JPH04193796A - Production of diamond plate - Google Patents
Production of diamond plateInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ダイヤモンド板の製造方法に関し、特に、あ
らかじめ存在するダイヤモンド粒を基板に固着した後、
このダイヤモンド粒を含んだダイヤモンド板を形成する
ための新規な改良に関する。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a method for manufacturing a diamond plate, and in particular, after fixing pre-existing diamond grains to a substrate,
The present invention relates to a novel improvement for forming a diamond plate containing diamond grains.
従来、用いられていたこグ〕種のダイヤモンド板の製造
方法としては種々あるが、その中で代表的なものについ
て述べると、特開昭６３−２８５１９３号公報に開示さ
れたダイヤモンド膜被覆基板の製造方法を挙げることが
できる。There are various methods for producing diamond plates of the type used in the past, but a typical one is the production of a diamond film-coated substrate disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-285193. Here are some methods.
すなわち、前述の方法においては、金属板又は複合金属
板上にダイヤモンド粒子を電着し、この基板を炭化水素
ガスと水素ガスの混斤ガス中にてプラズマ処理すること
によって、基板上にダイヤモンド膜を被覆するようにし
てダイヤモンド膜被覆基板を製造している。That is, in the above-mentioned method, diamond particles are electrodeposited on a metal plate or a composite metal plate, and this substrate is plasma-treated in a mixed gas of hydrocarbon gas and hydrogen gas, thereby forming a diamond film on the substrate. Diamond film-coated substrates are manufactured by coating diamond film.
従来のダイヤモンド膜被覆基板の製造方法は、以上のよ
うに構成されていたなめ、次のような課題が存在してい
た。Since the conventional method for manufacturing a diamond film-coated substrate was configured as described above, the following problems existed.
すなわち、前述の方法においては、金属板又は複合金属
板との密着性にすぐれたダイヤモンド膜被覆基板は得ら
れるが、ダイヤモンドのみで形成されたダイヤモンド板
は形成されていなかった。That is, in the above-mentioned method, a diamond film-coated substrate with excellent adhesion to a metal plate or a composite metal plate can be obtained, but a diamond plate formed only of diamond has not been formed.
本発明は、以」二のような課題を解決するためになされ
たちのて、特に、あらかじめ存在するダイヤモンド粒を
基板に固着した後、このダイヤモンド粒を含んだダイヤ
モンド板を形成するようにしたダイヤモンド板の製造方
法を提供することを目的とする。The present invention has been made in order to solve the following two problems, and in particular, the present invention is directed to a diamond plate in which pre-existing diamond grains are fixed to a substrate and then a diamond plate containing the diamond grains is formed. The purpose of this invention is to provide a method for manufacturing plates.
本発明によるダイヤモンド板の製造方法は、気相自戒法
により基板上にダイヤモンド板を合成するようにしたダ
イヤモンド板の製造方法において、前記基板上にダイヤ
モンド粒を無電解めっきによって固着し、前記ダイヤモ
ンド粒を覆うように気相合成法によってダイヤモンド膜
を形成し、前記基板の除去により前記ダイヤモンド粒と
ダイヤモンド膜によるダイヤモンド板を形成するように
した方法である。A method for manufacturing a diamond plate according to the present invention is a method for manufacturing a diamond plate in which a diamond plate is synthesized on a substrate by a vapor phase method, in which diamond grains are fixed on the substrate by electroless plating, and the diamond grains are fixed on the substrate by electroless plating. In this method, a diamond film is formed by vapor phase synthesis so as to cover the substrate, and a diamond plate made of the diamond grains and the diamond film is formed by removing the substrate.
〔作 用〕
本発明によるダイヤモンド板の製造方法においては、基
板上に、あらかじめ用意したクズダイヤ等のダイヤモン
ド粒をめっきによって固着し、前記ダイヤモンド粒上に
気相合成法によってダイヤモンドを形成し、このダイヤ
モンドが前記ダイヤモンド粒と結合して基板上に板状の
ダイヤモンド板が形成される。[Function] In the method for manufacturing a diamond plate according to the present invention, diamond grains such as kudzu diamond prepared in advance are fixed on a substrate by plating, and diamond is formed on the diamond grains by a vapor phase synthesis method. is combined with the diamond grains to form a plate-shaped diamond plate on the substrate.
その後、前記基板を機械的又は化学的方法を用いて除去
することにより、前記ダイヤモンド板を単体として取り
出すことができる。Thereafter, by removing the substrate using a mechanical or chemical method, the diamond plate can be taken out as a single piece.
以下、図面と共に本発明によるダイヤモンド板の製造方
法の好適な実施例について詳細に説明する。Hereinafter, preferred embodiments of the method for manufacturing a diamond plate according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第１図は本発明によるダイヤモンド板の製造方法を示す
工程図である。FIG. 1 is a process diagram showing a method for manufacturing a diamond plate according to the present invention.
まず、金属又はセラミック等の材質からなる基板１上に
、無電解めっきによるめっき３によって、例えばクズダ
イヤ等のダイヤモンド粒２を強固に付着させる。このと
き各ダイヤモンド粒２の上面はこのめっき３からは露出
した状態に構成されている。First, diamond grains 2 such as kudzu diamond are firmly adhered to a substrate 1 made of a material such as metal or ceramic by electroless plating 3 . At this time, the upper surface of each diamond grain 2 is exposed from the plating 3.
前述のめっき３によって固着された各ダイヤモンド粒３
に対し、燃焼炎法又はプラズマＣＶＤ法等の気相合成法
によってダイヤモンド４を形成させると、前記めっき３
はエツチングによって飛散してなくなるが、本実施例に
おいては、ガスバーナ５からの燃焼炎６を用いた燃焼炎
法を採用している。Each diamond grain 3 fixed by the aforementioned plating 3
On the other hand, when the diamond 4 is formed by a vapor phase synthesis method such as a combustion flame method or a plasma CVD method, the plating 3
However, in this embodiment, a combustion flame method using a combustion flame 6 from a gas burner 5 is adopted.
前述のダイヤモンド４は、各ダイヤモンド粒２を覆うよ
うに形成され、これらの各ダイヤモンド粒２と一体に結
合してダイヤモンド板７を形成することができる。The aforementioned diamond 4 is formed so as to cover each diamond grain 2, and can be integrally combined with each of these diamond grains 2 to form a diamond plate 7.
このダイヤモンド板７は、前記基板１を機械的又は化学
的処理によって除去することにより、最終的にダイヤモ
ンド板７を得ることができる。This diamond plate 7 can be finally obtained by removing the substrate 1 by mechanical or chemical treatment.
前述の除去方法において、機械的方法の場合、研削盤に
よる研削、石英、ＳｉＣ、ダイヤなどによるラッピング
による研磨を用いる。また、化学的方法の場合、電解質
としてチオ硫酸ソーダ、硝酸などによる電解研磨、過酸
化水素水、硝酸、硫酸、クロム酸による研磨液への浸蝕
を用いる。さらにレーザー加工を用いることもできる。In the above-mentioned removal method, in the case of a mechanical method, grinding with a grinder or polishing by lapping with quartz, SiC, diamond, etc. is used. In the case of a chemical method, electrolytic polishing using sodium thiosulfate, nitric acid, etc. as an electrolyte, and erosion of a polishing liquid using hydrogen peroxide, nitric acid, sulfuric acid, or chromic acid are used. Furthermore, laser processing can also be used.
尚、今回の除去法では、基板１として窒化珪素基板を用
い、研削装置として、（株）マル１へ一製の商品名セラ
ミクロンを用い、ダイヤモンドホイールを用いて、加工
速度１０００ ｍ７分、切り込み０．１ｍｍ、テーブル
送り速度：前後５１１＋１１１／ ｒｅｖ 、左右８０
ｍｍ／分で加工した。In this removal method, a silicon nitride substrate was used as the substrate 1, Ceramicron (trade name, manufactured by Maru 1 Co., Ltd.) was used as the grinding device, and a diamond wheel was used at a processing speed of 1000 m for 7 minutes. 0.1mm, table feed speed: front and back 511+111/rev, left and right 80
Processed at mm/min.
尚、前述の実施例においては、下記の燃焼条件により、
形成したものである。In addition, in the above-mentioned example, due to the following combustion conditions,
It was formed.
燃焼条件
ガス圧力 Ｃ２Ｈ２・・・０．３Ｋｇ／Ｃ＋ｎ２０２
・・・３．０Ｋｇ／Ｃｌ１１２ガス流量 Ｃ２■２１
．５１／「ｏｉｎ０２− ・・１．５１’／＋ｎｉｎ
基板温度 ５００℃
１時間経過後に、基板１を取り出した結果、１００μ厚
のダイヤモンド板７を得ることができた。Combustion conditions Gas pressure C2H2...0.3Kg/C+n202
...3.0Kg/Cl112 gas flow rate C2■21
．． 51/"oin02-...1.51'/+nin Substrate temperature 500° C. After one hour, the substrate 1 was taken out, and as a result, a diamond plate 7 with a thickness of 100 μm could be obtained.
本発明によるダイヤモンド板の製造方法は、以上のよう
に構成されているなめ、次のような効果を得ることがで
きる。Since the method for manufacturing a diamond plate according to the present invention is configured as described above, the following effects can be obtained.
すなわち、基板に固着されたダイヤモンド粒に対してダ
イヤモンドを気相合成法によって形成させ、その後、基
板を除去しているのて、ダイヤモンドの合成時間が極め
て短縮されると共に、板状めダイヤモンド板を短時間に
得ることがてきる。In other words, diamond is formed using a vapor phase synthesis method on diamond particles fixed to a substrate, and then the substrate is removed, which greatly shortens the diamond synthesis time and allows for the formation of a plate-like diamond plate. You can get it in a short time.
従って、ダイヤモンド板を大量生産することがてき、半
導体のヒートシンク等に好適な構成を得ることができる
。Therefore, diamond plates can be mass-produced, and a configuration suitable for semiconductor heat sinks and the like can be obtained.
第１図は、本発明によるダイヤモンド板の製造方法を示
す工程図である。
１は基板、２はダイヤモンド粒、４はダイヤモンド、７
はダイヤモンド板である。
特許出願人 株式会社日木製鋼所
−代寸トFIG. 1 is a process diagram showing a method for manufacturing a diamond plate according to the present invention. 1 is the substrate, 2 is the diamond grain, 4 is the diamond, 7
is a diamond plate. Patent applicant Nikki Steel Works Co., Ltd. - Daisunto
Claims (1)
）を合成するようにしたダイヤモンド板の製造方法にお
いて、 前記基板（１）上にダイヤモンド粒（２）を無電解めっ
きによって固着し、前記ダイヤモンド粒（２）を覆うよ
うに気相合成法によってダイヤモンド（４）を形成し、
前記基板（１）の除去により前記ダイヤモンド粒（２）
とダイヤモンド（４）によるダイヤモンド板（７）を形
成することを特徴とするダイヤモンド板の製造方法。[Claims] A diamond plate (7) is formed on a substrate (1) by a vapor phase synthesis method.
), in which diamond grains (2) are fixed on the substrate (1) by electroless plating, and diamond grains are deposited by vapor phase synthesis so as to cover the diamond grains (2). (4) is formed;
By removing the substrate (1), the diamond grains (2)
and diamond (4) to form a diamond plate (7).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31784490A JPH04193796A (en) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | Production of diamond plate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31784490A JPH04193796A (en) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | Production of diamond plate |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04193796A true JPH04193796A (en) | 1992-07-13 |
Family
ID=18092688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31784490A Pending JPH04193796A (en) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | Production of diamond plate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04193796A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120276403A1 (en) * | 2010-02-04 | 2012-11-01 | Kazushi Nakagawa | Heat sink material |
-
1990
- 1990-11-26 JP JP31784490A patent/JPH04193796A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120276403A1 (en) * | 2010-02-04 | 2012-11-01 | Kazushi Nakagawa | Heat sink material |
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