JPH0421858A

JPH0421858A - 電子写真感光体

Info

Publication number: JPH0421858A
Application number: JP12549390A
Authority: JP
Inventors: Masahito Ono; 雅人小野; Shigeru Yagi; 茂八木
Original assignee: Fuji Xerox Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date: 1990-05-17
Filing date: 1990-05-17
Publication date: 1992-01-24

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、非晶質ケイ素を主体とする感光層を有する電
子写真感光体に関する。

〔従来の技術〕

通常、電子写真感光体は、導電性基板上に感光層を設け
て形成される。感光層としては、光導電性を有する材料
が一般に使用され、例えば、Ｓｅ。

ＣｄＳ、ＺｎＯ等の無機光導電性材料等があげられる。

また、最近では、高感度で耐熱性に優れ、高硬度の非晶
質ケイ素も光導電性材料として注目を集めている。（例
えば、特開昭５４−８６３４１号公報）〔発明が解決し
ようとする課題〕しかしながら、これらの材料を使用する電子写真感光体
は、電子写真感光体として具備しなければならない特性
を、充分に満足しているわけではなく、それぞれの使用
目的に応じて条件を探索しつつ、実用に供せられている
。

例えば、電子写真感光体の特性の一つとして、高感度で
、かつ高暗抵抗であることが望まれるが、概して高感度
のものは、暗抵抗が小さく、また特有の疲労効果を示す
ことがしばしばみられる。

Ｓｅ系光導電層を有する電子写真感光体では、ＴｅやＡ
ｓを添加して増感した場合には、暗抵抗が小さくなるた
め、層構成を単層構成からＳｅ／５ｅＴｅ或いはＳ　ｅ
　／　Ｓ　ｅ　Ｔ　ｅ　／　Ｓ　ｅ等の二層或いは三層
構造にして用いるのが一般的である。しかしながら、Ｔ
ｅやＡｓを添加したＳｅ系光導電層は、光疲労が大きく
、この様な光疲労は、画像濃度の低下をもたらし、ゴー
スト画像を発生したりして、画質を劣化させるため、実
用上の使用条件が制限される。

電子写真感光体の基本特性として、長期間使用できるこ
とが要求されるが、Ｓｅ系電子写真感光体は、充分に長
寿命であるとはいい難い。例えば、Ｓｅ系電子写真感光
体は、アモルファス状態で使用されるが、５０〜６０℃
と比較的低温で結晶化が起こり始める。この様な結晶化
が起こると、暗抵抗が低下してしまい、複写画像の劣化
をもたらす。

最近注目を集めている非晶質ケイ素系電子写真感光体は
、耐熱性や表面硬度の点で優れたものであるが、その材
料自身の誘電率が大きく、帯電能が低く、また暗減衰が
大きいため、所望の表面電位を得るには大きな帯電電流
を印加するか、或いはプロセススピードを高速にして使
用する必要がある。また、非晶質ケイ素系電子写真感光
体は、温度、湿度等の外的要因による抵抗変化が大きく
、帯電電位に影響しやすい。特に、高温、高湿の雰囲気
で繰り返しコピーを行うと、画像ボケが起こるため、感
光体を加熱して使用する必要がある。

これらのため、消費電力が高く、実用上問題があった。

非晶質ケイ素系電子写真感光体のこれらの欠点を改善す
るために、非晶質ケイ素膜中に、炭素をドープし、暗抵
抗を増加させると同時に、誘電率を減少させる方法が提
案されている（特開昭５６−６２２５４号、同５６−１
３２２５５号公報等）。しかしながら、これらの方法で
は、光学ギャップを広げることになるため、長波長域の
感度が失われ、半導体レーザーを用いたプリンターに対
して適性が無くなってしまう。また、導電性基板上に非
晶質炭化ケイ素を電荷輸送層として形成し、さらにこの
上に電荷発生層として非晶質シリコンゲルマニウムと非
晶質シリコンの２層を設けた機能分離型層構成の感光体
も提案されている（特開昭Ｅｉｌ−２４３４６０号公報
等）。しかしながら、非晶質シリコンゲルマニウムを２
層の電荷発生層の下側とし、電荷輸送層である非晶質炭
化ケイ素と接するように設けた場合には、非晶質ケイ素
化ゲルマニウム層と非晶質炭化ケイ素の価電子帯と伝導
帯のエネルギーマツチングは不良であり、両層の界面で
電荷がトラップされ、高い残留電位や低電場での感度低
下、さらには繰り返し特性の不良などの問題があった。

また、非晶質シリコンを下側の電荷発生層とし、非晶質
炭化ケイ素と接するように設けた場合には、電荷発生層
である非晶質ケイ素層が短波長側で電６；Ｓ発生層とし
て機能するためには、非晶質シリコンゲルマニウム層の
吸収のために非晶質シリコンゲルマニウム層を薄くする
か、ゲルマニウムの濃度を著しく低くする必要があり、
その結果、７５０〜８００　ｎｍの赤外領域では、十分
な機能を持ち得なかった。

本発明は、上記の実情に鑑みてなされたものである。

すなわち、本発明の目的は、優れた可視光感度と長波長
感度と帯電能、低残留電位、繰り返し安定性を有し、環
境変化に対して安定であり、かつ寿命の長い電子写真感
光体を提供することにある。

さらに他の目的は、レーザープリンターに適用した場合
、モアレの無い良好な画像を得ることかできる電子写真
感光体を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、導電性基板上に、感光層と表面保護層を設け
てなる電子写真感光体において、該感光層が電荷発生層
と電荷注入層と電荷輸送層とからなり、該電荷発生層が
ゲルマニウムを含有する非晶質ケイ素を主体とする層で
あり、該電荷注入層が非晶質ケイ素を主体とする層であ
り、該電荷輸送層が炭素を含有する非晶質ケイ素を主体
とする層であることを特徴とする。

以下、本発明について詳記する。

第１図ないし第８図は、本発明の電子写真感光体の実施
例の模式的断面図である。図中、（１）は導電性基板、
（２）は電荷輸送層、（３）は電荷注入層、（４）は電
荷発生層、（５）は表面保護層、（６）は電荷注入防止
層、（７）は反則防止層である。第１図においては、導
電性基板（１）」二に電荷輸送層（２）と電荷注入層（
３）と電荷発生層（４）からなる感光層と、表面保護層
（５）が形成されている。第２図においては、導電性基
板（１）」二に電荷発生層（４）と電荷注入層（３）と
電荷輸送層（２）からなる感光層と、表面保護層（５）
が形成されている。第３図及び第４図においては、導電
性基板（１）と感光層との間に、電荷注入防止層（６）
が設けられている。第５図及び第６図においては、表面
保護層の表面にさらに反射防止層（７）が設けられてい
る。

また、第７図及び第８図においては、反射防止層（７）
が導電性基板（１）と電荷注入防止層（６）との間に設
けられている。

本発明において用いられる導電性基板としては、アルミ
ニウム、ニッケル、クロム、ステンレス鋼等の合金、導
電膜を有するプラスチックシート或いはガラス、導電化
処理した紙等があげられる。

本発明において、導電性基板」二には、少なくとも感光
層と表面保護層とが設けられるが、感光層は、ゲルマニ
ウムを含有する非晶質ケイ素を主体とする電荷発生層（
以下、「ゲルマニウム含有非晶質ケイ素層」という）と
非晶質ケイ素を主体とし、電荷発生層で発生したキャリ
アを電荷輸送層に効率よく注入するための電荷注入層と
、炭素を含有する非晶質ケイ素を主体とする電荷輸送層
（以下、「炭素含有非晶質ケイ素層」という）を有する
。

本発明の電荷発生層に用いられるゲルマニウム含有非晶
質ケイ素層中のゲルマニウムとケイ素の比率は、２　：
１〜１１０の範囲が好ましい、さらに必要に応じて第■
族元素或いは第Ｖ族元素をドーピング元素として添加す
ることができる。例えば、電荷発生層を上層に設けた場
合、正帯電用としては硼素を必要量ドープすることによ
って、電荷発生層中の正孔の移動を容易にし、短波長に
も十分な感度を有する感光体とすることができる。

これらのドーピング元素の量は、ゲルマニウムの量によ
って決定される。通常、Ｏ，ｉｐｐｍからＬＯＯｐｐｍ
。

好ましくは０　、２ｐｐｍから５０ｐｐｍである。膜厚
は、所望の波長での要求感度によってゲルマニウム濃度
に依存して決められるが、通常１μｍ以上、１０μｍ以
下であり、好ましくは１郁以上、５μｍ以下である。

電荷注入層は、電荷発生層で生成したキャリアを効率よ
く炭素含有非晶質ケイ素に注入させるためのもので、ゲ
ルマニウム含有非晶質ケイ素を電荷発生層に用いた場合
には、非晶質ケイ素を薄膜にして用いると、効率よく行
えることを見出たした。注入の効率を改善するために、
周期律表第■族或いは第■族の元素を微量添加すること
かできる。膜厚は、通常０．１μｍないし１μｍ、好ま
しくは０．２μｍないし１μｍである。膜厚が０．１加
よりも小さくなると、界面のトラップが多く、残留電位
が増加し、また、１加よりも大きくなると、電荷発生層
と電荷注入層で発生した熱キャリアによって暗減衰が大
きくなり、また、誘電率が大きくなり、帯電能の低下を
引き起こし、感度も低下するため、実用的ではない。ま
た、暗減衰を減少させるために電荷発生層の膜厚を減少
し、電荷注入層の膜厚を増加させた場合には、光感度の
低下が起こるため実用的ではない。この様な電荷注入層
を設けることによって、電荷発生層中で発生するキャリ
アを効率よく電荷輸送層に注入し、かつ、注入層が実質
的に感光体の帯電特性に影響を与えないため、高感度、
かつ、高帯電能の電子写真感光体を実現することが可能
である。

電荷輸送層の炭素含有非晶質ケイ素層中の炭素とケイ素
の比率は、１０：１〜１：１００の範囲が好ましい。炭
素の濃度は、電荷発生層側に向かって減少させ、さらに
炭素濃度の減少と同様に第■族元素或いは第Ｖ族元素の
濃度を減少させることによって、電荷輸送層中での電荷
移動での障壁やトラップをなくすことができ、残留電位
をなくし、繰り返しコピー時の安定性を保証すると共に
、暗減衰を最少にすることができる。また、電子写真感
光体の特性向上のために、電荷注入防止層を導電性基板
と感光層の間に設けることも可能である。

さらに、赤外半導体レーザーを用いたレーザープリンタ
ーに適用した際のモアレを防止させるための反射防止層
を感光体表面及び基板側に設けることができる。表面側
に設ける反射防止層は、干渉効果を利用した表面層を用
いることができ、炭素含有非晶質ケイ素や、窒素含有非
晶質ケイ素、非晶質炭素等の膜厚と組成を制御して、レ
ーザー波長における表面での反射をなくすことによって
モアレを防止することができる。また、基板側に設ける
反射防止層は、基板に粗度を付けたり、或いは微粉末を
分散した光散乱層であってもよく、また黒色の陽極酸化
層であってもよい。また、ゲルマニウム含有非晶質ケイ
素やゲルマニウム含有非晶質炭素を用いることによって
モアレを防止することができる。

上記のゲルマニウム含有非晶質ケイ素層、非晶質ケイ素
層及び炭素含有非晶質ケイ素層を形成させるための原料
としては、水素化ゲルマニウム化合物と、水素化ケイ素
化合物と、炭化水素及び所望により水素、ヘリウム、ア
ルゴン等のキャリアガスが使用される。それらの混合割
合は、適宜設定することができる。

使用することができる水素化ゲルマニウム化合物として
は、ＧｅＨ４、Ｇｅ、、　Ｈ６、Ｇｅ３Ｈｅ、Ｇｅ４１
１１０％Ｇｅ５Ｉ１１２、ＧｅＦ４、ＧｅＣｌ４等があ
げられる。

水素化ケイ素化合物として使用できるものは、Ｓｉ　Ｈ
４、Ｓｌ　２Ｈ６，５ｉ３Ｈａ、５ｉ４ＨＩＯ％　５ｉ
ＣＩ４　、ＳｉＩ２Ｐ、　、５ｉｌｌＰ３、ＳｉＨ２Ｆ２．５ｉｌ１３Ｆ　
、　５ｉＨＣＩ３　、ＳｉＨ□Ｃ１□、５ｉＨ３Ｃ１，
５ｉ（Ｃｆｈ）　４等があげられる。

また、炭化水素としては、例えば、メタン、エタン、プ
ロパン、ｎ−ブタン等のパラフィン系炭化水素、エチレ
ン、プロピレン、ブテン−１１ブテン２、イソブチレン
等のオレフィン系炭化水素、アセチレン、メチルアセチ
レン等のアセチレン系炭化水素、シクロプロパン、シク
ロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロブ
テン等の脂環式炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、ナフタリン、アントラセン等の芳香族炭化水素をあ
げることができる。さらにこれら炭化水素は、ハロゲン
置換体であってもよい。例えば、四塩化炭素、クロロホ
ルム、四フッ化炭素、トリフルオロメタン、クロロトリ
フルオロメタン、ジクロロフルオロメタン、プロモトリ
フルオロメタン、フルオロエタン、パーフルオロプロパ
ン等を用いることができる。

第■族元素及び第Ｖ族元素を添加する原料ガスとしでは
、Ｂ２Ｈ６、Ｈ４ＨＩＯＳＢＦ３　、ＢＣｌ３、Ｐ１１
３、Ｐ２Ｈ４、ＰＦ３、ＰＣｌ３があげられる。

以上に列記した原料物質は、常温でガス状であっても、
固体状或いは液体状であってもよいが、固体状或いは液
体状である場合には、気化して反応室に導入させる。

電荷発生層、電荷注入層、電荷輸送層及び表面保護層は
、プラズマＣＶＤ装置により、上記の原料ガスをグロー
放電分解することにより形成させることができるが、グ
ロー放電分解は、直流及び交流放電のいずれを採用して
もよい。膜形成の作製条件は、交流放電の場合を例にと
ると、周波数は０．１〜３０ＭＨｚ　、好ましくは５〜
２０ＭＨ２であり、また、放電時の圧力は、０．１〜５
　Ｔｏｒｒ（１３，３〜８８Ｐａ）　、基板加熱温度は
１００〜４００℃である。

ゲルマニウム含有非晶質ケイ素層と非晶質ケイ素層と炭
素含有非晶質ケイ素層からなる感光層と、表面保護層の
膜厚は、それぞれ任意に設定されるが、電荷発生層は、
０，１〜５加の範囲に、電荷注入層は０．１〜１如の範
囲に、電荷輸送層は１〜１００μｍの範囲に設定するこ
とが好ましい。また、表面保護層は、ＳｉＮ、　、Ｓｉ
ｎ、　、５ｉＣｘＳａ−Ｃ等の材料が用いられ、その膜
厚は、０．０５〜５μｍの範囲に設定することが好まし
い。電荷輸送層中の炭素と第■族元素或いは第■族元素
の量を電荷発生層側に向かって減少させるには、放電ガ
スの濃度を連続的に変えることによって行ってもよいし
、１回１５μｍから１回／１μｍの割合で、ガス濃度を
放電しながら変えることによって行ってもよい。

後者の場合には、放電中のガス濃度が連続的に切り替え
ることによって、実質上連続の濃度分布を作ることがで
きる。その電荷輸送層中の炭素の濃度分布の例は、第９
図から第１４図に示した様に、電荷発生層側（電荷注入
層）へ向かって炭素濃度が連続的に減少している。

電荷注入防止層には、その感光体の帯電極性に応じて、
第■族元索をヘビードープしたｐ型の非晶質ケイ素、第
■族元索をヘビードープしたｎ型の非晶質ケイ素、非晶
質炭化ケイ素や、Ｓ＋Ｎｘ　−８ｉＯ，，５ｉＣｘ等の
絶縁性薄膜を用いることが可］　５能である。また、その膜厚は、０．３〜１０如の範囲に
設定することが好ましい。

〔実施例〕

以下に実施例をあげて本発明を詳記するが、本発明はこ
れらによって限定されるものではない。

実施例１容量結合型プラズマＣＶＤ装置の所定の位置に、円筒状
のアルミニウム基板を配置し、反応室内にシラン（Ｓｉ
Ｈ４）ガス、エチレン（Ｃ２Ｈ４）ガス、水素希釈ジボ
ラン（Ｂ　２　Ｈ６／）１２）ガス及び水素ガスを、コ
ンピューターで自動的に所定の流量に流れるように流量
計のバルブを制御しながら、混合ガスを導入し、グロー
放電分解することにより、円筒状アルミニウム基板」二
に、膜厚１６μｍの炭素含有非晶質ケイ素からなる電荷
輸送層を形成した。メカニカルポンプでｌＰａまで排気
した後、シラン（ＳｉＨ４）ガス、水素希釈ジボラン（
Ｂ　２　Ｈ６／　Ｈ２）ガス及び水素（Ｈ２）ガスの混
合カスを導入し、電荷輸送層上に非晶質ケイ素からなる
電荷注入層を０．５μｍ形成した。次いで、ゲルマン（
ＧｅＨ４）ガス、シラ］６ン（ＳｉＨ４）ガス及び水素希釈ジボラン（Ｂ　２　Ｈ
６／　Ｈ２）ガス及び水素ガスの混合ガスを導入して、
グロー放電分解することにより、非晶質ケイ素層からな
る電荷注入層上にゲルマニウム含有非晶質ケイ素からな
る電荷発生層を３．５μｍ形成し、２０μｍの感光層を
形成した。次に、シラン（ＳｉＨ４）ガスとアンモニア
（Ｎ１１３　）ガスと水素（Ｈ２）ガスの混合ガスを導
入し、グロー放電分解することにより、０．４如の３層
の窒化ケイ素膜からなる表面保護層を形成した。このと
きの成膜条件は、次の通りである。

炭素含有非晶質ケイ素層（電荷輸送層）（総流量を４０
０ｓｅｃｍに保ちながら連続的に変えた。）シランガス流量　　　　　１５０−”１９０（ｓｅｅｍ
）エチレンガス流量　　　　５０−＋　１０（ｓｅｅｍ
）４０ｐｐｍ水素希釈ジボラン流量１５０−”　１０（ｓｅｅｍ）水素ガス流量　　　　　　５０　→１９０（ｓｅｅｍ）
非晶質ケイ素層（電荷注入層）シランガス流量　　　　　２００　（ｓｅｅｍ）ＬＯＯ
ｐｐｍ水素希釈ジボラン流量４０（ｓｃｃｍ）水素ガス流量　　　　　　１６０（ｓｃｃｍ）ゲルマニ
ウム含有非晶質ケイ素層（電荷発生層）ゲルマンガス流
量　　　　３０（ｓｅｅｍ）シランガス流量　　　　　
１．７０（ｓｃｃｍ）ＬＯｐｐｍ水素希釈ジボラン流量２０　（ｓｃｃｍ）水素ガス流量　　　　　　１８０（ｓｅｅｍ）３層から
なる窒化ケイ素層（表面保護層）第１の層シランガス流量　　　　　］５０（ｓｅｅｍ）アンモニ
アガス流量　　　１．５０（ｓｅｅｍ）水素ガス流量　
　　　　　１０１００（ｓｅｅ第２の層シランガス流量　　　　　１２０（ｓｅｅｍ）アンモニ
アガス流量　　　１８０（ｓｅｅｍ）水素ガス流量　　
　　　　１００１００（ｓｃ第３の層（最表面層）シランガス流量　　　　　１００（ＳＣＣＩＴｌ）アン
モニアガス流量　　　２００（ｓｅｅｍ）水素ガス流量
　　　　　　１００１００（ｓｃ放電電力　　　　　　
　　　３００Ｖ反応中の圧力　　　　　　　０．５　Ｔｏｒｒ放電周波
数　　　　　　　　１３．５８ＭＩＩｚ基板温度　　　
　　　　　　２５０℃ 形成された電子写真感光体を、暗所で印加電圧６．５Ｋ
Ｖのコロトロンで正に帯電させたところ、帯電電位は６
５０■であり、その暗減衰速度はｌＯ％／ｓｅａであっ
た。タングステンランプを光源に用い、波長８００ｎｍ
のフィルターを通して露光したところ、半減露光量は８
　ｅｒｇ　／ｃＪであった。また、残留電位は３０Ｖで
あった。この電子写真感光体を複写機（富士ゼロックス
■製　ＰＸ−５９９０を改造したテスト機）を用いて、
磁気ブラシニ成分現像剤を用いて現像した後、普通紙に
転写したところ、良好な画像が得られた。

比較例１実施例１における炭素含有非晶質ケイ素からなる電荷輸
送層の代わりに、はう素をドープした非晶質ケイ素から
なる電荷輸送層を用いた以外は、実施例１と同一条件で
、電子写真感光体を作製した。その際の非晶質ケイ素層
の成膜条件は、次の通りであった。

非晶質ケイ素層（電荷輸送層）シランガス流量　　　　　２００　（ｓｅｅｍ）１０ｐ
ｐｍ水素希釈ジボラン流量４０　（ｓｅｅｍ）水素ガス流量　　　　　　１８０　（ｓｅｅｍ）得られ
た電子写真感光体を暗所で印加電圧６，５ＫＶのコロト
ロンで正に帯電させたところ、帯電電位は４５０Ｖであ
り、その暗減衰速度は３０％／ＳｅＣであった。タング
ステンランプを光源に用い、波長８００ｎｍのフィルタ
ーを通して露光したところ、半減露光量は８ｅｒｇ／ｃ
♂であった。また、残留電位は３０Ｖであった。

比較例２実施例１におけるゲルマニウム含有非晶質ケイ素からな
る電荷発生層の代わりに、非晶質ケイ素からなる電荷発
生層を用いた以外は、実施例１と同一条件で、炭素含有
非晶質ケイ素層と電荷注入層と表面保護層を形成し、電
子写真感光体を作製した。その際の非晶質ケイ素層の成
膜条件は、次の通りであった。

非晶質ケイ素層（電荷発生層）シランガス流量　　　　　２００（ｓｅｅｍ）１０ｐｐ
ｍ水素希釈ジボラン流量２０　（ｓｃｅｎ＋）水素ガス流量　　　　　　１８０（ｓｅｅｍ）得られた
電子写真感光体を暗所で印加電圧６．５ＫＶのコロトロ
ンで正に帯電させたところ、帯電電位は６５０ｖであり
、その暗減衰速度は１０％／ｓｅｃであった。タングス
テンランプを光源に用い、波長８００ｎｍのフィルター
を通して露光したところ、半減露光量は２０　ｅｒｇ／
ｃｔであった。また、残留電位は３０Ｖであった。

比較例３実施例１における電荷注入層の形成を省略した以外は、
実施例１と同一条件で電子写真感光体を作製した。

得られた電子写真感光体を暗所で印加電圧６．５ＫＶの
コロトロンで正に帯電させたところ、帯電電位は６５０
■であり、その暗減衰速度は１０％／ｓｅｅであった。

タングステンランプを光源に用い、波長８００ｎｍのフ
ィルターを通して露光したところ、半減露光量は１５　
ｅｒｇ／ｃ＋ｉｔであった。また、残留電位は８００ｖ
であった。

比較例４実施例１における電荷注入層の膜厚を２ａｌとした以外
は、実施例１と同一条件で電子写真感光体を作製した。

得られた電子写真感光体を暗所で印加電圧６．５ＫＶの
コロトロンで正に帯電させたところ、帯電電位は５５０
■であり、その暗減衰速度は２０％／ｓｅｅであった。

タングステンランプを光源に用い、波長８００ｎｍのフ
ィルターを通して露光したところ、半減露光量は８ｅｒ
ｇ／ｃ−であった。また、残留電位は３０Ｖであった。

コロトロン電圧を調整して帯電電位を６５０ｖにしたと
ころ、半減露光量は１０　ｅｒｇ／Ｃイに低下した。

実施例２容量結合型プラズマＣＶＤ装置の所定の位置に、円筒状
のアルミニウム基板を配置し、反応室内にシランガスと
水素希釈ジボランガスを導入して、グロー放電分解する
ことにより、円筒状アルミニウム基板」二に、膜厚３μ
ｍのｐ型非晶質ケイ素からなる電荷注入防止層を形成し
た。続いて、シランガス、エチレンカス、水素希釈ジボ
ランガス及び水素ガスよりなる混合ガスを導入して、グ
ロー放電分解することにより、電荷注入防止層上に１８
μｍの炭素含有非晶質ケイ素からなる電荷輸送層を形成
した。その際、シランガス、エチレンガス、水素希釈ジ
ボランガス及び水素ｈスの流量を２μｍ毎に変えて、は
ぼ連続的に濃度分布が変化するようにした。次に、シラ
ンガス、ジボランガス及び水素ガスの混合ガスを導入し
て、１μｍの電荷注入層を形成した。さらに、ゲルマン
ガス、シランガス、水素希釈ジボランガス及び水素ガス
の混合ガスを導入して、グロー放電分解することにより
、ゲルマニウム含有非晶質ケイ素からなる膜厚３μｍの
電荷発生層を形成し、総膜厚２２μｍの感光層を形成し
た。続いて、実施例１と同一条件で、３層の窒化ケイ素
層からなる膜厚０．５μｍの表面保護層を形成した。こ
のときの成膜条件は、次の通りである。

ｐ型非晶質ケイ素層（電荷注入防止層）シランガス流量
　　　　　２００　（ｓｅｅｍ）１００ｐｐｍ水素希釈
ジボラン流量２００（ｓｅｅｍ）炭素含有非晶質ケイ素層（電荷輸送層）（総流量を４０
０ｓｅｃｍとし、全８回で断続的に条件を変えた。）シランガス流量　　　　　２００→２７０（ｓｅｅｍ）
エチレンガス流量　　　　１．００　→３０（ｓｃｃｍ
）１．００ｐｐｍ水素希釈ジボラン流量５０　→１０（ｓｅｅｍ）水素ガス流量５０−＋　９０（ｓｅｅｍ）非晶質ケイ素
層（電荷注入層）シランガス流量　　　　　２００（ｓｃｃｍ）ＬＯＯｐ
ｐｍ水素希釈ジボラン流量２０　（ｓｅｅｍ）水素ガス流量　　　　　　１８０（ｓｅｅｍ）ゲルマニ
ウム含有非晶質ケイ素層（電荷発生層）ゲルマンガス流
量　　　　４０　（ｓｃｃｍ）シランガス流量　　　　
　１６０（ｓｅｅｍ）１０ｐｐｍ水素希釈ジボラン流量１．０（ｓｅｅｍ）水素ガス流量１．９０（ｓｃｃｍ）放電電力　　　　　　　　　３００１１’反応中の圧力
　　　　　　　０．５　Ｔｏｒｒ放電周波数　　　　　
　　　１３．５６Ｍｌ１ｚ基板温度　　　　　　　　　
２５０°Ｃ形成された電子写真感光体を、暗所で印加電
圧６．５ＫＶのコロトロンて正に帯電させたところ、帯
電電位は８５０■であり、その暗減衰速度は１０％／ｓ
ｅｅであった。タングステンランプを光源に用い、波長
８００ｎｍのフィルターを通して露光したところ、半減
露光量はＢ　ｅｒｇ　／ｃａであった。また、残留電位
は５０Ｖてあった。この電子写真感光体を複写機（富士
ゼロックス■製　ＰＸ−５９９０を改造したテスト機）
を用いて、磁気ブラシニ成分現像剤を用いて現像した後
、普通紙に転写したところ、良好な画像が得られた。

実施例３容量結合型プラズマＣＶＤ装置の所定の位置に、円筒状
の黒色の陽極酸化皮膜処理を施したアルミニウム基板を
配置し、反応室内にシランガスとアンモニアガスの混合
ガスを導入して、グロー放電分解することにより、円筒
状アルミニウム基板上に、窒化ケイ素からなる膜厚０５
μｍの電荷注入防止層を形成した。さらに、ゲルマンガ
ス、シランガス及び水素希釈ジボランガスよりなる混合
ガスを導入して、グロー放電分解することにより、ゲル
マニウム含有非晶質ケイ素からなる膜厚４μｍの電荷発
生層を形成した。次に、シランガス、水素希釈ジボラン
ガス及び水素ガスの混合ガスを導入して、グロー放電分
解することにより、非晶質ケイ素からなる膜厚１μｍの
電荷注入層を形成した。

続いて、シランガス、メタンガス及び水素希釈ジボラン
ガスの混合ガスを導入して、グロー放電分解することに
より、電荷注入防止層上に膜厚１６Ｊの炭素含有非晶質
ケイ素からなる電荷輸送層を形成し、総膜厚２２μｍの
感光層を形成した。その際、電荷輸送層は、４帆毎にガ
ス比を変化させ、所定の濃度分布を形成した。続いて、
実施例１と同一条件で、３層の窒化ケイ素層からなる膜
厚０．５μｍの表面保護層を形成した。このときの成膜
条件は、次の通りである。

窒化ケイ素層（電荷注入防止層）シランガス流量　　　　　　５０（ｓｅｅｍ＞アンモニ
アガス流量　　　２５０（ｓｅｅｍ）水素ガス流量　　
　　　　１０１００（ｓｅｅゲルマニウム含有非晶質ケ
イ素層（電荷発生層）ゲルマンガス流量　　　　５０　
（ｓｅｅｍ）シランガス流量　　　　　２５０（ｓｃｃ
ｎ＋）ｔｏｐｐｍ水素希釈ジボラン流量５０（ｓｅｅｍ）水素ガス流量　　　　　　５０　（ｓｅｅｍ）非晶質ケ
イ素層（電荷注入層）シランガス流量　　　　　２００（ｓｅｅｍ＞１０ｐｐ
ｍ水素希釈ジボラン流量２００（ｓｅｅｍ）炭素含有非晶質ケイ素層（電荷輸送層）（総流量を５０
０ｓｅｃｍとし、全５回で断続的に条件を変えた。）シランガス流量　　　　　２７０−＋１５０（ｓｅｅｍ
）メタンガス流量　　　　　８０−＋１５０（ｓｅｅｍ
）４０ｐＩ）ｍ水素希釈ジボラン流量２０→１８０（ｓｅｅｍ）水素ガス流量　　　　　　１８０→２０　（ｓｅｅｍ）
放電電力　　　　　　　　　３００Ｗ反応中の圧力　　　　　　　０．５　Ｔｏｒｒ放電周波
数　　　　　　　　１３．５層３ＭＩＩｚ基板温度　　
　　　　　　　２５０°Ｃ形成された電子写真感光体を
、暗所で印加電圧−８，！ＪＶのコロトロンで負に帯電
させたところ、帯電電位は一８００Ｖであり、その暗減
衰速度は１５％／ｓｅｃであった。タングステンランプ
を光源に用い、波長８００ｎｍのフィルターを通して露
光したところ、半減露光量は１０　ｅｒｇ／ｃＪであっ
た。また、残留電位は５０Ｖであった。この電子写真感
光体を複写機（富士ゼロックス■製、ＦＸ−５９９０を
改造したテスト機）を用いて、磁気ブラシニ成分現像剤
を用いて現像した後、普通紙に転写したところ、良好な
画像が得られた。

〔発明の効果〕

本発明の電子写真感光体は、優れた可視光感度及び長波
長感度と帯電能、低残留電位、繰り返し安定性を有し、
環境変化に対して安定であり、かつ寿命が長いという優
れた電子写真特性を有している。したがってまた、レー
ザープリンターに使用した場合、モアレのない良好な画
像を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第８図は、本発明の電子写真感光体の実施
例の模式的断面図であり、第９図ないし第１４図は、電
荷輸送層中の炭素の濃度分布を説明する図である。（１）・・・導電性基板、（２）・・・電荷輸送層、（
３）・・・電荷注入層、（４）・・・電荷発生層、（５
）・・・表面保護層、（６）・・・電荷注入防止層、（
７）・・・反射防止層。出願人　富士ゼロックス株式会社

Claims

【特許請求の範囲】

（１）導電性基板上に、感光層と表面保護層を設けてな
る電子写真感光体において、該感光層が電荷発生層と電
荷注入層と電荷輸送層とからなり、該電荷発生層がゲル
マニウムを含有する非晶質ケイ素を主体とする層であり
、該電荷注入層が非晶質ケイ素を主体とする層であり、
該電荷輸送層が炭素を含有する非晶質ケイ素を主体とす
る層であることを特徴とする電子写真感光体。
（２）電荷輸送層が、周期律表第III族または第Ｖ族元
素を含有し、炭素と第III族または第Ｖ族元素の濃度分
布が、電荷発生層側に向かって減少していることを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載の電子写真感光体。
（３）電荷発生層が、周期律表第III族または第Ｖ族元
素を含有することを特徴とする特許請求の範囲第１項に
記載の電子写真感光体。
（４）電荷注入層が、周期律表第III族または第Ｖ族元
素を含有することを特徴とする特許請求の範囲第１項に
記載の電子写真感光体。
（５）感光層と導電性基板との間に電荷注入防止層を設
けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の電
子写真感光体。
（６）反射防止層を設けたことを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載の電子写真感光体。