JPH04204737A - マスク及び投影露光装置並びにパタン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業［、の利ＪＩＳ分野１ 本発明は各種［）■・：体素了の微細１パタン形成のた
め（１）縮小投影顛弄Ｕ言゛−よるパタン形成方法、及
びこれに用いμ）ねるマスク及び投影ｆｉ界、装買り二
関する。

［従来の技術］ ■−７ＳＩ等の固体素ｆ−の集積度及び動イ１速度を向
」−するため、［１・；路パタンの微細イｉ、がＭＡで
いル・。

現在これらのパタン形成には、量産性と解像性能、に優
れた縮小投影露光法が広＼用いられている１、この方法
の解像度は、露光波長Ｇ−比例し、投影端一学系の開１
〕数（ＮＡ）に反比例する。従来、解像限界の向上は開
口数を太き・くすること　（ｉｇｌＮＡ什）により行な
われてきた４　しか（５１、これらの方法は、焦点深度
の減′」？とレユ・ズ設計及び製造４÷術の困ばから限
界に近づき−、）つある。

一方、従来の縮小投影露光法ζこ、お１″ｊる解像［Ｉ
Ｗをさらに向１−させる方法として、位相シフト法が提
案されでいる。この方法は、隣合う開［−］バ裔：。

を通過する光の位相を互いに反転させること１より、縮
小投影露光法の解像度を大幅に向１−１するキリのであ
る、特に、繰り返し／人タシの−・本石に位相を反転さ
ゼた場合には、露光光の（マスク照ＨＦｉ界。

の）空間的コし−し・ンシイ　（口Ｊ干渉性）を高くす
る二１トζ７よって、光学系の空間周波数応答を最大２
倍に、ｙ焦点深度も大幅（１，５〜２倍以上）に増大さ
せることができる。この方法では、透過型マス々の所定
の開１」部に選択的に適当な屈折率のイア相反転板（位
相シフタ）を設け、隣合う開ロパタ〉を通過する光に実
効的な光路差をつけること６′、より光の位相を反転さ
せる。位相シフト法については、例λば、アイイーイー
イ′−・トランザク２・ヨ　′・オン・工しクトロン・
デバイシーズＥＤ−２９巻　Ｎα１２．第１８２８頁か
ら第１８３５頁（１９８２１（ＩＥＥＥ　Ｔｒａｎｓａ
ｃｔｉｏｎ　ｏｎ　ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉｒｅｓ、
Ｖｏｉ、Ｅｌ）−２９，Ｎｏ、１２．ｐｐ−！８２８−
１８３５（１９８２））１こ論じＩ−）ねている、 叉、従来の縮小投影Ｂ　ｙ（、法ＣＪ９おける焦点深度
を釘、人オるｊ５汐、と（では、多重結像面露光法（通
称）’　Ｌ−Ｆ’、　Ｘ法、ｊ−Ｘｏｃｕｓ’　Ｌａｔ
ｉｔｕｄｅ　ｅｎｈａｎｃｅ＋＋＋ｅｎｔＬ−Ｘｐ　（
・ｓｏｒ＋・の略）が、本発明者らにより提案されてい
る、この方法は、基板−１の同一露光領域に対する露光
を、光軸方向の異なる位置に結像する同一マスクパタン
の枚数の像を用いて行なうものである、多重結像面ｎ光
、法に−）いては、例λば、アイイーイ・〜〈−・エレ
クトロシ・デバイス１７ターズ・Ｅ　Ｄ　Ｌ　−、、８
巻、Ｎれ４．第１７９頁から第１８０頁（１９８７１１
（ＩＥＥＥ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄｅｖｉｃｅ　Ｌｅｔ
、ｔ、ｅｒＳ、ＶＣ＋＋。

ＥＤＬ−８，Ｎｏ、４．ｐｐ、　１７９−１８０（１９
８７））に論じＣ）ねでいる。

［発明が解決しようとする課題］ 上で述べたように５位相シフト法は、繰り西、シパタン
に対して空間的コピーしンジイを高くシ、た場合、特Ｃ
５大きな効果が得ｒ；、、　ｔｌる。、シ、かじながら
５実際のＬＳＩパタンは、単純な繰返し７バタシ（例え
ば、メモリＬＳＩにおけるメモリマット部）以外に様々
な複雑なパタン（例えば、メモリＬＳＩにおける周辺回
路部）を含んでいる、この様な部全、特に孤立パタンＧ
コ対して位相シフト法は必ずしも十分な効果を発揮する
ことができない、即ち、繰返しパタン部分以外のパタン
に対して寸分な解像度及び焦点深度が得られないという
問題点があった。

一方、多重結像露光法は２コンタクトホールノ＼タニ　
（ポジ型１．・シストを用いた場合）や単独ライ〕、パ
タン（ネガ型し・し゛ストを用いｊニー　６合）の様な
孤、７（。たｎ光バタシ？−は有効であるが、繰返し、
パタンのような露光面積の割合５７″大きなパタンでは
光学像のコントラストが低下するとい）問題点があった
。

さらに、一般Ｃご空間的コピーレンう５・イを高くした
場合、近接するパタン間に生じる光学的な近接効果（ペ
タン間相斤作用）が顕著となる５、このため、複雑な形
状のマスクバター・て・は、設計マスクパタンζ、Ｊ、
対する光学像又はレジスト・誓タンの忠実性が劣化すう
ことが知られてい乙、従って、繰り返しパタンに対して
大きな位相り・７［・法の効果を得るために、空間的コ
じ−Ｌ、　２＝　；＞イを高＜１５、た場合、繰返しパ
タン部分以外の複雑な形状のマスクパタンに対して−１
−で述べたパタン忠実性が劣化するという問題点があ−
）だ１ 本発明の目的は、比較的単純な繰返し５．パタンの部分
と７孤立→イ〉・等からなる複雑なパタンの両方を禽む
ような一般的な１．’１．．　■（ｌｉ！路）ζタン等
の固体素ｆパタンにお（・で、（ζ相ミ″７　Ｓ　；ｌ
’；　”；＜適用（−た場合、トシ己とち←）θ）部今
プご）ペタ１．−χ土ヒ−こも＋−５，デな解像度及び
焦屯深鬼が４峠・才］５露弄プ・法を得て）ことにおる
。

また、本発明の別の［ゴ的は、空間的−七　Ｌ゛シイ高
くシ、た場合に牛、、繰返ｊ、−ハ“シ・部゛ひ五゛丈
外の複雑な形状のマス、りへター１、に対し２ζ良好な
バ１２ン忠実性が得られる露光ｔ１法、マスク’ｉ−（
−Ｅ　ｍ光装置を得ることにある 〔課題を解決するたＭ）の手段］ 上記目的は、位相パ、・−７トンスクをｊＩ］Ｉ、１ｆ
投影露光方法において、重連の多重結像ｆｉ曵法を特１
高コヒーし・ント照明Ｆ（好圭（、＜は＝ｉ二−シ、・
ス゛アクタ：σがｏ、’ｑｒｔｒ）で適用する。Ｔ−と
ＩＪよ・１達成される。

又、上記目的は、位＋！、］　Ｓ−７ト、グア、υｆ、
、、　、ｐ’、ｌ　Ｌ　、　ｆ−投影露光方法において
、ミ、′又グト、で遮、Ｗ＝ざぞ８：・千（τ相対する
同位相バ／２　間の距離を、空間−１＋ニーＬンシイ及
び上記−’１−Ｌｆ結ｇ、ａ光法を］〆）用・）乙・か
ｌ＝、　＜４・いかに応じて、　定距離以ト離し７１’
ｌｌ’、！置寸ミ・鍔（により達成される。

又、上記目的は、上記繰返しパタンの繰返し方向に対し
て高いコヒーレンシイを、これと垂直な方向に対して比
較的低いコピーしンシイを持つ照明光を用いることによ
り達成される。

さらに、Ｌ起重的は、縮小投影露光装置の２次光源面の
有効光源の形状を、Ｊ−記繰返しパタンの繰返し方向に
対して小さく、これと垂直な方向に対して大きく設定す
ることによって達成される。

〔作用〕

次に、本発明の作用を図を用いて説明する。

第１図（ａ）、　（ｂ）は、孤立スペースパタン（孤立
線状透光部）に多重結像露光法を適用したときの最大光
強度の光軸方向分布の結像面間距離Δ依存性を、（ａ）
高＝１ヒーレンス（σ二０．１）及び（ｂ）低コヒーレ
ンス条件（σ＝０．５）に対して示したものである９、
又、第１図（ｃ）、（ｄ）は、ｒ、、　／　Ｓバタ”）
Ｌ：おいて位相シフ（・法と多重結像露光法を併せて適
用したときの像コシトラス２トの光軸方向分布の結像面
間距離Δ依存性を、図（ａ）、（ｂ）と比較し５て示し
たものである。光軸ｊ５向位置、結像面間距離ともにλ
／ＮＡ”を単位と（，２て表している。、なお、Ｌ　／
　Ｓパタンの寸法は０．３Ｘλ／ＮＡとした（但し、λ
は波長、ＮＡは開口数）。又、孤立スペースパタンでは
、マスク上の線幅をＯ２５×λ／ＮＡより小さくしても
光強度分布の広が１ｊ方は殆ど変わらず光強度だけが低
下（、、で（、まうたぬ、スペース線幅は０．５×λ／
／　Ｎ　、；八とし、た、。

コヒーレンシイの低い場合、孤立スペースパタンの光強
度とＬ／Ｓパタンの像コントラストのピークの幅はΔが
増大するに従って同し様に光＠方向に広がる。しかし、
これと同時に像コミ／トラストの絶対値は低下（１，で
し７まう。　一方、コピーしンシイが高い場合、孤存ス
ペースパタンに対する多重結像露光法の効果には大きな
違いがはられないのに対して、位相シフト法によ乙■２
．／”Ｓパ々ユ・では△に依らず入きな像コントラスト
が光軸方向（７）広い範囲で得ら、ｈ６様になる４こ（
ｈ理由は、次のように考える、τとが７゛きる、 高い空間約１ピーシ゛２・ス条件卜”７１’　！、’）
：相パ・１ト法を用いるど、焦点深度が著し７く大きく
なる。この場合、従来マスクによる孤立スペースパタン
に最適な範囲の比較的小さな結像面間距離Δ（通常、１
６６〜２．０×λ／ＮＡ）を用いて多重結像露光法を適
用し７ても、位相シフト法による光学像は殆ど影響を受
けない。従って、繰返しパタンに対して位相シフト法Ｃ
ごよる大きな焦点深度と高コントラスト光学像を維持し
たまま、孤立スペースパタンのみに対して選択的に多重
結像露光法の効果を得ることができる。これにより、孤
立パタンと位相シフトによる繰返しパタン両方のパタン
に対して必要な焦点深度を確保することができることが
わかる。なお、以上の効果を−Ｆ分に得るためには露光
光のコヒートンスフアクタ−σは０．３　以下であるこ
とが好ましい。

以−Ｉ−述べた方法では、高コヒーレンス条件を用いる
が、この場合前に述べたように近接パタン間のト渉効果
が増大するため、光学的近接効果が生じる。一対の逆位
相パタン間の相互作用は常にパタン間の光強度を弱める
方向、即ち、パタン間の分離度を高める好まし、い方向
に働くが、同位相の場合は逆に強める方向、即ちパタン
の分離度を劣化させる方向に働く。二の相互作用はデフ
ォーカスと共に増大するので、大きなデフォーカス像を
重ねあわせる多重結像露光法では特に大きな間覇となる
。実際のＬＳＩパタンでは、同位相のパタンか遮光部を
介して相対する１、・イアウドが想定される。従って、
同位相パタン間の近接効果を抑えるための対策が必要と
なる。

第２図（ａ）は、２本の同位相の孤立線状透光部（スペ
ース）パタンが近接して存在するどきの光強度分布のデ
フォ・−カス依存性を、２つのパタンのエツジ間の距離
りとコヒーレジスフアクタ−σを変えて示したものであ
る。２つのパタンにより作られる光強度分布は、各々の
パタンが事犯で存在する場合の光強度分布の和に、２つ
のパタン間の相互作用（相互作用強度）を加えたものど
なる４、第２図には実際の光強度分布に加えて、この相
互作用強度も合せて示した。、パタン間距離が小さく、
空間コヒーレンスが大きく、又、デフォーカス駅が増大
する程、パタン間の相圧作用即ち近接効果が増大し、２
つのパタンの間に第３の光強度ピークが現われることが
わかる。

第２図（ｂ　）は、多重結像露光法を適用した場合の（
ａ）と同様の図である。（ａ）と比べて、大きなデフォ
ーカスに対しても２つのパタンに対応する光強度のピー
クが保たれており、多重結像露光法によって焦点深度が
増大していることがわかる。

しかし、パタン間距離が小さく、空間コヒーレンスが大
きくなると、やはり２つのパタンの間に第３の光強度ピ
ークが、広い焦点範囲にわたって現われてしまう。

これらの同位相間近接効果を十分に抑えるためには、パ
タン間距離（λ／ＮＡを単位として表した）を、コヒー
レンスファクターに応じて第３図の斜線部で示した範囲
に設定することが好ましい。

一方、逆に位相シフト法の効果を十分に得るためには、
逆位相パタン間の距離は第３図の実線の下側（斜線のな
い部分）に設定することが好ましい。

以りより、遮光部を介し７て相対する同位相パタン間の
距離を離すことにより、高コヒーレ〉ス条件Ｆでの同位
相パタン間の近接効果を抑えることが可能となる。さら
に又、微細パタンの繰返し方向が限定されているＬＳＩ
パタン等では、−ト、記繰返し１方向に対してのみ露光
光の実効的な空間コヒーレンスを上げ、これと垂直な方
向の空間コヒーレンスを抑えることにより、後者の方向
に対する近接効果が抑えられる。

［実施例］ 第１実施例 次に、本発明の一実施例について説明する。

第４図（ａ）は典型的なＬＳＩ配線のマスクパタン、第
４図（１：）　）〜（ｄ）は（ａ）のマスクパタンに対
して高コヒーレンス照明下（ａ＝０．２）で位相シフト
法を用いたときに得られる光学像のデフォーカス依存性
（デフォーカス値０／、Ｌｍ、１１ｚｍ。

１．５μｍ）を光強度分布の等高線で示し２．たもので
ある。使用した光源はＫｒＦエキシマレーザ（波長２４
８ｎｍ）、投影レンズの開１１数ｉ：ｉｏ、４５である
。なお、透過光の位相を反転さゼるための位相シフタは
、繰返しく縞状）パタンの１本毎に設けた。デフォーカ
スすると共に、Ｌ　／　Ｓ部分は像が残るが、周辺部分
（突起部分）の像が消滅し７てしまう。

第４図（ｅ）〜（ｇ）は、第４図（ｂ）〜（ｄ）と同じ
それぞれデフォーカス値と同じ位相シフトマスクを多重
結像露光法を用いて露光した例である。但し、ここで多
重結像露光法におけるデフォーカス量とは２つの結像面
の平均面からのずれ量とする。

又、結像面間距離は２μＩ’ｎとした。これにより、突
起部分の細りゃパタンの折れ曲がり部分等でのくびれが
みられるものの、デフォーカス時においても、■、／Ｓ
部分のみならず周辺部分く突起部分）の像も維持される
ことがわかる。

第２実施例 次に、本発明の別の実施例について説明する。

第５図（ａ）は別の典型的な１．、、　Ｓ　Ｉ配線マス
クパタン、第５図（ｔ））〜（ｌはデフォーカス値をＯ
ｐｍ、１７１ｍ、１．５μｍ　　Ｌだときの第５図（２
１）のマスクパタンに対して高コヒーレンス照明下で位
相シフト法と多重結像露光法を適用した例である。光学
系の条件は第１実施例に同じである。遮光部を介して相
対する同位相パタンの間（例えば左から３本目と５本目
の配線の間）で光が広がって（例えば左から３本目の配
線の先端部）、両者が接続し、そうになっていることが
わかる４、そこで、配線パタンの級返し方向に対して遮
光部を介して直接相対する同位相パタンをできるだけ離
すために、配線パタンを第４図（ａ）の様（：変更した
。これにより、同位相パタン間の相互作用を抑えること
ができた。なお、上記パタン設計の変更は単に幾何学的
な配置の問題でおり、ＬＳＩの機能に全く影響しない。

第：３実施例 第６図（ａ）は、第４図（ａ）の位相シフトマスクパタ
ンに若干の補正を加えたもの、又、第６図（ｂ　）・・
〜（ｄ）は第６図（４３）の７スノノパタンを多重結像
露光法を用いて露光した例である３、（デフォーカス値
Ｏｐｍ、１　μｍ、１．５μｍ）本実施例では、繰返し
パタンの繰返し方向に対（，２て高い」７Ｆ″・−Ｌン
ス（σ−０，１相当）を、これと垂直な方向に対して比
較的低いコヒーレンス（σ＝０．７相当）を持つ照明光
を用いた。その他の光学系条件は、第１実施例と同じで
ある。等方向なコヒーレンスを用いた第４図（ｅ）〜（
ｇ）に比べて、よりマスクパタンに忠実な像を深い焦点
深度で得ることができた。

なお、一般に第４図（ａ）の様な孤立線パタンと位相シ
フトによるＩ、／Ｓパタンを含むパタンに多重結像露光
法を適用すると、孤立線パタンの光強度が相対的に低下
する。第６図（ａ）におけるパタンの補正は、主にこの
光強度のアンバランスを解決するために孤立線パタンの
線幅を広げたものである。孤立線パタンの光強度分布の
広がりは、線幅が０．７×λ／　Ｎ　、Ａ以下では殆ど
変化しないので、その線幅を変λることにより光強度を
調整することができる。

なお、上記コヒーレンスの異方性を有する照明光を得る
ためには、縮小投影露光装置の照明光学系の２次光源面
に、第７図に示すようなアパーチャ（開［−］）を設（
Ｊた。有効光源は、−のアパーチャによって規定される
。

第４実施例 次に、本発明の１実施例による縮小投影露光装置につい
て説明する。第８図は本発明による縮小投影露光装置の
照明光学系の模式図である、照明光学系の２次光源面に
置かれた円盤には異なる形状を有する複数のアパーチャ
が設置されている。

円盤を回転させる二とにより、複数のアパーチャの内の
１つを照明光学系の光路−ト２次光源面に設定すること
ができる。これにより、有効光源の形状を様々に設定す
ることができる。

第５実施例 第９図は本発明による別の縮小投影露光装置の照明光学
系の模式図である。照明光学系の２次光源面に、縦横幅
を可変とする機能を有するのＦｉ’Ｔ変成形変成−アパ
ーチャら肘ている。上記アパーチャの縦横は、縮小投影
露光装置にて露光されるウェハのオリフラに甲行に設定
されている。これにより、有効光源の形状を様々な大き
さと縦ｍｈヒを有づ゛る長方形形状Ｃ７−設定する二と
ができる、上記アベー千■の他Ｃ１二他のアパーチャ、
例えば円形アバ−千ヤと重ねることができる様になって
おり、可変成形？パーチャの大きさを上記円形アパーチ
ャより大きくすることによ−ｐて、有効光源の形状を例
えば山形とすることもできる、 〔発明の効果１ 以上−１、本発明Ｃ，−よれば、位相シフト法と多重結
像露光法を高コヒ・−レ〉ス条件下で併用する二とＺ、
″より、比較的単純な紛返し２パタシの部分と、孤）″
Ｌライシ等からなる複雑なパタンの両方を含む一般的な
固体素ｒパタンにおいＣ，Ｆ記どちらの部分のベタ゛・
１′一対しても劃−分な解像度及び焦点深度が得ｌユ）
ねる。

また、Ｚ又・りｌ−１で遮光部を介して相対する同位相
バタ゛ノ間の距離を空間的コピーし・ンス等に応じて一
定距離以手離して配置する、又は、紛返しパタンの繰返
（−Ｕ向に対し、Ｃ晶いコヒーレンシイを用い２こわと
畢直な力面に対して比較的低いフヒー　しンシイを持つ
照明光を用いる等する５：とじより、同位相パタン６５
の近接力Ｗを抑え、マスクベタ＞　（こ対して、忠実性
な投影像もし、くは１．・Ｓ・ストパタンか得られる１
１ 、：れらによって、量産性と信頼性に優れた縮小投影露
光法か０，３μｎ１以下のパタン線巾に対しても適用可
能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図（ａ）、（ｂ）は、本発明の原理とな
る効果を示す特性図、第３図は、本発明の適用範囲を示
す特性図である、第４図（ａ）は、典型的なＬＳＩパタ
ンの模式図、第４図（Ｆ））〜（ｄ）は、従来庭先法に
よる光学像を示ｔり１、第４図（ｃ）〜（ｅ）は、本発
明の一実施例による光学像を示す図である。第５図（ａ
）は別の典型的な１．、　Ｓ　Ｉパタンの模式し１、第
５図（１））〜（（ｊ）は本発明の別の実施例の問題点
を示す図７３ある。第６図（ａ）は、典型的なｉ、＋　
ｓ　ｒパタンの模式図、第６し］　（ｂ　）〜（（１）
は、本発明の別の実施例による光学像を示す図である。 １又、第′７１り１は、本発明の一実施例のためのｎ光
装置の一部を示す模式図である　第８１ぷｊ及び第９図
は本発明による縮小投影露光装置の照明光学系のわ Ｖ　　！　　図 （ａ７）スペース”ｙ、：’　　　　　　（Ｃ）Ｌ／ｓ
／Ｘ’９’ｙ簀・慎　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　Ｊ′−［ラノｌ（％）尤Ｐｌ浄ｊイＦｙ１　　
　　　　　　　　　尤−−Ｌ６旬イｋｆｆｉ（ｂ、）バ
ースハ゛２１．（〆）勾ζｓ／＋’；’−’丸輻豪Ｍ装
置　　　　　　　　　　丸軸ろ′句イ１劣　　ｚｉ （６し）　　イ（−釆ンＪ丈 ■　　３　　凹 ρ５　　　　　／　　　　　　、／、５八゛）：ｘ、、
；、、’唱づ距高仔　（′へＮＡ３）”４　　４　　ｆ
ｉｌ ”＋　　　ぢ　　ｒ−＋　　　　　　　　　　　　　；
→」、　〆　Ｌ←−１＜ａ−、）　　　　　　　　　　
　　（Ｌ）第　７　　図 １Ｂ１．ａ ＃１９Ｆ２］ 手　　続　　補　　正　　ｉ（方　　式）事件の表示 平成　２年　特　＋！′１′　　順　第　３３７０８４
号発明の名称 マスク及び投影露光装置並びにパタン形成方法補正をす
る者 事件との関係　　　特　許　出　願　人名称　　　（５
１０）株式会社　日　　立　　製　　作　　所補正の対
象　　　明細嘗の図面の簡単な説明の闇。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、マスク上のパタンを光学系を用いて基板上へ投影露
   光することによりパタンを形成する方法において、上記
   マスクが、近接して隣合う開口パタンを通過する光の位
   相が互いに反転するような機能を含む位相シフトマスク
   であり、上記露光は、多重結像露光法を用い上記基板上
   の同一露光領域に対して、上記マスクパタンの複数の像
   を光軸方向の異なる位置に結像させて行われることを特
   徴とするパタン形成方法。 ２、上記位相シフトマスクを用いたパタン形成方法にお
   いて、マスク上で遮光部を介して相対して配置された同
   位相を有するパタン間の距離を、上記露光に用いられる
   光の空前記多重結像露光法を適用するかしないかまたは
   上記露光に用いられる光の空間的コヒーレンシィに応じ
   て、一定距離以上離して配置したことを特徴とする特許
   請求の範囲第１項記載のパタン形成方法。 ３、近接して隣合う開口パタンを通過する光の位相が互
   いに反転するような機能を含む位相シフトマスクにおい
   て、マスク上で遮光部を介して相対して配置された同位
   相を有するパタン間の距離を前記多重結像露光法を適用
   するかしないかまたは前記コヒーレンシィに応じて、一
   定距離以上離して配置したことを特徴とするマスク。 ４、特許請求の範囲第１項記載のパタン形成方法におい
   て、特許請求の範囲第３項記載のマスクを用い、かつ前
   記露光に用いられる光の空間的コヒーレンスファクター
   を０．３以下としたことを特徴とするパタン形成方法。 ５、マスク上のパタンを光学系を用いて基板上へ投影露
   光することによりパタンを形成する方法において、上記
   マスクが繰返しパタンを有し、上記マスクを照明する光
   が、上記繰返し方向に対して高い空間的コヒーレンシィ
   を、これと垂直な方向に対して比較的低い空間的コヒー
   レンシィを持つことを特徴とするパタン形成方法。 ６、特許請求の範囲第３項記載のパタン形成方法におい
   て、特許請求の範囲第３項記載のマスクと、特許請求の
   範囲第５項記載のマスク照明光を用いたことを特徴とす
   るパタン形成方法。 ７、縮小投影露光装置の２次光源面の有効光源の形状を
   、上記繰返しパタンの繰返し方向に対して小さく、これ
   と垂直な方向に対して大きく設定したことを特徴とする
   投影露光装置。 ８、有効光源の形状を規制する複数のアパーチャを搭載
   していて上記複数のアパーチャから任意のアパーチャを
   選べる機能を有することを特徴とする特許請求の範囲第
   ７項記載の投影露光装置。 ９、有効光源の形状を規制するアパーチャの形状を可変
   とする機能を有することを特徴とする特許請求の範囲第
   ７項記載の投影露光装置。