JPH04186855A - Probing equipment - Google Patents
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- JPH04186855A JPH04186855A JP31704690A JP31704690A JPH04186855A JP H04186855 A JPH04186855 A JP H04186855A JP 31704690 A JP31704690 A JP 31704690A JP 31704690 A JP31704690 A JP 31704690A JP H04186855 A JPH04186855 A JP H04186855A
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- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 89
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 27
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 241000288673 Chiroptera Species 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、プロービング装置に関する。[Detailed description of the invention] [Purpose of the invention] (Industrial application field) The present invention relates to a probing device.
（従来の技術）
一般に、半導体デバイスは、精密写真転写技術等により
半導体ウェハ上に同時に多数形成され、この後、各半導
体デバイス（半導体チップ）に切断されるか、このよう
な半導体デバイスの製造工程においては、従来から一半
導体つエノ＼の状態（切断前）で、半導体デバイスの電
気的特性を検査することが行われている。このような半
導体ウェハの状態での検査では、各半導体デバイスに形
成された微小な電極パッドに接触させて電気的な導通を
得るためのプロービング装置として、従来から例えばプ
ローブカードか用いられている。(Prior Art) In general, a large number of semiconductor devices are simultaneously formed on a semiconductor wafer using precision photo transfer technology, etc., and then cut into individual semiconductor devices (semiconductor chips), or the manufacturing process of such semiconductor devices is Conventionally, electrical characteristics of a semiconductor device have been tested in the state of a single semiconductor (before cutting). In such inspections of semiconductor wafers, a probe card, for example, has conventionally been used as a probing device for contacting minute electrode pads formed on each semiconductor device to establish electrical continuity.
上記プローブカードは、基体例えば開口を有するプリン
ト基板と、この開口の周縁部から内側へ向けて測定対象
物の電極に対応して突出する如く植設された複数の探針
とから構成されている。また、このプリント基板には、
例えば各探針とプリンＩ・基板の外側周縁部に設けられ
た電極等とを電気的に接続する導電パターンが形成され
ており、プリント基板の外側周縁部において、各探針と
の電気的接続を行うことかできるよう構成されている。The above-mentioned probe card is composed of a base, for example, a printed circuit board having an opening, and a plurality of probes that are implanted so as to protrude inward from the periphery of the opening so as to correspond to the electrodes of the object to be measured. . In addition, this printed circuit board has
For example, a conductive pattern is formed that electrically connects each probe to an electrode provided on the outer periphery of the printed circuit board. It is configured so that it can be done.
そして、真空チャック等により半導体ウニＩ＼を保持し
、この半導体ウェハをｘ−ｙ−ｚ方向に移動させる装置
、いわゆるプローバに、上記プローブカードを固定し、
このプローハによって半導体ウェハを駆動してプローブ
カードの探針を半導体ウェハ上に形成された各半導体デ
バイスの電極バットに次々と接触させて電気的な導通を
得、テスタにより電気的な特性の測定を行っている。Then, the probe card is fixed to a so-called prober, which is a device that holds the semiconductor wafer I\ with a vacuum chuck or the like and moves this semiconductor wafer in the x-y-z directions.
This prober drives the semiconductor wafer and brings the probes of the probe card into contact with the electrode butts of each semiconductor device formed on the semiconductor wafer one after another to obtain electrical continuity, and the tester measures the electrical characteristics. Is going.
ところで、例えば近年開発された４ＭＤＲＡＭ等の半導
体デバイスの電気的特性の検査等では、半導体デバイス
の周縁部のみてはなく、半導体デバイスの内側に配列さ
れた電極バットに探針を接触させる必要か生しる場合が
ある。このような場合、半導体デバイスの周縁部の電極
バットに対応した探針に較べて、半導体デバイスの内側
に配列された電極バットに対応した探針の長さ（プリン
ト基板からの突出長さ）か長くなり、電極パッドに対す
る針圧が異なってしまう。By the way, for example, in testing the electrical characteristics of semiconductor devices such as 4M DRAMs that have been developed in recent years, it is necessary to bring the probe into contact not only with the periphery of the semiconductor device but also with the electrode butts arranged inside the semiconductor device. It may happen. In such a case, the length of the probe corresponding to the electrode butts arranged inside the semiconductor device (the length protruding from the printed circuit board) is longer than that of the probe corresponding to the electrode butts on the periphery of the semiconductor device. This results in a difference in needle pressure against the electrode pad.
このため、従来は、突出長さの長い探針には、針径の太
い探針を用い、電極バットに対する針圧か突出長さの短
い探針と等しくなるよう調節している。For this reason, conventionally, a probe with a large needle diameter is used for a probe with a long protrusion length, and the needle pressure against the electrode butt is adjusted to be equal to that of a probe with a short protrusion length.
（発明か解決しようとする課題）
上述したように、従来のプロービング装置では、探針の
基体からの突出長さか異なる場合かある。この場合、針
径の異なる探針を用いで各探剣の電極バットに対する針
圧か等しくなるよう調節を行っている。(Problems to be Solved by the Invention) As described above, in conventional probing devices, the protrusion length of the probe from the base body may be different. In this case, probes with different needle diameters are used to adjust the needle pressure of each probe against the electrode butt to be equal.
しかしながら、上記説明の従来のプロービング装置では
、電極バットに対する針圧はほぼ等しくすることかでき
るものの、基体からの突出長さの長い探針の横方向への
位置すれ（措振れ）か大きくなり、電極バットへの接触
状態か突出長さの短い探針と異なり、確実な電気的接続
を行えなくなる可能性か生しるという問題かあった。However, in the conventional probing device described above, although the needle pressure against the electrode butt can be made almost equal, the lateral positional deviation (shingle) of the probe, which has a long protruding length from the base, becomes large. Unlike a probe that is in contact with the electrode butt or has a short protrusion length, there is a problem that there is a possibility that a reliable electrical connection cannot be made.
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、各探針をほぼ等しい針圧状態でそれぞれの所望部位に
確実に接触させることができ、良好な電気的測定を行う
ことのできるプロービング装置を提供しようとするもの
である。The present invention has been made in response to such conventional circumstances, and it is possible to reliably bring each probe into contact with each desired site with approximately equal needle pressure, and to perform good electrical measurements. The present invention aims to provide a probing device.
［発明の構成コ
（課題を解決するための手段）
すなわち本発明は、基体に、測定対象物の電極に向けて
突出する如く複数の探針を固定したプロービング装置で
あって、前記基体からの突出長さの異なる少なくとも２
種類の前記探針を具備したプロービング装置において、
前記基体からの突出長さの長い探針および前記基体から
の突出長さの短い探針のスパン距離が前記ＩＩ定対象物
の各電極に対してほぼ同じく支持する如く探針支持部を
設けたことを特徴とする。[Structure of the Invention (Means for Solving the Problems) The present invention is a probing device in which a plurality of probes are fixed to a base so as to protrude toward electrodes of a measurement object, and the At least 2 with different protrusion lengths
In a probing device equipped with the above-mentioned probe of the type,
A probe support portion is provided so that the probe with a long protrusion length from the base body and the probe with a short protrusion length from the base body have span distances that support each electrode of the II constant object almost equally. It is characterized by
（作 用）
本発明のプロービング装置では、基体からの突出長さの
長い探針の突出部の一部を支持する如く探針支持部か設
けられている。(Function) In the probing device of the present invention, a probe support portion is provided to support a part of the protruding portion of the probe that protrudes from the base body with a long length.
したかって、探針の実質的な突出長さを短くすることが
でき、基体からの突出長さの短い探針とほぼ等しい状態
で所望部位に確実に接触させることができる。このため
、良好な電気的測定を行うことかできる。Therefore, the substantial protrusion length of the probe can be shortened, and the probe can be reliably brought into contact with a desired site in a state approximately equal to that of a probe whose protrusion length from the base is short. Therefore, good electrical measurements can be made.
（実施例） 以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。(Example) Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図に示すように、基体例えばセラミックス等から構
成されたプリント基板１は、はぼ矩形状に形成されてお
り、その中央部には、開口２が穿設されている。As shown in FIG. 1, a printed circuit board 1 made of a base material such as ceramics is formed into a rectangular shape, and an opening 2 is bored in the center thereof.
このプリント基板コの下面の開口２周縁部には、第２図
に示すように、下面を斜めに形成された環状の探針固定
リング３が設けられている。この探針固定リング３には
、全長の異なる２種類の探針４ａ、４ｂか、先端部が下
側に向かう如く斜めに固定されている。これらの探針４
ａ、４ｂの探針固定リング３への固定は例えばエポキン
系接着剤等により行われている。As shown in FIG. 2, an annular probe fixing ring 3 whose lower surface is formed obliquely is provided around the periphery of the opening 2 on the lower surface of this printed circuit board. Two types of probes 4a and 4b having different overall lengths are fixed to the probe fixing ring 3 obliquely with their tips facing downward. These probes 4
The fixing of a and 4b to the probe fixing ring 3 is performed using, for example, an Epokin adhesive.
なお、図中探針４ａは、全長が短く、したがって、プリ
ント基板］ （探針固定リング３）からの突出長さか短
く設定されており、測定対象である半導体デバイス１ｏ
の周縁部に配列された電極バットｌｌａに対応して設け
られている。また、探針４ｂは、全長か長く、したかっ
て、プリント基板１ （探針固定リング３）からの突出
長さか長く設定されており、半導体デバイス］０の内側
部に配列された電極パット１１ｂに対応して設けられて
いる。これらの探針４ａ、４ｂはプリント基板コの下面
に形成された図示しない導電パターンによってプリント
基板］の外側周縁部まで電気的に導出されている。Note that the probe 4a in the figure has a short overall length, and is therefore set to have a short protrusion length from the printed circuit board (probe fixing ring 3), making it difficult to measure the semiconductor device 1o to be measured.
are provided corresponding to the electrode batts lla arranged on the peripheral edge of the electrode batts lla. Further, the probe 4b is set to have a long full length, that is, a long protrusion length from the printed circuit board 1 (probe fixing ring 3), and is attached to the electrode pads 11b arranged on the inside of the semiconductor device 0. It is set up accordingly. These probes 4a and 4b are electrically led out to the outer peripheral edge of the printed circuit board by a conductive pattern (not shown) formed on the lower surface of the printed circuit board.
また、上記プリント基板１の開口２には、プリント基板
１からの突出長さか長い探針４ｂの中間部を支持するた
めの探針支持部として、例えばセラミックス等から板状
に形成された２つの探針支持部材５か、探針４ａ、４ｂ
の配列方向に沿って設けられている。探針４ｂは、第２
図に示すΩ１（探針４ａのプリント基板］からの突出長
さ）がρ２ （探針４ｂの探針支持部材５との固定位置
から先端までの長さ）と等しくなる、すなわちスパン長
さか等しくなるようにこれらの探針支持部材５の下端部
に例えば接着剤等により固定されている。Further, in the opening 2 of the printed circuit board 1, two plate-shaped probe supports made of, for example, ceramics are provided to support the middle part of the long probe 4b that protrudes from the printed circuit board 1. Probe support member 5 or probes 4a, 4b
are provided along the arrangement direction. The probe 4b is the second
In the figure, Ω1 (the protruding length of the probe 4a from the printed circuit board) is equal to ρ2 (the length from the fixed position of the probe 4b with the probe support member 5 to the tip), that is, the span length is equal to They are fixed to the lower ends of these probe support members 5 by, for example, adhesive.
上記構成の二の実施例のプロービング装置は、例えばプ
ローノ１の所定部位に固定され、各探針４ａ、４ｂはプ
リント基板１の図示しない導電パターンを介して電気的
ｍｌ定装置であるテスタに電気的に接続される。そして
、プローバにより半導体ウェハを駆動し、半導体ウエノ
＼の各半導体デバイス１０の電極パッドＩｌａ、ｌｌｂ
を、下側から探針４ａ、４ｂに接触させ、各半導体デフ
１イスの電気的特性の測定を行う。The probing device of the second embodiment having the above configuration is fixed, for example, to a predetermined portion of the probe 1, and each probe 4a, 4b is connected to a tester, which is an electrical ml determination device, via a conductive pattern (not shown) on the printed circuit board 1. connected. Then, the semiconductor wafer is driven by a prober, and the electrode pads Ila, llb of each semiconductor device 10 on the semiconductor wafer are
is brought into contact with the probes 4a and 4b from below to measure the electrical characteristics of each semiconductor differential chair.
この時、探針４ａ、４ｂは全長か異なり、プリント基板
１ （探針固定リング３）からの突出長さか異なるか、
Ω１とｇ２が等しくなるよう突出長さか長い探針４ｂの
中間部か探針支持部材５によって支持されているのて、
探針４ａと探針４ｂとの実質的な突出長さかほぼ等しく
なる。このため、同じ針径であっても同様な針圧を得る
ことができ、かつ、横方向への位置すれ（横振れ）もほ
ぼ等しくすることかできる。したがって、各探針４ａ。At this time, the probes 4a and 4b have different total lengths, different protruding lengths from the printed circuit board 1 (probe fixing ring 3),
Since the middle part of the probe 4b having a long protrusion length is supported by the probe support member 5 so that Ω1 and g2 are equal,
The actual protruding lengths of the probe 4a and the probe 4b are approximately equal. Therefore, even if the needle diameter is the same, similar needle pressure can be obtained, and lateral positional deviation (lateral deflection) can also be made almost equal. Therefore, each probe 4a.
４ｂをほぼ等しい状態でそれぞれの電極パッド１１ａ、
ｌｌｂに確実に接触させることかでき、半導体デバイス
１０の電気的測定を良好な状態て行うことかてきる。4b in a substantially equal state, each electrode pad 11a,
llb can be reliably contacted, and electrical measurements of the semiconductor device 10 can be made in good condition.
なお、上記実施例では、探針４ｂの中間部を支持するた
めの探針支持部として、例えばセラミックス等から板状
に形成された２つの探針支持部材５を用いた例について
説明したか、この探針支持部材５は種々の変形か可能で
ある。例えば第３図および第４図に示すように、上記実
施例における探針固定リング３と探針支持部材５とを一
体的に形成した探針支持部付の探針固定リング３０等を
用いることもてき、前述の実施例と同様な効果を得るこ
とができる。In addition, in the above embodiment, an example was described in which two probe support members 5 formed in a plate shape made of ceramics or the like were used as the probe support portion for supporting the intermediate portion of the probe 4b. This probe support member 5 can be modified in various ways. For example, as shown in FIGS. 3 and 4, a probe fixing ring 30 with a probe support part formed by integrally forming the probe fixing ring 3 and the probe support member 5 in the above embodiment may be used. Therefore, it is possible to obtain the same effects as in the above-mentioned embodiments.
［発明の効果コ
以上説明したように、本発明のブローピンク装置によれ
ば、各探針をほぼ等しい状態でそれぞれの所望部位に確
実に接触させることかでき、良好な電気的測定を行うこ
とかできる。[Effects of the Invention] As explained above, according to the blow pink device of the present invention, each probe can be reliably brought into contact with each desired part in a substantially equal state, and good electrical measurements can be performed. I can do it.
第１図は本発明の一実施例のプロービング装置の構成を
示す図、第２図は第１図のプロービング装置の要部断面
を示す図、第３図および第４図は他の実施例のプロービ
ング装置の構成を示す図である。
１・・・プリント基板、２ ・・開口、３・・・・探針
固定リング、４ａ・・・・突出長さの短い探針、４ｂ・
・突出長さの長い探針、５・・・・探針支持部材、］
０・・・半導体デバイス、ｌｌａ・・・・周縁部に配列
された電極バット、１１ｂ・・・・・・内側部に配列さ
れた電極パッド。
出願人 東京エレクトロン山梨株式会社代理人 弁理
士 須 山 佐 −
（ほか１名）FIG. 1 is a diagram showing the configuration of a probing device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing a cross section of a main part of the probing device of FIG. 1, and FIGS. 1 is a diagram showing the configuration of a probing device. 1... Printed circuit board, 2... Opening, 3... Probe fixing ring, 4a... Probe with short protrusion length, 4b...
・Probe with long protrusion length, 5... Probe support member,]
0: Semiconductor device, lla: Electrode bats arranged on the peripheral edge, 11b: Electrode pads arranged on the inner side. Applicant Tokyo Electron Yamanashi Co., Ltd. Agent Patent Attorney Sasa Suyama - (1 other person)
Claims (1)
複数の探針を固定したプロービング装置であって、前記
基体からの突出長さの異なる少なくとも２種類の前記探
針を具備したプロービング装置において、 前記基体からの突出長さの長い探針および前記基体から
の突出長さの短い探針のスパン距離が前記測定対象物の
各電極に対してほぼ同じく支持する如く探針支持部を設
けたことを特徴とするプロービング装置。(1) A probing device in which a plurality of probes are fixed to a base so as to protrude toward the electrodes of the object to be measured, the probing having at least two types of probes having different lengths of protrusion from the base. In the apparatus, the probe support portion is configured such that the probe having a long protrusion length from the base body and the probe having a short protrusion length from the base body have span distances that support each electrode of the measurement object in approximately the same manner. A probing device characterized by:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31704690A JPH04186855A (en) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | Probing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31704690A JPH04186855A (en) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | Probing equipment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04186855A true JPH04186855A (en) | 1992-07-03 |
Family
ID=18083815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31704690A Pending JPH04186855A (en) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | Probing equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04186855A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5926028A (en) * | 1996-05-17 | 1999-07-20 | Tokyo Electron Limited | Probe card having separated upper and lower probe needle groups |
| US5982184A (en) * | 1996-12-19 | 1999-11-09 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | Test head for integrated circuits |
| JP2006010559A (en) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Nidec-Read Corp | Probe device, and substrate inspection device |
-
1990
- 1990-11-21 JP JP31704690A patent/JPH04186855A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5926028A (en) * | 1996-05-17 | 1999-07-20 | Tokyo Electron Limited | Probe card having separated upper and lower probe needle groups |
| US5982184A (en) * | 1996-12-19 | 1999-11-09 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | Test head for integrated circuits |
| JP2006010559A (en) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Nidec-Read Corp | Probe device, and substrate inspection device |
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