導体基板上に成長される請求項1の半導体垂
直キャビティ面発光レーザ。 - 【請求項9】 半導体垂直キャビティ面発光レーザに
おいて、前記半導体はGaAs,GaAlAs,GaI
nAs,InP,InGaPAsおよびその他の関連す
るIII−V 族およびII−VI 族化合物半導体か
らなる群から選択される少なくとも1種類の半導体と、
半導体基板から昇順に、前記基板上の多層分布型(DB
R)後面ミラー;光輻射線を発生する活性領域、前記活
性領域は第1および第2の閉込め層の間に閉じ込められ
ている;高濃度にドープされたコンタクト層;および、
前記コンタクト層に対して非合金オーミックコンタクト
を形成し、同時に、レーザの前面電極として機能する金
属層からなる前面ミラー、前記金属層は活性領域に対し
て垂直な方向に前面ミラーを通して光輻射線を透過させ
ることのできる厚さに堆積された高反射性の金属層から
なり、前記金属層は銀およびアルミニウムからなる群か
ら選択される金属からなり、膜厚は5〜50nmの範囲
内である;からなる複数の層とを有することを特徴とす
る半導体垂直キャビティ面発光レーザ。 - 【請求項10】 前記金属は銀である請求項9の半導
体垂直キャビティ面発光レーザ。 - 【請求項11】 前記銀層の膜厚は約40nmである
請求項9の半導体垂直キャビティ面発光レーザ。 - 【請求項12】 前記後面ミラーは、各対内で異なる
屈折率を有する4分の1波長層を10〜40対有する多
層分布反射型ミラーである請求項9の半導体垂直キャビ
ティ面発光レーザ。 - 【請求項13】 前記活性領域はGaAsからなり、
前記後面ミラーはAlAsとGaAsおよびAlAsと
Al0.05Ga0.95Asから選択される4分の1
波長層の対からなる請求項12の半導体垂直キャビティ
面発光レーザ。 - 【請求項14】 各対内で異なる屈折率を有する4分
の1波長層を2〜20対有する多層分布反射型(DBR
)構造体が活性領域と前面ミラーとの間に間挿されてい
る請求項14の半導体垂直キャビティ面発光レーザ。 - 【請求項15】 前記DBR構造体はAlAsとGa
AsおよびAlAsとAl0.05Ga0.95Asか
ら選択される層対からなる請求項14の半導体垂直キャ
ビティ面発光レーザ。 - 【請求項16】 前記半導体層は分子線エピタキシャ
ル法により半導体基板上に成長される請求項9の半導体
垂直キャビティ面発光レーザ。 - 【請求項17】 半導体垂直キャビティ面発光レーザ
において、前記半導体はGaAs,GaAlAs,Ga
InAs,InP,InGaPAsおよびその他の関連
するIII−V 族およびII−VI 族化合物半導体
からなる群から選択される少なくとも1種類の半導体、
光輻射線を発生する活性領域、前記輻射線を反射する後
面ミラー、活性領域に対して垂直な方向に前記輻射線を
部分的に反射し、かつ、部分的に透過する前面ミラー(
この前面ミラーは半導体本体に非合金オーミックコンタ
クトを形成し、同時に、レーザの前面電極として機能す
る金属からなる)、および、前面ミラーと協力して、活
性領域に対して概ね垂直な方向で、しかも、光輻射線の
伝搬方向に対して概ね平行な方向に励起電流を流すため
の後面電極を含む複数個の層からなり、前記前面ミラー
は、銀およびアルミニウムからなる群から選択される高
反射性の金属層からなり、膜厚は5〜50nmの範囲内
である;ことを特徴とする半導体垂直キャビティ面発光
レーザ。 - 【請求項18】 前記前面ミラー金属は銀からなる請
求項17の半導体垂直キャビティ面発光レーザ。 - 【請求項19】 前記銀層の膜厚は約40nmである
請求項18の半導体垂直キャビティ面発光レーザ。 - 【請求項20】 前記半導体層は分子線エピタキシャ
ル法により半導体基板上に成長される請求項17の半導
体垂直キャビティ面発光レーザ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/526,204 US5068868A (en) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | Vertical cavity surface emitting lasers with electrically conducting mirrors |
US526204 | 1995-09-11 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04229688A true JPH04229688A (ja) | 1992-08-19 |
JP2598179B2 JP2598179B2 (ja) | 1997-04-09 |
Family
ID=24096368
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3140640A Expired - Fee Related JP2598179B2 (ja) | 1990-05-21 | 1991-05-17 | 半導体垂直キャビティ面発光レーザ |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5068868A (ja) |
EP (1) | EP0458493B1 (ja) |
JP (1) | JP2598179B2 (ja) |
KR (1) | KR0142585B1 (ja) |
CA (1) | CA2039068C (ja) |
DE (1) | DE69105037T2 (ja) |
HK (1) | HK137195A (ja) |
SG (1) | SG31195G (ja) |
TW (1) | TW198147B (ja) |
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