JPH04229574A - コネクタアセンブリ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、信号伝送用導体間のイ
ンピーダンスとクロストークを減少するためのグランド
構造付きコネクタに関する。

【０００２】

【従来の技術】技術の進歩に伴って、高密度の電子回路
や素子をプリント配線基板やプリント回路基板（ＰＣＢ
）上に配置することが可能になった。電子回路や素子が
小さくなるに伴って、バックパネル、すなわちマザーボ
ードのようなＰＣＢと、ドータボードのようなＰＣＢを
電気的および機械的に相互接続するコネクタが必要にな
ってきた。さらに、このようなコネクタは典型的には信
号密度容量が高いものが望まれる。すなわち、コネクタ
のユニットボリューム当たりの信号が多くなければなら
ない。ある導体上を搬送される電気信号により、近接す
る導体を搬送される信号が干渉されることがある。

【０００３】このような干渉は「クロストーク」といわ
れる。このようなクロストークを制御することは、特に
、コネクタが高密度である場合に重要である。クロスト
ークは種々の方法で制御することができる。

【０００４】クロストークを制御する方法の１つには、
高密度コネクタの幾つかの端子をＰＣＢのグランドした
導体部分に接続するか、あるいは高密度コネクタの幾つ
かの端子をＰＣＢの予め定めたグランド電位に接続する
方法がある。これはコネクタ外で解決する方法である。

【０００５】米国特許４，６５５，５１８号（Ｌｅｎｎ
ａｒｔ　　Ｂ．Ｊｏｈｎｓｏｎ　　ｅｔａｌ．に付与）
、米国特許４，６８６，６０７号（Ｌｅｎｎａｒｔ　　
Ｂ．Ｊｏｈｎｓｏｎに付与）、および米国特許４，８６
９，６７７号（ＬｅｎｎａｒｔＢ．Ｊｏｈｎｓｏｎ　　
ｅｔ　　ａｌ．に付与）には、グランド用の接触素子を
有するドータボード／バックプレーン・アセンブリが開
示されている。ヘッダ接触素子は接触部によりグランド
、またはバックプレーン上の予め定めた電位に接続する
ことが可能になっている。ヘッダ接触素子は内部ヘッダ
壁に設けたバネ接触部により、直角リセプタクルの外壁
に設けた接触部に接触される。他の接触部は直角リセプ
タクルの外壁に設けた接触部とともになくてはならない
もので、直角リセプタクルの外壁に設けた接触部に直交
するように設けられており、ドータボードに接続されて
いる。

【０００６】Ｔｉｍｏｔｈｙ　　Ａ．Ｌｅｍｋｅに付与
された米国特許４，６０１，５２７号は、特に、バーチ
カルおよび直角ヘッダの内部シールド構造が開示されて
いる。このシールド構造にはヘッダハウジングの嵌合面
にグランドストリップが取り付けられている。さらに、
このシールド構造には導電性のばね接触部が延在させて
あり、このばね接触部は接触ビームとロックタブに接触
させてある。接触ビームはハウジングの側壁の穴に延在
されており、ロックタブはグランドシャーシに接続した
グランドストリップとグランドバーに接続されている。

【０００７】Ｔｉｍｏｔｈｙ　　Ａ．Ｌｅｍｋｅに付与
された米国特許４，８２４，３８３号には、マルチプル
導体ケーブルか、あるいはマルチプルトレーシングサブ
ストレート用のコネクタまたはプラグタイプのターミネ
ータのシールド構造が開示されている。このマルチプル
導体ケーブルまたはマルチプルトレーシングサブストレ
ートは、近接導体の間のクロストークを防ぐかあるいは
最小にするため、また、信号伝送品位の低下を防ぐかあ
るいは最小にするため、ターミネータの個々の接触素子
か、あるいは接触素子群と電気的に絶縁されている。タ
ーミネータのグランド構造はチャンネルが一般にＵ字型
をしている。このチヤンネルに接触素子が延在されてい
る。このグランド構造は予め定めた電位に接続されてい
るというよりむしろ、接触素子の幾つかがこの目的のた
めに割り当てられている。

【０００８】Ｒｉｃｈａｒｄ　　Ａ．Ｅｌｃｏに付与さ
れた米国特許４，８９８，５４６号には、直角コネクタ
のグランドシールド素子が開示されている。このシール
ドの他の例としては、コネクタの接触素子の列を交互に
跨ぐようにしたものがある。各シールド素子はシールド
素子が跨ぐ接触素子のうちの１つの接触素子のテールに
クリップされている。接触素子はグランドまたは予め定
めた電位に接続されている。

【０００９】図４１および図４２は従来のコネクタアセ
ンブリ６，８を示す。従来のコネクタアセンブリ６，８
は第１回路アセンブリ２２と第２回路アセンブリ２４を
相互接続する高密度コネクタ１０，２０，３０，４０を
含む。

【００１０】図４１を説明する。図４１は従来の高密度
コネクタアセンブリ６の一例を示す分解図である。高密
度コネクタアセンブリ６は第１回路アセンブリ２２と第
２回路アセンブリ２４を相互接続するための、高密度直
角またはアングルドリセプタクル１０と高密度直角また
はアングルドヘッダ２０を含む。典型的には、第１回路
アセンブリ２２はプリント回路基板、特に、マザーボー
ドであり、第２回路アセンブリ２４は別のプリンと回路
基板、特に、ドータボードである。第１、第２プリント
回路基板２２，２４はそれぞれ、コネクタをスルーマウ
ントするためのメッキスルーホールか、あるいはサーフ
ェスマウントするためのパッドのような、行列状の導体
領域パターン２６を有する。このコネクタアセンブリ６
では、マザーボード２２がドータボード２４と平行か、
あるいは共通線上にある。

【００１１】直角リセプタクル１０は端子群または接触
子群３５を支持する絶縁性のハウジング２８を備えてい
る。リセプタクル端子群３５はハウジング２８を貫通す
るパッセジ（図示しない）に第１接触部（図示しない）
を配列させてある。リセプタクルの第１接触部（図示し
ない）は、ヘッダ２０の第１接触部と接続させるため、
一般的に、互いに平行であり、行列状に配列されている
。リセプタクルの端子群３５はドータボード２４上の導
体領域パターン２６に接続するため、第２接触部５５が
行列状に配列されている。リセプタクルの端子群３５は
第１接触部（図示しない）と第２接触部５５が一般的に
直角になるように中間部３６で曲げられている。リセプ
タクルハウジング２８は中間部３６の隣接する列の間に
位置させ、中間部３６の隣接する列から離した絶縁性の
バッフル（図示しない）を備えるようにしても良い。

【００１２】直角ヘッダ２０は絶縁性のハウジング３４
を備えており、ハウジング３４はベース４２と、接触領
域４６を規定する側壁４４を含み、リセプタクル１０の
嵌合面４８を受けるようになっている。接触子群または
端子群５はベース４２を貫通するパッセジ（図示しない
）に保持されている。端子群５は第１接触部１５が接触
領域４６に配列されている。第１接触部１５はリセプタ
クル１０の第１接触部（図示しない）に接続するため、
一般的に互いに平行であり、行列状に配列されている。 端子群５はマザーボード２２の導電領域パターン２６に
接続するため、第２接触部（図示しない）が行列状に配
列されている。端子群５は一般的に第１接触部１５と第
２接触部が直角になるように中間部５６で曲げられてい
る。

【００１３】図４２は第２高密度コネクタアセンブリ８
の分解図である。第２高密度コネクタアセンブリ８はバ
ーチカルリセプタクル３０とバーチカルヘッダ４０を含
み、第１回路アセンブリ２２と第２回路アセンブリ２４
を相互接続するようになっている。このコネクタアセン
ブリ８では、マザーボード２２がドータボード２４から
離してあり、マザーボード２２がドータボード２４と平
行になっている。

【００１４】バーチカルリセプタクル３０は接触子群ま
たは端子群６０を支持する絶縁性のハウジング５８を備
えている。リセプタクル端子群６０はハウジング５８を
貫通するパッセジ（図示しない）に第１接触部（図示し
ない）が配列されている。リセプタクルの第１接触部（
図示しない）はヘッダ４０の第１接触部６５と接続する
ため、互いに平行であり、行列状に配列されている。 リセプタクル端子群６０はドータボード２４上の導体領
域パターン２６に接続するため、第２接触部９５が行列
状に配列されている。リセプタクルの端子群６０は一般
的に中間部が直線状になっている。

【００１５】バーチカルヘッダ４０は絶縁性のハウジン
グ６６を備え、ハウジング６６はベース６２と、接触領
域６６を規定する側壁６４を含み、リセプタクル３０の
嵌合面６８を受けるようになっている。接触子群または
端子群７０はベース６２を貫通するパッセジ（図示しな
い）に保持されている。ヘッダの端子群７０は第１接触
部６５が接触領域５４に配列されている。ヘッダの第１
接触部６５はリセプタクル３０の第１接触部（図示しな
い）に接続するため、一般的に互いに平行であり、行列
状に配列されている。ヘッダ端子群７０はマザーボード
２２の導電領域パターン２６に接続するため、第２接触
部（図示しない）が行列状に配列されている。端子群７
０は一般的に中間部が直線状になっている。

【００１６】図４１および図４２に示す４つのコネクタ
１０，２０，３０，４０は、それぞれ、１つのコネクタ
を別のコネクタ、またはプリント回路基板に搭載するた
め、孔７４と、対応する固定またはガイドピンアセンブ
リ７６を有することができる。孔７４と、ピンアセンブ
リ７６のピンは、米国特許４，５６８，１３４号に記載
されているように、鍵型することができる。

【００１７】ドータボード２４と、ドータボード２４に
直交するマザーボード２２とを結合するには、直角リセ
プタクル１０とこれに接続するバーチカルヘッダ４０を
用いるか、あるいはバーチカルリセプタクル３０とこれ
に接続する直角ヘッダ２０を用いることは良く知られた
ことである。

【００１８】図４１および図４２に示す従来のヘッダ２
０，４０と、リセプタクル１０，３０は、特に、デラウ
ェア州、ウィリントンのオフィスとともに、Ｅ．Ｉ．ｄ
ｕＰｏｎｔ　　ｄｅ　　Ｎｅｍｏｕｒｓ　　ａｎｄ　　
Ｃｏｍｐａｎｙから得られるＨｉｇｈ　　Ｐｉｎ　　Ｃ
ｏｕｎｔ（ＨＰＣ）生産系統である。しかし、それらの
コネクタはＭｅｔｒａｌ生産系統とＤｉｎシリーズのコ
ネクタ、いずれもＥ．Ｉ．ｄｕＰｏｎｔ　　ｄｅ　　Ｎ
ｅｍｏｕｒｓ　　ａｎｄ　　Ｃｏｍｐａｎｙから得られ
るコネクタを含むその他多くの生産系統におけるコネク
タを示したものである。これらの生産系統はそれぞれ接
触子群が行列状に配列された、バーチカルコネクタおよ
び直角コネクタを含む。

【００１９】本発明の目的は、電子回路および／または
素子を電気的または機械的に相互接続し、コネクタ内の
インピーダンスおよび／またはクロストークを制御する
高密度のコネクタを提供することにある。

【００２０】また、本発明の目的は、回路アセンブリと
、ヘッダまたはシュラウドに行列状に配列された端子群
とを電気的および機械的に相互接続し、インピーダンス
および／またはクロストークを制御し、リセプタクル内
の信号伝送品位の低下を防ぐかあるいは最小にする高密
度リセプタクルを提供することにある。

【００２１】さらに、本発明の目的は、回路アセンブリ
と、リセプタクルに行列状に配列された端子群とを電気
的および機械的に相互接続し、インピーダンスおよび／
またはクロストークを制御し、ヘッダ内の信号伝送品位
の低下を防ぐかあるいは最小にする高密度ヘッダを提供
することにある。

【００２２】

【課題を解決するための手段】本発明は、接触領域群を
有する回路アセンブリと第２コネクタを電気的および機
械的に相互接続し、第２コネクタは第１側壁と、該第１
側壁内に行列状に配置された第１接触部群と、少なくと
も１つの第２側部接触部を有する直角またはアングルド
コネクタにおいて、第２側壁と、該第２側壁内に行列状
に配置されたパッセジ群とを有する絶縁性のハウジング
と、第１接触子群と、導電性シールドとを備え、前記第
１接触子群は、接触子のうちの１つがパッセジ群の一部
にあり、各接触子が第３接触部と第４接触部を有し、前
記第３接触部は前記第１接触部と接触させるため行列状
に配置され、各接触子は第４接触子が第３接触子に対し
て直角または直交する形状を有する中間部を含む第１接
触子群と、少なくとも１つの第５接触部と少なくとも１
つの第６接触部を有し、第２側壁のうちの１つの側壁上
の少なくとも１つの第５接触部は、第１側壁のうちの１
つの側壁上の少なくとも１つの第２接触部と接触させる
ためのものである少なくとも１つの導体とを備え、前記
導電性シールドは、前記接触子の中間部の列の間に位置
させるか、あるいは中間部の列から離したバッフルと、
各第６接触部と接触させるための第７接触部と、第４接
触部と第８接触部を行列状に配置して回路アセンブリ接
触領域に接続するように配置した第８接触部群とを含む
ことを特徴とする。

【００２３】本発明は、接触領域群を有する回路アセン
ブリと第２コネクタを電気的および機械的に相互接続し
、第２コネクタは第１側壁と、該第１側壁内に行列状に
配置された第１接触部群と、少なくとも１つの第２側部
接触部を有する電気的なコネクタにおいて、第３接触部
と第４接触部を有する電気的な接触子群を備え、ハウジ
ングは、パッセジ群がベースを貫通するとともに行列状
に配置され、該パッセジにそれぞれ固定され第１接触部
と接触するための第３接触部が接触領域のベースの第１
側にあり、第４接触部が前記ベースの第２側にある接触
子を有する絶縁性のベースと、ベースとともに部分的に
接触領域を囲み、第１側壁のうちの１つの側壁上の少な
くとも１つの第２接触部に接触させるため少なくとも１
つの第５接触部を備えた導電性の側壁と、回路アセンブ
リの接触領域に接続するため、第４接触部と第６接触部
が行列状に配置されるように、導電性側壁から延在させ
た少なくとも１つの第６接触部とを含むことを特徴とす
る。

【００２４】本発明は、接触領域群を有する回路アセン
ブリと第２コネクタを電気的および機械的に相互接続し
、第２コネクタは第１側壁と、該第１側壁内に行列状に
配置された第１接触部群と、少なくとも１つの第２側部
接触部を有するバーチカルリセプタクルにおいて、第２
側壁と、該第２側壁内に行列状に配置されたパッセジ群
を有する絶縁性のハウジングと、第１接触子群とを備え
、第１接触子群は、各接触子が第３接触部と第４接触部
を有し、該第３接触部が一般的に前記第４接触部に平行
かあるいは同一線上にあり、前記第３接触部のうちの１
つの接触部が第１接触部と接触させるため各パッセジ内
にあり、少なくとも１つの第５接触部と、少なくとも１
つの第６接触部と、曲折させた端部を有し、前記少なく
とも１つの第５接触部は第１の側壁のうち１つの側壁の
上の少なくとも１つの第２接触部と接触させるため、第
２側壁のうちの１つの側壁上にあり、前記第６接触部は
一般的に第５接触部と平行かあるいは同一線上にあり、
前記曲折させた端部はコネクタの嵌合面のグルーブに延
在するためのものである少なくとも１つの導体と、行列
状に配置された孔群を有し、第４接触部と第６接触部が
スペーサの一方の側にあり、第３接触部と第５接触部が
前記スペーサのもう一方の側にあるように、接触子が幾
つかの孔を介して延在され、第６接触部が前記孔群の残
りの孔を介して延在された絶縁性のスペーサとを有する
ことを特徴とする。

【００２５】本発明は、接触領域群を有する回路アセン
ブリと第２コネクタを電気的および機械的に相互接続し
、第２コネクタは第１側壁と、該第１側壁内に行列状に
配置された第１接触部群と、少なくとも１つの第２側部
接触部を有するバーチカルリセプタクルにおいて、接触
子群は、各接触子が第３接触部と第４接触部を有し、前
記第３接触部が第１接触部と接触させるために行列状に
配置され、各接触子の中間部は第４接触部が第３接触部
に対して直角か、あるいは直交して延在するように形成
され、ハウジングは、ベースを貫通させ行列状に配置し
たパッセジ群に接触子を配置したパッセジ群と、該パッ
セジに配置した接触子とを有する導電性ベースを含み、
前記パッセジに配置され、パッセジを有し、第３接触部
が接触領域のベースの第１側にあるとともに、第４接触
部が前記ベースの第２側にあるように、接触子を前記パ
ッセジに配置した絶縁性ブロックと、前記接触子の中間
部の間に配置するとともに、中間部から離してあり、前
記導電性ベースに接続したバッフルとを含むことを特徴
とする。

【００２６】本発明は、接触領域群を有する回路アセン
ブリと第２コネクタを電気的および機械的に相互接続し
、第２コネクタは端子群を有し、各端子は第１接触部を
有し、該第１接触部を行列状に配置した直角またはアン
グルドコネクタにおいて、電気的接触子群は、各接触子
が第２接触部と第３接触部を有し、接触子が第１組と第
２組を備え、前記第２接触部は第１接触部と接触させる
ために行列状に配置され、前記第１組は第３接触部が第
２接触部に対して直角または直交するように形成された
中間部を含み、ハウジングは、ベースを貫通し行列状に
配置されたパッセジ群と、該パッセジの幾つかに配置さ
れ前記ベースに電気的に接続した第２組の接触子とを有
する導電性のベースと、残りのパッセジに配置され、パ
ッセジを有し、第２接触部が接触領域のベースの第１側
にあり、第３接触部が前記ベースの第２側にあるように
ブロックのパッセジに第１組の接触子がある絶縁性ブロ
ックと、前記第１組の接触子の中間部の列の間にあると
ともに中間部の列から離れており、バッフルが導電性ベ
ースに接続されている導電性バッフルとを含むことを特
徴とする。

【００２７】本発明は、接触領域群を有する回路アセン
ブリと第２コネクタを電気的および機械的に相互接続し
、第２コネクタは端子群を有し、各端子は第１接触部を
有し、該第１接触部を行列状に配置した直角またはアン
グルドコネクタにおいて、それぞれ第１エンドと第２エ
ンドを有し、前記第１エンドが第１接触部と係合する第
１導電性ピン群と、キャビティ開口が第１エンドにあり
、前部および後部側壁と、フロアにピンと係合するスル
ーホール群を有する２つの側部壁とにより囲まれ、サイ
ドスカートが前部および後部側壁からそれぞれ下方に延
在され、グルーブ群を有し、グルーブはそれぞれ前記ピ
ンと平行に延在され、各サイドスカートのリブにより分
離されている絶縁性のハウジングと、前記サイドスカー
トの間に搭載され、前記サイドスカートの各グルーブの
エンドと整合されたノッチ群を有するグランドストリッ
プと、第２接触部に係合しキャリアストリップから共通
平面内に上方に突出する接触部ビームと、前記キャリア
ストリップに取り付けられ前記ビームからそれぞれ突出
したロッキングタブ群と、前記ロッキングタブの間のキ
ャリアストリップに取り付けられ前記ロッキングタブと
同一方向に延在させたシェルフタブ群とを有する導電性
スプリング接触部と、前記ハウジングに搭載され、ビー
ムがそれぞれ前部および後部側壁の内側に接触し、前記
シェルフタブとロッキングタブが曲げられ、グランドス
トリップの平坦側を保持するようにしたスプリング接触
部と、第１エンドと第２エンドを有し、第１ピン群の第
２エンドと第２ピン群の第２エンドが行列状に配置され
接触領域に係合するように、第２ピン群の第１エンドが
キャリアストリップに接続された第２ピン群とを備えた
ことを特徴とする。

【００２８】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細
に説明する。

【００２９】図１は本発明第１実施例に係る高密度コネ
クタアセンブリの分解図を示す。高密度コネクタアセン
ブリは第１回路アセンブリ２２２と第２回路アセンブリ
２２４を相互接続するための高密度直角またはアングル
ドリセプタクル２００と、高密度バーチカルヘッダ４０
０を含む。直角またはアングルドリセプタクル２００は
、接触領域群２２６を有する回路アセンブリ２２４と、
（コネクタ４００のような）第２コネクタを電気的およ
び機械的に相互接続するものである。第２コネクタは（
接触部４４４のような）第１側壁と、第１側壁内に行列
状に配列された（接触部４４５のような）第１接触部群
と、少なくとも１つの（接触部４６５のような）第２サ
イド接触部とを有する。

【００３０】図２は図１図示リセプタクル２００の分解
図である。図３は図１に示すリセプタクル２００の第１
嵌合面２４８の拡大図である。図４は図１に示すリセプ
タクル２００の第２嵌合面２７８の拡大図である。図５
は図１に示すリセプタクル２００の背面２８０の拡大図
である。図６は図１に示すリセプタクル２００の側面２
８２の拡大図である。図１１はリセプタクル２００の拡
大断面図である。図１ないし図６、図１１を説明する。 リセプタクル２００は絶縁性のハウジング２２８と、ハ
ウジング２２８に搭載された第１接触子群２３５と、少
なくとも１つの導体２４０と、導電性シールド３００と
を備えている。

【００３１】絶縁性ハウジング２２８は第１、ヘッダま
たはシュラウド、嵌合面２４８、第２側壁２３０、およ
びパッセジ群２８４を第２側壁２３０内に有する。パッ
セジ２８４は行列状に配列され、第１嵌合面２４８に直
交する方向にハウジング２２８を貫通している。ハウジ
ング２２８は導体２４０とシールド３００を整合させる
ための手段を有するようにしても良い。整合手段は突起
（またはスロット）２５０を備えるようにしても良い。

【００３２】接触子２３５は直角またはアングルド接触
子として用いる限り、その形状は問わない。言い換えれ
ば、接触子２３５は雄型素子、雌型素子、または中性型
素子であっても良い。さらに、接触子２３５は第３接触
部２４５および第４接触部２５５を有する。第３接触部
２４５はソケット型ビームまたはスプリングビームでも
良い。第４接触部２５５は実質的に平坦なソルダテイル
でも良い。第３接触部２４５は第１接触部４４５の１つ
に接触させるため、パッセジ２８４にそれぞれ固定され
ている。図１および図１１を参照されたい。第３接触部
２４５は一般的に互いに平行であり、行列状に配列され
ている。第３接触部２４５の行と列の数は任意にできる
。しかし、行と列の数は少なくとも２行と２列であるの
が望ましい。第３接触部２４５の典型的な行数は３行，
４行，５行，または６行ある。図には、行数が４行の第
３接触部２４５を示す。第３接触部２４５は列数が多い
のが典型的である。接触子２３５はその中間部２３６の
形状がそれぞれ第４接触子が第３接触子２４５に対して
ある角度をもつか、あるいは直交する形状になっている
。中間部２３６は直角になるように曲げるか、４５度ず
つ２回曲げるか、等々してもよい。第４接触部２５５は
スルーマウントさせるか、あるいはサーフェスマウント
させることができる。

【００３３】導体２４０はそれぞれ少なくとも１つの第
５接触部２６５と少なくとも１つの第６接触部２７５を
有する。導体２４０はそれぞれ第５接触部２６５群と第
６接触部２７５群を有するのが望ましい。各導体２４０
の第５接触部２６５は第２側壁２３０の一方にあり、第
１側壁４４４の一方の第２接触部４６５に接触させるよ
うになっている。各導体２４０上の第５接触部２６５は
第２側壁２３０の一方の外面上にあるのが望ましい。導
体２４０は２つあり、接触子２３５の行に一般的に平行
な第２側壁２３０のうち異なる側壁上にあるのが望まし
い。導体２４０は、それぞれ、コネクタ２００の第１嵌
合面２４８の対応する保持用グルーブまたはスロット２
５２に挿入させるため、図１ないし図６、図１１に示す
ように、シールド部材の細長い部分の少なくとも一端部
２４２を曲げたものでも良い。曲げた端部２４２が保持
グルーブまたはスロットに挿入された場合、第６接触部
２７５はシールド３００上の第７接触部３０５および／
または３０７に接続され、導体２４０は第２側壁２３０
上に固定される。また、導体２４０は個々に導体素子群
を備えることができ、導体素子群は個々に第５接触素子
群２６５の１つと第６接触群２７５の１つを有すること
ができる。導体２４０は任意の手段により第２側壁２３
０「上」に設けることができる。例えば、導体２４０の
第５接触部２６５は側壁上の導電性コーティングでもよ
い。導体２４０は導体２４０と、ハウジング２２８とシ
ールド３００を整合させるための手段を有することがで
きる。導体整合手段はスロット（または突起）２２４を
備えてもよい。

【００３４】図２は図１図示高密度直角またはアングル
ドリセプタクル２００を示す。図に示すリセプタクル２
００はハウジング２２８から分解されたシールド３００
を含む。視点は一般的にリセプタクル２００の上部すな
わち嵌合面２４８にある。シールド３００は接触子２３
５の中間部２３６の列の間で、中間部の列から離れた位
置にあるバッフル３０２を含む。バッフル３０２の１つ
は接触子２３５の中間部２３６の各列対の間にあるのが
望ましい。シールド３００とバッフル３０２は任意の導
電性材料から作ることができる。また、シールド３００
および／またはバッフル３０２はポリマーであっても良
いし、導電性の層またはコーティングを有することがで
きる。シールド３００は第７接触部３０５または３０７
により、導体２４０上の各第６接触部と接触されている
。第７接触部３０５は導体２４０の第６接触部２７５を
受ける、シールド３００のスロットまたは孔であるのが
望ましい。第７接触部３０７はバッフル３０２から延在
させるのが望ましい。さらに、シールド３００は回路ア
センブリ２２４の接触領域２２６に接続させるため、第
４接触部２５５とともに行列状に配列されている第８接
触部３１５群を含む。第８接触部３１５を単独で、また
は行状に配列された第４接触部２５５とともに１または
それ以上の行に配列することは、本発明の範囲内にある
。第４接触部２５５はソルダーテールであることが望ま
しい。第８接触部３１５はシールド３００の他の部分と
同様の金属から作ることができる。さらに、第８接触部
３１５はシールド３００の外壁３１０の穴または貫通孔
に固定されるピンでもよい。さらに、シールド３００は
バッフル３０２にそれぞれ結合させた外側壁３１０を備
えるのが望ましい。外側壁３１０と近傍のバッフル３０
２対により、接触子２３５の列の中間部２３６を入れる
ポケット３０８が規定されている。シールド３００の導
体部分に接触して、中間部分２３６がショートしないよ
うに、ポケット３０８に絶縁層をコートしてもよい。 外側壁３１０は一般的にハウジング２２８と第４接触部
２５５の間に延在させるようにしてもよい。外側壁３１
０は１つの連続する壁であって、ベンドが中間部のベン
ドに続くようにしてもよい。外側壁３１０のベンドが実
質的に直角である場合、外側壁３１０は、実際には、第
１外側壁３１１が第２外側壁３１３に接続されることに
なる。外側壁３１０は、第１エッジ３１２、第２エッジ
３１４、第３エッジ３１６、および第４エッジ３１８を
有するようにしてもよい。第１エッジ３１２は導体２４
０の近傍に位置させてある。シールド３００はシールド
３００と、導体２４０およびハウジング２４８とを整合
させる手段を有するようにしてもよい。例えば、第１エ
ッジ３１２または第１エッジ３１２の近傍の部分は、ス
ロット、突起、または歯３２０を有し、ハウジング２４
８の突起またはスロット２５０に合わせるようにしても
よい。シールド３００は第１側壁３２２を有し、第１側
壁３２２は第１エッジ３２４、第２エッジ３２６、およ
び第３エッジ３２８を有するようにしてもよい。第１側
壁３２２の第１エッジ３２４はハウジング２４８と接続
させるためのものである。第１側壁３２２の第２エッジ
３２６は外側壁３１０の第２エッジ３１４に接続するよ
うにしてもよい。シールド３００は第２側壁３３０を有
し、第２側壁３３０は第１エッジ、第２エッジ、および
第３エッジを有するようにしてもよい。第２側壁３３０
の第１エッジは、ハウジング２４８と接触するためのも
のである。第２側壁３３０の第２エッジは外側壁３１０
の第３エッジ３１６に接続するためのものである。さら
に、第１側壁３２２と第２側壁３３０はハウジング２４
８に接続せることができ、シールド３００に接続するか
、あるいはシールド３００の一部にするよりも、むしろ
絶縁するようにしてもよい。接触子２３５の中間部２３
６は外側壁３１０、第１側壁３２２、および第２側壁の
範囲内にある。外側壁３１０および／または第１側壁３
２２，第２側壁３３０は、クリーニングまたはドレンパ
ッセジ（図示しない）を有するようにしてもよい。さら
に、外側壁３１０、側壁３２２，３３０のエッジに沿っ
てスタンドオフを設け、クリーニング液をコネクタ２０
０内を通すようにしてもよい。

【００３５】図１，図４，および図１１を説明する。直
角またはアングルドリセプタクル２００は絶縁性のスペ
ーサ３５０を含み、絶縁性のスペーサ３５０には孔また
はスロットが行列状に配列されている。スペーサ３５０
はスタンドオフ３５１を有するようにしてもよい。接触
子２３５を孔３５２を貫通させて、第８接触部３１５お
よび第４接触部２５５と、それらの中間部２３６とがス
ペーサ３５０の別の側にあるようにする。さらに、第６
接触部２７５と第７接触部３０５はスペーサ３５０に対
して中間部２３６がある側に設けるのが望ましい。スペ
ーサ３５０はポケット３０８に挿入するため、スリーブ
（図示しない）を孔３５２の周りに延在させ、スペーサ
３５０と第４接触部２５５がシールド３００に対して横
方向に移動するのを減少させることができる。

【００３６】図７は図１図示高密度バーチカルヘッダ４
００の上面、すなわち第１嵌合面４４８の拡大図である
。図８は図１図示高密度バーチカルヘッダ４００の底面
、すなわち第２嵌合面４８０の拡大図である。図９は図
１図示高密度バーチカルヘッダ４００の前面４７８の拡
大図である。図１０は図１図示高密度バーチカルヘッダ
４００の側面４８２の拡大図である。図１１は図１図示
高密度バーチカルヘッダ４００の拡大断面図である。 図１および図１１を説明する。コネクタ４００は第１回
路アセンブリ２２２とリセプタクルを相互接続するため
の高密度バーチカルヘッダ４００を備えている。リセプ
タクルはリセプタクルハウジング内に行列状に配列され
た第１接触部群を有する端子群を有し、さらに少なくと
も１つの第２サイド接触部を有する。図１、図７ないし
図１０を説明する。直角またはアングルドヘッダ４００
は、ハウジング４２８、接触子群４３５、および少なく
とも１つの接触部４７５を備えている。ハウジング４２
８は絶縁性のベース４４２と側壁４４４を含み、接触子
群４３５はベース４４２上にマウントされており、接触
部４７５は導電性の側壁４４４から延在されている。

【００３７】導電性の接触子群４３５はバーチカル接触
子として用いられる限り、どのような形態でもよい。言
い換えると、雄型素子、雌型素子、または中性型素子で
あっても良い。さらに、特に、接触子４３５は第１接触
部４４５と第２接触部４５５を有する。第１接触子４４
５と第２接触子４５５はピンの端部で、その断面は一般
的に０．２４インチ×０．２４インチの四角形であるの
が望ましい。接触子４３５はベース２４２を貫通するパ
ッセジ４８４にそれぞれ固定され、第１接触部４４５は
接触領域４４６に配列され、（リセプタクル２００のよ
うな）リセプタクルの（接触部２４５のような）第１接
触部とそれぞれ接触するようになっている。第１接触部
４４５は一般的に互いに平行であり、行列状に配列され
ている。第１接触部４４５の行列数は任意で良い。しか
し、行列数は少なくとも２行、２列にするのが望ましい
。第１接触部４４５の典型的な行数は、３行，４行，５
行，または６行である。図には、行数が４行の第１接触
部４４５を示す。第２接触部４４５は列数が多いのが典
型的である。一般的に、第１接触部４４５はそれぞれ第
２接触部４５５と同一直線上にあるか、あるいは平行で
あるのが望ましい。第２接触部４５５はスルーマウント
接触部か、あるいはサーフェスマウント接触部であって
も良い。

【００３８】図１１を説明する。絶縁性のベース４４２
はパッセジ群４８４が絶縁性ベース４４２を貫通すると
ともに、行列状に配列されている。接触子４３５はパッ
セジ４８４にそれぞれ固定され、第１接触部４４５は接
触領域４４６のベース４４２の一方の側に位置し、（接
触部２４５のような）第３接触部と、ベース４４２のも
う一方の側に位置する第２接触部４５５と接触させてい
る。図１において、ベース４４２は接触子４３５を囲む
絶縁性のスリーブ４５４を備えてもよい。スリーブ４５
４は絶縁性の層４５６に接続してもよいし、絶縁性の層
４５６から延在させてもよい。第６接触部４７５は絶縁
性の層４５６の縁部４６０の孔４５８を貫通させるよう
にしてもよい。

【００３９】再び、図１１を説明する。導電性の側壁４
４４は、嵌合側コネクタの側壁の一方に設けた（接触部
２６５のような）第２接触部と接触させるため、少なく
とも１つの第５接触部４６５を備えている。第５接触部
４６５は側壁４４４の内面でもよいし、外面でもよい。 実施例では、導電性の側壁４４４の対応する内面に第５
接触部４６５を備えている。ベース４４２と導電性側壁
４４４により、部分的に接触領域が囲まれている。導電
性側壁４４４は絶縁性層４５６の縁部４６０に一般的に
接触させ、縁部４６０と直交するように延在させてもよ
い。回路アセンブリ２２２の接触領域２２６に接続する
ため、第２接触部４５５と第６接触部４７５を行列状に
配列し、少なくとも１つの第６接触部４７５は導電性側
壁４４４から延在させてある。第６接触群４７５は対向
する側壁４４４から延在させるのが望ましい。第６接触
部４７５はその形状がピン状になっているのが望ましい
。第６接触部４７５はその形状が第２接触部４５５と同
様でもよいし、あるいは異なってもよい。例えば、第６
接触部４７５と第２接触部４５５の形状が両方ともピン
状であってもよいが、第６接触部４７５のような断面を
他の接触部の断面より大きくすることができる。第６接
触部４７５は側壁４４４と同一の金属で一体成形するこ
とができる。また、接触部４７５は側壁４４４の孔かあ
るいは貫通孔に固定することができる導電性のピンであ
ってもよい。

【００４０】図１、図７および図１１を説明する。ハウ
ジング４２８は導電性の側壁４４４に接続し、側壁４４
４と側壁４４４の間に延在させた、導電性のベース、す
なわち格子４６２を備えても良い。格子４６２は一般的
に導電性の側壁４４４に直交させてある。格子４６２に
は接触子４３５を囲むパッセジ群４６４がある。スリー
ブ４５４は格子４６２のパッセジ４６４に設けることが
できる。

【００４１】図１１は図１、図７ないし図１０のバーチ
カルヘッダ４００から分解された、図１ないし図６に示
す直角またはアングルドリセプタクル２００の断面図で
ある。

【００４２】しかし、高密度リセプタクル２００の第３
接触部２４５は、バーチカルヘッダ４００の第３接触部
２４５にのみ接続されるとは限らないことに注意すべき
である。高密度リセプタクル２００の第３接触部２４５
は、少なくとも１つの第５接触部２６５に係合するため
、第１接触部群が行列状に配列され、少なくとも１つの
第２接触部を有する端子群または接触子群を有するコネ
クタであればどのコネクタにも接続させることができる
。リセプタクル２００と嵌合できるヘッダは、バーチカ
ルヘッダか、あるいは直角またはアングルドヘッダでも
良い。リセプタクル２００と嵌合できるヘッダの端子群
はピンであり、ピンの断面は０．２４インチ×０．２４
インチの四角形である。リセプタクル２００と嵌合する
ヘッダが直角またはアングルドヘッダである場合、それ
は図２１に示す直角またはアングルドヘッダ６００であ
るのが望ましい。同様にして、高密度ヘッダ４００の第
１接触部４４５の接続はリセプタクル２００の接触部２
４５にのみに限定されない。高密度ヘッダ４００の第１
接触部４４５は、少なくとも１つの接触部４６５に係合
するため、第１接触子群が行列状に配列され、少なくと
も１つの第２側部接触部を有する端子群または接触子群
を有するコネクタにはどのコネクタにも接続することは
できない。ヘッダ４００と嵌合するリセプタクルは、バ
ーチカルリセプタクル、直角またはアングルドリセプタ
クルであっても良い。ヘッダ４００と嵌合するリセプタ
クルの端子群は、ソケット型の接触部を有し、ヘッダ４
００の第１接触部４４５に係合させるのが望ましい。 ヘッダ４００と嵌合するリセプタクルが直角またはアン
グルドリセプタクルである場合、図１１に示す直角また
はアングルドリセプタクルのリセプタクル２００である
のが望ましい。

【００４３】図１２は本発明第２実施例の高密度コネク
タアセンブリ、すなわち、第１回路アセンブリ５２２と
第２回路アセンブリ５２４を相互接続するための高密度
バーチカルリセプタクル５００と高密度直角またはアン
グルドヘッダ６００を含むアセンブリの分解図を示す。 高密度バーチカルリセプタクル５００は接触領域群５２
６を有する第２回路アセンブリ５２４と、（コネクタ６
００のような）第２コネクタを電気的および機械的に相
互接続するものである。（コネクタ６００のような）第
２コネクタは（６４４のような）第１側壁と、第１側壁
内に行列状に配列された（６４５のような）第１接触部
群と、（６５５のような）少なくとも１つの第２接触部
を有する。

【００４４】図１３は図１２に示す高密度バーチカルリ
セプタクル５００の上面、すなわち第１嵌合面５４８の
拡大図である。図１４は図１２に示す高密度バーチカル
リセプタクル５００の底面、すなわち第２嵌合面５８０
の拡大図である。図１５は図１２に示す高密度バーチカ
ルリセプタクル５００の前面５７８の拡大図である。図
１６は図１２に示す高密度バーチカルリセプタクル５０
０の側面５８２の拡大図である。図２１は図１２に示す
高密度バーチカルリセプタクル５００の拡大断面を含む
。図１２ないし図１６、図２１を説明する。バーチカル
リセプタクル５００は絶縁性のハウジング５２８と，ハ
ウジング５２８に搭載された第１導電性接触子群と、少
なくとも１つの導体２４０と、絶縁性のスペーサ５９０
を備えている。

【００４５】例えば、図１３を説明する。絶縁性のハウ
ジング５２８は第１、ヘッダまたはシュラウド、嵌合面
５４８，第２側壁５３０を有し，第２側壁５３０内にパ
ッセジ群５８４を有する。パッセジ５８４は行列状に配
列され、第１嵌合面５４８と直交するようにハウジング
５２８を貫通さてある。ハウジング５２８はハウジング
５２８に導体２４０を整合させる手段を有しても良い。 ハウジング整合手段は突起またはスロット５５０を備え
るようにしても良い。図１２および図１５を参照された
い。

【００４６】導電性接触子５３５はバーチカル接触子と
して用いる限り形状は問わない。言い換えると、導電性
接触子５３５は雄素子、雌素子または中性素子でも良い
。特に、図２１を説明すると、導電性接触子５３５は接
触部５４５と接触部５５５を有する。接触部５４５は一
般的に接触部５５５と平行か、あるいは同一線上にある
のが望ましい。接触部５４５はソケット形状のビームか
、あるいはスプリングビームであっても良い。接触部５
５５は実質的に平坦なソルダテイルでも良い。接触部５
４５は接触部６４５と接触させるため、パセッジ５８４
に固定されている。接触部５４５は一般的に互いに平行
であり、行列状に配列されている。接触部５４５の行数
と列数は任意にできる。しかし、行列数は少なくとも２
行、２列であるのが望ましい。接触部５４５の行数は３
行，４行，５行，または６行であるのが典型的である。 図に示す接触部５４５は行数が４行のものである。 接触部５４５の列数は多のが典型的である。接触部５５
５はスルーマウント接触部か、あるいはサーフェスマウ
ント接触部であっても良い。

【００４７】導体２４０上の第５接触部２６５は側壁５
３０上にあり、側壁６４４上の接触部６６５と接触させ
るようになっている。導体２４０上の第５接触部２６５
は第２側壁５３０の外面上にあるのが望ましい。導体２
４０は２つあるのが望ましく、導体２４０は一般的に接
触子５３５の行に平行な側壁５３０の異なる側壁上にあ
るのが望ましい。導体２４０は図１２ないし図１６、図
２１に示すように、シールド部材を延在させ、少なくと
も１つの曲折した端部２４２を有し、コネクタ５００の
嵌合面５４８の対応する保持用グルーブまたはスロット
５５２に挿入させることができる。また、導体２４０は
それぞれ導体素子群を備えることができ、導体素子はそ
れぞれ１つの第５接触部２６５と１つの第６接触部２７
５を有してもよい。導体２４０は任意の手段を用いて側
壁５３０の「上」に設けることができる。例えば、導体
２４０の第５接触部２６５は、側壁５３０上の導電性コ
ーティングでもよい。導体２４０は導体２４０とハウジ
ング５２８を整合させるための手段を有するようにして
も良い。図１５を説明する。導体整合手段はスロットま
たは突起２４４を備えても良い。曲折した端部２４２が
保持グルーブまたはスロット５５２に挿入される場合、
スロット２４４は突起５５０を覆うように配列され、導
体２４０は第２側壁５３０上に固定される。

【００４８】例えば、図１２ないし図１４、図２１を説
明する。バーチカルリセプタクル５００は孔群またはス
ロット群５９２が行列状に配列された絶縁性スペーサ５
９０を含むようにしても良い。接触子５３５は、第６接
触部２７５および接触部５５５と、接触部５４５および
第５接触部２６５とがスペーサ５９０の別の側に来るよ
うに、孔５９２を介して延在させることができる。スペ
ーサ５９０はスペーサ５９０と第２アセンブリ５２４の
間を離すか、あるいは間隔をあけるため、スタンドオフ
５３２を有することができる。

【００４９】図１７は図１２に示す高密度直角またはア
ングルドヘッダ６００の上面、すなわち嵌合面６４８の
拡大図である。図１８は図１２に示す高密度直角または
アングルドヘッダ６００の前面、すなわち嵌合面６７８
の拡大図である。図１９は図１２に示す高密度直角また
はアングルドヘッダ６００の底面６８０の拡大図である
。図２０は図１２に示す高密度直角またはアングルドヘ
ッダ６００の側面６８２の拡大図である。図２１は図１
２に示す高密度直角またはアングルドヘッダ６００の側
面６８２の拡大図である。図１２および図２１を説明す
る。コネクタ６００は高密度直角またはアングルドヘッ
ダ６００を備え、回路アセンブリ５２２とリセプタクル
を相互接続するようになっている。リセプタクルは第１
接触部がハウジング内で行列状に配列された端子群を有
し、少なくとも１つの第２サイド接触部を含む。

【００５０】図１２、図１７ないし図２１を説明する。 直角またはアングルドヘッダ６００は導電性接触子群６
３５と、ハウジング６２８と、少なくとも１つの接触部
６７５を備えている。ハウジング６２８は導電性ベース
６３８と、絶縁性ブロック６４２と、少なくとも１つの
導電性バッファ６７０を有する。接触部６７５はバッフ
ァ６７０から延在されている。

【００５１】導電性接触子６３５は直角またはアングル
ド接触子として用いる限り、その形状は任意である。言
い換えれば、導電性接触子６３５は雄素子、雌素子、ま
たは中性素子であっても良い。さらに、図１２および図
２１を説明する。接触子６３５は接触部６４５と接触部
６５５を有する。接触部６４５と接触部６５５は断面形
状が０．２４インチ×０．２４インチの四角形であるピ
ンの端部であるのが望ましい。接触子６３５はベース６
３８を貫通するパッセジ６８４に固定され、接触部６４
５が接触領域６４６に位置され、（リセプタクル５００
のような）嵌合リセプタクルの（接触部５４５のような
）接触部と接触させるようになっている。接触部６４５
は一般的に互いに平行であり、行列状に配列されている
。接触部６４５の行列数は任意である。しかし、行列数
は少なくとも２行、２列であるのが望ましい。接触部６
４５の行数は、典型的には、３行，４行，５行，または
６行である。図には行数が４行の接触部６４５を示す。 接触部６４５の列数は多いのが典型的である。接触子６
３５の中間部６３６の形状は接触子６３５が接触部６４
５に対して直角か、あるいは直交するような形状になっ
ている。中間部６３６は１つの直角ベンド、２つの４５
°ベンド等を有する。接触部６５５はスルーマウント接
触部か、あるいはサーフェスマウント接触部であっても
良い。

【００５２】導電性ベース６３８はパッセジ群６８４が
行列状に配列され、ベース６３８を貫通するようになっ
ている。接触子６３５はパッセジ６８４に固定され、接
触部６４５が接触領域６４６のベース６３８の第１面上
に配列され、（接触部５４５のような）接触部と、ベー
ス６３８の第２面に位置する接触部６５５とが接触する
ようになっている。絶縁性ブロック６４２はパッセジ６
８４に配列してある。接触子６３５はブロックパッセジ
６７４を貫通させてベース６３８から絶縁され、接触部
６４５がベース６３８の第１面上にあり、接触部６５５
がベース６３８の第２面上にあるようにする。ブロック
６４２は接触子６３５を囲むようにした絶縁性のスリー
ブ６５４を備えるようにしても良い。接触子６３５の列
とそれぞれ関わるスリーブ６５４は同一のブロック６７
２に接続するようにしてもよい。バッフル６７０は導電
性ベース６３８から延在させるようにしても良い。

【００５３】導電性バッファ６７０は接触子６３５の中
間部６３６の列の間に位置させるか、中間部６３６の列
から離してある。バッフル接触部６７５は接触部６５５
とバッフル接触部６７５が行列状に配列され、回路アセ
ンブリ５２２の接触領域５２６に接続されるように、導
電性バッフルから延在させてある。バッフル接触部６７
５はその形状が接触部６５５と同一か、あるいは異なっ
ても良い。例えば、接触部６５５とバッフル接触部６７
５は両方ともピン形状にできるが、バッフル接触部６７
５のような断面を他の断面より大きくすることができる
。バッフル接触部６７５はベース６３８とバッフル６７
０と同一の金属から作ることができる。また、バッフル
接触部６７５はバッフル６７０の穴かあるいは貫通孔に
固定させた導電性のピンでもよい。（図２３に示す壁７
７６のような）導電性壁は近傍のバッフル６７０対に接
続するようにしても良い。バッフル６７０は一般にベー
ス６３８に直交するように延在させてある。

【００５４】ハウジング６２８は導電性の側壁６４４を
備え、一般的にベース６３８に直交するように延在させ
るようにしても良い。ベース６３８と導電性側壁６４４
は部分的に接触領域６４６を囲むようにしてある。導電
性ベース６３８を、導電性側壁６４４に接続するか、あ
るいは導電性側壁６４４の間に延在させた導電性格子と
して記述することができる。格子６３８は一般的に導電
性側壁６４４に直交するようにしても良い。

【００５５】図２１は図１２、図１７ないし図２０に示
す直角またはアングルドヘッダ６００から分解された図
１２ないし図１６に示すバーチカルリセプタクル５００
の断面図である。図２２は図１２、図１７ないし図２０
に示す直角またはアングルドヘッダ６００から分解され
た図１ないし図６に示す直角またはアングルドリセプタ
クル２００の断面図である。高密度リセプタクル５００
の接触部５４５はバーチカルヘッダ６００の接触部６４
５にのみ接続されるとは限らないということに注意すべ
きである。高密度リセプタクル５００の接触部５４５は
、コネクタが端子を囲む端子またはシュラウドに固定さ
れたハウジングの接触領域に行列状に配列された第１接
触群を有する端子群または接触子群を有する限り、また
、コネクタが少なくとも１つの第５接触部２６５と係合
する少なくとも１つの第２側接触部を有する限り、どの
ようなコネクタにも接続することができる。リセプタク
ル５００と嵌合できるヘッダはバーチカルヘッダまたは
直角またはアングルドヘッダとすることができる。リセ
プタクル５００に嵌合できるヘッダの端子群はピンであ
り、その断面形状が０．２４インチ×０．２４インチの
四角形である。リセプタクル５００と嵌合できるヘッダ
が直角またはアングルドヘッダである場合、それは図２
１に示す直角またはアングルドヘッダ６００であるのが
望ましい。同様にして、高密度ヘッダ６００の接触部６
４５の接続はリセプタクル２００の接触部２４５、また
はリセプタクル５００の接触部５４５にのみに限定され
ない。高密度ヘッダ６００の接触部６４５は、少なくと
も１つの接触部６６５に係合する少なくとも１つの第２
側部接触部を有し、かつ行列状に配列された第１接触部
群を有する端子群または接触子群を有するコネクタには
接続することはできない。ヘッダ６００と嵌合するリセ
プタクルは、バーチカルリセプタクル、直角またはアン
グルドリセプタクルであっても良い。ヘッダ６００と嵌
合するリセプタクルの端子群はソケット型の接触部を有
し、ヘッダ６００の接触部６４５に係合させるのが望ま
しい。ヘッダ６００と嵌合するリセプタクルが直角また
はアングルドリセプタクルである場合、図２２に示す直
角またはアングルドリセプタクルのリセプタクル２００
であるのが望ましい。

【００５６】図２３は本発明第３実施例の高密度コネク
タアセンブリの分解図を示す。高密度コネクタアセンブ
リは、第１回路アセンブリ１２２と第２回路アセンブリ
１２４を接続するための、高密度の直角またはアングル
ドリセプタクル１００と高密度ヘッダ７００を含む。高
密度の直角またはアングルドリセプタクル１００は回路
アセンブリと、ヘッダハウジングまたはシュラウドに行
列状に配列された第１接触部群を有する端子群とを電気
的および機械的に接続するためのものである。図２５は
図２３，図２４に示す直角またはアングルドリセプタク
ル１００の上面、すなわち第１嵌合面１４８の拡大図で
ある。図２６は図２３，２４に示す直角またはアングル
ドリセプタクル１００の前面、すなわち第２嵌合面１７
８の拡大図である。図２７は図２３，図２４に示す直角
またはアングルドリセプタクル１００の底面１８０の拡
大図である。図２８は図２３，図２４に示す直角または
アングルドリセプタクル１００の側面１８２の拡大図で
ある。図３３は図２３，図２４に示す直角またはアング
ルドリセプタクル１００の断面を含む。図２３ないし図
２８、図３３を説明する。直角またはアングルドリセプ
タクル１００は絶縁性ハウジング１２８と、導電性接触
子群１３５を備え、ハウジングと導電性シールドに搭載
されている。

【００５７】絶縁性ハウジング１２８は第１、ヘッダま
たはシュラウド、嵌合面１４８を有する。ハウジング１
２８はパッセジ群１８４が行列状に配列され、第１嵌合
面１４８に直交するように延在されている。

【００５８】導電性接触子１３５は直角またはアングル
ド接触子として用いられる限り、形状は問わない。言い
換えると、導電性接触子１３５は雄素子、雌素子または
中性素子でも良い。導電性接触子１３５は第２接触部１
４５と第３接触部１５５を有する。第２接触部１４５は
ソケット形状のビームであっても良いし、スプリングビ
ームであっても良い。第３接触部１５５は実質的に平坦
なソルダテイルでも良い。第２接触部１４５は第１接触
部６５と接触させるため、パッセジ１８４に固定されて
いる。第２接触部１５５は一般的に互いに平行であり、
行列状に配列されている。第２接触部１４５の行数と列
数は任意にできる。しかし、行列数は少なくとも２行、
２列あるのが望ましい。第２接触部１４５の行数は典型
的には、３行，４行，５行，または６行である。図に示
す第２接触部１４５は行数が４行のものである。第２接
触部１４５の列数は典型的には多数である。接触子１３
５は、パッセジ１８５の第ｎ行に第２接触部１４５を有
する接触子１３５を除き、その中間部の形状は、第３接
触部１５５が第２接触部１４５に対して直角か、あるい
は直交する形状になっている。中間部１３６は１つの直
角ベンド、２つの４５°ベンド等を有する。第４行の接
触子１３５は長さが最大の接触子１３５である。第１組
１８８の接触子１３５は第ｎ行パッセジに第２接触部１
４５を有し、その形状は、第３接触部１５５が第２接触
部１４５に対して直角か、あるいは直交する形状である
。これらの中間部１３６は１つの直角ベンド、２つの４
５°ベンド等を有するようにしても良い。第２接触部１
４５が第ｎ行パッセジ１８４にあり、少なくとも１つの
接触子１３５よりなる第２組１９０を有する。接触子１
３５よりなる第２組１９０の第３接触部１５５は、実質
的に平坦なソルダテイルである。接触子１３５よりなる
第２組１９０の第３接触部１５５は、一般的に、第２接
触部１４５に対してコーリニアか、あるいは平行になっ
ているのが望ましい。また、第２組１９０は第１組１８
８の各対の間にあるのが望ましい。第３接触部１５５は
、第２組１９０の接触部を除き、スルーマウント接触部
またはサーフェスマウント接触部にすることができる。

【００５９】図２４は図２３に示す高密度直角またはア
ングルドリセプタクル１００で、ハウジング１２８から
分解されたシールド３００を含むリセプタクル１００の
上面、すなわち第１嵌合面１４８から一般的に見た図で
ある。シールド３００は接触子１３５の中間部１３６の
列の間に位置させるか、あるいは中間部１３６の列から
離した位置に位置させてある。バッファ３０２の１つは
接触子１３５の中間部の近傍の列の各対の間にあるのが
望ましい。シールド３００とバッファ３０２は導電性材
料から作ることができる。また、シールド３００および
／またはバッファ３０２は高分子材料であっても良いし
、導電層またはコーティングを有することができる。 シールド３００は接触子１３５よりなる第２組１９０の
各第３接触部１５５に接触させる第４接触部３０５を含
む。

【００６０】第４接触部３０５はシールド３００内のス
ロットまたは孔であって、接触子１３５よりなる第２組
１９０の第３接触子１５５を受けるようにするのが望ま
しい。シールド３００は第５接触部群３１５を含み、第
５接触部３１５と第３接触部１５５が、第ｎ行の接触子
１３５よりなる第２組１９０の第３接触部を除き、回路
アセンブリ１２４に接続するため行列状に配列されてい
る。第３接触部１５５が第５接触部３１５を有する行に
配列されてもされなくても、第５接触部３１５が１また
はそれ以上の行に配列されることは本発明の範囲内であ
る。第５接触部３１５はピン形状になっている。第５接
触部３１５はその形状を第３接触部１５５のそれと異な
らせることができる。例えば、第３接触部１５５と第５
接触部３１５は両方ともピン形状にすることができるが
、第５接触部３１５のような断面を他の断面より大きく
することができる。第５接触部３１５は他のシールド３
００と同一の金属から作ることができる。また、第５接
触部３１５は導電性ピンをシールド３００の壁３１０の
孔か、あるいは貫通孔に固定することができる。シール
ド３００はバッフル３０２に接続され、延在された外側
壁３１０を備えている。外側壁３１０と近傍バッフル３
０２の対により、接触子１３５の１列の中間部１３６の
ためのポケットが規定されている。中間部１３６がシー
ルド３００の導電部に接触してショートしないようにす
るため、ポケット３０８は絶縁性層でコーティングする
ことができる。外側壁３１０はハウジング１２８とスペ
ーサ３５０の間に延在させてある。外側壁は１つの連続
する壁であり、一般的に、１つのベンドが接触子１３５
の中間部１３６のベンドに続くようにしても良い。外壁
３１０のベンドが実質的に直角である場合は、外壁は実
際上第１外壁３１１が第２外壁３１３に接続される。 外壁３１０は第１エッジ３１２、第２エッジ３１４、第
３エッジ３１６、および第４エッジ３１８を有するよう
にしても良い。第１エッジ３１２はハウジング１４８に
接触させるためのものである。第１エッジ３１２は歯、
穴、または突起を有し、ハウジング１４８の歯、穴、ま
たは突起に挿入するか、あるいは嵌合するようにしても
良い。シールド３００は第１側部壁３２２を有し、第１
側部壁３２２は第１エッジ３２４、第２エッジ３２６、
および第３エッジ３２８を有するようにしても良い。第
１側部壁３２２の第１エッジ３２４はハウジング１４８
を接触させるためのものである。第１側部壁３２２の第
２エッジ３２６は側壁３１０の第２エッジ３１４に接続
するようにしても良い。シールド３００は第２側部壁３
３０を有し、第２側部壁３３０は第１エッジ３３２、第
２エッジ３３４、および第３エッジ３３６を有するよう
にしても良い。第２側壁３３０の第１エッジ３３２はハ
ウジング１４８を接触させるためのものである。第２側
部壁３３０の第２エッジ３３４は側壁３１０の第３エッ
ジ３１６に接続するためのものである。また、第１側壁
３２２と第２側部壁３３０はハウジング１４８に接続す
ることができ、シールド３００の一部に接続するか、あ
るいはシールド３００の一部とするよりはむしろ、絶縁
性にすることができる。接触子１３５の中間部１３６は
外側壁３１０、第１側部壁３２２、および第２の側部壁
３３０の境界線内にある。外側壁３１０および／または
外壁３２２，３３０は図示しないクリーニング用または
ドレイニング用パッセジを有するようにしても良い。さ
らに、コネクタ１００を通過するようにクリーニング液
を流すため、壁３１０のエッジに沿ってスタンドオフを
有するようにしても良い。

【００６１】直角またはアングルドリセプタクル１００
は行列状に配列した孔群３５２を有する絶縁性のスペー
サ３５０を含むようにしても良い。接触子１３５は、第
２組１９０を除き、孔３５２を貫通するように延在させ
、第８接触部３１５と第３接触部１５５を、第ｎ列の接
触子１３５よりなる第１組１８８の第３接触部１５５を
除き、スペーサ３５０の一方の側にあるようにし、中間
部１３６をスペーサ３５０のもう一方の側にあるように
することができる。スペーサ３５０は図示しないスリー
ブを有し、ポケット３０８に挿入してシールド３００に
対するスペーサ３５０と第３接触部１５５の横移動を減
少させるための孔３５２から延在させることができる。

【００６２】図２９は図２３の高密度直角またはアング
ルドヘッダ７００の上面、すなわち第１嵌合面７４８の
拡大図である。図３０は図２３の高密度直角またはアン
グルドヘッダ７００の前面、すなわち第２嵌合面７７８
の拡大図である。図３１は図２３の高密度直角またはア
ングルドヘッダ７００の底面７８０の拡大図である。図
３２は図２３の高密度直角またはアングルドヘッダ７０
０の側面７８２の拡大図である。図３３はヘッダ７００
の断面を含む。コネクタ７００は高密度直角またはアン
グルドヘッダ７００とリセプタクルを備えている。高密
度直角またはアングルドヘッダ７００は回路アセンブリ
１２２に相互接続するためのものである。リセプタクル
は端子群を含み、第１接触部群がハウジングに行列状に
配列されている。図２３、図２９および図３３を説明す
る。直角またはアングルドヘッダ７００は導電性接触子
７３５群と、ハウジング７２８を備えている。ハウジン
グ７２８は導電性のベース７３８，絶縁性のブロック７
４２，少なくとも１つの導電性バッファ７７０、および
導電性バッファ７７０から延在させた接触部７７５を含
む。

【００６３】導電性接触子７３５は直角またはアングル
ド接触子として用いる限り、任意の形状を有するように
しても良い。言い換えれば、導電性接触子７３５雄素子
、雌素子、中性素子であっても良い。さらに、接触子７
３５は第２接触部７４５と第３接触部７５５を有する。 第２接触部７４５と第３接触部７５５はピンの端部であ
り、その断面形状が０．２４インチ×０．２４インチの
四角形であっても良い。図２９を説明する。接触子７３
５は第１組７９４と第２組７９６を備えている。接触子
７３５はベース７３８を貫通するパッセジ７８４にあり
、第２接触部７４５が接触領域７４６に位置させてあり
、（リセプタクル１００のような）嵌合リセプタクルの
（接触部１４５のような）第１接触部と接触させるよう
になっている。第２接触部７４５は一般的に互いに平行
であり、行列状に配列されている。第２接触部７４５の
行数、列数は任意にできる。しかし、行列数は少なくと
も２行、２列であるのが望ましい。第２接触部７４５の
典型的な行列数は３列，４列，５列，または６列である
。図には４列の第２接触部７４５を示す。第２接触部７
４５の行数が多いのが典型的である。接触子７３５の第
１組の中間部７３６の形状は、第３接触部７５５が第２
接触部７４５に対して直角か、あるいは直交するように
した形状を有する。中間部７３６は１つの直角ベンド、
２つの４５°アングルベンド等を有しても良い。第３接
触部７５５はスルーマウント接触部、またはサーフェス
マウント接触部であっても良い。

【００６４】図２３，図２９および図３３を説明する。 導電性ベース７３８はパッセジ７８４群が行列状に配列
され、ベース７３８を貫通するように延在されている。 接触子７３５はパッセジ７８４にあり、第２接触部７４
５が接触領域７４６のベース７３８の第１面に配列され
、（接触部１４５のような）第１接触部と、ベース７３
８の第２面に配列された第３接触部７５５と接触させる
ようになっている。接触子７３５の第２組７９６は幾つ
かのパッセジ７８４に配列され、ベース７３８に電気的
に接続されている。絶縁性ブロック７４２は残りのパッ
セジ７８４に配列されている。ブロック７４２はパッセ
ジ７７４を有する。接触子７３５の第１組７９４はブロ
ックパッセジ７７４を貫通させて、第２接触部７４５が
接触領域７４６のベース７３８の第１面上にあり、第３
接触部７５５がベース７３８の第２面上にあるようにし
て、ベース７３８から絶縁する。ブロック７４２は絶縁
性スリーブ７５４を備え、第１組７９４の接触子７３５
を囲むようにしても良い。接触子７３５の列に関わるス
リーブ７５４は、図２３に示すように、同一ブロック７
４２に接続させるようにしても良い。

【００６５】導電性バッフル７７０は第１組７９４の接
触子７３５の中間部７３６の列の間に位置させるか、あ
るいは中間部７３６の列から離してある。バッフル７７
０は導電性ベース７３８に電気的に接続されている。バ
ッフル接触部７７５は導電性バッフル７７０から延在さ
せ、第３接触部７５５とバッフル接触部７７５が行列状
に配列され、回路アセンブリ１２２の接触領域１２６に
接触するようにしても良い。バッフル接触部７７５はそ
の形状が第３接触部７５５と同一か、あるいは異なって
も良い。例えば、第３接触部７５５とバッフル接触部７
７５は、両方ともピン形状にできるが、バッフル接触部
７７５のような断面を他の断面より大きくすることがで
きる。バッフル接触部７７５はベース７３８およびバッ
フル７７０と同一金属から作ることができる。また、バ
ッフル接触部７７５は導電性ピンであり、バッフル７７
０の穴または貫通孔に固定することができる。図２３，
図３０および図３３を説明する。導電性壁７７６は隣接
したバッフル７７０対に接続するようにしても良い。導
電性壁７７６は一般的にベース７３８と直交する。導電
性壁７７６はバッフル７７０の全体に沿って延在するよ
うにしても良く、バッフル７７０の全てに接続するよう
にしても良い。例えば、バッフル７７０と壁７７６はシ
ールド３００は同様の形状でも良く、またシールド３０
０の代わりに用いても良い。

【００６６】ハウジング７２８は導電性の側部壁７４４
を有し、一般的にベース７３８と直交するように延在さ
せるようにしても良い。ベース７３８と導電性側部壁７
４４は部分的に接触領域７４６を囲むようになっている
。

【００６７】図３３は図２３、図２９ないし図３２の直
角またはアングルドヘッダから分解された図２３ないし
図２８の直角またはアングルドリセプタクルの断面図で
ある。高密度ヘッダ７００の第２接触部７４５は、リセ
プタクル１００の接触部１４５にのみ接続されるとは限
らない。高密度ヘッダ７００の第２接触部７４５は、コ
ネクタに行列状に配列された第１接触部を有する端子群
または接触子群を有するコネクタには、どのコネクタに
も接続することができない。ヘッダ７００と嵌合するこ
とができるリセプタクルはバーチカルリセプタクル、ま
たは直角またはアングルドリセプタクルでも良い。ヘッ
ダ７００と嵌合することができるリセプタクルの端子は
、その形状がソケット形状であり、ヘッダ７００の第２
接触部７４５に係合するようにするのが望ましい。ヘッ
ダ７００と嵌合するリセプタクルが直角またはアングル
ドリセプタクルである場合、図２３に示す直角またはア
ングルドリセプタクルであるのが望ましい。

【００６８】図３４は本発明第４実施例に係る高密度コ
ネクタアセンブリの分解図であり、アセンブリは図１な
いし図６の直角またはアングルドリセプタクル２００を
含み、第１回路アセンブリ８２２と第２回路アセンブリ
８２４を相互接続するための高密度バーチカルヘッダ８
００を含む。図３５は図３４に示す高密度バーチカルヘ
ッダ８００のパーツの分解図である。コネクタ８００は
第１回路アセンブリ８２２とリセプタクルを相互接続す
る高密度バーチカルヘッダを備え、リセプタクルはリセ
プタクルハウジング内に行列状に配列された第１接触部
群を有する端子群を含み、また少なくとも１つの第２側
部接触部を含む。

【００６９】ヘッダ８００は番号のみを記載して本実施
例の一部とした米国特許４，６０１，５２７号に開示さ
れたヘッダアセンブリと同様である。しかし、ピン８０
２は米国特許４，６０１，５２７号に開示された導電性
金属スプリング接触部８１０に接続されている。ピン８
０２は回路アセンブリ８２２のメッキスルーホールのよ
うな、導電性領域８２６に接続するためのものである。

【００７０】図３６は図３４の高密度バーチカルヘッダ
８００の上面、すなわち第１嵌合面８４８の拡大図であ
る。図３７は図３４の高密度バーチカルヘッダ８００の
底面、すなわち第２嵌合面８７８の拡大図である。図３
８は図３４の高密度バーチカルヘッダ８００の前面の拡
大図である。図３９は図３４の高密度バーチカルヘッダ
８００の側面８８２の拡大図である。図４０はヘッダ８
００の断面図を含む。図３４ないし図４０を説明する。 直角またはアングルドヘッダ８００は導電性のピン８３
５群と、絶縁性ハウジング８２８と、グランドストリッ
プ８３０と、少なくとも１つの導電性スプリング接触部
８１０と、第２ピン８０２群を備えている。

【００７１】例えば、図４０を説明する。第１導電性接
触子群、すなわちピン８３５は、第１接触部すなわち端
部８４５と、第２接触部すなわち端部８５５を有する。 第１端部８４５は（２４５のような）第１接触部に係合
するためのものである。

【００７２】絶縁性のハウジング８２８はキャビティ、
すなわち接触領域８４６が第１端部で開口している。キ
ャビティ８４６は部分的に前部壁また後部壁８４４によ
り囲まれ、ベースまたはフロア８４２とともに、２つの
側部壁８４３により囲まれている。フロア８４２にはス
ルーホール群があけられている。スルホール（すなわち
スルーホールを規定するフロア８４２の円筒形の壁）は
ピン８４２と係合するようになっている。サイドスカー
ト８５０は前部および後部壁８４４から下方に延在され
ている。グルーブ８５２群はスカート８５０の外面のピ
ン８３５に平行に延在されている。グルーブ８５２はサ
イドスカート８５０のリブ８５４により分けられている
。

【００７３】グランドストリップ８３０はサイドスカー
ト８５０の間のハウジング８２８の第２エンドに搭載さ
れている。グランドストリップ８３０にはノッチ８３２
群がサイドスカート８５０のグルーブ８５２のロワーエ
ンドと一致するようになっている。

【００７４】導電性スプリング接触部８１０は接触ビー
ム８１２を有し、（２６５のような）第２接触部と係合
するようになっている。接触ビーム８１２は、各ビーム
８１２の間にオプションとしてＬ形グランドバーを有す
るキャリアストリップ８１４から共通平面内の上方に突
出するようになっている。グランドバー８１６の第１レ
グはビーム８１２と実質的に同一平面内のキャリアスト
リップ８１４に結合されている。グランドバー８１６の
第２レグは平面に対して直角に突き出ている。ロッキン
グタブ８１８群はキャリアストリップ８１４に結合され
、各ビームから離れるように突き出ている。シェルフタ
ブ８２０群はキャリアストリップ８１４に結合され、各
グランドバー８１６から離れるように下方に突き出てい
る。シェルフタブ８２０はグランドバー８１６の第２レ
グから離れる方向にカールしている。

【００７５】スプリング接触部８１０はハウジング８２
８に搭載され、各ビーム８１２がハウジング８２８の孔
８２９を貫通するようになっており、各ビーム８１２が
前部および後部壁８４４の内面と接触するようになって
いる。グランドバー８１６の第１レグは側壁８４４の外
から直角に突き出ている。シェルフタブ８２０およびロ
ッキングタブ８１８は曲げられ、グランドストリップ８
３０の平坦面を保持するようになっている。

【００７６】第２ピン８０２群は第１エンドと第２エン
ドを有する。第２ピン８０２群はキャリアストリップ８
１４に接続され、第１ピン８３５群の第２エンド８５５
と、第２ピン８０２群の第２エンドが行列状に配列され
、接触領域８２６と係合するようになっている。

【００７７】図４０は図３４ないし図３９のバーチカル
ヘッダから分解された図１ないし図６の直角またはアン
グルドリセプタクル２００の断面図である。高密度ヘッ
ダ８００の第３接触部８４５はリセプタクル２００の接
触部２４５またはリセプタクル５００の接触部５４５に
のみ接続されるとは限らない。高密度ヘッダ８００の第
１エンド８４５は、接触部ビーム８１２に係合するため
の第２接触部を少なくとも１つ有するコネクタ内に、行
列状に配列された第１接触部群を有する端子群または接
触子群を有するコネクタであれば、どのコネクタにも接
続することができる。ヘッダ８００と嵌合することがで
きるリセプタクルはバーチカルリセプタクル、または直
角またはアングルドリセプタクルであっても良い。ヘッ
ダ８００と嵌合することができるリセプタクルの端子は
、その形状がソケット形状であり、ヘッダ８００の第１
エンド８４５と係合するようになっている。ヘッダ８０
０と嵌合することができるリセプタクルが直角またはア
ングルドリセプタクルである場合は、図３４に示す直角
またはアングルドリセプタクルが望ましい。

【００７８】第１および第２回路アセンブリ１２２，１
２４，２２２，２２４，５２２，５２４，８２２，およ
び８２４は、導体群、リード、メッキスルーホールまた
は導電性パス，パッドまたはエリア１２６，２２６，５
２６，および８２６を有するアセンブリであれば、どの
ようなアセンブリでも良い。回路アセンブリ１２２，１
２４，２２２，２２４，５２２，５２４，８２２，およ
び８２４は、各アセンブリまたはいずれかのアセンブリ
が、バックパネル、マザーボードまたはドータボードの
ようなプリント配線基板またはプリント回路基板であっ
ても良い。回路アセンブリ１２２，１２４，２２２，２
２４，５２２，５２４，８２２，および８２４は、各ア
センブリまたはいずれかのアセンブリが、ケーブルアセ
ンブリであっても良い。回路アセンブリ１２２，１２４
，２２２，２２４，５２２，５２４，８２２，および８
２４は、剛性または可撓性を有するものであっても良い
。１つの典型的な状態では、ヘッダは電気的および機械
的にバックパネルまたはマザーボードに接続するもので
あり、リセプタクルはマザーボードに直交するドータボ
ードに電気的および機械的に接続するためのものである
。

【００７９】本発明のグランド構造を、リセプタクルま
たはヘッダの接触子の２つの接触部のなす角が１８０°
以上であるアングルドリセプタクルまたはヘッダで用い
られるように変更することができることは、当業者にと
って容易に理解できることである。

【００８０】本実施例のパーツは同様の公知のパーツを
製造するために用いられる公知の材料から製造すること
ができる。例えば、絶縁性のハウジングは、ポリエーテ
ルイミドレジンまたはポリフェニレンサルファイドレジ
ンのような種々のプラスチックから製造することができ
る。導電性壁、導電性ベース、バッフル、およびシール
ドは、亜鉛、アルミニウム、銅、真鍮、またそれらの合
金を含む非磁性金属または合金から製造することができ
る。本発明の接触子は、真鍮、燐青銅、ベリリウム銅等
の端子に用いられる適正な金属から製造することができ
る。接触子はメッキするか、あるいは錫、ニッケル、パ
ラジウム、金、銀等、または適正な合金をコートするこ
とができる。

【００８１】当業者は、上述した教示から発明を変更を
することができる。変更した発明は特許請求の範囲に記
載の発明の範囲内にあると解釈される。

【００８２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
上記のように構成したので、（１）電子回路および／ま
たは素子を電気的および機械的に相互接続し、コネクタ
内のインピーダンスおよび／またはクロストークを制御
する高密度のコネクタを提供することができる。（２）
回路アセンブリと、ヘッダまたはシュラウドに行列状に
配列された端子群とを電気的および機械的に相互接続し
、インピーダンスおよび／またはクロストークを制御し
、リセプタクル内の信号伝送品位の低下を防ぐかあるい
は最小にする高密度リセプタクルを提供することができ
る。（３）回路アセンブリと、リセプタクルに行列状に
配列された端子群とを電気的および機械的に相互接続し
、インピーダンスおよび／またはクロストークを制御し
、ヘッダ内の信号伝送品位の低下を防ぐかあるいは最小
にする高密度ヘッダを提供することできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例を示す分解図である。

【図２】図１図示リセプタクル２００を示す分解図であ
る。

【図３】図１に示すリセプタクル２００の第１合わせ側
面２４８の拡大図である。

【図４】図１に示すリセプタクル２００の第２合わせ側
面２７８の拡大図である。

【図５】図１に示すリセプタクル２００の背面２８０の
拡大図である。

【図６】図１に示すリセプタクル２００の側面２８２の
拡大図である。

【図７】図１図示ヘッダ４００の第１嵌合側面４４８の
拡大図である。

【図８】図１図示ヘッダ４００の第２嵌合側面４８０の
拡大図である。

【図９】図１図示ヘッダ４００の前側面４７８の拡大図
である。

【図１０】図１図示ヘッダ４００の側面４８２の拡大図
である。

【図１１】図１図示ヘッダ４００とリセプタクル２００
の拡大断面図である。

【図１２】本発明第２実施例の高密度コネクタアセンブ
リを示す分解図である。

【図１３】図１２に示す高密度バーチカルリセプタクル
５００の上部、すなわち第１嵌合部５４８の拡大図であ
る。

【図１４】図１２に示す高密度バーチカルリセプタクル
５００の底部、すなわち第２嵌合部５８０の拡大図であ
る。

【図１５】図１２に示す高密度バーチカルリセプタクル
５００の前部５７８の拡大図である。

【図１６】図１２に示す高密度バーチカルリセプタクル
５００の側部５８２の拡大図である。

【図１７】図１２に示す高密度直角またはアングルドヘ
ッダ６００の上面、すなわち第１嵌合面６４８の拡大図
である。

【図１８】図１２に示す高密度直角またはアングルドヘ
ッダ６００の前面、すなわち第２嵌合面６７８の拡大図
である。

【図１９】図１２に示す高密度直角またはアングルドヘ
ッダ６００の底面６８０の拡大図である。

【図２０】図１２に示す高密度直角またはアングルドヘ
ッダ６００の側面６８２の拡大図である。

【図２１】図１２に示す高密度バーチカルリセプタクル
５００の拡大断面図である。

【図２２】図１２および図１７ないし図２０に示す直角
またはアングルドヘッダ６００から分解した図１ないし
図６に示す直角またはアングルドリセプタクル２００の
断面図である。

【図２３】図２３は本発明第３実施例の高密度コネクタ
アセンブリの分解図である。

【図２４】図２３に示す高密度直角またはアングルドリ
セプタクル１００と、ハウジング１２８から分解された
シールド３００を含むリセプタクル１００の上面、すな
わち第１嵌合面１４８を示す図である。

【図２５】図２３に示す高密度直角またはアングルドリ
セプタクル１００の第１嵌合面を示す図である。

【図２６】図２３に示す高密度直角またはアングルドリ
セプタクル１００の第２嵌合面を示す図である。

【図２７】図２３に示す高密度直角またはアングルドリ
セプタクル１００の底面を示す図である。

【図２８】図２３に示す高密度直角またはアングルドリ
セプタクル１００の側面を示す図である。

【図２９】図２３の高密度直角またはアングルドヘッダ
７００の上面、すなわち第１嵌合面７４８の拡大図であ
る。

【図３０】図２３の高密度直角またはアングルドヘッダ
７００の前面、すなわち第２嵌合面７７８の拡大図であ
る。

【図３１】図２３の高密度直角またはアングルドヘッダ
７００の底面７８０の拡大図である。

【図３２】図２３の高密度直角またはアングルドヘッダ
７００の側面７８２の拡大図である。

【図３３】図２３ないし図２８に示す直角またはアング
ルドリセプタクルの断面図である。

【図３４】本発明第４実施例に係る高密度コネクタアセ
ンブリの分解図である。

【図３５】図３４に示す高密度バーチカルヘッダ８００
のパーツの分解図である。

【図３６】図３４の高密度バーチカルヘッダ８００の上
面、すなわち第１嵌合面８４８の拡大図である。

【図３７】図３４の高密度バーチカルヘッダ８００の底
面、すなわち第２嵌合面８７８の拡大図である。

【図３８】図３４の高密度バーチカルヘッダ８００の前
面の拡大図である。

【図３９】図３４の高密度バーチカルヘッダ８００の側
面８８２の拡大図である。

【図４０】図１ないし図６に示す直角またはアングルド
リセプタクルの断面図である。

【図４１】従来の高密度コネクタアセンブリの一例を示
す分解図である。

【図４２】従来の高密度コネクタアセンブリの他の例を
示す分解図である。

【符号の説明】

２００　　リセプタクル ２２２，２２４　　回路アセンブリ ２２８　　ハウジング ２４０　　導電体 ３００　　シールド ３５０　　スペーサ ４００　　ヘッダ ４２８　　ハウジング ４３５　　接触子 ４４２　　ベース ４４４　　側壁 ４６４　　パッセジ

Claims (36)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　接触領域群を有する回路アセンブリと
   第２コネクタを電気的および機械的に相互接続し、第２
   コネクタは第１側壁と、該第１側壁内に行列状に配置さ
   れた第１接触部群と、少なくとも１つの第２側部接触部
   を有する直角またはアングルドコネクタにおいて、第２
   側壁と、該第２側壁内に行列状に配置されたパッセジ群
   とを有する絶縁性のハウジングと、第１接触子群と、導
   電性シールドとを備え、前記第１接触子群は、接触子の
   うちの１つがパッセジ群の一部にあり、各接触子が第３
   接触部と第４接触部を有し、前記第３接触部は前記第１
   接触部と接触させるため行列状に配置され、各接触子は
   第４接触子が第３接触子に対して直角または直交する形
   状を有する中間部を含む第１接触子群と、少なくとも１
   つの第５接触部と少なくとも１つの第６接触部を有し、
   第２側壁のうちの１つの側壁上の少なくとも１つの第５
   接触部は、第１側壁のうちの１つの側壁上の少なくとも
   １つの第２接触部と接触させるためのものである少なく
   とも１つの導体とを備え、前記導電性シールドは、前記
   接触子の中間部の列の間に位置させるか、あるいは中間
   部の列から離したバッフルと、各第６接触部と接触させ
   るための第７接触部と、第４接触部と第８接触部を行列
   状に配置して回路アセンブリ接触領域に接続するように
   配置した第８接触部群とを含むことを特徴とする直角ま
   たはアングルドコネクタ。
2. 【請求項２】　　請求項１において、少なくとも１つの
   第５接触部は第２側壁のうちの１つの側壁の外面上にあ
   ることを特徴とする直角またはアングルドコネクタ。
3. 【請求項３】　　請求項１において、２つの導体があり
   、該導体は接触子の行に対して一般的に平行である第２
   側壁のうちの異なる側壁上にあることを特徴とする直角
   またはアングルドコネクタ。
4. 【請求項４】　　請求項１において、導体は第５接触部
   群と第６接触部群とを備えたことを特徴とする直角また
   はアングルドコネクタ。
5. 【請求項５】　　請求項１において、孔を行列状に設け
   た絶縁性スペーサと、第４接触部と第８接触部がスペー
   サの一方の側にあり、かつ、それらの中間部が前記スペ
   ーサのもう一方の側にあるように前記孔を貫通させた接
   触子とを備えたことを特徴とする直角またはアングルド
   コネクタ。
6. 【請求項６】　　請求項１において、中間部が直角ベン
   ドであることを特徴とする直角またはアングルドコネク
   タ。
7. 【請求項７】　　請求項１において、第７接触部はシー
   ルドにスロットまたは孔を含むことを特徴とする直角ま
   たはアングルドコネクタ。
8. 【請求項８】　　請求項１において、少くとも１つの導
   体は、コネクタの嵌合面のグルーブに延在させるための
   曲折された端部を有し、該曲折された端部が前記グルー
   ブに延在された場合、少なくとも１つの第６接触部が少
   なくとも１つの第７接触部に接続され、前記導体は前記
   第２側壁のうちの１つの側壁上に固定されるようになっ
   ていることを特徴とする直角またはアングルドコネクタ
   。
9. 【請求項９】　　請求項１において、ハウジングは突起
   群を有し、少なくとも１つの導体は前記突起群を受ける
   スロット群または孔群を有し、前記シールドは前記突起
   を受けるスロット群または孔群を有することを特徴とす
   る直角またはアングルドコネクタ。
10. 【請求項１０】　　接触領域群を有する回路アセンブリ
    と第２コネクタを電気的および機械的に相互接続し、第
    ２コネクタは第１側壁と、該第１側壁内に行列状に配置
    された第１接触部群と、少なくとも１つの第２側部接触
    部を有する電気的なコネクタにおいて、第３接触部と第
    ４接触部を有する電気的な接触子群を備え、ハウジング
    は、パッセジ群がベースを貫通するとともに行列状に配
    置され、該パッセジにそれぞれ固定され第１接触部と接
    触するための第３接触部が接触領域のベースの第１側に
    あり、第４接触部が前記ベースの第２側にある接触子を
    有する絶縁性のベースと、ベースとともに部分的に接触
    領域を囲み、第１側壁のうちの１つの側壁上の少なくと
    も１つの第２接触部に接触させるため少なくとも１つの
    第５接触部を備えた導電性の側壁と、回路アセンブリの
    接触領域に接続するため、第４接触部と第６接触部が行
    列状に配置されるように、導電性側壁から延在させた少
    なくとも１つの第６接触部とを含むことを特徴とするコ
    ネクタ。
11. 【請求項１１】　　請求項１０において、ベースは各接
    触子を囲んだスリーブを備えたことを特徴とするコネク
    タ。
12. 【請求項１２】　　請求項１１において、ベースはスリ
    ーブの一方のエンドかあるいは両方のエンドに接続した
    絶縁性の層を備えたことを特徴とするコネクタ。
13. 【請求項１３】　　請求項１２において、第６接触部は
    絶縁性の層の端部の貫通孔に延在させたことを特徴とす
    るコネクタ。
14. 【請求項１４】　　請求項１２において、導電性の側壁
    は一般的に絶縁層の端部に直交するように延在され、接
    触することを特徴とするコネクタ。
15. 【請求項１５】　　請求項１０において、ハウジングは
    導電性の側壁に接続されるとともに、側壁の間に延在さ
    れ、導電性の側壁に一般的に直交し、パセッジ群を有す
    る格子を備えたことを特徴とするコネクタ。
16. 【請求項１６】　　請求項１５において、ベースは各接
    触子を囲む絶縁性のスリーブを備え、スリーブは格子の
    パセッジ内にあることを特徴とするコネクタ。
17. 【請求項１７】　　請求項１０において、電気的コネク
    タはヘッダであることを特徴とするコネクタ。
18. 【請求項１８】　　請求項１０において、少なくとも１
    つの第５接触部は導電性の側壁のうち１つの側壁の内面
    あることを特徴とするコネクタ。
19. 【請求項１９】　　請求項１０において、導電性の側壁
    の対向する内面は第６接触部を備えたことを特徴とする
    コネクタ。
20. 【請求項２０】　　接触領域群を有する回路アセンブリ
    と第２コネクタを電気的および機械的に相互接続し、第
    ２コネクタは第１側壁と、該第１側壁内に行列状に配置
    された第１接触部群と、少なくとも１つの第２側部接触
    部を有するバーチカルリセプタクルにおいて、第２側壁
    と、該第２側壁内に行列状に配置されたパッセジ群を有
    する絶縁性のハウジングと、第１接触子群とを備え、第
    １接触子群は、各接触子が第３接触部と第４接触部を有
    し、該第３接触部が一般的に前記第４接触部に平行かあ
    るいは同一線上にあり、前記第３接触部のうちの１つの
    接触部が第１接触部と接触させるため各パッセジ内にあ
    り、少なくとも１つの第５接触部と、少なくとも１つの
    第６接触部と、曲折させた端部を有し、前記少なくとも
    １つの第５接触部は第１の側壁のうち１つの側壁の上の
    少なくとも１つの第２接触部と接触させるため、第２側
    壁のうちの１つの側壁上にあり、前記第６接触部は一般
    的に第５接触部と平行かあるいは同一線上にあり、前記
    曲折させた端部はコネクタの嵌合面のグルーブに延在す
    るためのものである少なくとも１つの導体と、行列状に
    配置された孔群を有し、第４接触部と第６接触部がスペ
    ーサの一方の側にあり、第３接触部と第５接触部が前記
    スペーサのもう一方の側にあるように、接触子が幾つか
    の孔を介して延在され、第６接触部が前記孔群の残りの
    孔を介して延在された絶縁性のスペーサとを有すること
    を特徴とするコネクタ。
21. 【請求項２１】　　請求項２０において、少なくとも１
    つの第５接触部は第２側壁のうち１つの側壁の外面上に
    あることを特徴とするコネクタ。
22. 【請求項２２】　　請求項２０において、２つの導体が
    あり、該導体は接触子の行と一般的に平行である第２側
    壁のうち異なる側壁上にあることを特徴とするコネクタ
    。
23. 【請求項２３】　　請求項２０において、導体は第５接
    触部と第６接触部を有することを特徴とするコネクタ。
24. 【請求項２４】　　請求項２０において、ハウジングは
    突起群を有し、前記少なくとも１つの導体は前記突起を
    受けるスロット群または孔群を有することを特徴とする
    コネクタ。
25. 【請求項２５】　　接触領域群を有する回路アセンブリ
    と第２コネクタを電気的および機械的に相互接続し、第
    ２コネクタは第１側壁と、該第１側壁内に行列状に配置
    された第１接触部群と、少なくとも１つの第２側部接触
    部を有するバーチカルリセプタクルにおいて、接触子群
    は、各接触子が第３接触部と第４接触部を有し、前記第
    ３接触部が第１接触部と接触させるために行列状に配置
    され、各接触子の中間部は第４接触部が第３接触部に対
    して直角か、あるいは直交して延在するように形成され
    、ハウジングは、ベースを貫通させ行列状に配置したパ
    ッセジ群に接触子を配置したパッセジ群と、該パッセジ
    に配置した接触子とを有する導電性ベースを含み、前記
    パッセジに配置され、パッセジを有し、第３接触部が接
    触領域のベースの第１側にあるとともに、第４接触部が
    前記ベースの第２側にあるように、接触子を前記パッセ
    ジに配置した絶縁性ブロックと、前記接触子の中間部の
    間に配置するとともに、中間部から離してあり、前記導
    電性ベースに接続したバッフルとを含むことを特徴とす
    るコネクタ。
26. 【請求項２６】　　請求項２５において、回路アセンブ
    リの接触領域に接続するため、第４接触部とともに行列
    状に配置した各導電性バッフルから延在したバッフル接
    触部を備えたことを特徴とするコネクタ。
27. 【請求項２７】　　請求項２５において、絶縁性ブロッ
    クはそれぞれ接触子の列を保持するため、ブロックパッ
    セジを含むことを特徴とするコネクタ。
28. 【請求項２８】　　請求項２５において、前記ブロック
    は各接触子を囲んだ絶縁性スリーブを備えたことを特徴
    とするコネクタ。
29. 【請求項２９】　　請求項２５において、ベースから延
    在され、該ベースとともに前記接触領域を囲む導電性側
    壁を備えたことを特徴とするコネクタ。
30. 【請求項３０】　　接触領域群を有する回路アセンブリ
    と第２コネクタを電気的および機械的に相互接続し、第
    ２コネクタは端子群を有し、各端子は第１接触部を有し
    、該第１接触部を行列状に配置した直角またはアングル
    ドコネクタにおいて、　　電気的接触子群は、各接触子
    が第２接触部と第３接触部を有し、接触子が第１組と第
    ２組を備え、前記第２接触部は第１接触部と接触させる
    ために行列状に配置され、前記第１組は第３接触部が第
    ２接触部に対して直角または直交するように形成された
    中間部を含み、ハウジングは、ベースを貫通し行列状に
    配置されたパッセジ群と、該パッセジの幾つかに配置さ
    れ前記ベースに電気的に接続した第２組の接触子とを有
    する導電性のベースと、残りのパッセジに配置され、パ
    ッセジを有し、第２接触部が接触領域のベースの第１側
    にあり、第３接触部が前記ベースの第２側にあるように
    ブロックのパッセジに第１組の接触子がある絶縁性ブロ
    ックと、前記第１組の接触子の中間部の列の間にあると
    ともに中間部の列から離れており、バッフルが導電性ベ
    ースに接続されている導電性バッフルとを含むことを特
    徴とする直角またはアングルドコネクタ。
31. 【請求項３１】　　請求項３０において、バッフル接触
    部は、回路アセンブリの接触領域に接続するため、第３
    接触部とバッフル接触部が行列状に配置される導電性バ
    ッフルからそれぞれ延在されていることを特徴とする直
    角またはアングルドコネクタ。
32. 【請求項３２】　　請求項３１において、導電性壁は近
    隣のバッフル対に接続され、ベースから延在されている
    ことを特徴とする直角またはアングルドコネクタ。
33. 【請求項３３】　　請求項３０において、絶縁性ブロッ
    クはそれぞれ第１組の接触子の列を保持するためのブロ
    ックパッセジを含むことを特徴とする直角またはアング
    ルドコネクタ。
34. 【請求項３４】　　請求項３０において、前記ベースか
    ら延在され、ベースとともに接触領域を部分的に囲む導
    電性側壁を備えたことを特徴とする直角またはアングル
    ドコネクタ。
35. 【請求項３５】　　接触領域群を有する回路アセンブリ
    と第２コネクタを電気的および機械的に相互接続し、第
    ２コネクタは端子群を有し、各端子は第１接触部を有し
    、該第１接触部を行列状に配置した直角またはアングル
    ドコネクタにおいて、　　それぞれ第１エンドと第２エ
    ンドを有し、前記第１エンドが第１接触部と係合する第
    １導電性ピン群と、キャビティ開口が第１エンドにあり
    、前部および後部側壁と、フロアにピンと係合するスル
    ーホール群を有する２つの側部壁とにより囲まれ、サイ
    ドスカートが前部および後部側壁からそれぞれ下方に延
    在され、グルーブ群を有し、グルーブはそれぞれ前記ピ
    ンと平行に延在され、各サイドスカートのリブにより分
    離されている絶縁性のハウジングと、前記サイドスカー
    トの間に搭載され、前記サイドスカートの各グルーブの
    エンドと整合されたノッチ群を有するグランドストリッ
    プと、第２接触部に係合しキャリアストリップから共通
    平面内に上方に突出する接触部ビームと、前記キャリア
    ストリップに取り付けられ前記ビームからそれぞれ突出
    したロッキングタブ群と、前記ロッキングタブの間のキ
    ャリアストリップに取り付けられ前記ロッキングタブと
    同一方向に延在させたシェルフタブ群とを有する導電性
    スプリング接触部と、前記ハウジングに搭載され、ビー
    ムがそれぞれ前部および後部側壁の内側に接触し、前記
    シェルフタブとロッキングタブが曲げられ、グランドス
    トリップの平坦側を保持するようにしたスプリング接触
    部と、第１エンドと第２エンドを有し、第１ピン群の第
    ２エンドと第２ピン群の第２エンドが行列状に配置され
    接触領域に係合するように、第２ピン群の第１エンドが
    キャリアストリップに接続された第２ピン群とを備えた
    ことを特徴とする直角またはアングルドコネクタ。
36. 【請求項３６】　　請求項３５において、第２ピン群の
    第１エンドは前記シェルフタブの外側とロッキングタブ
    に接続したことを特徴とする直角またはアングルドコネ
    クタ。