JPH04188720A - 気相成長用サセプタのエッチング方法 - Google Patents
気相成長用サセプタのエッチング方法Info
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- JPH04188720A JPH04188720A JP31906690A JP31906690A JPH04188720A JP H04188720 A JPH04188720 A JP H04188720A JP 31906690 A JP31906690 A JP 31906690A JP 31906690 A JP31906690 A JP 31906690A JP H04188720 A JPH04188720 A JP H04188720A
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- polysilicon film
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- wafer
- wafer pocket
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体ウェハのエピタキシャル成長に用いるサ
セプタのエツチング方法に関するものである。
セプタのエツチング方法に関するものである。
従来の技術
半導体装置の製造において、エピタキシャル成長技術は
広く用いられている。エピタキシャル成長用のサセプタ
は一般に５ｉＣ（シリコンカーフｓ＋イト）膜でコート
されたグラファイトでできており、また半導体ウェハ、
例えばンリコンウエノ１はウェハポケットと呼ばれる凹
状に座ぐりされた部分に入れられる。そしてエピタキシ
ャル成長を行なうとシリコンウェハ上にはエピタキシャ
ル層が成長し、一方サセプタ上にはポリシリコン膜が成
長する。複数回のエピタキシャル成長を行なうとポリシ
リコン膜が積重なって厚くなりエピタキシャル層にパー
ティクル、結晶欠陥発生等の悪影響が生ずるため、−旦
すセブタ上のポリシリコン膜を高濃度の塩酸ガスでガス
エツチングして除去する。第２図に従来のサセプタエツ
チング時の断面を示す。２はサセプタ、３はウェハポケ
ット、５はサセプタ上に成長したポリシリコン膜である
。
広く用いられている。エピタキシャル成長用のサセプタ
は一般に５ｉＣ（シリコンカーフｓ＋イト）膜でコート
されたグラファイトでできており、また半導体ウェハ、
例えばンリコンウエノ１はウェハポケットと呼ばれる凹
状に座ぐりされた部分に入れられる。そしてエピタキシ
ャル成長を行なうとシリコンウェハ上にはエピタキシャ
ル層が成長し、一方サセプタ上にはポリシリコン膜が成
長する。複数回のエピタキシャル成長を行なうとポリシ
リコン膜が積重なって厚くなりエピタキシャル層にパー
ティクル、結晶欠陥発生等の悪影響が生ずるため、−旦
すセブタ上のポリシリコン膜を高濃度の塩酸ガスでガス
エツチングして除去する。第２図に従来のサセプタエツ
チング時の断面を示す。２はサセプタ、３はウェハポケ
ット、５はサセプタ上に成長したポリシリコン膜である
。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記の従来の方法ではポリシリコン膜のな
いウェハポケット部３は直接高濃度の壇酸ガスに曝され
るため、Ｓ】Ｃ膜でコートされてはいるもののエツチン
グが進行して形状が変化するとともにピンホール等も発
生し、その後のエピタキシャル成長においてシリコンウ
ェハに熱歪による結晶欠陥の発生、汚染による比抵抗バ
ラツキの発生等の問題点があった。
いウェハポケット部３は直接高濃度の壇酸ガスに曝され
るため、Ｓ】Ｃ膜でコートされてはいるもののエツチン
グが進行して形状が変化するとともにピンホール等も発
生し、その後のエピタキシャル成長においてシリコンウ
ェハに熱歪による結晶欠陥の発生、汚染による比抵抗バ
ラツキの発生等の問題点があった。
本発明は上記従来の問題点を解決するものでウェハポケ
ットの形状を変化させない気相成長用サセプタのエツチ
ング方法を提供することを目的とするものである。
ットの形状を変化させない気相成長用サセプタのエツチ
ング方法を提供することを目的とするものである。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明の気相成長用サセプタ
のエツチング方法は、塩酸ガスでポリシリコン膜を除去
する際に、サセプタのウェハポケット部に薄板を載置す
る。
のエツチング方法は、塩酸ガスでポリシリコン膜を除去
する際に、サセプタのウェハポケット部に薄板を載置す
る。
作用
サセプタのウェハポケット部は、薄板が入ることにより
直接塩酸ガスとは接触せずエツチングされない。
直接塩酸ガスとは接触せずエツチングされない。
実施例
以下本発明の実施例を、図面を参照しながら説明する。
第１図に本発明の一実施例における気相成長用サセプタ
のエツチング方法を示す。まず第１図ｆａｔに示すよう
に、ンリコンウエ／％ｌをサセプタ２のウェハポケット
部３に入れてエピタキシャル層４を成長させる。この場
合サセプタ２の上にはポリシリコン膜５が成長する。こ
のエピタキシャル成長を数回繰り返すと第１図ｆｂｌに
示すようにポリシリコン膜５は積重なって厚くなる。次
にこの不要なポリシリコン膜５を高濃度の塩酸、ガスで
エツチングし除去する。この際、ウェハポケット部にシ
リコンウェハと同一形状のＳｉＣ製の薄板６を入れてお
く。このため、ウェハポケット部３は薄板６によって保
護され直接塩酸ガスとは接触せずエツチングされない。
のエツチング方法を示す。まず第１図ｆａｔに示すよう
に、ンリコンウエ／％ｌをサセプタ２のウェハポケット
部３に入れてエピタキシャル層４を成長させる。この場
合サセプタ２の上にはポリシリコン膜５が成長する。こ
のエピタキシャル成長を数回繰り返すと第１図ｆｂｌに
示すようにポリシリコン膜５は積重なって厚くなる。次
にこの不要なポリシリコン膜５を高濃度の塩酸、ガスで
エツチングし除去する。この際、ウェハポケット部にシ
リコンウェハと同一形状のＳｉＣ製の薄板６を入れてお
く。このため、ウェハポケット部３は薄板６によって保
護され直接塩酸ガスとは接触せずエツチングされない。
したがってウエノ１ポケット部３は設計通りの形状がそ
のまま保たれ変化しないので安定した品質のエピタキシ
ャル層か再現性良く得られる。またピンホールの発生も
防止されるので汚染等の心配もなくサセプタ自体の寿命
も飛躍的に増大する。薄板６の材質はＳｉＣが好ましく
、塩酸ガスに対する耐性も比較的あり、またＳｉＣ自体
が高純度のためＳｉＣからの汚染の心配がない。
のまま保たれ変化しないので安定した品質のエピタキシ
ャル層か再現性良く得られる。またピンホールの発生も
防止されるので汚染等の心配もなくサセプタ自体の寿命
も飛躍的に増大する。薄板６の材質はＳｉＣが好ましく
、塩酸ガスに対する耐性も比較的あり、またＳｉＣ自体
が高純度のためＳｉＣからの汚染の心配がない。
なお、薄板として実施例ではＳｉＣにより説明したが石
英板、高純度ンリコンウエハダミーを用いても本発明の
効果は維持し得る。
英板、高純度ンリコンウエハダミーを用いても本発明の
効果は維持し得る。
また、実施例ではウェハポケットを有するサセプタにつ
いて説明したが、ウェハポケットのない平板型サセプタ
にも適用し得る。
いて説明したが、ウェハポケットのない平板型サセプタ
にも適用し得る。
発明の効果
本発明の気相成長用サセプタのエツチング方法は、塩酸
ガスでポリシリコン膜を除去する際に、サセプタのウェ
ハポケット部に薄板を載置することによりウェハポケッ
ト部がエツチングされないため、品質の安定したエピタ
キシャル層か得られるとともに、サセプタの寿命をも増
大させると言う優れた効果が得られる。
ガスでポリシリコン膜を除去する際に、サセプタのウェ
ハポケット部に薄板を載置することによりウェハポケッ
ト部がエツチングされないため、品質の安定したエピタ
キシャル層か得られるとともに、サセプタの寿命をも増
大させると言う優れた効果が得られる。
第１図（ａｌ、 （ｂｌは本発明の実施例における気相
成長用サセプタのエツチング方法の断面図、第２図は従
来の気相成長用サセプタのエツチング方法の断面図であ
る。 １・・・・・・シリコンウェハ、２・・・・・・サセプ
タ、３・・・・・・ウェハポケット、４・・・・・・エ
ピタキシャル層、５・・・・・・ポリシリコン膜、６・
・・・・・薄板。
成長用サセプタのエツチング方法の断面図、第２図は従
来の気相成長用サセプタのエツチング方法の断面図であ
る。 １・・・・・・シリコンウェハ、２・・・・・・サセプ
タ、３・・・・・・ウェハポケット、４・・・・・・エ
ピタキシャル層、５・・・・・・ポリシリコン膜、６・
・・・・・薄板。
Claims (2)
- （１）所定回数のエピタキシャル成長によってサセプタ
上に堆積したポリシリコン膜を塩酸ガスによって除去す
る際に、半導体ウェハ載置部分に前記半導体ウェハと同
一形状の薄板を載置することを特徴とする気相成長用サ
セプタのエッチング方法。 - （２）薄板がＳｉＣであることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の気相成長用サセプタのエッチング方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31906690A JPH04188720A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 気相成長用サセプタのエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31906690A JPH04188720A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 気相成長用サセプタのエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04188720A true JPH04188720A (ja) | 1992-07-07 |
Family
ID=18106120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31906690A Pending JPH04188720A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 気相成長用サセプタのエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04188720A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011159978A (ja) * | 2010-02-03 | 2011-08-18 | Siltronic Ag | エピタキシャル堆積層を有するシリコンから構成される半導体ウェハの製造方法 |
| JP4772918B1 (ja) * | 2010-12-21 | 2011-09-14 | エー・イー・テック株式会社 | 窒化ガリウム（ＧａＮ）自立基板の製造方法及び製造装置 |
| JP2012131692A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-07-12 | Aetech Corp | 窒化ガリウム（ＧａＮ）自立基板の製造方法及び製造装置 |
-
1990
- 1990-11-21 JP JP31906690A patent/JPH04188720A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011159978A (ja) * | 2010-02-03 | 2011-08-18 | Siltronic Ag | エピタキシャル堆積層を有するシリコンから構成される半導体ウェハの製造方法 |
| US9410265B2 (en) | 2010-02-03 | 2016-08-09 | Siltronic Ag | Method for producing a semiconductor wafer composed of silicon with an epitaxially deposited layer |
| JP4772918B1 (ja) * | 2010-12-21 | 2011-09-14 | エー・イー・テック株式会社 | 窒化ガリウム（ＧａＮ）自立基板の製造方法及び製造装置 |
| WO2012086212A1 (ja) * | 2010-12-21 | 2012-06-28 | エー・イー・テック株式会社 | 窒化ガリウム（ＧａＮ）自立基板の製造方法及び製造装置 |
| JP2012131662A (ja) * | 2010-12-21 | 2012-07-12 | Aetech Corp | 窒化ガリウム（ＧａＮ）自立基板の製造方法及び製造装置 |
| KR101356381B1 (ko) * | 2010-12-21 | 2014-01-27 | 에이.이. 테크 가부시키가이샤 | 질화갈륨(ＧａＮ) 자립 기판의 제조 방법 및 제조 장치 |
| JP2012131692A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-07-12 | Aetech Corp | 窒化ガリウム（ＧａＮ）自立基板の製造方法及び製造装置 |
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