JPH04215474A - 半導体素子における配線の製造方法 - Google Patents
半導体素子における配線の製造方法Info
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- JPH04215474A JPH04215474A JP2410530A JP41053090A JPH04215474A JP H04215474 A JPH04215474 A JP H04215474A JP 2410530 A JP2410530 A JP 2410530A JP 41053090 A JP41053090 A JP 41053090A JP H04215474 A JPH04215474 A JP H04215474A
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Landscapes
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばファクシミリや
イメ−ジスキャナ等の画像入力部に用いられるイメ−ジ
センサ等の半導体素子における配線の製造方法に関し、
特に金属酸化物を主体とする電極と金属配線との接合状
態を良好にする配線の製造方法に関する。
イメ−ジスキャナ等の画像入力部に用いられるイメ−ジ
センサ等の半導体素子における配線の製造方法に関し、
特に金属酸化物を主体とする電極と金属配線との接合状
態を良好にする配線の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】原稿に密着して画像を読み取るイメ−ジ
センサは、複数の受光素子をライン状に配置した受光素
子アレイと、これを駆動する駆動回路から構成される。 各受光素子に発生した電荷は、各受光素子を順次選択す
るスイッチにより一本の出力線に時系列的に抽出される
ようになっている。
センサは、複数の受光素子をライン状に配置した受光素
子アレイと、これを駆動する駆動回路から構成される。 各受光素子に発生した電荷は、各受光素子を順次選択す
るスイッチにより一本の出力線に時系列的に抽出される
ようになっている。
【０００３】受光素子部分は、例えば図３に示すように
、クロム等の金属から成る共通電極２２，アモルファス
半導体層２３、金属酸化物を主体とする透明導電性部材
（酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ））から成る個別電極
２４を絶縁基板２１上に順次積層して構成され、前記各
個別電極２４は、ポリイミドから成る層間絶縁膜２５に
形成されたコンタクト孔２６を介してアルミニウム（Ａ
ｌ）で形成された信号引き出し配線２７にそれぞれ接続
されている。
、クロム等の金属から成る共通電極２２，アモルファス
半導体層２３、金属酸化物を主体とする透明導電性部材
（酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ））から成る個別電極
２４を絶縁基板２１上に順次積層して構成され、前記各
個別電極２４は、ポリイミドから成る層間絶縁膜２５に
形成されたコンタクト孔２６を介してアルミニウム（Ａ
ｌ）で形成された信号引き出し配線２７にそれぞれ接続
されている。
【０００４】上記共通電極２２にはバイアス電圧が印加
されており、原稿面からの反射光が上部側より入射する
と、光電流に応じた電荷が発生し、信号引き出し配線２
７から読み取りが行われる。
されており、原稿面からの反射光が上部側より入射する
と、光電流に応じた電荷が発生し、信号引き出し配線２
７から読み取りが行われる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記受光素子の構造に
よれば、信号引き出し配線２７を形成するためアルミニ
ウム（Ａｌ）をスパッタリング等で着膜する際、個別電
極２４（ＩＴＯ）中の酸素がＡｌへ拡散したり、あるい
はＡｌがＩＴＯ中へ拡散する等により、界面にアルミニ
ウム酸化物が形成される。
よれば、信号引き出し配線２７を形成するためアルミニ
ウム（Ａｌ）をスパッタリング等で着膜する際、個別電
極２４（ＩＴＯ）中の酸素がＡｌへ拡散したり、あるい
はＡｌがＩＴＯ中へ拡散する等により、界面にアルミニ
ウム酸化物が形成される。
【０００６】その結果、コンタクト孔２６でＩＴＯ／Ａ
ｌコンタクト抵抗値が増加し、イメ−ジセンサの読み取
り出力の低下、各受光素子での出力の不均一化、読み取
りスピ−ドの劣化などの不都合が生じ、イメ−ジセンサ
の性能を低下させるという問題があった。
ｌコンタクト抵抗値が増加し、イメ−ジセンサの読み取
り出力の低下、各受光素子での出力の不均一化、読み取
りスピ−ドの劣化などの不都合が生じ、イメ−ジセンサ
の性能を低下させるという問題があった。
【０００７】本発明は上記実情に鑑みてなされたもので
、金属酸化物を主体とする電極と、この電極に接続され
る金属配線との間で良好な接合状態を確保できる半導体
素子における配線の製造方法を提供することを目的とす
る。
、金属酸化物を主体とする電極と、この電極に接続され
る金属配線との間で良好な接合状態を確保できる半導体
素子における配線の製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記従来例の問題点を解
決するため請求項１記載の半導体素子における配線の製
造方法は、次の工程を具備することを特徴としている。 第１の工程として、金属酸化物を主体とする電極を形成
する。 第２の工程として、前記電極の表面を還元する。 第３の工程として、前記電極を覆う絶縁層を形成する。 第４の工程として、該絶縁層にコンタクト孔を形成する
。 第５の工程として、前記コンタクト孔を覆うように金属
配線を絶縁層上に形成する。
決するため請求項１記載の半導体素子における配線の製
造方法は、次の工程を具備することを特徴としている。 第１の工程として、金属酸化物を主体とする電極を形成
する。 第２の工程として、前記電極の表面を還元する。 第３の工程として、前記電極を覆う絶縁層を形成する。 第４の工程として、該絶縁層にコンタクト孔を形成する
。 第５の工程として、前記コンタクト孔を覆うように金属
配線を絶縁層上に形成する。
【０００９】また、請求項２記載の半導体素子における
配線の製造方法は、次の工程を具備することを特徴とし
ている。 第１の工程として、金属酸化物を主体とする電極を形成
する。 第２の工程として、前記電極を覆う絶縁層を形成する。 第３の工程として、該絶縁層にコンタクト孔を形成する
。 第４の工程として、前記コンタクト孔を介して前記電極
の表面一部を還元する。 第５の工程として、前記コンタクト孔を覆うように金属
配線を絶縁層上に形成する。
配線の製造方法は、次の工程を具備することを特徴とし
ている。 第１の工程として、金属酸化物を主体とする電極を形成
する。 第２の工程として、前記電極を覆う絶縁層を形成する。 第３の工程として、該絶縁層にコンタクト孔を形成する
。 第４の工程として、前記コンタクト孔を介して前記電極
の表面一部を還元する。 第５の工程として、前記コンタクト孔を覆うように金属
配線を絶縁層上に形成する。
【００１０】
【作用】請求項１の発明方法によれば、金属酸化物を主
体とする電極の表面を還元した後に、金属配線を着膜形
成するので、電極及び金属配線の界面での酸素含有量を
少なくすることができる。請求項２の発明方法によれば
、コンタクト孔を介して金属酸化物を主体とする電極の
表面一部を還元した後に、金属配線を着膜形成するので
、金属配線に接続される電極部分のみ酸素含有量を少な
くすることができる。
体とする電極の表面を還元した後に、金属配線を着膜形
成するので、電極及び金属配線の界面での酸素含有量を
少なくすることができる。請求項２の発明方法によれば
、コンタクト孔を介して金属酸化物を主体とする電極の
表面一部を還元した後に、金属配線を着膜形成するので
、金属配線に接続される電極部分のみ酸素含有量を少な
くすることができる。
【００１１】
【実施例】本発明方法の一実施例について図１（ａ）乃
至（ｄ）を参照しながら説明する。ガラス基板１上にク
ロム（Ｃｒ）をＤＣマグネトロンスパッタにより１５０
０オングストロ−ム程度の膜厚で着膜してクロム層を形
成する。次に、水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ
：Ｈ）を１３０００オングストロ−ム程度の膜厚に着膜
し、続いて金属酸化物を主体とする透明部材、例えば酸
化インジウム・スズ（ＩＴＯ）を６００オングストロ−
ム程度の膜厚で着膜する。この時、それぞれの着膜の前
にアルカリ洗浄を行なう。
至（ｄ）を参照しながら説明する。ガラス基板１上にク
ロム（Ｃｒ）をＤＣマグネトロンスパッタにより１５０
０オングストロ−ム程度の膜厚で着膜してクロム層を形
成する。次に、水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ
：Ｈ）を１３０００オングストロ−ム程度の膜厚に着膜
し、続いて金属酸化物を主体とする透明部材、例えば酸
化インジウム・スズ（ＩＴＯ）を６００オングストロ−
ム程度の膜厚で着膜する。この時、それぞれの着膜の前
にアルカリ洗浄を行なう。
【００１２】上記水素化アモルファスシリコンは、Ｐ−
ＣＶＤ法により基板温度が１７０〜２５０℃で、ＳｉＨ
４ のガス圧力が０．３〜０．７Ｔｏｒｒで、ＳｉＨ４
ガス流量が１５０〜３００ｓｃｃｍで、ＲＦパワ−が
１００〜２００Ｗの条件下で形成する。また、酸化イン
ジウム・スズは、ＤＣマグネトロンスパッタにより基板
温度が室温で、ＡｒとＯ２ のガス圧力が１．５×１０
−３ Ｔｏｒｒで、Ａｒガス流量が１００〜１５０ｓｃ
ｃｍで、Ｏ２ ガス流量が１〜２ｓｃｃｍで、ＤＣパワ
−が２００〜４００Ｗの条件下で形成する。
ＣＶＤ法により基板温度が１７０〜２５０℃で、ＳｉＨ
４ のガス圧力が０．３〜０．７Ｔｏｒｒで、ＳｉＨ４
ガス流量が１５０〜３００ｓｃｃｍで、ＲＦパワ−が
１００〜２００Ｗの条件下で形成する。また、酸化イン
ジウム・スズは、ＤＣマグネトロンスパッタにより基板
温度が室温で、ＡｒとＯ２ のガス圧力が１．５×１０
−３ Ｔｏｒｒで、Ａｒガス流量が１００〜１５０ｓｃ
ｃｍで、Ｏ２ ガス流量が１〜２ｓｃｃｍで、ＤＣパワ
−が２００〜４００Ｗの条件下で形成する。
【００１３】この後、酸化インジウム・スズをフォトリ
ソ工程と、塩酸を用いたエッチング工程でパタ−ニング
して、各受光素子毎に分離した個別電極４を形成する。 続いて、同一のレジストパタ−ンにより水素化アモルフ
ァスシリコン層をＳＦ６ とＯ２ とＣ２ ＣｌＦ５
の混合ガスを用いたドライエッチングによりパタ−ニン
グして各受光素子毎に分離するよう個別化された光導電
層３を形成する。ここで、前記クロム（Ｃｒ）層は、ａ
−Ｓｉ：Ｈのドライエッチング時にストッパ−としての
役割を果たし、パタ−ニングされずに残ることになる。 このドライエッチング時において、光導電層３となるａ
−Ｓｉ：Ｈ層には、サイドエッチが大きく入るため、レ
ジストを剥離する前に再度酸化インジウム・スズのエッ
チングを行なう。こうすることにより、酸化インジウム
・スズの周辺裏側からさらにエッチングされて光導電層
３と同じサイズの個別電極４が形成される。その後レジ
ストを剥離する。
ソ工程と、塩酸を用いたエッチング工程でパタ−ニング
して、各受光素子毎に分離した個別電極４を形成する。 続いて、同一のレジストパタ−ンにより水素化アモルフ
ァスシリコン層をＳＦ６ とＯ２ とＣ２ ＣｌＦ５
の混合ガスを用いたドライエッチングによりパタ−ニン
グして各受光素子毎に分離するよう個別化された光導電
層３を形成する。ここで、前記クロム（Ｃｒ）層は、ａ
−Ｓｉ：Ｈのドライエッチング時にストッパ−としての
役割を果たし、パタ−ニングされずに残ることになる。 このドライエッチング時において、光導電層３となるａ
−Ｓｉ：Ｈ層には、サイドエッチが大きく入るため、レ
ジストを剥離する前に再度酸化インジウム・スズのエッ
チングを行なう。こうすることにより、酸化インジウム
・スズの周辺裏側からさらにエッチングされて光導電層
３と同じサイズの個別電極４が形成される。その後レジ
ストを剥離する。
【００１４】次に、フォトリソ法により露光，現像を行
ってレジストパタ−ンを形成した後に硝酸セリウムアン
モニウム、過塩素酸と水の混合液を用いたエッチング工
程で、前記クロム（Ｃｒ）層をパタ−ニングして帯状の
共通電極２を形成して薄膜サンドイッチ構造の受光素子
を形成し、その後レジスト剥離を行なう（図１（ａ））
。
ってレジストパタ−ンを形成した後に硝酸セリウムアン
モニウム、過塩素酸と水の混合液を用いたエッチング工
程で、前記クロム（Ｃｒ）層をパタ−ニングして帯状の
共通電極２を形成して薄膜サンドイッチ構造の受光素子
を形成し、その後レジスト剥離を行なう（図１（ａ））
。
【００１５】そして、受光素子全体を覆うようにポリイ
ミド膜を１３０００オングストロ−ム程度の厚さで塗布
して絶縁層５を形成する。続いて、１６０℃程度でプリ
ベ−クを行ってフォトリソエッチング工程でパタ−ンニ
ングし、個別電極４の端部に対応する位置上の絶縁層５
にコンタクト孔６を形成し、再度ベ−キングする（図１
（ｂ））。
ミド膜を１３０００オングストロ−ム程度の厚さで塗布
して絶縁層５を形成する。続いて、１６０℃程度でプリ
ベ−クを行ってフォトリソエッチング工程でパタ−ンニ
ングし、個別電極４の端部に対応する位置上の絶縁層５
にコンタクト孔６を形成し、再度ベ−キングする（図１
（ｂ））。
【００１６】次にガラス基板１上全面に対しＮ２ プラ
ズマによりボンバ−ドメントを施す。これは、ポリイミ
ドの絶縁層５を着膜後、フォトリソ法によりエッチング
する際のエッチング不足や、ポリイミドを塗布時に膜厚
が不均一になるのに起因してコンタクト孔６形成時にコ
ンタクト孔６内に生じたポリイミドの残渣を除去するた
めのものである。Ｎ２ プラズマによるボンバ−ドメン
トは、不活性ガスであることからＯ２ プラズマに比べ
て酸化等による下地への影響がないため、個別電極４（
ＩＴＯ）の表面に悪影響を与えず、コンタクト抵抗が増
加するのを防ぐことができる。ここでＮ２ の代わりに
Ａｒ等の不活性ガスを用いてもよい。次いで、ドライエ
ッチングのために装置等を用いてガラス基板１の上面（
受光素子形成側）に水素プラズマを当てる。この水素プ
ラズマ処理により、コンタクト孔６によって露出した個
別電極４の表面一部が還元され、この部分の酸素含有量
が低下する（図１（ｃ））。
ズマによりボンバ−ドメントを施す。これは、ポリイミ
ドの絶縁層５を着膜後、フォトリソ法によりエッチング
する際のエッチング不足や、ポリイミドを塗布時に膜厚
が不均一になるのに起因してコンタクト孔６形成時にコ
ンタクト孔６内に生じたポリイミドの残渣を除去するた
めのものである。Ｎ２ プラズマによるボンバ−ドメン
トは、不活性ガスであることからＯ２ プラズマに比べ
て酸化等による下地への影響がないため、個別電極４（
ＩＴＯ）の表面に悪影響を与えず、コンタクト抵抗が増
加するのを防ぐことができる。ここでＮ２ の代わりに
Ａｒ等の不活性ガスを用いてもよい。次いで、ドライエ
ッチングのために装置等を用いてガラス基板１の上面（
受光素子形成側）に水素プラズマを当てる。この水素プ
ラズマ処理により、コンタクト孔６によって露出した個
別電極４の表面一部が還元され、この部分の酸素含有量
が低下する（図１（ｃ））。
【００１７】次に、アルミニウム（Ａｌ）をＤＣマグネ
トロンスパッタによりイメ−ジセンサ全体を覆うように
１００００オングストロ−ム程度の厚さで約１５０℃程
度の温度で着膜する。この際、コンタクト孔６を介して
接続される酸化インジウム・スズとアルミニウムとのＩ
ＴＯ／Ａｌ界面は酸素含有量が少ないため酸化物が形成
されず、コンタクト抵抗を低く抑えることができる。
トロンスパッタによりイメ−ジセンサ全体を覆うように
１００００オングストロ−ム程度の厚さで約１５０℃程
度の温度で着膜する。この際、コンタクト孔６を介して
接続される酸化インジウム・スズとアルミニウムとのＩ
ＴＯ／Ａｌ界面は酸素含有量が少ないため酸化物が形成
されず、コンタクト抵抗を低く抑えることができる。
【００１８】そして、所望の配線パタ−ンを得るために
酢酸、硝酸、リン酸、水の混合液を用いたフォトリソエ
ッチング工程でパタ−ニングし、コンタクト孔６を介し
て個別電極４に接続される信号引き出し配線７を形成す
る（図１（ｄ））。
酢酸、硝酸、リン酸、水の混合液を用いたフォトリソエ
ッチング工程でパタ−ニングし、コンタクト孔６を介し
て個別電極４に接続される信号引き出し配線７を形成す
る（図１（ｄ））。
【００１９】上記実施例によれば、コンタクト孔６を形
成した後に還元工程を設けているので、信号引き出し配
線７が接続される個別電極部分４ａのみ酸素含有量を少
なくすることができる。一般に酸化インジウム・スズ（
ＩＴＯ）を還元すると、そのシ−ト抵抗が高くなるが、
本実施例方法によると、個別電極４自体の抵抗を高くす
ることなくコンタクト抵抗を低く抑えることができる。
成した後に還元工程を設けているので、信号引き出し配
線７が接続される個別電極部分４ａのみ酸素含有量を少
なくすることができる。一般に酸化インジウム・スズ（
ＩＴＯ）を還元すると、そのシ−ト抵抗が高くなるが、
本実施例方法によると、個別電極４自体の抵抗を高くす
ることなくコンタクト抵抗を低く抑えることができる。
【００２０】図２（ａ）乃至（ｄ）は他の実施例の製造
方法を示したもので、絶縁層５を形成する前、すなわち
受光素子が形成された後（図２（ａ））に還元工程を設
けている（図２（ｂ））。本実施例によれば、個別電極
４の表面全体が還元される。他の工程は第１図に示した
ものと同一なので、同一符号を付して詳細な説明を省略
する。
方法を示したもので、絶縁層５を形成する前、すなわち
受光素子が形成された後（図２（ａ））に還元工程を設
けている（図２（ｂ））。本実施例によれば、個別電極
４の表面全体が還元される。他の工程は第１図に示した
ものと同一なので、同一符号を付して詳細な説明を省略
する。
【００２１】以上の実施例によれば、個別電極４（ＩＴ
Ｏ）を水素プラズマを当てることにより還元してＡｌ拡
散を防ぎ、コンタクト抵抗を低く抑えて個別電極４と信
号引き出し配線２７との良好な電気的接続を確保するこ
とができる。しかも、新たなプロセスを設けることなく
、水素プラズマを当てるという簡単な処理で達成するこ
とができる。
Ｏ）を水素プラズマを当てることにより還元してＡｌ拡
散を防ぎ、コンタクト抵抗を低く抑えて個別電極４と信
号引き出し配線２７との良好な電気的接続を確保するこ
とができる。しかも、新たなプロセスを設けることなく
、水素プラズマを当てるという簡単な処理で達成するこ
とができる。
【００２２】また上記実施例において、フォトダイオ−
ドとしてショットキ−以外のｐｉｎ構造のものであって
もよい。また、光導電層３としてａ−Ｓｉ：Ｈの代わり
に他の非晶質材料（ａ−ＳｉＣ，ａ−ＳｉＧｅ）等を用
いても良い。また受光素子以外の半導体素子（例えばス
イッチング素子）にも適用することができる。
ドとしてショットキ−以外のｐｉｎ構造のものであって
もよい。また、光導電層３としてａ−Ｓｉ：Ｈの代わり
に他の非晶質材料（ａ−ＳｉＣ，ａ−ＳｉＧｅ）等を用
いても良い。また受光素子以外の半導体素子（例えばス
イッチング素子）にも適用することができる。
【００２３】
【発明の効果】請求項１の発明方法によれば、金属酸化
物を主体とする電極を還元する工程を具備することによ
り、前記電極及び金属配線の界面での酸素含有量を少な
くし、この部分での酸化物の形成を防ぐ。その結果、電
極及び金属配線のコンタクト抵抗を低くすることができ
、特性の良好な接合を確保することができる。
物を主体とする電極を還元する工程を具備することによ
り、前記電極及び金属配線の界面での酸素含有量を少な
くし、この部分での酸化物の形成を防ぐ。その結果、電
極及び金属配線のコンタクト抵抗を低くすることができ
、特性の良好な接合を確保することができる。
【００２４】請求項２の発明方法によれば、コンタクト
孔を介して金属酸化物を主体とする電極を還元するので
、金属配線に接続される電極部分のみ酸素含有量を少な
くし、この部分での酸化物の形成を防ぐ。その結果、電
極及び金属配線のコンタクト抵抗を低くすることができ
、特性の良好な接合を確保することができる。
孔を介して金属酸化物を主体とする電極を還元するので
、金属配線に接続される電極部分のみ酸素含有量を少な
くし、この部分での酸化物の形成を防ぐ。その結果、電
極及び金属配線のコンタクト抵抗を低くすることができ
、特性の良好な接合を確保することができる。
【図１】（ａ）乃至（ｄ）は本発明の一実施例に係るイ
メ−ジセンサの受光素子部分の製造工程図である。
メ−ジセンサの受光素子部分の製造工程図である。
【図２】（ａ）乃至（ｄ）は本発明の他の実施例を示す
製造工程図である。
製造工程図である。
【図３】イメ−ジセンサの受光素子部分の断面説明図で
ある。
ある。
１ ガラス基板
２ 共通電極
３ 光導電層
４ 個別電極
５ 絶縁層
６ コンタクト孔
７ 信号引き出し配線
Claims (2)
- 【請求項１】 金属酸化物を主体とする電極を形成す
る第１の工程と、前記電極の表面を還元する第２の工程
と、前記電極を覆う絶縁層を形成する第３の工程と、該
絶縁層にコンタクト孔を形成する第４の工程と、前記コ
ンタクト孔を覆うように金属配線を絶縁層上に形成する
第５の工程とを具備する半導体素子における配線の製造
方法。 - 【請求項２】 金属酸化物を主体とする電極を形成す
る第１の工程と、前記電極を覆う絶縁層を形成する第２
の工程と、該絶縁層にコンタクト孔を形成する第３の工
程と、前記コンタクト孔を介して前記電極の表面一部を
還元する第４の工程と、前記コンタクト孔を覆うように
金属配線を絶縁層上に形成する第５の工程とを具備する
半導体素子における配線の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2410530A JPH04215474A (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | 半導体素子における配線の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2410530A JPH04215474A (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | 半導体素子における配線の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04215474A true JPH04215474A (ja) | 1992-08-06 |
Family
ID=18519686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2410530A Pending JPH04215474A (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | 半導体素子における配線の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04215474A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100490351B1 (ko) * | 2002-07-10 | 2005-05-17 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
| KR100685310B1 (ko) * | 2000-02-21 | 2007-02-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 제조방법 |
| JP2012186199A (ja) * | 2011-03-03 | 2012-09-27 | Toshiba Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
-
1990
- 1990-12-14 JP JP2410530A patent/JPH04215474A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100685310B1 (ko) * | 2000-02-21 | 2007-02-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 제조방법 |
| KR100490351B1 (ko) * | 2002-07-10 | 2005-05-17 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
| JP2012186199A (ja) * | 2011-03-03 | 2012-09-27 | Toshiba Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
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