JPH04206426A - Ion source - Google Patents
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- JPH04206426A JPH04206426A JP33831390A JP33831390A JPH04206426A JP H04206426 A JPH04206426 A JP H04206426A JP 33831390 A JP33831390 A JP 33831390A JP 33831390 A JP33831390 A JP 33831390A JP H04206426 A JPH04206426 A JP H04206426A
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Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明（よ 半導体工業における半導体素子製造や表面
処理等に用いるイオン源に関するものであり、特にイオ
ンを用いて大面積の半導体素子や半導体薄膜等への不純
物注入及び表面処理を短時間で一様に行う処理装置のイ
オン源に関するものである。[Detailed Description of the Invention] Industrial Field of Application The present invention relates to an ion source used in the semiconductor industry for semiconductor element manufacturing, surface treatment, etc., and is particularly applicable to large-area semiconductor elements, semiconductor thin films, etc. using ions. The present invention relates to an ion source for a processing device that uniformly performs impurity implantation and surface treatment in a short time.
従来の技術
大面積の半導体素子や半導体薄膜等への不純物注入や表
面処理を行う技術として（よ １）イオン源で発生した
イオンをビーム状に絞り、 このイオンビームを加速し
質量分離及びビームの電気的な走査を行って、機械的
に走査されている大面積の基板に対してイオンビームを
照射する技瓶２）フィラメントから発生した熱電子と多
極磁界によって大口径のイオンビームを発生させるパケ
ット型イオン源を用いる技術や、 ３）真空槽内に高周
波電極を設け、一方の高岡１Ｎ電極上に大面積の試料を
置き、高周波電極間で生じたプラズマ中のイオンを照射
する技術等かあった
発明が解決しようとする課題
大面積の半導体素子や半導体薄膜等への不純物注入や表
面処理を行う従来の技術のう板 １）の絞ったイオンビ
ームを電気的に走査し さらに機械的に走査した大面積
の試料に対してイオンビームを照射注入する技術（よ
装置構成が複雑であり、かつ処理時間が長いという課題
があっ九 また２）のパケット型イオン源（よ フィラ
メントから発生する不純物による汚染が起こるという課
題や、フィラメントが活性なガスのプラズマに曝される
たぬ イオン源の寿命が短いという課題があっ九さらに
３）α 高周波放電により発生するプラズマ中に試料を
置き、プラズマ中のイオンを照射する技術は 装置構成
が簡易でありしかも大面積の試料に対して容易にイオン
を照射することができる力丈 照射するイオンのエネル
ギー及び量が正確に制御できず不揃いであること、また
イオンのエネルギーが数十エレクトロンボルト程度であ
ることか社 照射・注入するイオンの量および深さを制
御した処理か出来ないという課題かあっ九課題を解決す
るための手段
向かい合って設けられ直流電源と接続された２つの電極
の１方に開口部を設け、さらにこれら２つの電極と絶縁
体を介して、高周波電源と接続された導体容器を設ける
。Conventional technology A technique for implanting impurities and surface treatment into large-area semiconductor elements and semiconductor thin films, etc. (1) The ions generated in the ion source are focused into a beam shape, this ion beam is accelerated, and the mass separation and beam A technique that performs electrical scanning and irradiates an ion beam onto a mechanically scanned large-area substrate. 2) Generates a large-diameter ion beam using thermionic electrons generated from the filament and a multipolar magnetic field. 3) A technique that uses a packet-type ion source, or 3) a technique that places a high-frequency electrode in a vacuum chamber, places a large-area sample on one Takaoka 1N electrode, and irradiates it with ions in the plasma generated between the high-frequency electrodes. Problems to be Solved by the Invention Conventional techniques for implanting impurities and surface treatment into large-area semiconductor elements and semiconductor thin films, etc. 1) electrically scanning a focused ion beam; A technique for irradiating and implanting an ion beam onto a scanned large-area sample.
There are problems with the device configuration being complex and long processing times.Also, with the packet type ion source (2), there are problems with contamination due to impurities generated from the filament and with the filament being exposed to active gas plasma. Rutanu: There is the issue of the short lifespan of the ion source.3)α Furthermore, the technique of placing a sample in plasma generated by high-frequency discharge and irradiating it with ions in the plasma has a simple device configuration and is suitable for large-area samples. Irradiation/Injection The problem is that it is not possible to process the ions by controlling the amount and depth of the ions. A conductor container is provided which is connected to a high frequency power source via two electrodes and an insulator.
または 高周波電源と接続された電極 及びこの電極と
対向する位置に直流電源と接続されて開口部を有した電
極を設け、これら２つの電極の間に少なくとも何れか１
方の電極と絶縁体を介して導体容器を設けも
作用
導体容器と、導体容器に対して絶縁体を挟んで設けた電
極との間に高周波電界を印加することにより、大口径の
容器内に均一なプラズマを発生することが可能となも
すなわち放電のためのフィラメントが不要であるた敢
装置の寿命が長く、かつ汚染が発生しなしも さらに
このようにして発生したプラズマに対して、特定の電極
に直流高電圧を印加することにより、エネルギーを制御
した大口径のイオンビームを−様に生成することが可能
となも すなわち簡素な装置構成で、大面積の試料に対
して−様なイオン照蝕 及びそれによるドーピング等の
処理を行うことが可能とな本実施例
以下図面に基づいて本発明をさらに詳しく説明すも
第１図（よ 本発明の第１の実施例におけるイオン源の
概略構成を示したものであム ＡＩ、ＳＯ８等で作られ
た導体容器１０１（友 １３．５６ＭＨｚの高周波電源
１０２にマツチングボックス１０３を介して接続されて
いも この導体容器（１０１）の断面形状は円形・楕円
形成は矩形の何れでもよ（ｔ 導体容器（１０１）に対
して、石英・セラミックス・ガラス等からなる絶縁体１
０４及び絶縁体１０５を挟んで設けられた電極１０６及
び１０７（ｉ Ａｌ、 ＳＯ５，Ｍｏ、Ｔａ等で作
られていも これらの電極（１０６）及び（１０７）は
コイル１０８を介して直流電源１０９と接続されていも
コイル（１０８）は高周波信号が直流電源（１０９）
に流入することを防ぎミ 安定した直流電圧を供給する
ために設けている。 １０−２〜１０−’Ｐａの圧力の
もとて 導体容器（１０１）と電極（１０６）及び電極
（１０７）の間に印加される高周波電力により、放電室
Ａ内に均一なプラズマ１１０が生成されも
生成されたプラズマ（１１０）中のイオン１１１（よ
電極（１０７）の開口部に設けた Ａ Ｉ。or an electrode connected to a high frequency power source, and an electrode connected to a DC power source and having an opening at a position opposite to this electrode, and at least one of the electrodes is provided between these two electrodes.
By applying a high frequency electric field between the active conductor container and the electrode provided with the insulator sandwiched between the conductor container and the conductor container, a conductor container can be inserted into the large diameter container. It is also possible to generate uniform plasma.
In other words, there is no need for a filament for discharge.
The device has a long lifespan and is free from contamination.Furthermore, by applying a high DC voltage to specific electrodes on the plasma generated in this way, a large-diameter ion beam with controlled energy can be produced. In other words, it is possible to perform various ion irradiation and doping processes on a large-area sample with a simple equipment configuration.This example is based on the drawings below. The present invention will be explained in more detail with reference to Figure 1, which shows a schematic configuration of an ion source in a first embodiment of the present invention. Even if it is connected to a 56 MHz high frequency power source 102 via a matching box 103, the cross-sectional shape of this conductor container (101) may be either circular or elliptical or rectangular. Insulator 1 made of ceramics, glass, etc.
These electrodes (106) and (107) are connected to a DC power source 109 via a coil 108, even if they are made of Al, SO5, Mo, Ta, etc. Even if the coil (108) is connected, the high frequency signal is connected to the DC power supply (109).
The DC voltage is provided to prevent the current from flowing into the DC voltage and to supply a stable DC voltage. Under a pressure of 10-2 to 10-'Pa, a uniform plasma 110 is generated in the discharge chamber A by high-frequency power applied between the conductor container (101) and the electrodes (106) and (107). However, the ions 111 (Yo) in the generated plasma (110)
AI provided in the opening of the electrode (107).
ＳＯ３，Ｍｏ、 Ｔａ等からなる多孔電極１１２が仮
イオン源の外に押し出されも マツチングボックス（
１０３）中のＬＣ回路 特にバリコンの耐圧 すなわち
接地電位に対して印加できる電圧の上限のた数 本実施
例では数ｋＶ程度までの加速電圧を印加することができ
も
この方法に対し さらに高周波電源（１０４）の接地側
を電極（１０６）と直流的に接続して、高周波電源（＋
０４）の接地部１１３の電位を直流電源（１０７）の高
圧側の電位と等しくさせムすなわちマツチングボックス
（１０３）及び高周波電源（１０４）の電位を、全て接
地電位に対して高電位とすることにより、マツチングボ
ックス（１０３）中のバリコンの耐圧に関係なく、 １
００ｋＶ程度まで加速電圧を印加することができもなお
この場合、マツチングボックス（１０３）及び高周波電
源（＋０４）の電位（よ 全て接地電位に対して高圧に
なっているた八 高圧容器内に隔離するとともに 制御
は光ファイバー等を用いて行１．ｋ 高周波電源（１
０４）の電力供給は絶縁トランスを介して行う等の高電
圧対策を付加する。Even if the porous electrode 112 made of SO3, Mo, Ta, etc. is temporarily pushed out of the ion source, the matching box (
103) In particular, the withstand voltage of the variable capacitor, that is, the upper limit of the voltage that can be applied to the ground potential. 104) is connected to the electrode (106) in a direct current manner to connect the high frequency power source (+
04) to make the potential of the grounding part 113 equal to the potential of the high voltage side of the DC power supply (107), that is, the potential of the matching box (103) and the high frequency power supply (104) are all set to a high potential with respect to the ground potential. Therefore, regardless of the pressure resistance of the variable capacitor in the matching box (103), 1
Although it is possible to apply an accelerating voltage up to about 00 kV, in this case, the potential of the matching box (103) and high frequency power supply (+04) (all of which are at high voltage with respect to the ground potential) is isolated in a high-pressure container. At the same time, control is performed using optical fiber, etc.
04) High voltage countermeasures are added, such as supplying power via an isolation transformer.
まｆ−第２図（よ 本発明のイオン源の第２の実施例を
用いたイオンドーピング装置のを示したものである。導
体容器２０１（よ 高周波電源２０２にマツチングボッ
クス２０３を介して接続されていも この導体容器（２
０１）に対して、絶縁体２０４及び絶縁体２０５を挟ん
てミ 電極２０６及び２０７を設ける。これらの電極（
２０６）及び（２０７）はコイル２０８を介して直流電
源２０９と接続されている。 １０−２〜１０−’Ｐａ
の圧力下で、導体容器（２０１）と電極（２０６）及び
電極（２０７）の間に印加される高周波電力により、放
電室Ａ内に均一なプラズマ２１０が生成される。生成さ
れたプラズマ（２０９）中のイオン２１１（よ 電極（
２０７）の開口部に設けた多孔電極２１２かぺ イオン
源の外に押し出される。Figure 2 shows an ion doping apparatus using the second embodiment of the ion source of the present invention. Even if the conductor container (2
01), electrodes 206 and 207 are provided with an insulator 204 and an insulator 205 in between. These electrodes (
206) and (207) are connected to a DC power source 209 via a coil 208. 10-2~10-'Pa
A uniform plasma 210 is generated in the discharge chamber A by high frequency power applied between the conductor container (201) and the electrodes (206) and (207) under a pressure of . Ions 211 in the generated plasma (209) and electrodes (
The porous electrode 212 provided at the opening of 207) is pushed out of the ion source.
なお導体容器（２０１）のプラズマに曝される側に（よ
石英・セラミックス・ガラス等からなる絶縁体２１３
が設けられていも この絶縁体（２］１）と、マツチン
グボックス（２０３）内のＬＣ回路とを合成した耐圧の
だム 第２実施例では１０数ｋＶ程度まで加速電圧を印
加することができも
この方法に対し さらに高周波電源（２０４）゛の接地
部２１４を電極（２０６）と直流的に接続して、高周波
電源（２０４）の接地側の電位を直流電源（２０７）の
高圧側の電位と等しくさせることにより、 １００ｋＶ
程度の加速電圧を印加することができも
なおイオン源の開口部（２１２）と連結した真空槽２１
５（よ 原料ガスの導入を行うガス導入管２１６、及び
真空度の制御を行うガス排出管２１７に接続されていも
開口部の多孔電極（２１２）から出たイオン（２１１
）４１ 接地電位の多孔電極２１８との間で加速され
も そしてイオン（２１１）は 多孔電極（２１８）を
通過した後、慣性で試料台２１９上の試料２２０に照射
し ドーピング等の処理を行う。Note that an insulator 213 made of quartz, ceramics, glass, etc. is placed on the side of the conductor container (201) exposed to plasma.
Even if the insulator (2) 1) and the LC circuit in the matching box (203) are combined, the withstand voltage can be applied. However, in contrast to this method, the grounding part 214 of the high-frequency power source (204) is connected to the electrode (206) in a DC manner, and the potential on the ground side of the high-frequency power source (204) is changed to the potential on the high voltage side of the DC power source (207). By making the potential equal to 100kV
The vacuum chamber 21 connected to the opening (212) of the ion source can apply an accelerating voltage of
Ions (211) emitted from the porous electrode (212) at the opening
) 41 The ions (211) are accelerated between the porous electrode 218 at the ground potential, and after passing through the porous electrode (218), the ions (211) are irradiated by inertia onto the sample 220 on the sample stage 219 to perform doping and other treatments.
第３図（よ 本発明の第３の実施例におけるイオン源の
概略構成図であも 導体容器３０１に対して、絶縁体３
０２を挟んで、電極３０３を設ける。FIG. 3 is a schematic configuration diagram of an ion source in a third embodiment of the present invention.
Electrodes 303 are provided across 02.
電極（３０３）ｆ’ｉ 高周波電源３０４にマツチン
グボックス３０５を介して接続されていも 導体容器（
３０１）と連結して設けられた電極３０６は コイル３
０７を介して直流電源３０８と接続されていも また高
周波電源（３０４）の接地部を電極（３０６）と直流的
に接続して、高周波電源（３０４）の接地側の電位を直
流電源（３０８）の高圧側の電位と等しくさせていも
さらに高周波電力の供給部と直流電源の出力部（よ コ
イル３０９で接続している。このコイル（３０９）によ
り、直流的に電極（３０３）と電極（３０６）を短絡し
て、イオン源内の直流的な電界分布のバランスをとって
いる。 １０−Ｑ〜１０−’Ｐａの圧力下で、電極（３
０３）と導体容器（３０１）との間に印加される高周波
電力により、放電室Ａ内に均一なプラズマ３１０が生成
される。Electrode (303) f'i Although connected to the high frequency power source 304 via the matching box 305, the conductor container (
The electrode 306 provided in connection with the coil 3
In addition, the grounding part of the high-frequency power source (304) is connected to the electrode (306) in a DC manner, and the potential on the ground side of the high-frequency power source (304) is connected to the DC power source (308) through the DC power source (308). Even if it is made equal to the potential on the high voltage side of
Furthermore, the high-frequency power supply section and the output section of the DC power source are connected by a coil 309. This coil (309) short-circuits the electrode (303) and the electrode (306) in a direct current manner, causing the direct current in the ion source to flow. The electric field distribution is balanced.The electrode (3
A uniform plasma 310 is generated in the discharge chamber A by the high frequency power applied between the conductor container (301) and the conductor container (301).
以上のようにして生成したプラズマ（３１０）中のイオ
ン３１１ ＋＆ 電極（３０６）の開口部に設けた多
孔電極３１２か収 イオン源の外に押し出されも 本実
施例では１００ｋＶ程度まで加速電圧を印加することが
できる。Ions 311 + in the plasma (310) generated as described above are collected by the porous electrode 312 provided at the opening of the electrode (306). can do.
第４図は本発明の第４の実施例におけるイオン源の概略
構成図である。導体容器４０１に対して、絶縁体４０２
を挟んで、電極４０３を設けも 電極（４０３）Ｉｔ
高周波電源４０４にマツチングボックス４０５を介し
て接続されている。導体容器（４０１）と連結して設け
られた電極４０６（よ直流電源４０７と接続されていも
電極（４０３）と導体容器（４０１）との間に印加さ
れる高周波電力により、放電室Ａ内に均一なプラズマ４
０８が生成される。この時の圧力は１０−２〜１０−’
Ｐａにする。生成されたプラズマ（４０８）中のイオン
４０９（よ 電極（４０６）の開口部に設けた多孔電極
４１０か収 イオン源の外に押し出される。なお電極（
４０３）の内側には絶縁体４１１、導体容器（４０１）
と電極（４，０６）の内側には絶縁体４１２が設けられ
ていも この絶縁体（４１１）と、マツチングボックス
（４０５）のＬＣ回路とを合成した耐圧のだ教 本実施
例では１０数ｋＶ程度まで加速電圧を印加することがで
きもさらに高周波電源（４０４）の接地部４１３を電極
（４０６）と直流的に接続して、高周波電源（４０４）
の接地側の電位を直流電源（４０７）の高圧側の電位と
等しくさせることにより、 １００ｋＶ程度の加速電圧
を印加することができる。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of an ion source in a fourth embodiment of the present invention. Insulator 402 for conductor container 401
An electrode 403 is also provided between the electrodes (403) It
It is connected to a high frequency power source 404 via a matching box 405. Even if the electrode 406 (which is connected to the conductor container (401) and is connected to the DC power source 407) is connected to the electrode (403) and the conductor container (401), high-frequency power is applied in the discharge chamber A. uniform plasma 4
08 is generated. The pressure at this time is 10-2 to 10-'
Make it Pa. Ions 409 in the generated plasma (408) are collected by the porous electrode 410 provided at the opening of the electrode (406) and pushed out of the ion source.
Inside the insulator 411 and the conductor container (401)
Although an insulator 412 is provided inside the electrodes (4, 06), this insulator (411) and the LC circuit of the matching box (405) are combined to provide a breakdown voltage of about 10 in this embodiment. An accelerating voltage of up to about kV can be applied, and the grounding part 413 of the high frequency power source (404) is connected to the electrode (406) in a direct current manner, so that the high frequency power source (404)
By making the potential on the ground side of the DC power source (407) equal to the potential on the high voltage side of the DC power source (407), an accelerating voltage of about 100 kV can be applied.
第５図（よ 本発明の第２の実施例におけるイオン源を
用いたイオンドーピング装置（第２図）によって、 ド
ーピングを行った試料の電気伝導率分布を示した図であ
も 試料として６インチ角のガラス基板上に形成した非
晶質シリコン膜（電気伝導率： 〜ｌ Ｏ−”Ｓ／ａ
ｍ）を用ｕｋ 原料ガスとして５％水素希釈のホスフ
ィン（ＰＨ３＞を用いたまたイオンの注入照射条件は
基板温度−３Ｑ○鵞 イオン電流密度＝１５μＡ／ａｍ
２、イオンの加速電圧＝１０ｋＶ、イオンの照射時間＝
６０秒とした イオン照射によってドーピングされた非
晶質シリコンの電気伝導率は５ｘｌＯ−’Ｓ／ｃｍで、
面内の電気伝導率のばらつき（標準偏差）も電気伝導率
の平均値に対して±３％以下と、極めて均一なドーピン
グが行われていることを確認した
以上のように本発明は イメージスキャナーやアクティ
ブマトリックス方式の液晶デイスプレィ°パネルにおけ
る薄膜トランジスターアレイ等の大面積半導体素子製造
における高純度の不純物ドーピング或は表面処理を、高
精度かつ−様に短時間に行うことが可能とするという点
で、極めて有用性の高いものであ４
発明の効果
本発明によれは 導体容器と導体容器を挟む電極との間
に高周波電界を印加することにより、大口径の容器内に
均一なプラズマを発生することが可能となも すなわち
放電のためのフィラメントが不要であるた嵌 装置の寿
命が長く、かつ汚染が発生しない。さらに発生したプラ
ズマに対して特定の電極に直流高電圧を印加することに
より、エネルギーを制御した大口径のイオンビームを−
様に生成することが可能となも すなわち簡素な装置構
成で、大面積の試料に対して−様なイオン照蝕 及びそ
れによる処理を行うことが可能となも
また 高周波電源の接地側の電位を直流高圧電源で与え
られる電位にすることにより、加速電圧を百ｋＶ程度ま
で印加することが可能となも 実施例から明らかなよう
に本発明は装置構成が簡易であり、 しかも大面積の試
料に対して短時間で注入処理することが可能となもFigure 5 shows the electrical conductivity distribution of a sample doped by the ion doping apparatus (Figure 2) using the ion source in the second embodiment of the present invention. Amorphous silicon film formed on a corner glass substrate (electrical conductivity: ~l O-”S/a
Phosphine (PH3) diluted with 5% hydrogen was used as the raw material gas, and the ion implantation irradiation conditions were as follows:
Substrate temperature - 3Q○Ion current density = 15μA/am
2. Ion acceleration voltage = 10kV, ion irradiation time =
The electrical conductivity of amorphous silicon doped by ion irradiation for 60 seconds is 5xlO-'S/cm,
It was confirmed that the in-plane variation (standard deviation) of electrical conductivity was less than ±3% with respect to the average value of electrical conductivity, and extremely uniform doping was performed.As described above, the present invention is an image scanner. It is possible to perform high-purity impurity doping or surface treatment with high precision and in a short time in the manufacture of large area semiconductor devices such as thin film transistor arrays in active matrix liquid crystal display panels and active matrix liquid crystal display panels. 4. Effects of the Invention According to the present invention, uniform plasma is generated in a large-diameter container by applying a high-frequency electric field between a conductor container and electrodes that sandwich the conductor container. This means that no filament is required for the discharge, the life of the fitting device is long, and no contamination occurs. Furthermore, by applying a high DC voltage to specific electrodes on the generated plasma, a large diameter ion beam with controlled energy is produced.
In other words, with a simple device configuration, it is possible to perform various ion irradiation and processing on a large-area sample. By setting the voltage to the potential given by a DC high-voltage power supply, it is possible to apply an accelerating voltage of up to about 100 kV.As is clear from the examples, the present invention has a simple device configuration and can be applied to large-area samples. It is also possible to perform injection processing in a short time for
第１図は本発明の第１の実施例におけるイオン源の概略
構成を示す断面図 第２図は本発明の第２の実施例にお
けるイオン源を用いたイオンドーピング装置の概略構成
を示す断面図 第３図は本発明の第３の実施例における
イオン源の概略構成を示す断面図 第４図は本発明の第
４の実施例におけるイオン源の概略構成を示す断面図
第５図（よ 本発明の第２の実施例におけるイオン源を
用いたイオンドーピング装置によってドーピングを行っ
た試料の電気伝導率分布を示したグラフであム
１０１・・・導体容器 １０２・・・高周波型＃１゜３
・・・マツチングポック７、、 １０４、１０５・・・
絶縁恢 １０６、１０７−・・電Ｖ７Ｉｈ １０Ｂ−コ
イル、 １０９・・・直流型ｆ！Ｌ １１０・・・ブラ
ズス １１１・・・イオン。
代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか２名第１図
１０１・・・導体容器
１０２・・・高周波電源
＋０４．１０５・・・絶縁体
１０６．１０７・・・電極
１０８・・・コイル
１０９・・・直流電源
１１０・・プラズマ
ＩＩＩ・・・イオン
第２図
第３図FIG. 1 is a sectional view showing a schematic configuration of an ion source in a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a sectional view showing a schematic configuration of an ion doping apparatus using an ion source in a second embodiment of the present invention. FIG. 3 is a sectional view showing a schematic configuration of an ion source in a third embodiment of the present invention. FIG. 4 is a sectional view showing a schematic configuration of an ion source in a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a graph showing the electrical conductivity distribution of a sample doped by an ion doping apparatus using an ion source according to a second embodiment of the present invention. High frequency type #1゜3
...Matching pock 7,, 104, 105...
Insulation 106, 107--Electric V7Ih 10B-coil, 109...DC type f! L 110... Brazus 111... Aeon. Name of agent: Patent attorney Akira Okaji and two others Figure 1 101...Conductor container 102...High frequency power supply +04.105...Insulator 106.107...Electrode 108...Coil 109...・DC power supply 110...Plasma III...Ion Figure 2 Figure 3
Claims (5)
を設け、高周波電源と接続された導体容器を、前記一対
の電極との間に絶縁体を介して設けたことを特徴とする
イオン源。(1) An opening is provided in one of a pair of electrodes connected to a DC power source, and a conductive container connected to a high frequency power source is provided with an insulator interposed between the pair of electrodes. ion source.
向する位置に開口部を有し直流電源と接続された電極を
設け、前記２つの電極の間に少なくとも何れか一方の電
極と絶縁体を介して導体容器を設けたことを特徴とする
イオン源。(2) An electrode connected to a high frequency power source, and an electrode having an opening at a position facing the electrode and connected to a DC power source are provided, and at least one of the electrodes and an insulator are provided between the two electrodes. An ion source characterized in that a conductor container is provided through the ion source.
縁体を設けたことを特徴とする請求項１または２に記載
のイオン源。(3) The ion source according to claim 1 or 2, characterized in that an insulator is provided on the side of the conductor container or the electrode that is exposed to plasma.
れる電位にしたことを特徴とする請求項１または２に記
載のイオン源。(4) The ion source according to claim 1 or 2, wherein the potential on the ground side of the high frequency power source is set to a potential given by a DC power source.
イルを入れたことを特徴とする請求項４に記載のイオン
源。(5) The ion source according to claim 4, characterized in that a coil is inserted between the output section of the high frequency power source and the output section of the DC power source.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33831390A JPH04206426A (en) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | Ion source |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33831390A JPH04206426A (en) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | Ion source |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04206426A true JPH04206426A (en) | 1992-07-28 |
Family
ID=18316962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33831390A Pending JPH04206426A (en) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | Ion source |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04206426A (en) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60130039A (en) * | 1983-12-16 | 1985-07-11 | Jeol Ltd | Ion source |
| JPH03203146A (en) * | 1989-12-28 | 1991-09-04 | Nissin Electric Co Ltd | Ion source device |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP33831390A patent/JPH04206426A/en active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60130039A (en) * | 1983-12-16 | 1985-07-11 | Jeol Ltd | Ion source |
| JPH03203146A (en) * | 1989-12-28 | 1991-09-04 | Nissin Electric Co Ltd | Ion source device |
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