JP3131508B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
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- crystal display
- display device
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133753—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers with different alignment orientations or pretilt angles on a same surface, e.g. for grey scale or improved viewing angle
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は液晶表示装置に関し、
特に電界効果複屈折制御形の液晶表示装置に関する。
特に電界効果複屈折制御形の液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】現在一般的に使われている液晶表示装置
は、視野角が狭いという問題があり、近年、この液晶表
示装置の視野角拡大のため、セル構成の検討や光学的補
償セルやフィルムを配置する方法が検討されている。
は、視野角が狭いという問題があり、近年、この液晶表
示装置の視野角拡大のため、セル構成の検討や光学的補
償セルやフィルムを配置する方法が検討されている。
【0003】垂直配向膜を用いた電界効果複屈折制御形
の液晶表示装置においては、Δndの最適化や光学的補
償フィルムの配置(例えば S. Yamauchi et al., SID8
9, Digest, p.378(1989) や J.F.Clerc, JAPAN DISPLA
Y'89, p.188(1989))や2層セル構成(例えば H. Seki e
t al. ;IDRC DIGEST, p.188(1991)) により視野角改善
が報告されている。これらはいずれも全面均一な配向セ
ルを用いて、いかにリタデーションの視野角依存性を小
さくして視野角を拡大するかが課題であった。これに対
し、最近パネル内で部分的に垂直配列の異なる領域を積
極的に形成し、電界印加時の液晶組成物のチルト方向を
一画素内で異ならせる事により視野角改善を行う事が報
告されている。例えばStanley Electronics が発表した
マルチドメイン方式(J.F.Clerc,;SID'91 Digest, p.7
58(1991)及びT. Yamamoto et al.,SID'91 Digest, p.76
2(1991))がある。これは画素電極を特殊な形状に加工
して、上下電極間での電界の傾きを利用して、一画素内
でのON時のチルト方向を制御する方法や、一画素内で
異なる方向に微小に傾けた表面形状を作成することによ
り電界印加時の液晶組成物のチルト方向を一画素内で異
ならせる事により視野角改善を行う方法である。しかし
これらの方法は、電極を特殊な形状にすることや、配向
面に部分的に傾斜を持たせる等製造上容易でない。
の液晶表示装置においては、Δndの最適化や光学的補
償フィルムの配置(例えば S. Yamauchi et al., SID8
9, Digest, p.378(1989) や J.F.Clerc, JAPAN DISPLA
Y'89, p.188(1989))や2層セル構成(例えば H. Seki e
t al. ;IDRC DIGEST, p.188(1991)) により視野角改善
が報告されている。これらはいずれも全面均一な配向セ
ルを用いて、いかにリタデーションの視野角依存性を小
さくして視野角を拡大するかが課題であった。これに対
し、最近パネル内で部分的に垂直配列の異なる領域を積
極的に形成し、電界印加時の液晶組成物のチルト方向を
一画素内で異ならせる事により視野角改善を行う事が報
告されている。例えばStanley Electronics が発表した
マルチドメイン方式(J.F.Clerc,;SID'91 Digest, p.7
58(1991)及びT. Yamamoto et al.,SID'91 Digest, p.76
2(1991))がある。これは画素電極を特殊な形状に加工
して、上下電極間での電界の傾きを利用して、一画素内
でのON時のチルト方向を制御する方法や、一画素内で
異なる方向に微小に傾けた表面形状を作成することによ
り電界印加時の液晶組成物のチルト方向を一画素内で異
ならせる事により視野角改善を行う方法である。しかし
これらの方法は、電極を特殊な形状にすることや、配向
面に部分的に傾斜を持たせる等製造上容易でない。
【0004】また、TN型一般LCDにおいては特開昭
63-106624 号公報、特開昭64-88520号公報、特開平1-24
5223号公報などのように各絵素を複数の領域に分割し、
各領域の配向処理方法、ラビング方向を異ならせマルチ
ドメインを形成する方法が提案されているがいずれも微
小画素ごとに複数回のラビング配向処理を施す必要があ
り製造上容易でない。
63-106624 号公報、特開昭64-88520号公報、特開平1-24
5223号公報などのように各絵素を複数の領域に分割し、
各領域の配向処理方法、ラビング方向を異ならせマルチ
ドメインを形成する方法が提案されているがいずれも微
小画素ごとに複数回のラビング配向処理を施す必要があ
り製造上容易でない。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
に視野角の問題を解決し、広視野角、高コントラスト大
画面液晶表示装置を簡便な方法で提供することを目的と
する。
に視野角の問題を解決し、広視野角、高コントラスト大
画面液晶表示装置を簡便な方法で提供することを目的と
する。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、1主面に複数
の画素電極を有する第1の基板および1主面に対向電極
を有する第2の基板を、前記1主面が対向する様に配置
させ、これら間に負の誘電異方性を有する液晶組成物か
らなる液晶層を挟持してなる液晶表示装置において、各
画素電極上を硬度が異なる複数領域面に区分形成し、こ
の複数領域面上に形成されラビング配向処理されて前記
液晶層の液晶分子をチルト配向する垂直配列配向膜とか
らなり、硬度の異なる領域面で電界印加時の液晶組成物
のチルト方向を異ならしめることを特徴とする液晶表示
装置を得るものである。
の画素電極を有する第1の基板および1主面に対向電極
を有する第2の基板を、前記1主面が対向する様に配置
させ、これら間に負の誘電異方性を有する液晶組成物か
らなる液晶層を挟持してなる液晶表示装置において、各
画素電極上を硬度が異なる複数領域面に区分形成し、こ
の複数領域面上に形成されラビング配向処理されて前記
液晶層の液晶分子をチルト配向する垂直配列配向膜とか
らなり、硬度の異なる領域面で電界印加時の液晶組成物
のチルト方向を異ならしめることを特徴とする液晶表示
装置を得るものである。
【0007】また、上記複数領域面それぞれに硬度の異
なる下地膜を配置形成するか、複数領域の一つを画素電
極面そのもので構成することができる。
なる下地膜を配置形成するか、複数領域の一つを画素電
極面そのもので構成することができる。
【0008】また、複数領域の下地膜を鉛筆硬度2Hを
基準に選択することができる。
基準に選択することができる。
【0009】
【作用】視野角を拡大するためには、視角に対する液晶
パネルのリタデーション変化を小さくすることが有用で
ある。垂直配向膜を用いた電界効果複屈折制御形の液晶
表示装置においては、電圧印加により、液晶をチルトさ
せセルのリタデーションを変化させて表示を行ってい
る。したがって、電圧印加時のセルのリタデーションは
チルト方向に大いに依存する。これから、視野角拡大に
はチルト方向を一画素内で様々な方向にしてやれば良い
ことが分かる。しかし無秩序な方向にチルトさせては表
示不良となる。そこでチルトの方向を一画素内で秩序を
持たせ制御する必要がある。チルトの方向を制御し高コ
ントラストを得るためにはある大きさの微小プレチルト
角を持たせることが有用である。
パネルのリタデーション変化を小さくすることが有用で
ある。垂直配向膜を用いた電界効果複屈折制御形の液晶
表示装置においては、電圧印加により、液晶をチルトさ
せセルのリタデーションを変化させて表示を行ってい
る。したがって、電圧印加時のセルのリタデーションは
チルト方向に大いに依存する。これから、視野角拡大に
はチルト方向を一画素内で様々な方向にしてやれば良い
ことが分かる。しかし無秩序な方向にチルトさせては表
示不良となる。そこでチルトの方向を一画素内で秩序を
持たせ制御する必要がある。チルトの方向を制御し高コ
ントラストを得るためにはある大きさの微小プレチルト
角を持たせることが有用である。
【0010】一画素中で微小チルト方向が異なった場
合、全面一方向に均一にチルトしているときに比べて視
角方向に対してのリタデーション変化が小さくなるの
で、視野角が拡がることは知られている。
合、全面一方向に均一にチルトしているときに比べて視
角方向に対してのリタデーション変化が小さくなるの
で、視野角が拡がることは知られている。
【0011】微小プレチルト角垂直配向層の形成に当た
っては垂直配向層下地の硬度が大きく影響することを発
明者等は多くの実験で見い出だした。通常、図2(a)
に示すように微小プレチルト角を有する垂直配向層4a
は、長鎖アルキルシラン化合物や一塩基性クロム錯体な
どをガラス基板5上に下地膜3aを介して配向層として
塗布形成した後ラビング処理することにより得られる。
この時、垂直配向層4aの下地膜3aの硬度が鉛筆硬度
2Hより硬い膜であれば液晶分子14aは図2(a)の
様にラビング方向にチルトする。一方、図2(b)に示
すように下地膜3bの硬度が鉛筆硬度2H以下例えば1
Hの柔らかい膜を用いればこの垂直配向層4bをラビン
グ配向処理すると液晶分子14aはラビング方向に対し
て、逆方向にチルトする。
っては垂直配向層下地の硬度が大きく影響することを発
明者等は多くの実験で見い出だした。通常、図2(a)
に示すように微小プレチルト角を有する垂直配向層4a
は、長鎖アルキルシラン化合物や一塩基性クロム錯体な
どをガラス基板5上に下地膜3aを介して配向層として
塗布形成した後ラビング処理することにより得られる。
この時、垂直配向層4aの下地膜3aの硬度が鉛筆硬度
2Hより硬い膜であれば液晶分子14aは図2(a)の
様にラビング方向にチルトする。一方、図2(b)に示
すように下地膜3bの硬度が鉛筆硬度2H以下例えば1
Hの柔らかい膜を用いればこの垂直配向層4bをラビン
グ配向処理すると液晶分子14aはラビング方向に対し
て、逆方向にチルトする。
【0012】これは、下地が硬い場合、ラビングによ
り、表面の配向膜がラビング方向に微妙に傾く方向に配
向され、その結果図2(a)の様にラビング方向へ液晶
分子が微小に傾くと考えられる。一方、下地が柔らかい
場合、ラビング配向処理によって、図2(b)の様に配
向膜が形成されている下地膜自身が変形し、あたかも皺
が寄ったようになり、その上にのっている垂直配向層は
ラビング方向の反対方向へ向く状態となり、液晶分子は
その配向膜の影響を受けて、ラビング方向とは逆の方向
に微小に傾くと考えられる。ここで、プレチルト角が小
さいとチルト方向が異なる領界でディスクリネーション
が酷く発生して見栄えが低下する問題が起こる。しか
し、それはそれぞれの領域でのプレチルト角を十分大き
くすることやディスクリネーション発生部にブラックマ
トリクスや補助容量素子などを形成して見えなくさせる
ことにより解決できる。
り、表面の配向膜がラビング方向に微妙に傾く方向に配
向され、その結果図2(a)の様にラビング方向へ液晶
分子が微小に傾くと考えられる。一方、下地が柔らかい
場合、ラビング配向処理によって、図2(b)の様に配
向膜が形成されている下地膜自身が変形し、あたかも皺
が寄ったようになり、その上にのっている垂直配向層は
ラビング方向の反対方向へ向く状態となり、液晶分子は
その配向膜の影響を受けて、ラビング方向とは逆の方向
に微小に傾くと考えられる。ここで、プレチルト角が小
さいとチルト方向が異なる領界でディスクリネーション
が酷く発生して見栄えが低下する問題が起こる。しか
し、それはそれぞれの領域でのプレチルト角を十分大き
くすることやディスクリネーション発生部にブラックマ
トリクスや補助容量素子などを形成して見えなくさせる
ことにより解決できる。
【0013】すなわち図1に示すように、基板5に形成
した例えばITOの透明画素電極2の表面領域を、鉛筆
2Hを基準に硬度の異なる複数領域例えば2領域に区分
し、これら領域に所定硬度の下地膜3a、3bを形成し
その上に共通の垂直配向層4を被着して、この配向層を
矢印方向にラビング処理すると、上述の理由により、電
圧印加時に液晶分子14aが各下地膜3a、3b上で異
なる方向にチルトすることになる。したがって、対向基
板6上の垂直配向層11の下地膜として、それぞれ同硬
度の膜3a、3bを対向配置するようにすれば、各画素
電極上の2領域において、異なる方向のチルトをもつ液
晶層が得られることになる。
した例えばITOの透明画素電極2の表面領域を、鉛筆
2Hを基準に硬度の異なる複数領域例えば2領域に区分
し、これら領域に所定硬度の下地膜3a、3bを形成し
その上に共通の垂直配向層4を被着して、この配向層を
矢印方向にラビング処理すると、上述の理由により、電
圧印加時に液晶分子14aが各下地膜3a、3b上で異
なる方向にチルトすることになる。したがって、対向基
板6上の垂直配向層11の下地膜として、それぞれ同硬
度の膜3a、3bを対向配置するようにすれば、各画素
電極上の2領域において、異なる方向のチルトをもつ液
晶層が得られることになる。
【0014】このように本発明では1画素内で異なった
硬さの下地膜を形成することにより、その後垂直配向処
理を行った後、各基板一回のみのラビング配向処理によ
り、各々異なった、方向にチルトさせることができ、電
圧印加時のリタデーションの視角依存性が小さくなり、
これにより、広い視野角を得ることが可能になる。
硬さの下地膜を形成することにより、その後垂直配向処
理を行った後、各基板一回のみのラビング配向処理によ
り、各々異なった、方向にチルトさせることができ、電
圧印加時のリタデーションの視角依存性が小さくなり、
これにより、広い視野角を得ることが可能になる。
【0015】
【実施例】以下本発明の実施例を説明する。
【0016】[実施例1]図3に本発明による一実施例
の液晶表示装置の概略平面図を示し、図4に本発明によ
る一実施例の液晶表示装置の概略断面図を示す。
の液晶表示装置の概略平面図を示し、図4に本発明によ
る一実施例の液晶表示装置の概略断面図を示す。
【0017】1主面の表面にアモルファスシリコンを用
いたTFT(薄膜トランジスタ)素子1と画素電極2と
が配置されているTFTアレイ基板5を薄膜技術により
作製する。次に画素電極2の半面領域のみに、Si
O2 ,ZrO2 を主成分とし被膜となる溶液ZQ−2
(触媒化成工業(株)製)を印刷法によってストライプ
状に塗布し、空気中で180℃、30分焼成して鉛筆硬
度が1Hの絶縁性下地膜3を約500オングストローム
区分形成した。残りの領域は電極面そのものを露出させ
たままとした。その後、浸漬法によりオクタデシルトリ
エトキシシラン(ODS)を全面に塗布した後、窒素雰
囲気中で150℃、30分間乾燥させて垂直配向膜を形
成した。その後図中矢印12で示したようにラビング処
理を行い、配向膜4を形成した。
いたTFT(薄膜トランジスタ)素子1と画素電極2と
が配置されているTFTアレイ基板5を薄膜技術により
作製する。次に画素電極2の半面領域のみに、Si
O2 ,ZrO2 を主成分とし被膜となる溶液ZQ−2
(触媒化成工業(株)製)を印刷法によってストライプ
状に塗布し、空気中で180℃、30分焼成して鉛筆硬
度が1Hの絶縁性下地膜3を約500オングストローム
区分形成した。残りの領域は電極面そのものを露出させ
たままとした。その後、浸漬法によりオクタデシルトリ
エトキシシラン(ODS)を全面に塗布した後、窒素雰
囲気中で150℃、30分間乾燥させて垂直配向膜を形
成した。その後図中矢印12で示したようにラビング処
理を行い、配向膜4を形成した。
【0018】一方、対向基板6上に透明な対向電極7と
してITO膜を全面に形成し、TFTアレイ基板5上の
ZQ−2下地膜3と相対向する様にストライプ状に溶液
ZQ−2に塗布焼成して鉛筆硬度が1Hの絶縁性下地膜
8を約500オングストローム形成した後、ODSを塗
布乾燥させて垂直配向膜を形成した。そしてその表面を
図中矢印13で示したようにラビング処理して、配向膜
11を形成した。この後、6μmのガラスファイバーを
含有するエポキシ系樹脂接着剤を基板5、6周囲に印刷
し、各基板5、6の1主面の配向膜4,11が対向し、
かつZQ−2の下地膜3、8が相対面するように整合し
た。基板を加熱して接着剤を硬化させ基板5、6を貼り
合わせた。これら基板で挟持する液晶層14には液晶組
成物としてEN−18(チッソ社製)を用いた。鉛筆硬
度1Hの下地膜3、8が対向する領域Aと硬度が2Hよ
りも硬い電極面が直接対向する領域Bとでは、画素電極
5、6に駆動電圧印加時の液晶分子14aのチルト方向
が異なっている。
してITO膜を全面に形成し、TFTアレイ基板5上の
ZQ−2下地膜3と相対向する様にストライプ状に溶液
ZQ−2に塗布焼成して鉛筆硬度が1Hの絶縁性下地膜
8を約500オングストローム形成した後、ODSを塗
布乾燥させて垂直配向膜を形成した。そしてその表面を
図中矢印13で示したようにラビング処理して、配向膜
11を形成した。この後、6μmのガラスファイバーを
含有するエポキシ系樹脂接着剤を基板5、6周囲に印刷
し、各基板5、6の1主面の配向膜4,11が対向し、
かつZQ−2の下地膜3、8が相対面するように整合し
た。基板を加熱して接着剤を硬化させ基板5、6を貼り
合わせた。これら基板で挟持する液晶層14には液晶組
成物としてEN−18(チッソ社製)を用いた。鉛筆硬
度1Hの下地膜3、8が対向する領域Aと硬度が2Hよ
りも硬い電極面が直接対向する領域Bとでは、画素電極
5、6に駆動電圧印加時の液晶分子14aのチルト方向
が異なっている。
【0019】このようにして作成されたアクティブマト
リクス液晶表示素子を一組の偏光板間に挟んでノーマリ
ーブラックモードにして駆動点灯したところ、視野角が
広くコントラスト比150:1が得られ表示不良がなく
画面全体にわたり、均一で良好な表示が得られた。
リクス液晶表示素子を一組の偏光板間に挟んでノーマリ
ーブラックモードにして駆動点灯したところ、視野角が
広くコントラスト比150:1が得られ表示不良がなく
画面全体にわたり、均一で良好な表示が得られた。
【0020】[比較例1]実施例1でTFTアレイ基板
および対向基板とも鉛筆硬度1HのZQ−2膜が配置さ
れない場合について、同様に垂直配向剤としてODSを
用い、垂直配向層を形成後ラビングすることにより、液
晶表示素子を作成し点灯評価したところ、コントラスト
比は約150:1と高かったが、視野角は狭かった。
および対向基板とも鉛筆硬度1HのZQ−2膜が配置さ
れない場合について、同様に垂直配向剤としてODSを
用い、垂直配向層を形成後ラビングすることにより、液
晶表示素子を作成し点灯評価したところ、コントラスト
比は約150:1と高かったが、視野角は狭かった。
【0021】[比較例2]実施例1でTFTアレイ基板
および対向基板とも全面ZQ−2膜を形成後、同様に垂
直配向剤としてODSを用い、垂直配向層を形成後ラビ
ングすることにより、液晶表示素子を作成し点灯評価し
たところ、コントラスト比は約150:1と高かった
が、視野角は狭かった。
および対向基板とも全面ZQ−2膜を形成後、同様に垂
直配向剤としてODSを用い、垂直配向層を形成後ラビ
ングすることにより、液晶表示素子を作成し点灯評価し
たところ、コントラスト比は約150:1と高かった
が、視野角は狭かった。
【0022】[実施例2]図5に本発明の他の実施例の
液晶表示装置の概略断面図を、図6に装置全体の概略断
面図を示す。
液晶表示装置の概略断面図を、図6に装置全体の概略断
面図を示す。
【0023】1主面の表面にアモルファスシリコンを用
いたTFT(薄膜トランジスタ)素子1と画素電極2と
が配置されているTFTアレイ基板5を薄膜技術により
作成する。画素電極2の半面のみにまずSiO2 を主成
分とした被膜が形成される溶液NHC(日産化学(株)
製)を印刷法によってストライプ状に塗布し、空気中で
350℃、30分焼成して鉛筆硬度が8Hの絶縁性下地
膜20を形成した。その後、NHCの形成されてない領
域にSiO2 ,ZrO2 を主成分とし被膜となる溶液Z
Q−2(触媒化成工業(株)製)を印刷法によって塗布
し、空気中で180℃、30分焼成して鉛筆硬度が1H
の絶縁性下地膜21を下地膜20と同じ高さになるよう
に約500オングストローム形成した。その後、浸漬法
により一塩基性クロム錯体FC−805(住友スリーエ
ム社製)を全面に塗布した後、窒素雰囲気中で150
℃、30分間乾燥させて垂直配向層を形成した。その後
ラビング処理を行い、配向膜4を形成した。
いたTFT(薄膜トランジスタ)素子1と画素電極2と
が配置されているTFTアレイ基板5を薄膜技術により
作成する。画素電極2の半面のみにまずSiO2 を主成
分とした被膜が形成される溶液NHC(日産化学(株)
製)を印刷法によってストライプ状に塗布し、空気中で
350℃、30分焼成して鉛筆硬度が8Hの絶縁性下地
膜20を形成した。その後、NHCの形成されてない領
域にSiO2 ,ZrO2 を主成分とし被膜となる溶液Z
Q−2(触媒化成工業(株)製)を印刷法によって塗布
し、空気中で180℃、30分焼成して鉛筆硬度が1H
の絶縁性下地膜21を下地膜20と同じ高さになるよう
に約500オングストローム形成した。その後、浸漬法
により一塩基性クロム錯体FC−805(住友スリーエ
ム社製)を全面に塗布した後、窒素雰囲気中で150
℃、30分間乾燥させて垂直配向層を形成した。その後
ラビング処理を行い、配向膜4を形成した。
【0024】一方、対向基板6上に透明電極7としてI
TO膜を全面に形成し、その上にTFTアレイ基板5の
下地膜20、21と相対向する様にNHC液とZQ−2
液を順次印刷形成して下地膜22、23を得た後、TF
Tアレイ基板5と同様にFC−805を全面塗布、窒素
雰囲気中で150℃、30分間乾燥させて垂直配向層を
形成した後、表面をラビング処理を行い、配向膜11を
形成した。この後、図6に示すように基板6の配向膜1
1の周辺に沿って周辺封着剤9として5μm径ガラスフ
ァイバーを含有したエポキシ系接着剤を、注入口(図示
せず)を除いて印刷した。次に基板5の表面にスペーサ
10として粒径5μmの樹脂球を散布した。TFTアレ
イ基板5と対向基板6とを鉛筆硬度8Hの下地膜20と
22とを対向させて2Hより硬いB領域とし、また鉛筆
硬度1Hの下地膜21と23とを対向させて2H以下の
柔らかいA領域とするように整合し、5μmの間隔で貼
り合わせて液晶セルを作成し、液晶組成物として、EN
−18(チッソ社製)を用いて注入口から注入し液晶層
14を形成した。ラビング方向は矢印12、13で示
す。この液晶表示素子を一組の偏光板25、26間に挟
んで液晶表示装置とした。
TO膜を全面に形成し、その上にTFTアレイ基板5の
下地膜20、21と相対向する様にNHC液とZQ−2
液を順次印刷形成して下地膜22、23を得た後、TF
Tアレイ基板5と同様にFC−805を全面塗布、窒素
雰囲気中で150℃、30分間乾燥させて垂直配向層を
形成した後、表面をラビング処理を行い、配向膜11を
形成した。この後、図6に示すように基板6の配向膜1
1の周辺に沿って周辺封着剤9として5μm径ガラスフ
ァイバーを含有したエポキシ系接着剤を、注入口(図示
せず)を除いて印刷した。次に基板5の表面にスペーサ
10として粒径5μmの樹脂球を散布した。TFTアレ
イ基板5と対向基板6とを鉛筆硬度8Hの下地膜20と
22とを対向させて2Hより硬いB領域とし、また鉛筆
硬度1Hの下地膜21と23とを対向させて2H以下の
柔らかいA領域とするように整合し、5μmの間隔で貼
り合わせて液晶セルを作成し、液晶組成物として、EN
−18(チッソ社製)を用いて注入口から注入し液晶層
14を形成した。ラビング方向は矢印12、13で示
す。この液晶表示素子を一組の偏光板25、26間に挟
んで液晶表示装置とした。
【0025】装置をノーマリーブラックモードにして駆
動点灯評価したところ、コントラスト比は約150:1
と高く、視野角も広く、また表示不良もなく画面全体に
わたり、均一で良好な表示が得られた。
動点灯評価したところ、コントラスト比は約150:1
と高く、視野角も広く、また表示不良もなく画面全体に
わたり、均一で良好な表示が得られた。
【0026】[比較例3]実施例2でTFTアレイ基板
および対向基板とも全面に硬度8HのNHCを形成した
後、同様に垂直配向剤としてFC−805を用い成膜後
ラビングすることにより、液晶表示素子を作成し点灯評
価したところ、コントラストは約150:1と高かった
が、視野角は狭かった。
および対向基板とも全面に硬度8HのNHCを形成した
後、同様に垂直配向剤としてFC−805を用い成膜後
ラビングすることにより、液晶表示素子を作成し点灯評
価したところ、コントラストは約150:1と高かった
が、視野角は狭かった。
【0027】
【発明の効果】本発明によれば、広視野角、高コントラ
スト、薄形軽量の高信頼性大画面液晶表示装置を簡便な
セル製造工程にて提供することができる。また本発明は
実施例で述べた材料、条件、ラビング方向に限定される
ものではなく、他の材料、他の条件、他のラビング方向
に置いても同様の効果が得られる。さらに、各1画素電
極ごとに形成する複数領域の形状や、領域数も任意に選
択することができる。また、本実施例においてはノーマ
リーブラックモードのアクティブマトリクス駆動方式と
したが、ノーマリーホワイトモードや単純マトリクス駆
動方式でも同様な効果が得られる。
スト、薄形軽量の高信頼性大画面液晶表示装置を簡便な
セル製造工程にて提供することができる。また本発明は
実施例で述べた材料、条件、ラビング方向に限定される
ものではなく、他の材料、他の条件、他のラビング方向
に置いても同様の効果が得られる。さらに、各1画素電
極ごとに形成する複数領域の形状や、領域数も任意に選
択することができる。また、本実施例においてはノーマ
リーブラックモードのアクティブマトリクス駆動方式と
したが、ノーマリーホワイトモードや単純マトリクス駆
動方式でも同様な効果が得られる。
【図1】本発明の液晶表示装置の概略を示すま概略断面
図である。
図である。
【図2】(a)(b)は本発明の作用を説明する図であ
る。
る。
【図3】本発明の液晶表示装置の一実施例の概略平面図
である。
である。
【図4】本発明の液晶表示装置の一実施例の概略断面図
である。
である。
【図5】本発明の液晶表示装置の他の実施例の概略断面
図である。
図である。
【図6】本発明の液晶表示装置の他の実施例の概略断面
図である。
図である。
2…画素電極 3、8…絶縁性下地膜 4、11…配向膜 5…TFTアレイ基板 6…対向基板 7…対向電極 14…液晶層 14a…液晶分子 A、B…領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大越 のり子 神奈川県川崎市川崎区日進町7番地1 東芝電子エンジニアリング株式会社内 (56)参考文献 特開 平6−82787(JP,A) 特開 平6−82784(JP,A) 特開 平6−43460(JP,A) 特開 平6−34978(JP,A) 特開 平5−210099(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/1337 505
Claims (3)
- 【請求項1】 1主面に複数の画素電極を有する第1の
基板および1主面に対向電極を有する第2の基板を、前
記1主面が対向する様に配置させ、これら基板間に負の
誘電異方性を有する液晶組成物からなる液晶層を挟持し
てなる液晶表示装置において、 前記各画素電極上を硬度が異なる複数領域面に区分形成
する手段と、この複数領域面上に形成されラビング配向
処理されて前記液晶層の液晶分子をチルト配向する垂直
配列配向膜とからなり、前記硬度の異なる領域面で電界
印加時の液晶組成物のチルト方向を異ならしめることを
特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項2】 複数領域面の一つが画素電極面そのもの
である請求項1記載の液晶表示装置 - 【請求項3】 複数領域面の一つが鉛筆硬度2H以下の
柔らかい下地膜で形成されてなる請求項1記載の液晶表
示装置
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04243896A JP3131508B2 (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04243896A JP3131508B2 (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0695120A JPH0695120A (ja) | 1994-04-08 |
JP3131508B2 true JP3131508B2 (ja) | 2001-02-05 |
Family
ID=17110614
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP04243896A Expired - Fee Related JP3131508B2 (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3131508B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101376812B (zh) * | 2008-09-28 | 2012-02-01 | 中国科学技术大学 | 一种核-壳型含硅协效阻燃剂及其制备方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW259845B (ja) * | 1993-07-30 | 1995-10-11 | Sharp Kk | |
KR100477136B1 (ko) * | 1997-11-12 | 2005-08-24 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치 |
JP4397444B2 (ja) * | 1998-12-28 | 2010-01-13 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
-
1992
- 1992-09-14 JP JP04243896A patent/JP3131508B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101376812B (zh) * | 2008-09-28 | 2012-02-01 | 中国科学技术大学 | 一种核-壳型含硅协效阻燃剂及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0695120A (ja) | 1994-04-08 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |