JPH0419809A - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドInfo
- Publication number
- JPH0419809A JPH0419809A JP12249790A JP12249790A JPH0419809A JP H0419809 A JPH0419809 A JP H0419809A JP 12249790 A JP12249790 A JP 12249790A JP 12249790 A JP12249790 A JP 12249790A JP H0419809 A JPH0419809 A JP H0419809A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetic field
- recording medium
- annular
- generated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000000694 effects Effects 0.000 title abstract description 7
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 81
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 11
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 11
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 17
- 230000005330 Barkhausen effect Effects 0.000 abstract description 8
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 abstract description 7
- 230000005292 diamagnetic effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 abstract description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 3
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005293 ferrimagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
磁気抵抗効果型ヘッドに関し、
磁気抵抗効果型ヘッドの再生波形に生しるバルクハウセ
ン雑音を防いだり、磁気抵抗効果素子の出力レベルの変
動を回避することを目的とし、磁気抵抗効果型ヘッドを
磁気ギャップを有さない円環状に形成されている磁気抵
抗効果素子によって構成する。
ン雑音を防いだり、磁気抵抗効果素子の出力レベルの変
動を回避することを目的とし、磁気抵抗効果型ヘッドを
磁気ギャップを有さない円環状に形成されている磁気抵
抗効果素子によって構成する。
本発明は、磁気抵抗効果型ヘッド(以下、MRヘッドと
いう。)に関する。
いう。)に関する。
近年、コンピューターの外部記憶装置である磁気ディス
ク装置の大容量化に伴い、高性能磁気ヘッドが要求され
ている。この要求を満足するものとして記録媒体の速度
に依存せず高出力か得られるMRヘッドか注目されてい
る。
ク装置の大容量化に伴い、高性能磁気ヘッドが要求され
ている。この要求を満足するものとして記録媒体の速度
に依存せず高出力か得られるMRヘッドか注目されてい
る。
MRヘッドは強磁性薄膜(MR膜)で構成された再生専
用の磁気ヘッドてあり、パーマロイ等によって形成され
る強磁性薄膜の電気抵抗か外部磁界によって変化すると
いう磁気抵抗効果を利用して信号磁界の変化を電気抵抗
の変化として検出するものである。そして、上記強磁性
薄膜によって構成される素子は磁気抵抗効果素子(以下
、MR素子という。)といわれている。
用の磁気ヘッドてあり、パーマロイ等によって形成され
る強磁性薄膜の電気抵抗か外部磁界によって変化すると
いう磁気抵抗効果を利用して信号磁界の変化を電気抵抗
の変化として検出するものである。そして、上記強磁性
薄膜によって構成される素子は磁気抵抗効果素子(以下
、MR素子という。)といわれている。
従来のMRヘッドは、第6図(a)、(b)に示すよう
な構造となっていた。61は矩形のMR素子、62は引
き出し導体層、63a、63bは磁気シールドである。
な構造となっていた。61は矩形のMR素子、62は引
き出し導体層、63a、63bは磁気シールドである。
MR素子61は、その長手方向(y軸方向)I:MR膜
の容易軸方向か一致するようにパターン形成されている
。ここて、容易軸とは磁化容易軸ともいわれ、MR膜か
磁化されやすい方向である。引き出し導体層62は、M
R素子61の長手方向に対して所定幅で切除されてMR
素子610両端で素子に接合している。MR素子61及
び引き出し導体層62は、2つの磁気ノールドロ3a、
63bの間(再生ギャップに相当する。)に配置され、
非磁性絶縁層64を介して磁気シールド63a、63b
と電気的に絶縁されている。センス電流65は引き出し
導体層62を通して素子に流れ、MR素子61及び引き
出し導体層62によって画定される長方形の信号検出領
域66に流れる。そして、磁気記録媒体67はヘッドの
下をX軸方向に移動し、MRヘッドは、媒体からの信号
磁界を該信号検出領域66で抵抗変化として検知する。
の容易軸方向か一致するようにパターン形成されている
。ここて、容易軸とは磁化容易軸ともいわれ、MR膜か
磁化されやすい方向である。引き出し導体層62は、M
R素子61の長手方向に対して所定幅で切除されてMR
素子610両端で素子に接合している。MR素子61及
び引き出し導体層62は、2つの磁気ノールドロ3a、
63bの間(再生ギャップに相当する。)に配置され、
非磁性絶縁層64を介して磁気シールド63a、63b
と電気的に絶縁されている。センス電流65は引き出し
導体層62を通して素子に流れ、MR素子61及び引き
出し導体層62によって画定される長方形の信号検出領
域66に流れる。そして、磁気記録媒体67はヘッドの
下をX軸方向に移動し、MRヘッドは、媒体からの信号
磁界を該信号検出領域66で抵抗変化として検知する。
またこの場合、センス電流65は、信号磁界に対してM
Rヘッドの再生を線型化するためにも利用されていた。
Rヘッドの再生を線型化するためにも利用されていた。
即ち、MR素子61は、一方の磁気シールド63aに近
接させて配置され、センス電流65によって磁化した磁
気シールド63a表面からの漏洩磁界によって素子高さ
方向にバイアス磁界か印加されていた(このバイアス方
式をセルフバイアス法という。)〔発明が解決しようと
する課題〕 ■従来のMR素子61の形状ては、容易軸(y軸方向)
の磁化方向に対してMR素子61か有限長であるため素
子端部に磁極(N、S極)か生し、素子内部には磁化方
向とは反対向きの磁界(反磁界)か発生していた。この
ためMR素子61は、反磁界によって誘起された静磁エ
ネルギーを下げるために、第6図(C)に示すようない
くつかの磁区に分割した磁区構造を示し、磁区の境界に
は磁壁か生じていた。
接させて配置され、センス電流65によって磁化した磁
気シールド63a表面からの漏洩磁界によって素子高さ
方向にバイアス磁界か印加されていた(このバイアス方
式をセルフバイアス法という。)〔発明が解決しようと
する課題〕 ■従来のMR素子61の形状ては、容易軸(y軸方向)
の磁化方向に対してMR素子61か有限長であるため素
子端部に磁極(N、S極)か生し、素子内部には磁化方
向とは反対向きの磁界(反磁界)か発生していた。この
ためMR素子61は、反磁界によって誘起された静磁エ
ネルギーを下げるために、第6図(C)に示すようない
くつかの磁区に分割した磁区構造を示し、磁区の境界に
は磁壁か生じていた。
一方、一般にはMR膜においては、成膜の不完全さから
結晶粒界、格子欠陥、不純物介在等の不均一性かある。
結晶粒界、格子欠陥、不純物介在等の不均一性かある。
このため従来のMRヘッドでは、記録媒体からの信号磁
界に対して磁壁は引っ掛かりなから移動し、磁化回転か
不連続となって再生波形にはバルクハウセン雑音か生し
たり、MR素子の出力レベルか変動するという課題かあ
った。
界に対して磁壁は引っ掛かりなから移動し、磁化回転か
不連続となって再生波形にはバルクハウセン雑音か生し
たり、MR素子の出力レベルか変動するという課題かあ
った。
■また、従来のMR素子61は信号検出領域66かそれ
以外の部分と一体になっているために、隣接記録トラッ
クからのサイト・クロストークを受は易いという課題か
あった。即ち、磁気記録媒体は容易軸方向に磁化されて
いるか、被記録検出トラックに隣接するトラックの磁界
か記録検出部に影響しMRヘッドに雑音か生し、再生処
理の性能を悪くするという課題もあった。
以外の部分と一体になっているために、隣接記録トラッ
クからのサイト・クロストークを受は易いという課題か
あった。即ち、磁気記録媒体は容易軸方向に磁化されて
いるか、被記録検出トラックに隣接するトラックの磁界
か記録検出部に影響しMRヘッドに雑音か生し、再生処
理の性能を悪くするという課題もあった。
■更に、MR素子の表面に不均一な加工部分かあれば、
局部的に微少の磁壁か生し前記バルクハウセン雑音や8
カレベルの変動か生しるという課題もあった。
局部的に微少の磁壁か生し前記バルクハウセン雑音や8
カレベルの変動か生しるという課題もあった。
上記課題のうち■の課題を解決するために、本発明では
、MRヘッドにおけるMR素子を円環状とした。
、MRヘッドにおけるMR素子を円環状とした。
また、■の課題を解決するために、本発明では、円環形
状としたMR素子を磁気記録媒体から離し、該MR素子
のうち記録媒体から信号検出する部分(以下、記録検出
部という。)だけを記録媒体まで延長した。
状としたMR素子を磁気記録媒体から離し、該MR素子
のうち記録媒体から信号検出する部分(以下、記録検出
部という。)だけを記録媒体まで延長した。
更に、■の課題を解決するために、本発明では、円環形
状としたMR素子に交換結合磁界、電流磁界等の磁界を
円周方向たる磁化容易軸方向に印加した。
状としたMR素子に交換結合磁界、電流磁界等の磁界を
円周方向たる磁化容易軸方向に印加した。
MR素子か円環状であるため磁極か生じず反磁界は発生
しない。このため、静磁エネルギーは零となって、素子
は磁壁か発生しない単一磁区構造となる。
しない。このため、静磁エネルギーは零となって、素子
は磁壁か発生しない単一磁区構造となる。
また、MR素子を磁気記録媒体から離せは、サイド・ク
ロストークに強くなる。
ロストークに強くなる。
更に、MR素子を容易軸方向に印加すれは、磁区は安定
化される。
化される。
次に本発明の一実施例について図面と共に説明する。第
1図に本発明の一実施例の説明するための図として(a
)〜(c)を示す。
1図に本発明の一実施例の説明するための図として(a
)〜(c)を示す。
第1図(a)は本発明のMRヘッドの要部断面図である
。MRヘッドは同図に示すように、2つの磁気シールド
13a・13bの間に、非磁性絶縁層14を介して引き
出し導体層12の内部にMR素子11が配置される構造
となる。
。MRヘッドは同図に示すように、2つの磁気シールド
13a・13bの間に、非磁性絶縁層14を介して引き
出し導体層12の内部にMR素子11が配置される構造
となる。
MR素子11は、例えばN、F。膜等の強磁性体から成
り、厚さtlは400〜500人の薄膜構造て、幅t2
は3μm1外径t3は50〜100μm程度に設定され
ている。ここに、MR素子11の形状は第1図(b)に
示すように円環状になっている。そして、所定幅で切除
され、幅t、を有する引き出し導体層12と第1図(C
)に示すように円環の信号検出領域16の両端で接続し
ている。
り、厚さtlは400〜500人の薄膜構造て、幅t2
は3μm1外径t3は50〜100μm程度に設定され
ている。ここに、MR素子11の形状は第1図(b)に
示すように円環状になっている。そして、所定幅で切除
され、幅t、を有する引き出し導体層12と第1図(C
)に示すように円環の信号検出領域16の両端で接続し
ている。
かかるMR素子の形状異方性からMR素子の容易軸は円
環の円周方向に一致する。即ち、容易軸の方向は形状に
よって異なり、容易軸方向は長さの長い方向、二の場合
は無限長の円周方向と一致するということである。ここ
で、MR素子11か円環状で、磁化方向に対してその長
さか有限長に形成されていないため素子内部には磁極は
発生せず、反磁界は生じない。従って、静磁エネルギー
か零となって素子は磁壁か発生しない単一磁区構造とな
る。
環の円周方向に一致する。即ち、容易軸の方向は形状に
よって異なり、容易軸方向は長さの長い方向、二の場合
は無限長の円周方向と一致するということである。ここ
で、MR素子11か円環状で、磁化方向に対してその長
さか有限長に形成されていないため素子内部には磁極は
発生せず、反磁界は生じない。従って、静磁エネルギー
か零となって素子は磁壁か発生しない単一磁区構造とな
る。
引き出し導体層12はA。膜等からなる。本実施例では
、第1図(C)のように、MR素子11の輻t2とほぼ
同一の幅t、を有し、直角り型に形成されているか、か
かる形状に限定されることはない。信号検出領域16に
センス電流15か流れれば十分だからである。信号検出
領域の輻t4は、2〜3μm程度である。
、第1図(C)のように、MR素子11の輻t2とほぼ
同一の幅t、を有し、直角り型に形成されているか、か
かる形状に限定されることはない。信号検出領域16に
センス電流15か流れれば十分だからである。信号検出
領域の輻t4は、2〜3μm程度である。
磁気シールド13a、13bはN、F、あるいはフェラ
イト材等からできている。これらは、記録媒体17から
の信号磁界に対し、MR素子11の再生分解能を高める
働きをするものである。
イト材等からできている。これらは、記録媒体17から
の信号磁界に対し、MR素子11の再生分解能を高める
働きをするものである。
MR素子11及び引き出し導体層12は2つの磁気シー
ルド13a、+3bの間に配置され、両者はS、O2膜
あるいはΔ1203膜の非磁性絶縁層14を介して磁気
シールドと電気的に絶縁される構成となっている。MR
素子11は非磁性絶縁層14の内部に配置されている。
ルド13a、+3bの間に配置され、両者はS、O2膜
あるいはΔ1203膜の非磁性絶縁層14を介して磁気
シールドと電気的に絶縁される構成となっている。MR
素子11は非磁性絶縁層14の内部に配置されている。
外部磁界あるいは外部電流の影響を受けないようにする
ためである。
ためである。
センス電流15は、引き出し導体層12を通してMR素
子11の信号検出領域16に流れる。そして、前述のセ
ルフバイアス方式によりMRか線型動作することによっ
て、MRヘッドは、直下を移動する磁気記録媒体17か
らの信号磁界を検知する。二の際、前述した発明原理に
従いMR素子11は単一磁区構造となってバルクハウセ
ン雑音は発生しない。また、MR素子の出力レベルの変
動を回避できる。
子11の信号検出領域16に流れる。そして、前述のセ
ルフバイアス方式によりMRか線型動作することによっ
て、MRヘッドは、直下を移動する磁気記録媒体17か
らの信号磁界を検知する。二の際、前述した発明原理に
従いMR素子11は単一磁区構造となってバルクハウセ
ン雑音は発生しない。また、MR素子の出力レベルの変
動を回避できる。
第3図は本発明の第2の実施例であり、MRへラドの平
面図である。同図中、MR素子31、引き出し導体層3
2は、第1図と同じ構成であり、また、図示しない磁気
シールドも第1図と同じ構成である。
面図である。同図中、MR素子31、引き出し導体層3
2は、第1図と同じ構成であり、また、図示しない磁気
シールドも第1図と同じ構成である。
第3図に示す実施例ては、MR素子31を磁気記録媒体
33から離し、信号検出部34aを磁気記録媒体33ま
て延長させて配置する構成としている。本実施例ではM
R素子31か磁気記録媒体33から離れているため、第
1図の実施例に比へて隣接記録トラックからのサイド・
クロストークに強いとい−う特徴がある。具体的には第
】図と同じ寸法であれば、1μm程度である。即ち、円
環としての形状が保たれる範囲でなければならない。
33から離し、信号検出部34aを磁気記録媒体33ま
て延長させて配置する構成としている。本実施例ではM
R素子31か磁気記録媒体33から離れているため、第
1図の実施例に比へて隣接記録トラックからのサイド・
クロストークに強いとい−う特徴がある。具体的には第
】図と同じ寸法であれば、1μm程度である。即ち、円
環としての形状が保たれる範囲でなければならない。
磁壁の発生を防ぐためである。なお、MR素子の形状に
かかわらず、MR素子を磁気記録媒体から離し、記録検
出部だけを磁気記録媒体まで延長する方法は、サイド・
ストロークに強いという特徴を有する。
かかわらず、MR素子を磁気記録媒体から離し、記録検
出部だけを磁気記録媒体まで延長する方法は、サイド・
ストロークに強いという特徴を有する。
第4図(a)に示す本発明の第3の実施例は、MR素子
41の円周方向に交換結合磁界を発生させる膜42を積
層するというものである。交換結合磁界は局部的に発生
した磁界を容易軸方向へ向けようとするための磁界であ
る。交換結合磁界を発生させる膜としては、反強磁性膜
(F、M、 )あるいはフェリ磁性膜(T、C,) 、
高抗磁性膜(N、F、C0’)が適当であり、これらの
膜は蒸着法あるいはスパッタ法にて形成される。これら
のうち、交換結合磁界の強さか最も強いものはフ工り磁
性膜であり、次いて反強磁性膜、高抗磁性膜となるが、
どれを用いても本発明の目的は達成できる。
41の円周方向に交換結合磁界を発生させる膜42を積
層するというものである。交換結合磁界は局部的に発生
した磁界を容易軸方向へ向けようとするための磁界であ
る。交換結合磁界を発生させる膜としては、反強磁性膜
(F、M、 )あるいはフェリ磁性膜(T、C,) 、
高抗磁性膜(N、F、C0’)が適当であり、これらの
膜は蒸着法あるいはスパッタ法にて形成される。これら
のうち、交換結合磁界の強さか最も強いものはフ工り磁
性膜であり、次いて反強磁性膜、高抗磁性膜となるが、
どれを用いても本発明の目的は達成できる。
第4図(b)は、同図(a)における積層箇所の右断面
図である。積層は同図(b)に示すようf:MR素子4
】の片面にのみ積層していれば十分てあり、MR素子4
1の表面全体を覆うよりも交換結合磁界の発生に適して
いる。積層箇所は同図(a)において縦幅t6はMR素
子41の輻t2よりも大きければよく、横幅t7は、信
号検出領域36に及はなければ特に制限はない。信号検
出領域36に及ぶと信号検出に影響するからである。
図である。積層は同図(b)に示すようf:MR素子4
】の片面にのみ積層していれば十分てあり、MR素子4
1の表面全体を覆うよりも交換結合磁界の発生に適して
いる。積層箇所は同図(a)において縦幅t6はMR素
子41の輻t2よりも大きければよく、横幅t7は、信
号検出領域36に及はなければ特に制限はない。信号検
出領域36に及ぶと信号検出に影響するからである。
また、交換結合磁界を発生させる膜42はMR素子41
の曲率に合わせて積層される必要はない。
の曲率に合わせて積層される必要はない。
MR素子と接合さえすれば、交換結合磁界か発生するか
らである。
らである。
第5図は、MR素子に蒸着あるいはスパッタ法にて形成
された薄膜コイル53を巻いてMR素子51i:電流磁
界を印加するという本発明の第4の実施例である。ここ
で、薄膜コイル53はMR素子51に数ターン巻かれれ
ば十分である。また、薄膜コイル53にはセンス電流5
4とほぼ同等な電流(例えば、10mA程度)かかけら
れる。第4図及び第5図に示す実施例では、磁界がMR
素子の容易軸(円周方向)に印加され、第1図及び第3
図に示す実施例に比へて更に磁区を安定化てきる。これ
らは、MR素子の表面加工か不均一て磁壁か生しても、
バルクハウセン雑音を抑制できる効果かある。なお、こ
れらの例では、MRヘッド再生の線型化方式にはセルフ
バイアス法を用いているか、本発明は、線型化のバイア
ス手段について特に制限しない。バイアス方式としては
、他のシャントバイアス法あるいは永久磁石バイアス法
、電流バイアス法、バーバーポールバイアス法等のいず
れてあっても良い。また、本実施例では第4図と第5図
において容易軸方向に印加する磁界を交換結合磁界と電
流磁界としたか、加える磁界はこれらに限定されない。
された薄膜コイル53を巻いてMR素子51i:電流磁
界を印加するという本発明の第4の実施例である。ここ
で、薄膜コイル53はMR素子51に数ターン巻かれれ
ば十分である。また、薄膜コイル53にはセンス電流5
4とほぼ同等な電流(例えば、10mA程度)かかけら
れる。第4図及び第5図に示す実施例では、磁界がMR
素子の容易軸(円周方向)に印加され、第1図及び第3
図に示す実施例に比へて更に磁区を安定化てきる。これ
らは、MR素子の表面加工か不均一て磁壁か生しても、
バルクハウセン雑音を抑制できる効果かある。なお、こ
れらの例では、MRヘッド再生の線型化方式にはセルフ
バイアス法を用いているか、本発明は、線型化のバイア
ス手段について特に制限しない。バイアス方式としては
、他のシャントバイアス法あるいは永久磁石バイアス法
、電流バイアス法、バーバーポールバイアス法等のいず
れてあっても良い。また、本実施例では第4図と第5図
において容易軸方向に印加する磁界を交換結合磁界と電
流磁界としたか、加える磁界はこれらに限定されない。
例えは、永久磁石を用いて印加することも可能である。
以上説明したように、本発明によれは以下の効果を生し
る。即ち、 ■MR素子の形状を磁気ギャップを育さない円管状に形
成されることによって再生波形のバルクハウゼン雑音の
発生を抑えるとともに、MR素子の出力レベルの変動を
防止する。
る。即ち、 ■MR素子の形状を磁気ギャップを育さない円管状に形
成されることによって再生波形のバルクハウゼン雑音の
発生を抑えるとともに、MR素子の出力レベルの変動を
防止する。
■MR素子を磁気記録媒体から離し、信号検出部を磁気
記録媒体まで延長することによって、被検出トラックに
隣接するトラックからのサイド・タロストークを防ぎ、
雑音を抑える。
記録媒体まで延長することによって、被検出トラックに
隣接するトラックからのサイド・タロストークを防ぎ、
雑音を抑える。
■MR素子の容易軸方向たる円周方向に磁界を印加する
ことによって、表面加工か不均一であっても、局部的に
発生する磁壁によるバルクハウゼン雑音を抑制できる。
ことによって、表面加工か不均一であっても、局部的に
発生する磁壁によるバルクハウゼン雑音を抑制できる。
第1図(a)は本発明の第一実施例によるMRヘッドの
要部断面図、 第1図(b)は本発明の第一実施例によるMR素子の平
面図、 第1図(C)は本発明の第一実施例によるMRヘッドの
要部斜視図、 第2図はMR素子が閉ループ構造の場合に信号検出領域
に流れる電流を説明する図、 第3図は本発明の第二実施例を説明する図、第4図(a
)は本発明の第三実施例を説明する図、 第4図(b)は第4図(a)の積層箇所における右断面
図、 第5図は本発明の第4実施例を説明する図、第6図(a
)は従来のMRヘッドを示す要部断面図、 第6図(b)は従来のMRヘッ 祖国、 第6図(c)は従来のMRヘツ 素子磁区構造である。 ドを示す要部斜 ドにおけるMR 図において、 1はMR素子、 2は引き出し導体層、 3aは磁気シールド、 3bは磁気シールド、 4は非磁性絶縁層、 5はセンス電流、 6は信号検出領域、 6aは信号検出部、 7は磁気記録媒体、 7aは磁気記録媒体の接合面 1はMR素子、 2は引き出し導体層、 3は磁気記録媒体、 33aは磁気記録媒体の接合面、 34は信号検出領域、 34aは信号検出部、 41はMR素子、 42は交換結合磁界を発生させる膜、 43は引き出し導体層、 51はMR素子、 52は引き出し導体層、 53は薄膜コイル、 54はセンス電流 を示す。
要部断面図、 第1図(b)は本発明の第一実施例によるMR素子の平
面図、 第1図(C)は本発明の第一実施例によるMRヘッドの
要部斜視図、 第2図はMR素子が閉ループ構造の場合に信号検出領域
に流れる電流を説明する図、 第3図は本発明の第二実施例を説明する図、第4図(a
)は本発明の第三実施例を説明する図、 第4図(b)は第4図(a)の積層箇所における右断面
図、 第5図は本発明の第4実施例を説明する図、第6図(a
)は従来のMRヘッドを示す要部断面図、 第6図(b)は従来のMRヘッ 祖国、 第6図(c)は従来のMRヘツ 素子磁区構造である。 ドを示す要部斜 ドにおけるMR 図において、 1はMR素子、 2は引き出し導体層、 3aは磁気シールド、 3bは磁気シールド、 4は非磁性絶縁層、 5はセンス電流、 6は信号検出領域、 6aは信号検出部、 7は磁気記録媒体、 7aは磁気記録媒体の接合面 1はMR素子、 2は引き出し導体層、 3は磁気記録媒体、 33aは磁気記録媒体の接合面、 34は信号検出領域、 34aは信号検出部、 41はMR素子、 42は交換結合磁界を発生させる膜、 43は引き出し導体層、 51はMR素子、 52は引き出し導体層、 53は薄膜コイル、 54はセンス電流 を示す。
Claims (5)
- (1)磁界の変化を磁気抵抗効果素子(11)の抵抗値
の変化として検出する磁気抵抗効果型ヘッドおいて、該
磁気抵抗効果素子(11)を、磁気ギャップを有さない
円環状に形成したことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッ
ド。 - (2)請求項1記載の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、
該磁気抵抗効果素子(31)を磁気記録媒体(33)か
ら離し、該磁気抵抗効果素子のうち磁気記録媒体(33
)から信号検出する部分(34a)だけを磁気記録媒体
(33)まで延長したことを特徴とする磁気抵抗効果型
ヘッド。 - (3)請求項1又は請求項2記載の磁気抵抗効果型ヘッ
ドにおいて、該磁気抵抗効果素子(41)の円周方向に
交換結合磁界を印加するための部材(42)を有するこ
とを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - (4)請求項1又は請求項2記載の磁気抵抗効果型ヘッ
ドにおいて、該磁気抵抗効果素子(51)の円周方向に
電流磁界を印加するための部材(53)を有することを
特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - (5)請求項1又は請求項2記載の磁気抵抗効果型ヘッ
ドにおいて、該磁気抵抗効果素子の円周方向に磁界を印
加することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12249790A JPH0419809A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12249790A JPH0419809A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0419809A true JPH0419809A (ja) | 1992-01-23 |
Family
ID=14837310
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12249790A Pending JPH0419809A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0419809A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0675371A2 (en) * | 1994-03-31 | 1995-10-04 | Yamaha Corporation | Magnetic head having magnetoresistive sensor |
JPH08297814A (ja) * | 1995-04-28 | 1996-11-12 | Nec Corp | 磁気抵抗効果素子 |
US6529352B1 (en) | 1996-05-13 | 2003-03-04 | Nec Corporation | Magnetoresistive sensing element and magnetic head using the magnetoresistive sensing element |
-
1990
- 1990-05-11 JP JP12249790A patent/JPH0419809A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0675371A2 (en) * | 1994-03-31 | 1995-10-04 | Yamaha Corporation | Magnetic head having magnetoresistive sensor |
EP0675371A3 (en) * | 1994-03-31 | 1995-12-27 | Yamaha Corp | Magnetic head with magnetoresistive sensor. |
JPH08297814A (ja) * | 1995-04-28 | 1996-11-12 | Nec Corp | 磁気抵抗効果素子 |
US6529352B1 (en) | 1996-05-13 | 2003-03-04 | Nec Corporation | Magnetoresistive sensing element and magnetic head using the magnetoresistive sensing element |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5705926A (en) | Magnetic sensor and magnetic field sensing method of using same based on impedance changes of a high frequency supplied conductor | |
JPH08153310A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド | |
JP3294742B2 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
JPH0419809A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
JPH05205223A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
JP2878738B2 (ja) | 記録再生兼用薄膜磁気ヘッド | |
JPH0426907A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
JP3280057B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
JPH0498608A (ja) | 磁気ヘッド | |
JPH02130711A (ja) | 磁気抵抗効果素子およびこれを用いた磁気ヘッド | |
JP3082003B2 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法 | |
JPH05266439A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
JPH0426908A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
JPH0419810A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
JPH041907A (ja) | 磁気抵抗効果型再生ヘッド | |
JPS6154012A (ja) | 磁気抵抗効果ヘツド | |
JPH0426909A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
JPH0495205A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
JPS581748B2 (ja) | ジキケンシユツキ | |
JPS58222422A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
JPS58179928A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
JPS58179927A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
JPH07282423A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
JPH07235020A (ja) | 磁気ヘッド及びこのヘッドを用いた磁気記録再生装置 | |
JP2000285423A (ja) | 薄膜磁気ヘッド |