JPH04187507A - 酸化物超電導薄膜の作製方法 - Google Patents
酸化物超電導薄膜の作製方法Info
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- JPH04187507A JPH04187507A JP31930290A JP31930290A JPH04187507A JP H04187507 A JPH04187507 A JP H04187507A JP 31930290 A JP31930290 A JP 31930290A JP 31930290 A JP31930290 A JP 31930290A JP H04187507 A JPH04187507 A JP H04187507A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、酸化物超電導薄膜の作製方法に関する。より
詳細には、レーザアブレーション法ヲ用いて、高品質な
酸化物超電導体の薄膜を作製する方法に関する。
詳細には、レーザアブレーション法ヲ用いて、高品質な
酸化物超電導体の薄膜を作製する方法に関する。
従来の技術
薄膜の作製には、各種の方法が使用されるが、レーザア
ブレーション法は、−切の電磁場を必要としないので、
高品質の薄膜を作製するのに適した方法と考えられてい
る。
ブレーション法は、−切の電磁場を必要としないので、
高品質の薄膜を作製するのに適した方法と考えられてい
る。
特に、エキシマレーザをレーザ光源に使用するエキシマ
レーザアブレーション法は、20Onm付近の短波長領
域の高エネルギレーザ光を使用するので、薄膜を高速且
つ低い基板温度で作製できる。
レーザアブレーション法は、20Onm付近の短波長領
域の高エネルギレーザ光を使用するので、薄膜を高速且
つ低い基板温度で作製できる。
また、下記の利点があり、多元系の化合物である酸化物
超電導体の薄膜化に適した技術として注目されている。
超電導体の薄膜化に適した技術として注目されている。
■ ターゲットとの組成のずれの無い薄膜が得られる。
■ 雰囲気の圧力がI Torr付近までの広い領域で
成膜ができる。
成膜ができる。
■ 成長速度を極めて速くすることができる。
■ 高エネルギ光による非熱平衡過程である。
しかしながら、エキシマレーザはパルス発振のレーザで
あり、通常その発光時間は10数ナノ秒程度の極めて短
い。そのため、上記のエキシマレーザを光源に使用した
レーザアブレーション法では、ターゲットにパルスレー
ザ光が断続的に照射される。
あり、通常その発光時間は10数ナノ秒程度の極めて短
い。そのため、上記のエキシマレーザを光源に使用した
レーザアブレーション法では、ターゲットにパルスレー
ザ光が断続的に照射される。
一般にレーザアブレーション法では、ターゲットがレー
ザに照射されている闇のみ、ターゲットから粒子または
蒸気が飛散する。ターゲットから飛散した粒子または蒸
気は、基板表面における反応により基板表面で薄膜とな
って堆積する。パルス幅の極めて短くエネルギの高いエ
キシマレーザでは、lパルスのレーザ光で多量の粒子ま
たは蒸気を発生させることができる。従って、パルス数
により成長速度を非常に速くすることができるが、その
場合には、結晶化が充分性われず膜質が悪化することが
ある。
ザに照射されている闇のみ、ターゲットから粒子または
蒸気が飛散する。ターゲットから飛散した粒子または蒸
気は、基板表面における反応により基板表面で薄膜とな
って堆積する。パルス幅の極めて短くエネルギの高いエ
キシマレーザでは、lパルスのレーザ光で多量の粒子ま
たは蒸気を発生させることができる。従って、パルス数
により成長速度を非常に速くすることができるが、その
場合には、結晶化が充分性われず膜質が悪化することが
ある。
一方、酸化物超電導薄膜を形成する際の成膜温度(通常
は基板温度)は一般に約700℃以上と高く、薄膜を形
成する基板、基材等の熱による劣化あるいは反応を防ぐ
ために、成膜温度の低温化が望まれている。特に、酸化
物超電導薄膜を電子工学の分野に応用する場合には必須
の技術である。
は基板温度)は一般に約700℃以上と高く、薄膜を形
成する基板、基材等の熱による劣化あるいは反応を防ぐ
ために、成膜温度の低温化が望まれている。特に、酸化
物超電導薄膜を電子工学の分野に応用する場合には必須
の技術である。
しかしながら、通常成膜温度を低温にすると、酸化物超
電導薄膜の結晶性が悪くなる。または、酸化が不十分に
なる等の不都合が生じ、特性は劣化する。
電導薄膜の結晶性が悪くなる。または、酸化が不十分に
なる等の不都合が生じ、特性は劣化する。
この問題を解決する方法として、単にターゲットにレー
ザを照射するだけでなく、成膜時に基板近傍においてプ
ラズマを発生させる方法が検討されている。成膜時に基
板近傍で活性な酸素プラズマを発生させると酸化が促進
され、且つプラズマにより薄膜を形成する原子種が活性
化され、低い基板温度での成膜が可能であると考えられ
る。
ザを照射するだけでなく、成膜時に基板近傍においてプ
ラズマを発生させる方法が検討されている。成膜時に基
板近傍で活性な酸素プラズマを発生させると酸化が促進
され、且つプラズマにより薄膜を形成する原子種が活性
化され、低い基板温度での成膜が可能であると考えられ
る。
発明が解決しようとする課題
しかし従来は、酸素プラズマを直接基板成膜面に向けて
発生させていたため、高エネルギを有する活性な酸素原
子種により、生成膜が損傷を受け、十分にその効果を発
揮させることができなかった。
発生させていたため、高エネルギを有する活性な酸素原
子種により、生成膜が損傷を受け、十分にその効果を発
揮させることができなかった。
そこで本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決し
た優れた超電導特性の高品質な酸化物超電導薄膜を作製
可能な酸化物超電導薄膜のレーザアブレーション法によ
る作製方法を提供することにある。
た優れた超電導特性の高品質な酸化物超電導薄膜を作製
可能な酸化物超電導薄膜のレーザアブレーション法によ
る作製方法を提供することにある。
課題を解決するための手段
本発明に従うと、ターゲットにレーザ光を照射して、前
記ターゲットに対向して配置した基板上に薄膜を成長さ
せるレーザアブレーション法により酸化物超電導体の薄
膜を作製する方法において、ターゲットにレーザ光を照
射する際に、前記基板近傍で前記基板の成膜面に平行に
酸素プラズマを通過させることを特徴とする酸化物超電
導薄膜の作製方法が提供される。
記ターゲットに対向して配置した基板上に薄膜を成長さ
せるレーザアブレーション法により酸化物超電導体の薄
膜を作製する方法において、ターゲットにレーザ光を照
射する際に、前記基板近傍で前記基板の成膜面に平行に
酸素プラズマを通過させることを特徴とする酸化物超電
導薄膜の作製方法が提供される。
作用
本発明の方法は、レーザアブレーション法で基板上に酸
化物超電導薄膜を作製する場合に、基板近傍に基板成膜
面に平行に酸素プラズマを発生させるところに主要な特
徴がある。本発明の方法では、プラズマが発生する方向
が、基板成膜面に平行である。従って、高エネルギのプ
ラズマが直接衝突することが原因で起こる基板成膜面お
よび薄膜の成長面の損傷が防げる。
化物超電導薄膜を作製する場合に、基板近傍に基板成膜
面に平行に酸素プラズマを発生させるところに主要な特
徴がある。本発明の方法では、プラズマが発生する方向
が、基板成膜面に平行である。従って、高エネルギのプ
ラズマが直接衝突することが原因で起こる基板成膜面お
よび薄膜の成長面の損傷が防げる。
本発明の方法は、例えば、マイクロ波電子サイクロトロ
ン共鳴(ECR)プラズマ装置を使用することにより実
現できる。即ち、基板成膜面に平行なプラズマが発生可
能な位置に、ECRプラズマ装置を備えるレーザアブレ
ーション法置を使用する。ECRプラズマ装置を使用す
る場合、加速電圧は100V〜1.5kVで、基板成膜
面に平行にプラズマを飛ばすことが好ましい。また、基
板にバイアス電圧を印加して、高エネルギを持った酸素
イオン種が適度なエネルギを持って基板上に達するよう
にすることも好ましい。
ン共鳴(ECR)プラズマ装置を使用することにより実
現できる。即ち、基板成膜面に平行なプラズマが発生可
能な位置に、ECRプラズマ装置を備えるレーザアブレ
ーション法置を使用する。ECRプラズマ装置を使用す
る場合、加速電圧は100V〜1.5kVで、基板成膜
面に平行にプラズマを飛ばすことが好ましい。また、基
板にバイアス電圧を印加して、高エネルギを持った酸素
イオン種が適度なエネルギを持って基板上に達するよう
にすることも好ましい。
以下、本発明を実施例により、さらに詳しく説明するが
、以下の開示は本発明の単なる実施例に過ぎず、本発明
の技術的範囲をな、んら制限するものではない。
、以下の開示は本発明の単なる実施例に過ぎず、本発明
の技術的範囲をな、んら制限するものではない。
実施例
第1図に、本発明の方法を実施するレーザアブレーショ
ン装置の一例の概略図を示す。第1図のレーザアブレー
ション装置は、レーザ入射窓12およびECRプラズマ
装置8を具備し、排気口10から内部を高真空に排気可
能なチャンバ3と、チャンバ3内に配置された内部に基
板加熱用のヒータを備える基板ホルダ5と、モータ16
で回転されるターゲットホルダ7とを具備する。
ン装置の一例の概略図を示す。第1図のレーザアブレー
ション装置は、レーザ入射窓12およびECRプラズマ
装置8を具備し、排気口10から内部を高真空に排気可
能なチャンバ3と、チャンバ3内に配置された内部に基
板加熱用のヒータを備える基板ホルダ5と、モータ16
で回転されるターゲットホルダ7とを具備する。
チャンバ3の外部には、エキシマレーザ装置1およびレ
ーザ光を集光する集光レンズ2が配置され、基板ホルダ
5に接続されたバイアス電源51が設けられている。
ーザ光を集光する集光レンズ2が配置され、基板ホルダ
5に接続されたバイアス電源51が設けられている。
レーザ装置lで発生されたレーザ光は、集光レンズ2で
集光され、チャンバ3のレーザ入射窓12に入射し、タ
ーゲットホルダ7に固定された原料ターゲット6を照射
する。レーザ光はターゲット6の中心からやや外れた位
置を照射するようになされている。ターゲット6は、モ
ータ16により回転されるので、この装置においては、
ターゲット6の一部だけがレーザ光に照射されることが
ない。
集光され、チャンバ3のレーザ入射窓12に入射し、タ
ーゲットホルダ7に固定された原料ターゲット6を照射
する。レーザ光はターゲット6の中心からやや外れた位
置を照射するようになされている。ターゲット6は、モ
ータ16により回転されるので、この装置においては、
ターゲット6の一部だけがレーザ光に照射されることが
ない。
一方、ECRプラズマ装置8は、酸素導入口13から供
給された02ガスを高電圧放電によりプラズマ化し、基
板ホルダ5に保持された基板4の成膜面に平行に照射す
る。必要に応じ、バイアス電源装置51を使用して基板
ホルダ5にバイアス電圧を印加し、ECRプラズマ装置
8により発生された酸素プラズマが、基板4に到達し易
くする。
給された02ガスを高電圧放電によりプラズマ化し、基
板ホルダ5に保持された基板4の成膜面に平行に照射す
る。必要に応じ、バイアス電源装置51を使用して基板
ホルダ5にバイアス電圧を印加し、ECRプラズマ装置
8により発生された酸素プラズマが、基板4に到達し易
くする。
第1図の装置を使用して、本発明の方法てY−Ba−C
u−0酸化物超電導薄膜を作製した。5rTiQ3単結
晶を基板4として使用し、ターゲット6にY、Ba2C
u307−X粉末の成形体を使用した。基板ホルダ5と
ターゲット6との間隔を50m+++にし、基板ホルダ
5を陰極として、直流電源51によりIOVの直流電圧
を印加した。基板温度は600℃に設定した。温度の測
定は、通常の熱電対で更正したシース熱電対を使用した
。
u−0酸化物超電導薄膜を作製した。5rTiQ3単結
晶を基板4として使用し、ターゲット6にY、Ba2C
u307−X粉末の成形体を使用した。基板ホルダ5と
ターゲット6との間隔を50m+++にし、基板ホルダ
5を陰極として、直流電源51によりIOVの直流電圧
を印加した。基板温度は600℃に設定した。温度の測
定は、通常の熱電対で更正したシース熱電対を使用した
。
チャンバ3内をI Xl0−’Torrまて真空引きし
た後、ECRプラズマ装置8に○、ガスを導入して0、
1 mTorrにし、以下の条件で成膜を行った。
た後、ECRプラズマ装置8に○、ガスを導入して0、
1 mTorrにし、以下の条件で成膜を行った。
基 板 5rTi○3(100)レー
ザ光エネルギ 1.5J/cnf 酸素ガス圧 0.1mTarr 基板温度 600 ℃ 成膜時間 15分間 ECRプラズマ装置 放電電圧 2,3 kV 加速電圧 100v レーザは、波長193 nmのエキシマレ−ザラ使用し
た。
ザ光エネルギ 1.5J/cnf 酸素ガス圧 0.1mTarr 基板温度 600 ℃ 成膜時間 15分間 ECRプラズマ装置 放電電圧 2,3 kV 加速電圧 100v レーザは、波長193 nmのエキシマレ−ザラ使用し
た。
成膜後、得られた酸化物超電導薄膜の断面を透過型電子
顕微鏡で観察し、また、超電導特性を測定した。
顕微鏡で観察し、また、超電導特性を測定した。
本発明の方法に従って作製された酸化物超電導薄膜は、
膜厚200 nmに亘って−様な結晶で構成され、結晶
の乱れはなかった。
膜厚200 nmに亘って−様な結晶で構成され、結晶
の乱れはなかった。
以下に薄膜の超電導特性を示す。
臨界温度 85 K
臨界電流密度 1.2 XIO’ A/cm従って、
本発明の方法により、高品質の酸化物超電導薄膜を作製
することが可能になった。
本発明の方法により、高品質の酸化物超電導薄膜を作製
することが可能になった。
発明の詳細
な説明したように、本発明の方法に従うと、レーザアブ
レーション法により、高品質の薄膜を作製することがで
きる。本発明の方法により作製される酸化物超電導薄膜
は、ジョセフソン素子、超電導トランジスタ等の電子デ
バイスに応用するのに最適である。
レーション法により、高品質の薄膜を作製することがで
きる。本発明の方法により作製される酸化物超電導薄膜
は、ジョセフソン素子、超電導トランジスタ等の電子デ
バイスに応用するのに最適である。
第1図は、本発すの方法を実施するレーザアブレーショ
ン装置の一例の概略図である。 7主な参照番号〕 1・・・エキシマレーザ、 2・・・レンズ、 3・・・チャンバ、4・・・基板
、 5・・・基板ホルダ、6・ ・ ・ターゲット、 7・・・ターゲットホルダ、 8・・・ECRプラズマ装置、 10・・・排気口、 12・・・レーザ入射窓、 13・・・酸素導入口、 16・・・モータ、 51・・・直流電源 特許出願人 住友電気工業株式会社
ン装置の一例の概略図である。 7主な参照番号〕 1・・・エキシマレーザ、 2・・・レンズ、 3・・・チャンバ、4・・・基板
、 5・・・基板ホルダ、6・ ・ ・ターゲット、 7・・・ターゲットホルダ、 8・・・ECRプラズマ装置、 10・・・排気口、 12・・・レーザ入射窓、 13・・・酸素導入口、 16・・・モータ、 51・・・直流電源 特許出願人 住友電気工業株式会社
Claims (1)
- ターゲットにレーザ光を照射して、前記ターゲットに
対向して配置した基板上に薄膜を成長させるレーザアブ
レーション法により酸化物超電導体の薄膜を作製する方
法において、ターゲットにレーザ光を照射する際に、前
記基板近傍で前記基板の成膜面に平行に酸素プラズマを
通過させることを特徴とする酸化物超電導薄膜の作製方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31930290A JPH04187507A (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | 酸化物超電導薄膜の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31930290A JPH04187507A (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | 酸化物超電導薄膜の作製方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04187507A true JPH04187507A (ja) | 1992-07-06 |
Family
ID=18108683
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31930290A Pending JPH04187507A (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | 酸化物超電導薄膜の作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04187507A (ja) |
-
1990
- 1990-11-22 JP JP31930290A patent/JPH04187507A/ja active Pending
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