JPH04223433A - 液晶表示素子およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示素子およびその製造方法Info
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- JPH04223433A JPH04223433A JP40636590A JP40636590A JPH04223433A JP H04223433 A JPH04223433 A JP H04223433A JP 40636590 A JP40636590 A JP 40636590A JP 40636590 A JP40636590 A JP 40636590A JP H04223433 A JPH04223433 A JP H04223433A
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- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶分子を均一かつ再
現性良く配向させる液晶表示素子およびその製造方法に
関するものである。
現性良く配向させる液晶表示素子およびその製造方法に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、液晶表示素子の大容量化、高速応
答化へ向けての開発が進められている。この場合、液晶
分子を大面積にわたって均一に配向させる技術、および
電極基板面に対して液晶分子を均一かつ再現性良く傾斜
させる技術が必須である。
答化へ向けての開発が進められている。この場合、液晶
分子を大面積にわたって均一に配向させる技術、および
電極基板面に対して液晶分子を均一かつ再現性良く傾斜
させる技術が必須である。
【0003】負の誘電異方性を持つ液晶を用いた電界効
果複屈折モード(以下n型ECBと称す)においては、
液晶分子を電極基板面の法線方向から僅かに同一方向に
傾斜させることが必要である。これを実現する方法とし
て従来より、電極基板面に塗布した垂直配向性を有する
配向膜を一方向にラビングする方法や電極基板面にSi
Oなどの無機物を斜め方向から蒸着した上に垂直配向性
を有する配向膜を塗布する方法などが知られている。
果複屈折モード(以下n型ECBと称す)においては、
液晶分子を電極基板面の法線方向から僅かに同一方向に
傾斜させることが必要である。これを実現する方法とし
て従来より、電極基板面に塗布した垂直配向性を有する
配向膜を一方向にラビングする方法や電極基板面にSi
Oなどの無機物を斜め方向から蒸着した上に垂直配向性
を有する配向膜を塗布する方法などが知られている。
【0004】ここで、電極基板面法線方向からの液晶分
子の傾斜角は表示品位に大きく影響を及ぼし、1度以下
、特に0.5 度程度にするのが望ましいと報告されて
いる(たとえば、ジェ・エフ・クレール、エム・アイザ
ワ、エス・ヤマウチ、ジェ・デュシューネ:ジャパン
ディスプレイ’89、188 ページ〜191 ペー
ジ(1989年);J.F.Clerc, M.Aiz
awa, S.Yamauchi, J.Duchen
e: JAPAN DISPLAY ’89, PP
.188−191(1989) )。
子の傾斜角は表示品位に大きく影響を及ぼし、1度以下
、特に0.5 度程度にするのが望ましいと報告されて
いる(たとえば、ジェ・エフ・クレール、エム・アイザ
ワ、エス・ヤマウチ、ジェ・デュシューネ:ジャパン
ディスプレイ’89、188 ページ〜191 ペー
ジ(1989年);J.F.Clerc, M.Aiz
awa, S.Yamauchi, J.Duchen
e: JAPAN DISPLAY ’89, PP
.188−191(1989) )。
【0005】また、n型ECBモードを用いたマトリク
ス状の交叉画素電極を有する液晶素子では、液晶分子を
傾斜させる方向は、通常画素電極に対して平行または垂
直な方向である。
ス状の交叉画素電極を有する液晶素子では、液晶分子を
傾斜させる方向は、通常画素電極に対して平行または垂
直な方向である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】n型ECBモードでは
、電極基板面法線方向からの液晶分子の傾斜角が1度以
下と微小であるため、たとえば画素電極とスペースとの
境界部のような、傾斜垂直配向層の平坦度が悪くなると
ころでは、液晶分子の傾斜方向が画素内領域の液晶分子
の傾斜方向からずれてしまい、そのため散乱現象が生じ
てコントラストを低下させてしまう。したがって、液晶
分子の傾斜方向がずれている領域をできるだけ少なくす
ることが必要となる。
、電極基板面法線方向からの液晶分子の傾斜角が1度以
下と微小であるため、たとえば画素電極とスペースとの
境界部のような、傾斜垂直配向層の平坦度が悪くなると
ころでは、液晶分子の傾斜方向が画素内領域の液晶分子
の傾斜方向からずれてしまい、そのため散乱現象が生じ
てコントラストを低下させてしまう。したがって、液晶
分子の傾斜方向がずれている領域をできるだけ少なくす
ることが必要となる。
【0007】しかしながら、前述のような液晶分子の傾
斜方向が画素電極に対して平行または垂直な方向である
場合、液晶分子の傾斜方向に対して、画素電極とスペー
スとの境界部が対称となるため画素の中央部まで散乱領
域が現れるという課題を有していた。
斜方向が画素電極に対して平行または垂直な方向である
場合、液晶分子の傾斜方向に対して、画素電極とスペー
スとの境界部が対称となるため画素の中央部まで散乱領
域が現れるという課題を有していた。
【0008】本発明はこのような課題を解決するもので
、液晶分子の傾斜方向が画素内で均一となるような液晶
表示素子およびその製造方法を提供することを目的とす
るものである。
、液晶分子の傾斜方向が画素内で均一となるような液晶
表示素子およびその製造方法を提供することを目的とす
るものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明は、第1の基板の界面では液晶分子が基板の法
線方向から数度傾斜した傾斜垂直配向状態をとり、かつ
この液晶分子の傾斜方向が矩形状の画素電極の各辺に対
して斜め方向であり、第2の基板の界面では液晶分子が
第1の基板の界面の液晶分子と反対方向に向き平行な配
向状態、または基板の法線方向の配向状態をとるという
構成を備えているものである。また本発明は、第1の基
板上に、液晶分子を基板の法線方向から数度傾斜させる
作用を有し、かつこの液晶分子の傾斜方向を矩形状の画
素電極の各辺に対して斜め方向とする作用を有する傾斜
垂直配向層を形成し、第2の基板上に、液晶分子を第1
の基板の界面の液晶分子と反対方向に向いて平行に配向
させる作用を有する傾斜垂直配向層、または基板の法線
方向に配向させる作用を有する垂直配向層を形成するも
のである。
に本発明は、第1の基板の界面では液晶分子が基板の法
線方向から数度傾斜した傾斜垂直配向状態をとり、かつ
この液晶分子の傾斜方向が矩形状の画素電極の各辺に対
して斜め方向であり、第2の基板の界面では液晶分子が
第1の基板の界面の液晶分子と反対方向に向き平行な配
向状態、または基板の法線方向の配向状態をとるという
構成を備えているものである。また本発明は、第1の基
板上に、液晶分子を基板の法線方向から数度傾斜させる
作用を有し、かつこの液晶分子の傾斜方向を矩形状の画
素電極の各辺に対して斜め方向とする作用を有する傾斜
垂直配向層を形成し、第2の基板上に、液晶分子を第1
の基板の界面の液晶分子と反対方向に向いて平行に配向
させる作用を有する傾斜垂直配向層、または基板の法線
方向に配向させる作用を有する垂直配向層を形成するも
のである。
【0010】
【作用】本発明は前記の構成により、液晶分子の傾斜方
向に対して、画素電極とスペースとの境界部分が非対称
となるため、画素電極とスペースとの境界近傍において
も液晶分子の傾斜方向が一様となる。したがって、画素
内で散乱領域が現れないようにすることが可能となり、
コントラストの低下を防ぐことができるようになる。
向に対して、画素電極とスペースとの境界部分が非対称
となるため、画素電極とスペースとの境界近傍において
も液晶分子の傾斜方向が一様となる。したがって、画素
内で散乱領域が現れないようにすることが可能となり、
コントラストの低下を防ぐことができるようになる。
【0011】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面(図1
〜図3)に基づいて説明する。図1は本発明の第1実施
例および第2実施例における液晶表示素子の液晶分子の
傾斜方向を示す概念図であり、図2は本発明の第1実施
例における液晶表示素子の製造装置の構成図である。
〜図3)に基づいて説明する。図1は本発明の第1実施
例および第2実施例における液晶表示素子の液晶分子の
傾斜方向を示す概念図であり、図2は本発明の第1実施
例における液晶表示素子の製造装置の構成図である。
【0012】まず、図1において、11および12はた
とえば透明ガラスからなる上側電極基板および下側電極
基板、13および14は上側電極基板11と下側電極基
板12の対向面にそれぞれ形成されたたとえばインディ
ウム・錫・オキサイド(ITO)膜からなる矩形状の透
明電極で、透明電極13と透明電極14は互いに直交す
る方向に向いている。15は上側電極基板11の透明電
極13上に形成された傾斜垂直配向層が液晶分子を傾斜
させる方向の矢印部、16は下側電極基板12の透明電
極14上に形成された傾斜垂直配向層が液晶分子を傾斜
させる方向の矢印部である。
とえば透明ガラスからなる上側電極基板および下側電極
基板、13および14は上側電極基板11と下側電極基
板12の対向面にそれぞれ形成されたたとえばインディ
ウム・錫・オキサイド(ITO)膜からなる矩形状の透
明電極で、透明電極13と透明電極14は互いに直交す
る方向に向いている。15は上側電極基板11の透明電
極13上に形成された傾斜垂直配向層が液晶分子を傾斜
させる方向の矢印部、16は下側電極基板12の透明電
極14上に形成された傾斜垂直配向層が液晶分子を傾斜
させる方向の矢印部である。
【0013】次に図2において、21はラビング材を備
えた回転ドラム、22は基板保持テーブル、23は基板
保持テーブル22上の電極基板配設位置、24は回転ド
ラム21の回転方向、25は基板保持テーブル22の移
動方向である。
えた回転ドラム、22は基板保持テーブル、23は基板
保持テーブル22上の電極基板配設位置、24は回転ド
ラム21の回転方向、25は基板保持テーブル22の移
動方向である。
【0014】次に上記構成に基づき液晶表示素子の製造
方法について説明する。まず、電極基板11,12の矩
形状の透明電極13,14の上に垂直配向膜(たとえば
、ODS−E;チッソ(株)製、DMOAP;東レシリ
コン(株)製)を塗布し、約150 ℃で焼成する。次
に、この垂直配向膜を回転ラビングを行なうことによっ
て、傾斜垂直配向膜を以下に示すようにして形成する。 まず、液晶分子を傾斜させる方向(矢印部15,16で
示す)が回転ドラム21の回転方向24と一致するよう
に回転ドラム21と基板保持テーブル22の移動方向2
5のなす角を5度から40度の範囲でそれぞれ定める。 本実施例では30度とした。 その後、両電極基板11,12を基板保持テーブル22
上の配設位置23にそれぞれ置いて回転ラビングをそれ
ぞれ行なう。ここでは、通常の水平配向膜のラビングの
場合の2分の1以下の強度で回転ラビングを行なった。 以上のようにして形成した傾斜垂直配向層を持つ電極基
板13,14を6μmのスペーサを介して矢印部15,
16が互いに反対方向に向いて平行になるように貼り合
わせ、負の誘電異方性を持つ液晶(たとえば、EN−3
5;チッソ(株)製)を注入した。
方法について説明する。まず、電極基板11,12の矩
形状の透明電極13,14の上に垂直配向膜(たとえば
、ODS−E;チッソ(株)製、DMOAP;東レシリ
コン(株)製)を塗布し、約150 ℃で焼成する。次
に、この垂直配向膜を回転ラビングを行なうことによっ
て、傾斜垂直配向膜を以下に示すようにして形成する。 まず、液晶分子を傾斜させる方向(矢印部15,16で
示す)が回転ドラム21の回転方向24と一致するよう
に回転ドラム21と基板保持テーブル22の移動方向2
5のなす角を5度から40度の範囲でそれぞれ定める。 本実施例では30度とした。 その後、両電極基板11,12を基板保持テーブル22
上の配設位置23にそれぞれ置いて回転ラビングをそれ
ぞれ行なう。ここでは、通常の水平配向膜のラビングの
場合の2分の1以下の強度で回転ラビングを行なった。 以上のようにして形成した傾斜垂直配向層を持つ電極基
板13,14を6μmのスペーサを介して矢印部15,
16が互いに反対方向に向いて平行になるように貼り合
わせ、負の誘電異方性を持つ液晶(たとえば、EN−3
5;チッソ(株)製)を注入した。
【0015】このような方法を用いて製造された液晶表
示素子は、液晶分子を傾斜させる方向(矢印部15,1
6で示す)が透明電極13,14に平行または垂直であ
る液晶表示素子に比べて、電圧印加時の画素内での散乱
領域が少なく、高いコントラストと均一な表示特性を示
した。
示素子は、液晶分子を傾斜させる方向(矢印部15,1
6で示す)が透明電極13,14に平行または垂直であ
る液晶表示素子に比べて、電圧印加時の画素内での散乱
領域が少なく、高いコントラストと均一な表示特性を示
した。
【0016】なお、電極基板13,14のどちらか一方
の基板のみ回転ラビングを行なって傾斜垂直配向層とし
、他方の基板は垂直配向層とした場合でも、同様の効果
を確認できた。
の基板のみ回転ラビングを行なって傾斜垂直配向層とし
、他方の基板は垂直配向層とした場合でも、同様の効果
を確認できた。
【0017】次に、本発明の第2実施例について説明す
る。液晶表示素子の液晶分子の傾斜方向を示す概念図と
しては、第1実施例と同様に図1を用いる。図3は本発
明の第2実施例における液晶表示素子の製造装置の構成
図である。図3において、31は真空蒸着機内の基板保
持板、32は抵抗加熱蒸着源、33は基板保持板31上
の電極基板の配設位置、34は蒸着方向、35は蒸着方
向の基板上に落とした射影である。
る。液晶表示素子の液晶分子の傾斜方向を示す概念図と
しては、第1実施例と同様に図1を用いる。図3は本発
明の第2実施例における液晶表示素子の製造装置の構成
図である。図3において、31は真空蒸着機内の基板保
持板、32は抵抗加熱蒸着源、33は基板保持板31上
の電極基板の配設位置、34は蒸着方向、35は蒸着方
向の基板上に落とした射影である。
【0018】次に上記構成に基づき液晶表示素子の製造
方法について説明する。抵抗加熱真空蒸着法により電極
基板11,12上に無機酸化物(たとえば、SiO、Z
rO2 など)を斜め方向からそれぞれ蒸着する。その
際、液晶分子を傾斜させる方向(図1矢印部15,16
で示す)が蒸着方向の基板上に落とした射影35と一致
するように、矩形状の透明電極13,14を有する電極
基板11,12を配設位置35に設置する。また、蒸着
方向34と基板法線方向とのなす角を85度から88度
にし、無機酸化物の膜厚をおよそ0.005 〜0.0
15 μmとする。その後、無機酸化物の上に垂直配向
膜(たとえば、ODS−E;チッソ(株)製、DMOA
P;東レシリコン(株)製)を塗布し150 ℃で焼成
して傾斜垂直配向膜を形成する。以下、第1実施例と同
様にして液晶表示素子を製造したところ、液晶分子を傾
斜させる方向(矢印部15,16で示す)が透明電極1
3,14に平行または垂直である液晶表示素子に比べて
、電圧印加時の画素内での散乱領域が少なく、高いコン
トラストと均一な表示特性を示した。
方法について説明する。抵抗加熱真空蒸着法により電極
基板11,12上に無機酸化物(たとえば、SiO、Z
rO2 など)を斜め方向からそれぞれ蒸着する。その
際、液晶分子を傾斜させる方向(図1矢印部15,16
で示す)が蒸着方向の基板上に落とした射影35と一致
するように、矩形状の透明電極13,14を有する電極
基板11,12を配設位置35に設置する。また、蒸着
方向34と基板法線方向とのなす角を85度から88度
にし、無機酸化物の膜厚をおよそ0.005 〜0.0
15 μmとする。その後、無機酸化物の上に垂直配向
膜(たとえば、ODS−E;チッソ(株)製、DMOA
P;東レシリコン(株)製)を塗布し150 ℃で焼成
して傾斜垂直配向膜を形成する。以下、第1実施例と同
様にして液晶表示素子を製造したところ、液晶分子を傾
斜させる方向(矢印部15,16で示す)が透明電極1
3,14に平行または垂直である液晶表示素子に比べて
、電圧印加時の画素内での散乱領域が少なく、高いコン
トラストと均一な表示特性を示した。
【0019】なお、電極基板13,14のどちらか一方
の基板のみ斜め方向から抵抗加熱真空蒸着を行なって無
機酸化物を形成した上に垂直配向膜を塗布して傾斜垂直
配向層とし、他方の基板は垂直配向膜のみを塗布して垂
直配向層とした場合でも、同様の効果を確認できた。
の基板のみ斜め方向から抵抗加熱真空蒸着を行なって無
機酸化物を形成した上に垂直配向膜を塗布して傾斜垂直
配向層とし、他方の基板は垂直配向膜のみを塗布して垂
直配向層とした場合でも、同様の効果を確認できた。
【0020】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、第1の基
板上に、液晶分子を基板の法線方向から数度傾斜させる
作用を有し、かつこの液晶分子の傾斜方向を矩形状の画
素電極の各辺に対して斜め方向とする作用を有する傾斜
垂直配向層を形成し、第2の基板上に、液晶分子を第1
の基板の界面の液晶分子と反対方向に向いて平行に配向
させる作用を有する傾斜垂直配向層、または基板の法線
方向に配向させる作用を有する垂直配向層を形成するこ
とにより、画素内での散乱領域が少なく、均一かつ高い
コントラスト表示ができる液晶表示素子を得ることがで
き、非常に効果がある。
板上に、液晶分子を基板の法線方向から数度傾斜させる
作用を有し、かつこの液晶分子の傾斜方向を矩形状の画
素電極の各辺に対して斜め方向とする作用を有する傾斜
垂直配向層を形成し、第2の基板上に、液晶分子を第1
の基板の界面の液晶分子と反対方向に向いて平行に配向
させる作用を有する傾斜垂直配向層、または基板の法線
方向に配向させる作用を有する垂直配向層を形成するこ
とにより、画素内での散乱領域が少なく、均一かつ高い
コントラスト表示ができる液晶表示素子を得ることがで
き、非常に効果がある。
【図1】本発明の第1実施例および第2実施例における
液晶表示素子の液晶分子の傾斜方向を示す概念図である
。
液晶表示素子の液晶分子の傾斜方向を示す概念図である
。
【図2】本発明の第1実施例における液晶表示素子の製
造装置の斜視図である。
造装置の斜視図である。
【図3】本発明の第2実施例における液晶表示素子の製
造装置の斜視図である。
造装置の斜視図である。
11 上側電極基板
12 下側電極基板
13 透明電極
14 透明電極
15 矢印部
16 矢印部
21 回転ドラム
22 基板保持テーブル
23 配設位置
31 基板保持板
32 抵抗加熱蒸着源
33 配設位置
Claims (2)
- 【請求項1】 一対の基板間に負の誘電異方性を有す
る液晶を挟持してなるマトリクス状の交叉画素電極を有
する液晶表示素子において、第1の基板の界面では液晶
分子が基板の法線方向から数度傾斜した傾斜垂直配向状
態をとり、かつこの液晶分子の傾斜方向が矩形状の画素
電極の各辺に対して斜め方向であり、第2の基板の界面
では液晶分子が第1の基板の界面の液晶分子と反対方向
に向き平行な配向状態、または基板の法線方向の配向状
態をとることを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項2】 一対の基板間に負の誘電異方性を有す
る液晶を挟持してなるマトリクス状の交叉画素電極を有
する液晶表示素子の製造方法において、第1の基板上に
、液晶分子を基板の法線方向から数度傾斜させる作用を
有し、かつこの液晶分子の傾斜方向を矩形状の画素電極
の各辺に対して斜め方向とする作用を有する傾斜垂直配
向層を形成し、第2の基板上に、液晶分子を第1の基板
の界面の液晶分子と反対方向に向いて平行に配向させる
作用を有する傾斜垂直配向層、または基板の法線方向に
配向させる作用を有する垂直配向層を形成することを特
徴とする液晶表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP40636590A JP2944226B2 (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | 液晶表示素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP40636590A JP2944226B2 (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | 液晶表示素子およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04223433A true JPH04223433A (ja) | 1992-08-13 |
JP2944226B2 JP2944226B2 (ja) | 1999-08-30 |
Family
ID=18515976
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP40636590A Expired - Lifetime JP2944226B2 (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | 液晶表示素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2944226B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011028143A (ja) * | 2009-07-29 | 2011-02-10 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶表示素子 |
EP2447770A1 (en) * | 2010-10-29 | 2012-05-02 | Stanley Electric Co., Ltd. | Liquid crystal display element |
JP2013076918A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Japan Display East Co Ltd | 画像表示装置 |
JP2014149547A (ja) * | 2014-04-17 | 2014-08-21 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP2014232148A (ja) * | 2013-05-28 | 2014-12-11 | スタンレー電気株式会社 | 液晶表示装置 |
-
1990
- 1990-12-26 JP JP40636590A patent/JP2944226B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011028143A (ja) * | 2009-07-29 | 2011-02-10 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶表示素子 |
EP2447770A1 (en) * | 2010-10-29 | 2012-05-02 | Stanley Electric Co., Ltd. | Liquid crystal display element |
CN102466927A (zh) * | 2010-10-29 | 2012-05-23 | 斯坦雷电气株式会社 | 液晶显示元件 |
JP2012098333A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶表示素子 |
US8659731B2 (en) | 2010-10-29 | 2014-02-25 | Stanley Electric Co., Ltd. | Liquid crystal display element |
CN102466927B (zh) * | 2010-10-29 | 2016-12-07 | 斯坦雷电气株式会社 | 液晶显示元件 |
JP2013076918A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Japan Display East Co Ltd | 画像表示装置 |
JP2014232148A (ja) * | 2013-05-28 | 2014-12-11 | スタンレー電気株式会社 | 液晶表示装置 |
JP2014149547A (ja) * | 2014-04-17 | 2014-08-21 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
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