JPH04196461A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPH04196461A JPH04196461A JP2328052A JP32805290A JPH04196461A JP H04196461 A JPH04196461 A JP H04196461A JP 2328052 A JP2328052 A JP 2328052A JP 32805290 A JP32805290 A JP 32805290A JP H04196461 A JPH04196461 A JP H04196461A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal wiring
- layer
- opening
- wiring layer
- integrated circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 49
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 7
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体集積回路における、スクライブ領域上の
ＴＥＧ （Ｔｅｓｔ ＥｌｅｍｅｎｔＧｒｏｕｐ：
特性評価素子）パターンに関する。
ＴＥＧ （Ｔｅｓｔ ＥｌｅｍｅｎｔＧｒｏｕｐ：
特性評価素子）パターンに関する。
［従来の技術］
従来の半導体集積回路においては、ＴＥＧのパッド部の
複数の金属配線層間を接続するために設けられた層間絶
縁層の開口部は、はぼパッド開口部と同じ大きさであり
、そのため金属配線層のスリット開口部と重なっていた
。
複数の金属配線層間を接続するために設けられた層間絶
縁層の開口部は、はぼパッド開口部と同じ大きさであり
、そのため金属配線層のスリット開口部と重なっていた
。
第１図及び第２図は従来例である。第１図は平面図であ
り、第２図は第１図のＡＡ線において切断した場合の断
面図である。１０１は第一層目の金属配線層であり、１
０２は第二層目の金属配線層である。１０３は最終保護
膜の開口部エツジであり、１０４は第一層目の金属配線
層（１０１）と第二層目の金属配線層（１０２）の層間
絶縁層である。１０５は金属配線層に設けられたスリッ
ト開口部である。層間絶縁層の開口部（１０４）が、最
終保護膜の開口部（１０３）とほぼ同じ大きさで開いて
おり、その結果、金属配線層のスリット部は層間絶縁層
の開口部と重なっている。
り、第２図は第１図のＡＡ線において切断した場合の断
面図である。１０１は第一層目の金属配線層であり、１
０２は第二層目の金属配線層である。１０３は最終保護
膜の開口部エツジであり、１０４は第一層目の金属配線
層（１０１）と第二層目の金属配線層（１０２）の層間
絶縁層である。１０５は金属配線層に設けられたスリッ
ト開口部である。層間絶縁層の開口部（１０４）が、最
終保護膜の開口部（１０３）とほぼ同じ大きさで開いて
おり、その結果、金属配線層のスリット部は層間絶縁層
の開口部と重なっている。
［発明が解決しようとするｙＡ１ｆｌｌ前述の従来技術
では、金属配線層間の層間絶縁層の開口部がパッド開口
部とほぼ同じ大きさで開いているため、複数の金属配線
層のスリット開口部が重なった場合、基板表面近くまで
達する深い穴となり、パッド穴開口時の基板とのショー
トあるいは、バンプ形成時の残留空気の膨張によるレジ
スト破壊に起因するバンプ部の異状形成等の問題点を有
する。そこで本発明はこのような問題点を解決するもの
で、その目的とするところは、チップサイズ及びデータ
作成工数に影響を及ぼさず、スクライブ上に配置される
ＴＥＧの安定した形成を可能にするパターン形状を提供
するところにある。
では、金属配線層間の層間絶縁層の開口部がパッド開口
部とほぼ同じ大きさで開いているため、複数の金属配線
層のスリット開口部が重なった場合、基板表面近くまで
達する深い穴となり、パッド穴開口時の基板とのショー
トあるいは、バンプ形成時の残留空気の膨張によるレジ
スト破壊に起因するバンプ部の異状形成等の問題点を有
する。そこで本発明はこのような問題点を解決するもの
で、その目的とするところは、チップサイズ及びデータ
作成工数に影響を及ぼさず、スクライブ上に配置される
ＴＥＧの安定した形成を可能にするパターン形状を提供
するところにある。
［課題を解決するための手段］
本発明の集積回路は、スクライブ領域上に配置されたＴ
ＥＧのパッド部の金属配線層のスリット開口部と前記金
属配線層の上または下に位置する他の金属配線層を接続
するために設けられた層間絶縁層の開口部が重なってい
ないことを特徴とする。
ＥＧのパッド部の金属配線層のスリット開口部と前記金
属配線層の上または下に位置する他の金属配線層を接続
するために設けられた層間絶縁層の開口部が重なってい
ないことを特徴とする。
［作用コ
本発明の上記の構成によれば、パッド部の複数の金属配
線層のスリット開口部が重なった場合でも、層間絶縁層
の開口部が上記金属配線層のスリットと重ならないため
、上層部から基板表面近くまで達する深い穴は生じず、
パッド穴開口時の基板とのショートあるいは、バンプ形
成時の残留空気の膨張によるレジスト破壊に起因するバ
ンプ部の異状形成等の発生を抑える事が可能となる。
線層のスリット開口部が重なった場合でも、層間絶縁層
の開口部が上記金属配線層のスリットと重ならないため
、上層部から基板表面近くまで達する深い穴は生じず、
パッド穴開口時の基板とのショートあるいは、バンプ形
成時の残留空気の膨張によるレジスト破壊に起因するバ
ンプ部の異状形成等の発生を抑える事が可能となる。
［実施例］
以下、本発明について、実施例に基づいて説明する。
第３図及び第４図は本発明の実施例である。第３図は平
面図であり、第４図は第３図のＡＡ線において切断した
場合の断面図である。１０１は第一層目の金属配線層で
あり、１０２は第二層目の金属配線層である。１０３は
最終保護膜の開口部エツジであり、１０４は第一層目の
金属配線層（１０１）と第二層目の金属配線層（１０２
）の層間絶縁層である。１０５は金属配線層に設けられ
たスリット開口部である。層間絶縁層の開口部（１０４
）は、金属配線層のスリット開口部（１０５）とは完全
にずれている。
面図であり、第４図は第３図のＡＡ線において切断した
場合の断面図である。１０１は第一層目の金属配線層で
あり、１０２は第二層目の金属配線層である。１０３は
最終保護膜の開口部エツジであり、１０４は第一層目の
金属配線層（１０１）と第二層目の金属配線層（１０２
）の層間絶縁層である。１０５は金属配線層に設けられ
たスリット開口部である。層間絶縁層の開口部（１０４
）は、金属配線層のスリット開口部（１０５）とは完全
にずれている。
［発明の効果］
以上述べたように発明によれば、パッド部に設けられた
複数の金属配線層のスリット開口部と上記金属配線層間
の層間絶縁層の開口部が重ならないため、上層部から基
板表面近くまで達する深い穴は生じず、パッド穴開口時
の基板とのショートあるいは、バンプ形成時の残留空気
の膨張によるレジスト破壊に起因するバンプ部の異状形
成等の発生を抑える事が可能となる。
複数の金属配線層のスリット開口部と上記金属配線層間
の層間絶縁層の開口部が重ならないため、上層部から基
板表面近くまで達する深い穴は生じず、パッド穴開口時
の基板とのショートあるいは、バンプ形成時の残留空気
の膨張によるレジスト破壊に起因するバンプ部の異状形
成等の発生を抑える事が可能となる。
第１図及び第２図は従来の半導体集積回路のパッド部の
形状例を示す区。 第３図及び第４図は、本発明による半導体集積回路のパ
ッド部の形状例を示す図。 １０１・・・・・・第一層目の金属配線層１０２・・・
・・・第二層目の金属配線層１０３・・・・・・最終保
護膜の開口部１０４・・・・・・第一層目の金属配線層
（１０１）と第二層目の金属配線層 （１０２）の層間絶縁層 １０５・・・・・・金属配線層に設けられたスリット開
口部 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴木喜三部（他１名）第１図 １０５ １ｏ４ 第３図
形状例を示す区。 第３図及び第４図は、本発明による半導体集積回路のパ
ッド部の形状例を示す図。 １０１・・・・・・第一層目の金属配線層１０２・・・
・・・第二層目の金属配線層１０３・・・・・・最終保
護膜の開口部１０４・・・・・・第一層目の金属配線層
（１０１）と第二層目の金属配線層 （１０２）の層間絶縁層 １０５・・・・・・金属配線層に設けられたスリット開
口部 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴木喜三部（他１名）第１図 １０５ １ｏ４ 第３図
Claims (1)
- 半導体集積回路を各々のチップに分離するために設け
られたスクライブ領域を有し、前記スクライブ領域上に
配置されているＴＥＧが、外部と信号を授受するための
パッド部の金属配線層にスリット開口部を有し、かつ、
前記パッド部の金属配線層が複数の層で構成されている
半導体集積回路において、前記スクライブ領域上に配置
されたＴＥＧのパッド部の金属配線層のスリット開口部
と前記金属配線層の上または下に位置する他の金属配線
層を接続するために設けられた層間絶縁層の開口部が重
なっていないことを特徴とする半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32805290A JP3038904B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32805290A JP3038904B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 半導体集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04196461A true JPH04196461A (ja) | 1992-07-16 |
| JP3038904B2 JP3038904B2 (ja) | 2000-05-08 |
Family
ID=18205977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32805290A Expired - Fee Related JP3038904B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3038904B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7235989B2 (en) * | 2004-10-22 | 2007-06-26 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Electrical test device having isolation slot |
| JP2008135756A (ja) * | 2007-12-03 | 2008-06-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-11-28 JP JP32805290A patent/JP3038904B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7235989B2 (en) * | 2004-10-22 | 2007-06-26 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Electrical test device having isolation slot |
| JP2008135756A (ja) * | 2007-12-03 | 2008-06-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP4653799B2 (ja) * | 2007-12-03 | 2011-03-16 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3038904B2 (ja) | 2000-05-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR900005576A (ko) | 반도체 집적회로 장치 | |
| JPH01280337A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| US7847403B2 (en) | Semiconductor device having no cracks in one or more layers underlying a metal line layer | |
| TWI226691B (en) | Selective C4 connection in IC packaging | |
| JPH04196461A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH0576174B2 (ja) | ||
| EP1211723B1 (en) | Optimized metal fuse process in semiconductor device | |
| KR100200687B1 (ko) | 새로운 패드층을 구비하는 반도체장치 | |
| JPS5833705B2 (ja) | タソウハイセンオ ユウスルハンドウタイソウチ | |
| JP2778235B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6325951A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3243913B2 (ja) | 半導体装置のダミーパッド構造 | |
| KR930007752B1 (ko) | 반도체 소자의 접속장치 및 그 제조방법 | |
| JP2002076121A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5929430A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61110447A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60109240A (ja) | 半導体装置およびその製造法 | |
| JP2001007113A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH041731Y2 (ja) | ||
| JPH01248533A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH07106416A (ja) | 半導体素子の配線構造 | |
| JPH0289321A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05190554A (ja) | フリップチップ型半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH04162652A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03180052A (ja) | 半導体集積回路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080303 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090303 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090303 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100303 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |