JPH04186524A - 記録媒体 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は記録媒体または磁気記録ディスク、磁気記録テ
ープ等のようにヘッドが一時的あるいは定常的に接触す
るタイプの記録媒体の表面だ施される保護膜、潤滑剤分
子層などの積層構造に関する。
ープ等のようにヘッドが一時的あるいは定常的に接触す
るタイプの記録媒体の表面だ施される保護膜、潤滑剤分
子層などの積層構造に関する。
たとえば電子計算機の大容量記憶装置として使用される
磁気記録ディスク(以下磁気ディスクと称する)は、非
磁性基板の表面に記録密度の高い強磁性薄膜がスパッタ
法などによう形成される。
磁気記録ディスク(以下磁気ディスクと称する)は、非
磁性基板の表面に記録密度の高い強磁性薄膜がスパッタ
法などによう形成される。
また、その上に非晶質炭素からなる保護膜を形成し、更
に、耐摺動性、耐食性を高めるために保護1[)上にパ
ーフルオロポリエーテル系の液体潤滑剤を塗布すること
が一般に行われている。
に、耐摺動性、耐食性を高めるために保護1[)上にパ
ーフルオロポリエーテル系の液体潤滑剤を塗布すること
が一般に行われている。
この場合、液体?elfM剤の保護膜表面への付着性が
磁気ディスクの耐摺動性、耐食性に大きく影響するが、
この方式では、液体潤滑剤はヘッドとの摺動によって飛
散したプ、高温あSいは低温条件下では潤滑性能が大き
く変化する傾向があった。
磁気ディスクの耐摺動性、耐食性に大きく影響するが、
この方式では、液体潤滑剤はヘッドとの摺動によって飛
散したプ、高温あSいは低温条件下では潤滑性能が大き
く変化する傾向があった。
また、潤滑剤を塗布する工程で潤滑剤の濃度や保護膜表
面の状態が潤滑剤付着量に微妙に影響し、潤滑剤漢厚の
制御が困難であった。塗布工程で液体潤滑剤や溶剤に不
純物が混入する恐れもあった。
面の状態が潤滑剤付着量に微妙に影響し、潤滑剤漢厚の
制御が困難であった。塗布工程で液体潤滑剤や溶剤に不
純物が混入する恐れもあった。
さらに、潤滑剤が液体であるがゆえに、ヘッドが停止し
ている間に潤滑剤がヘッド周囲に集まり、ヘッドと磁気
ディスクが潤滑剤を介して粘看し、動作不良を引き越こ
すこともあった。
ている間に潤滑剤がヘッド周囲に集まり、ヘッドと磁気
ディスクが潤滑剤を介して粘看し、動作不良を引き越こ
すこともあった。
このような潤滑剤の問題を解消するため、たとえば特開
昭61−155345号公報に開示されるように、アン
カー機能を持つ末端基を含むパーフルオロポリエーテル
のような潤滑剤を保護膜上に塗布する技術が提案されて
いる。
昭61−155345号公報に開示されるように、アン
カー機能を持つ末端基を含むパーフルオロポリエーテル
のような潤滑剤を保護膜上に塗布する技術が提案されて
いる。
前述した従来技術(特開昭61−155345号公報)
の潤滑剤は、金属表面などに直接塗布し九場合ICは、
優れた付着性能を発揮する。しかし、非晶質炭素や酸化
ケイ素などの非金属化合物の保護膜上に塗布する場合疋
は、十分なアンカー機能を発揮できず付着性能が低下す
−る傾向があった。
の潤滑剤は、金属表面などに直接塗布し九場合ICは、
優れた付着性能を発揮する。しかし、非晶質炭素や酸化
ケイ素などの非金属化合物の保護膜上に塗布する場合疋
は、十分なアンカー機能を発揮できず付着性能が低下す
−る傾向があった。
さらに潤滑剤分子層の付着性の問題から、潤滑剤分子層
をむらなく薄婁化することがむずかしく、ヘッドと磁気
ディスク表面が接触したまま磁気ディスクが回転する高
記録密度の磁気ディスクには適用でき麦かった。
をむらなく薄婁化することがむずかしく、ヘッドと磁気
ディスク表面が接触したまま磁気ディスクが回転する高
記録密度の磁気ディスクには適用でき麦かった。
本発明の目的は、磁気ディスクに対する潤滑剤分子層の
付着性を改善し、潤滑剤の飛散防止による潤滑性(耐摺
動性)と耐久性の向上を図9、しかも記録媒体表面に形
成される膜層の薄膜化を図り得る記録媒体を提供するこ
とにある。
付着性を改善し、潤滑剤の飛散防止による潤滑性(耐摺
動性)と耐久性の向上を図9、しかも記録媒体表面に形
成される膜層の薄膜化を図り得る記録媒体を提供するこ
とにある。
更に、本発明は次のような効果を奏しえる記録媒体を提
供することにある。すなわち、一つは、記録媒体が組み
込まれた記憶装置の置かれた環境の変動、すなわち、温
室変化、湿度変化、気圧変化、空気中だ浮遊する化学物
質に強く耐候性・耐食性に優れた記録媒体を提供するこ
と【ある。
供することにある。すなわち、一つは、記録媒体が組み
込まれた記憶装置の置かれた環境の変動、すなわち、温
室変化、湿度変化、気圧変化、空気中だ浮遊する化学物
質に強く耐候性・耐食性に優れた記録媒体を提供するこ
と【ある。
さらにもう一つは、潤滑剤分子層までを大気中に出さす
に連続的【チャンバ内で成真し、生産性を高め、潤滑剤
分子層と基板の間だ水や有機物などの不純物の混入がな
く、耐久性と1順性に優れた記録媒体を提供することで
ある。
に連続的【チャンバ内で成真し、生産性を高め、潤滑剤
分子層と基板の間だ水や有機物などの不純物の混入がな
く、耐久性と1順性に優れた記録媒体を提供することで
ある。
上記第一の課題を解決する手段は、記録用ヘッドをもつ
記録媒体で基板の表面に少なくとも記録用薄膜(たとえ
ば強磁性薄膜)と保護膜とをもつものにおいて、保護膜
の表面で、直接、光酸化重合あるいはプラズマ重合を行
うことにより分子末端が強固な化学結合で保護膜表面に
固定された潤滑剤分子層を形成した記録媒体を提案する
。
記録媒体で基板の表面に少なくとも記録用薄膜(たとえ
ば強磁性薄膜)と保護膜とをもつものにおいて、保護膜
の表面で、直接、光酸化重合あるいはプラズマ重合を行
うことにより分子末端が強固な化学結合で保護膜表面に
固定された潤滑剤分子層を形成した記録媒体を提案する
。
また、その応用としては、前記保護膜表面を酸化し、光
酸化重合あるいはプラズマ重合により保護膜表面に固定
される分子末端の密度を増やした潤滑剤分子層を形成し
た記録媒体を提案する5第二の課題を解決する手段は、
前記保護膜表面に分子末端を固定した化学的に安定で水
や有機物などKii換されない潤滑剤分子層を形成した
記録媒体を提案する。
酸化重合あるいはプラズマ重合により保護膜表面に固定
される分子末端の密度を増やした潤滑剤分子層を形成し
た記録媒体を提案する5第二の課題を解決する手段は、
前記保護膜表面に分子末端を固定した化学的に安定で水
や有機物などKii換されない潤滑剤分子層を形成した
記録媒体を提案する。
また、その応用としては、前記保ML漠表面に保護膜を
完全におおわない程亙の微量の金属あるいは金属化合物
を分散させて、その上に表面重合によって分子末端が保
護膜表面の金属あるいは金属化合物に強固に固定された
潤滑剤分子層を形成した記録媒体を提案する。
完全におおわない程亙の微量の金属あるいは金属化合物
を分散させて、その上に表面重合によって分子末端が保
護膜表面の金属あるいは金属化合物に強固に固定された
潤滑剤分子層を形成した記録媒体を提案する。
第三の課題を解決する手段は、前記基板上に前記記録媒
体、前記保護膜を仕切バルブによって接続された連続真
空チャンバ内で成膜し、さらに、続けて仕切バルブを介
して接続された光酸化重合炉、あるいは、プラズマ重合
炉で保Wk膜表面に分子末端を固定した潤滑剤分子層を
表面重合によって形成した記録媒体を提案する。
体、前記保護膜を仕切バルブによって接続された連続真
空チャンバ内で成膜し、さらに、続けて仕切バルブを介
して接続された光酸化重合炉、あるいは、プラズマ重合
炉で保Wk膜表面に分子末端を固定した潤滑剤分子層を
表面重合によって形成した記録媒体を提案する。
ここで、記録媒体の基板は、たとえばアルミニウム基板
やガラス基板やグラファイト基板などが使用される。ア
ルミニウム基板には表面をニッケル・リンなどのメツキ
しても良い。1±、基板を回転させながらダイヤモンド
砥粒や研磨用テープを押し当てることにより基板上に同
心円状■微細な溝を形成し、ヘッドの浮上特性を改良し
たり、磁気異方性を制御するなどのことも行われる。さ
らに、カラス基板では強飯などの薬品九より表面をエツ
チングして微細な凹凸を付け、ヘッドと接触する面積な
減らし、摺動時の接線力を減少させても良い。
やガラス基板やグラファイト基板などが使用される。ア
ルミニウム基板には表面をニッケル・リンなどのメツキ
しても良い。1±、基板を回転させながらダイヤモンド
砥粒や研磨用テープを押し当てることにより基板上に同
心円状■微細な溝を形成し、ヘッドの浮上特性を改良し
たり、磁気異方性を制御するなどのことも行われる。さ
らに、カラス基板では強飯などの薬品九より表面をエツ
チングして微細な凹凸を付け、ヘッドと接触する面積な
減らし、摺動時の接線力を減少させても良い。
記録媒体の基板の上には、記録膜を成膜する前に記録膜
の磁気特性を艮好なものにするためにクロムなどを下地
膜としてスパッタ法などで成膜しても艮い。
の磁気特性を艮好なものにするためにクロムなどを下地
膜としてスパッタ法などで成膜しても艮い。
基板上の磁気記録膜は、コバルト・ニッケル、コバルト
・クロム、コバルト・クロムニフラチナ、メンタル、バ
ナジウム、サマリウムなど管小!tまぜたものが使われ
る。
・クロム、コバルト・クロムニフラチナ、メンタル、バ
ナジウム、サマリウムなど管小!tまぜたものが使われ
る。
基板上の保護膜には、たとえは非晶質炭素保護膜が使用
される。この非晶質炭素保護膜の形成方法は、グラファ
イトをターゲットとした不活性ガス中、あるいは、不活
性ガスとメタンなどの炭化水素ガスの混合ガス中のスパ
ッタリングにより形成する方法や、炭化水素ガス、アル
コール、アセトンなどの有機化合物を単独あるいは水素
ガス、不活性ガスなどと混合して、プラズマCVDによ
り形成する方法、あるいは有機化合物をイオン化し、電
圧をかけて加速し、基板に衝突させて形成する方法など
がある。
される。この非晶質炭素保護膜の形成方法は、グラファ
イトをターゲットとした不活性ガス中、あるいは、不活
性ガスとメタンなどの炭化水素ガスの混合ガス中のスパ
ッタリングにより形成する方法や、炭化水素ガス、アル
コール、アセトンなどの有機化合物を単独あるいは水素
ガス、不活性ガスなどと混合して、プラズマCVDによ
り形成する方法、あるいは有機化合物をイオン化し、電
圧をかけて加速し、基板に衝突させて形成する方法など
がある。
さらに、非晶質炭素保護膜の代わりに、たとえば、水素
化ホウ素とアンモニアと水素を原料としたプラズマC”
/D法によって形成される立方晶窒化ホウ素(c−BN
)膜などを用いることも可能である。
化ホウ素とアンモニアと水素を原料としたプラズマC”
/D法によって形成される立方晶窒化ホウ素(c−BN
)膜などを用いることも可能である。
さらには、前記保護膜としてイ トリア安定化酸化ジル
コニウム保護膜や酸化ケイ素保護膜などを用いることも
可能である。
コニウム保護膜や酸化ケイ素保護膜などを用いることも
可能である。
表面重合により分子末端が保護膜表面に固定された潤滑
剤分子には、炭素とフッ素と酸素から成るパーフルオロ
ポリエーテルが使用される。
剤分子には、炭素とフッ素と酸素から成るパーフルオロ
ポリエーテルが使用される。
その主鎖構造は、
(−CF (CF5 ) CF20−)nl(−CF2
CF2CF20−)n。
CF2CF20−)n。
(−CF(CF5)CF(CF’3)0−)nなどのも
のが使用される。
のが使用される。
表面重合により分子末端が保護膜表面に固定された?R
渭剤分子層の形成方法h、たとえばチャンバ内でヘキサ
フルオロプロペンと酸aを原料ガスとして導入し、保護
膜表面を高圧水銀ランプのよう々強度の強い紫外線ラン
プで照射して保護膜表面で光酸化重合を起こすことによ
り形成するなどの方法がある。紫外線ランプの代わ9に
、たとえば、エキシマレーザやYAGレーザの三倍波の
ような単位面積あた)の強度が強く、単色性とコヒーレ
ンスに優れたレーザを表面光酸化重合の光源として用い
ても良い、前記基板を回転させながら光酸化重合を起こ
しても良い。前記表面重合チャンバ内に前記原料ガスを
導入したときに、前記基板を冷却することによシ前記保
護膜表面に原料ガスを凝縮させ、保護膜表面のみで重合
反応を起こし、分子末端が保護膜表面に固定されていな
い潤滑剤分子の生成を抑1制し、重合反応効′4をあげ
ることも可能である。あるいは大気圧疋近いチャンバ内
でこの重合反応を起こすときは、前記原料ガスを溶剤に
とかしてその原料溶液を保護属表jに塗布してから紫外
光を照射し、光酸化重合を行えば良い。
渭剤分子層の形成方法h、たとえばチャンバ内でヘキサ
フルオロプロペンと酸aを原料ガスとして導入し、保護
膜表面を高圧水銀ランプのよう々強度の強い紫外線ラン
プで照射して保護膜表面で光酸化重合を起こすことによ
り形成するなどの方法がある。紫外線ランプの代わ9に
、たとえば、エキシマレーザやYAGレーザの三倍波の
ような単位面積あた)の強度が強く、単色性とコヒーレ
ンスに優れたレーザを表面光酸化重合の光源として用い
ても良い、前記基板を回転させながら光酸化重合を起こ
しても良い。前記表面重合チャンバ内に前記原料ガスを
導入したときに、前記基板を冷却することによシ前記保
護膜表面に原料ガスを凝縮させ、保護膜表面のみで重合
反応を起こし、分子末端が保護膜表面に固定されていな
い潤滑剤分子の生成を抑1制し、重合反応効′4をあげ
ることも可能である。あるいは大気圧疋近いチャンバ内
でこの重合反応を起こすときは、前記原料ガスを溶剤に
とかしてその原料溶液を保護属表jに塗布してから紫外
光を照射し、光酸化重合を行えば良い。
この光酸化重合を行う際にレーザ光のようなコヒーレン
スに優れた光源を使う場合はその偏光特性を保護膜の表
面上で制御することだよって分子末端が保護膜表面に固
定された潤滑剤分子層の分子配向性や保護膜表面での面
内分布を自白に制御することも可能である。
スに優れた光源を使う場合はその偏光特性を保護膜の表
面上で制御することだよって分子末端が保護膜表面に固
定された潤滑剤分子層の分子配向性や保護膜表面での面
内分布を自白に制御することも可能である。
分子末端が保護膜表面に固定された潤滑剤分子層のその
ほかの形成方法は、たとえば真空チャンバ内に保護膜ま
で成膜した基板を入れ、この原料ガスと不活性ガスを導
入し、RF放電やDC放電などによって保i膜表面でプ
ラズマ重合反応を起こすことにより形成するなどの方法
がある。
ほかの形成方法は、たとえば真空チャンバ内に保護膜ま
で成膜した基板を入れ、この原料ガスと不活性ガスを導
入し、RF放電やDC放電などによって保i膜表面でプ
ラズマ重合反応を起こすことにより形成するなどの方法
がある。
保護膜表面に分子末端を固定した潤滑剤分子層を形成す
る前に保護膜の表面を、たとえば、酸素エツチングある
いは酸素を流しなから*mY−紫外光を照射するなどの
処理疋よ)保護膜表面をあらかじめ酸化させて表面の酸
素濃度を高めて酸化重合の効率をあげ、保護膜表面に固
定する分子末端の密度を高めることも可能である。
る前に保護膜の表面を、たとえば、酸素エツチングある
いは酸素を流しなから*mY−紫外光を照射するなどの
処理疋よ)保護膜表面をあらかじめ酸化させて表面の酸
素濃度を高めて酸化重合の効率をあげ、保護膜表面に固
定する分子末端の密度を高めることも可能である。
第一の課題を解決するには、基板と記録用薄膜(たとえ
ば強磁性薄膜)を採掘する保!、!上に分子末端が保護
膜表面に固定された潤滑剤分子層が形成される。このう
ち潤滑剤分子層は保護膜表面上で表面重合によって、直
接、形成されるので保護膜表面のごく薄い酸化膜に潤滑
剤の分子末端が固定される。つまり、潤滑剤分子は、強
固な化学結合によって保護膜に固定されているので潤滑
剤の飛散と潤滑剤の過度の流動を防ぐことができる。
ば強磁性薄膜)を採掘する保!、!上に分子末端が保護
膜表面に固定された潤滑剤分子層が形成される。このう
ち潤滑剤分子層は保護膜表面上で表面重合によって、直
接、形成されるので保護膜表面のごく薄い酸化膜に潤滑
剤の分子末端が固定される。つまり、潤滑剤分子は、強
固な化学結合によって保護膜に固定されているので潤滑
剤の飛散と潤滑剤の過度の流動を防ぐことができる。
そのため、記録媒体のヘッドに対する耐摺動性を長期に
わたって保ち、しかも、停止中にヘッドと記録媒体が潤
滑剤を介してくっつくような事態の発生を防ぐことがで
きる。
わたって保ち、しかも、停止中にヘッドと記録媒体が潤
滑剤を介してくっつくような事態の発生を防ぐことがで
きる。
第二の課題を解決するには、前記分子末端が保護裏表面
′Ic固定された潤滑剤分子層は、保護膜表面だ化学結
合によって固定されているので潤滑剤分子層の付着性、
耐飛散性を向上させる結果、記録媒体の耐食性をも向上
させることができる。すなわち、保護膜は通常透水性が
あるが、その上尾付着良好で非透水性の潤滑剤分子層が
存在することで、記録媒体への水分の進入を防ぎ、また
、潤滑性が保持されることで保護膜等に損傷も防止する
結果、同様に記録薄膜が外気にさらされるのを防ぎ、こ
れらの作用により耐食性を発揮することになる。
′Ic固定された潤滑剤分子層は、保護膜表面だ化学結
合によって固定されているので潤滑剤分子層の付着性、
耐飛散性を向上させる結果、記録媒体の耐食性をも向上
させることができる。すなわち、保護膜は通常透水性が
あるが、その上尾付着良好で非透水性の潤滑剤分子層が
存在することで、記録媒体への水分の進入を防ぎ、また
、潤滑性が保持されることで保護膜等に損傷も防止する
結果、同様に記録薄膜が外気にさらされるのを防ぎ、こ
れらの作用により耐食性を発揮することになる。
第三の課題を解決するには、前記記録媒体で記録薄膜、
保護膜から分子末端が保護膜表面に固定された潤滑剤分
子層までを仕切バルブによって接続された連続チャンバ
内で連続的に成膜することにより記録媒体の生産性を飛
躍的に高めることができる。また、前記記録媒体を大気
中に出さずに連続チャンバ内で成膜することにより、成
朧工程で保護膜と潤滑剤分子層の間に水や有機物などの
不純物の混入がなくな)不純物による潤滑剤分子の剥離
や化学的な分解の可能性がなく、記録媒体の耐久性と信
頼性を向上させることができる。
保護膜から分子末端が保護膜表面に固定された潤滑剤分
子層までを仕切バルブによって接続された連続チャンバ
内で連続的に成膜することにより記録媒体の生産性を飛
躍的に高めることができる。また、前記記録媒体を大気
中に出さずに連続チャンバ内で成膜することにより、成
朧工程で保護膜と潤滑剤分子層の間に水や有機物などの
不純物の混入がなくな)不純物による潤滑剤分子の剥離
や化学的な分解の可能性がなく、記録媒体の耐久性と信
頼性を向上させることができる。
本発明の実施例を図面尤基づいて説明する。なお、以下
に説明する各実施例は、記録媒体として磁気ディスクを
用いる。
に説明する各実施例は、記録媒体として磁気ディスクを
用いる。
〈実施例1〉
第1図は本発明の第一の実施例尤係わる磁気ディスクの
概略断面図である。
概略断面図である。
1はニッケル・リンメツキを施したアルミニウム製のデ
ィスク基板(たとえば5.25インチデイ、(1)テ、
t−の上にスパッタリングにより厚さ15μmのクロム
下地膜2、厚さ005μmのコバルト・ニッケル磁性膜
3、厚さ1105μ工の非晶質炭素膜4が順次形成され
る。さらに、その上には分子末端を保護膜表面に固定し
た潤滑剤分子層5が積層される。
ィスク基板(たとえば5.25インチデイ、(1)テ、
t−の上にスパッタリングにより厚さ15μmのクロム
下地膜2、厚さ005μmのコバルト・ニッケル磁性膜
3、厚さ1105μ工の非晶質炭素膜4が順次形成され
る。さらに、その上には分子末端を保護膜表面に固定し
た潤滑剤分子層5が積層される。
分子末端が保護膜表面に固定した潤滑剤分子層は次のよ
うに形成される。すなわち、非晶質炭素膜4まで施した
基板1な、真空に引いた光酸化重合チャンバ中にいれる
。そこにヘキサフルオロプロペンと酸素をモル比だして
1:1になるようと混合したガスを100 zTorr
導入する。その後、基板1を一20℃に冷却してから高
圧水銀ランプ(200W)′v−よ)紫外光を基板表面
だ一分間照射する。その後、チャンバを真空に引きなが
ら基板を室温に戻し、副生成物である低分子量のフッ化
炭素化合物を基板上から除去した。
うに形成される。すなわち、非晶質炭素膜4まで施した
基板1な、真空に引いた光酸化重合チャンバ中にいれる
。そこにヘキサフルオロプロペンと酸素をモル比だして
1:1になるようと混合したガスを100 zTorr
導入する。その後、基板1を一20℃に冷却してから高
圧水銀ランプ(200W)′v−よ)紫外光を基板表面
だ一分間照射する。その後、チャンバを真空に引きなが
ら基板を室温に戻し、副生成物である低分子量のフッ化
炭素化合物を基板上から除去した。
分子末端が保護膜表面に固定された潤滑剤分子層5が確
かに形成されていることは、質量分析とF T−I R
による高感度反射法とESCAによシ確認された。質量
分析からは、潤滑剤分子層5の元素比が (−〇5F60−)n の元素比に一致することが確認された。FT−工Rによ
る高感度反射法による磁気ディスク表面の分析では12
50 cm−’にC−F結合伸縮振動モードと帰属され
るピークを観測した。同時に非晶質炭素保護膜4まで成
膜し、その後、市販のCFsO(−(CFa5)CFC
F20−)nCF3の化学式で表される平均分子量三千
〇潤滑剤管フッ素系溶媒に溶かした溶液に浸せきさせて
作成した磁気ディスク(以下、これを潤滑付き参照ディ
スクとする)の高感度反射スペクトルを測定したところ
本実施例と同様のスペクトルが得られた。
かに形成されていることは、質量分析とF T−I R
による高感度反射法とESCAによシ確認された。質量
分析からは、潤滑剤分子層5の元素比が (−〇5F60−)n の元素比に一致することが確認された。FT−工Rによ
る高感度反射法による磁気ディスク表面の分析では12
50 cm−’にC−F結合伸縮振動モードと帰属され
るピークを観測した。同時に非晶質炭素保護膜4まで成
膜し、その後、市販のCFsO(−(CFa5)CFC
F20−)nCF3の化学式で表される平均分子量三千
〇潤滑剤管フッ素系溶媒に溶かした溶液に浸せきさせて
作成した磁気ディスク(以下、これを潤滑付き参照ディ
スクとする)の高感度反射スペクトルを測定したところ
本実施例と同様のスペクトルが得られた。
ESCAからは本実施例の磁気ディスク表面で酸素とフ
ッ素が炭素疋結合していることが確認された。
ッ素が炭素疋結合していることが確認された。
潤滑剤分子1の分子末端が保護膜表面に強固に固定され
ていることは、以下の実験で確認した。
ていることは、以下の実験で確認した。
すなわち、フッ素系の溶媒中に本実施例の磁気ディスク
と潤滑付き参照ディスクを同時と浸せきし、超音波洗浄
を五分間行い、洗浄後のc−r結合の伸縮振動モードの
吸光度を高感度反射法により m+定した。すると、潤
滑付き参照ディスクでは、洗浄後C−P結合伸縮振動モ
ードがまったく観測されず、潤滑剤が完全に離脱された
ことが確認されたのに対して、本実施例の磁気ディスク
ではC−F結合伸縮振動モードの吸光度の減少はまった
くなく、本実施例の磁気ディスクでは潤滑剤分子層の分
子末端が保!iI&表面疋強固だ結合していることがa
認された。
と潤滑付き参照ディスクを同時と浸せきし、超音波洗浄
を五分間行い、洗浄後のc−r結合の伸縮振動モードの
吸光度を高感度反射法により m+定した。すると、潤
滑付き参照ディスクでは、洗浄後C−P結合伸縮振動モ
ードがまったく観測されず、潤滑剤が完全に離脱された
ことが確認されたのに対して、本実施例の磁気ディスク
ではC−F結合伸縮振動モードの吸光度の減少はまった
くなく、本実施例の磁気ディスクでは潤滑剤分子層の分
子末端が保!iI&表面疋強固だ結合していることがa
認された。
このようとして形成された本実施例の磁気ディスクをコ
ンタクト・スタート・ストップ試#(CSS試験。実際
のヘッドと同一材質、形状の試験用ヘッドを用いて、デ
ィスク面にヘッドを接触させた状態でディスクを回転さ
せ、ヘッドを浮上させた後、再び、ディスクを停止する
というサイクルを一定間隔で繰)返す試験)により寿命
評価を行りたところ、繰)返し回数十万回後もディスク
表面に損傷がみもれなかった。
ンタクト・スタート・ストップ試#(CSS試験。実際
のヘッドと同一材質、形状の試験用ヘッドを用いて、デ
ィスク面にヘッドを接触させた状態でディスクを回転さ
せ、ヘッドを浮上させた後、再び、ディスクを停止する
というサイクルを一定間隔で繰)返す試験)により寿命
評価を行りたところ、繰)返し回数十万回後もディスク
表面に損傷がみもれなかった。
これに対して、潤滑付き参照ディスクだついて同様のC
9S試鋏を行ったところ、三万回後にディスク表面に損
傷がみられ九。
9S試鋏を行ったところ、三万回後にディスク表面に損
傷がみられ九。
すなわち、以上の比較から、本実施例の磁気ディスクで
は、従来の潤滑付き参照ディスクよ)潤滑剤の付着性(
保持性)が良好で潤滑剤飛散防止に優れていることが確
認された。
は、従来の潤滑付き参照ディスクよ)潤滑剤の付着性(
保持性)が良好で潤滑剤飛散防止に優れていることが確
認された。
これらの磁気ディスクの動摩擦係数をマンガン・亜鉛・
フェライトのヘッドを用いて測定した。
フェライトのヘッドを用いて測定した。
測定時の回転数は1 rpx 、荷重は10.<fとし
、ヘッドにかかる力をひずみゲージによ)聾]定し、動
摩擦係数を得九〇その結果、潤滑付き参照ディスクは摩
擦係数が(133であったのに対して、本実施例の志気
ディスクはユ27で、摺動特性の向上が確認された。″
また、前述のC8S試験で繰)返し回数二号回後疋摺動
トラック上の動摩擦係数を測定したところ、潤滑付き参
照ディスクではcL75に上昇していたのに対して本実
施例の磁気ディスクでは(135であシ、耐飛散性の向
上によりC3S時の動摩擦係数の上昇が抑えられている
ことが確認された。
、ヘッドにかかる力をひずみゲージによ)聾]定し、動
摩擦係数を得九〇その結果、潤滑付き参照ディスクは摩
擦係数が(133であったのに対して、本実施例の志気
ディスクはユ27で、摺動特性の向上が確認された。″
また、前述のC8S試験で繰)返し回数二号回後疋摺動
トラック上の動摩擦係数を測定したところ、潤滑付き参
照ディスクではcL75に上昇していたのに対して本実
施例の磁気ディスクでは(135であシ、耐飛散性の向
上によりC3S時の動摩擦係数の上昇が抑えられている
ことが確認された。
さらに、本実施例の磁気ディスクと潤滑付き参照ディス
クを80℃、9o%Ra恒温恒湿環境内に72時間放置
するという実験を行ったところ、潤滑付き参照ディスク
では腐食点が五カ所現れたのに対して本実施例の磁気デ
ィスクでは腐食点がまったく見られなかった。
クを80℃、9o%Ra恒温恒湿環境内に72時間放置
するという実験を行ったところ、潤滑付き参照ディスク
では腐食点が五カ所現れたのに対して本実施例の磁気デ
ィスクでは腐食点がまったく見られなかった。
本実施例の磁気ディスクと潤滑付き参照ディスクの表面
の純水に対する接触角を測定すると、潤滑付き参照ディ
スクでは951 であるのて対して、本実施例の磁気デ
ィスクでは110°でホリテトラフルオロエチレンの表
面と同等のばっ水性を示した。
の純水に対する接触角を測定すると、潤滑付き参照ディ
スクでは951 であるのて対して、本実施例の磁気デ
ィスクでは110°でホリテトラフルオロエチレンの表
面と同等のばっ水性を示した。
また、本実施例の磁気ディスクと潤滑付置参照ディスク
を純水中に浸せきし、超音波洗浄を一分間行った後、:
’T−工Rで潤滑剤を定量するという潤滑剤の水中離散
性の実験を行ったところ、潤滑付き参照ディスクでは潤
滑剤が洗浄後に完全に消失したのに対して本実施例の磁
気ディスクでは潤滑剤の減少はまったく見られず、高い
耐候性含水した。
を純水中に浸せきし、超音波洗浄を一分間行った後、:
’T−工Rで潤滑剤を定量するという潤滑剤の水中離散
性の実験を行ったところ、潤滑付き参照ディスクでは潤
滑剤が洗浄後に完全に消失したのに対して本実施例の磁
気ディスクでは潤滑剤の減少はまったく見られず、高い
耐候性含水した。
〈実施例2〉
第2図は本発明の第二実施例に係わる磁気ディスクの断
面図である。
面図である。
1は強化ガラス製のディスク基板(たとえば五5インチ
ディスク)で、そのうえにスパッタリングで厚さα4μ
mのクロム下地漠2、厚さ104μmのコバルト・クロ
ム・プラチナ磁性膜5が順次形成され、その上にメタン
を厘料としたプラズマC’I D法とよ)、厚さユ01
コmの非晶質炭素膜4を形成した。
ディスク)で、そのうえにスパッタリングで厚さα4μ
mのクロム下地漠2、厚さ104μmのコバルト・クロ
ム・プラチナ磁性膜5が順次形成され、その上にメタン
を厘料としたプラズマC’I D法とよ)、厚さユ01
コmの非晶質炭素膜4を形成した。
その後、ディスク基板今仕切パルプを介して連続成膜装
置に接続された表面重合チャンバに導入した。そして1
:[L7のモル比のへキサフルオニプロペンと酸素の混
合ガスを70 mTOrr導入し、ディスク基板を一3
0℃に冷却した。それからディスク基板を5Orpmで
回転させながら、石英レンズで緩く集光した窒素レーザ
光(537nz)を保!!膜表百に照射した。そしてレ
ーザ光の照射位置をゆっ〈シと半径方向に移動すること
により同心円状に面内分布を持つ分子末端が保護膜表面
に固定された潤滑剤分子層5を形成した。
置に接続された表面重合チャンバに導入した。そして1
:[L7のモル比のへキサフルオニプロペンと酸素の混
合ガスを70 mTOrr導入し、ディスク基板を一3
0℃に冷却した。それからディスク基板を5Orpmで
回転させながら、石英レンズで緩く集光した窒素レーザ
光(537nz)を保!!膜表百に照射した。そしてレ
ーザ光の照射位置をゆっ〈シと半径方向に移動すること
により同心円状に面内分布を持つ分子末端が保護膜表面
に固定された潤滑剤分子層5を形成した。
潤滑剤分子層が同心円状の面内分布を持つことは顕微鏡
FT−IRによシ確認した。
FT−IRによシ確認した。
FT−IRの高感度反射法、ESCA、質1分析などか
ら本実施例の潤滑剤分子層は実施例1と同等の化学構造
を持つことを確認した。
ら本実施例の潤滑剤分子層は実施例1と同等の化学構造
を持つことを確認した。
また実施例1と同等のフッ素系溶剤中での超音波洗浄を
10分間行っても潤滑剤分子層の減少はなかった。
10分間行っても潤滑剤分子層の減少はなかった。
実施例1と同様の動摩擦係数の測定では、摩擦係数11
19が得られ、分子末端が保護製表面′/C固定された
潤滑剤分子層の表面が凸凹になったことによりヘッドと
の接触面積が小さくな)J!擦係数が減少することが確
認された。さらに、実施例1と同様のCSS試叡を二方
口行った後、摺動トラックの動摩擦係数を測定すると1
129であった。
19が得られ、分子末端が保護製表面′/C固定された
潤滑剤分子層の表面が凸凹になったことによりヘッドと
の接触面積が小さくな)J!擦係数が減少することが確
認された。さらに、実施例1と同様のCSS試叡を二方
口行った後、摺動トラックの動摩擦係数を測定すると1
129であった。
また、実施例1と同様のCSS試験を行うと繰り返し回
数十五万回でもディスク表面に損傷はみられなかった。
数十五万回でもディスク表面に損傷はみられなかった。
〈実施例3〉
本実施例は、図示省略するが、実施例1の非晶質炭素保
護模4まで成膜した磁気ディスクを、仕切バルブを介し
て連続スパッタ成膜装置に接続されり高周波プラズマエ
ツチング装置により酸素エツチング処理した。エツチン
グ条件は、酸素ガス圧50 mTorr 、パワー15
W/ am2、xyチ/グ11〜2 nmである。そ
の後、さらに仕切バルブを介して接続されたRFプラズ
マ重合チャンバに磁気ディスクを搬送し、アルゴンとへ
キサフルオロプロペンと酸素をモル比で50:1 :1
に混合し、全圧t Torr、 ガス流i 20 c
c / ff1i rxで流した。そして、放電周波
数IA56MH3゜放電パワ−10w1放電時間二分間
でRF放電することにより、保護裏表面でプラズマ重合
t−起こした。
護模4まで成膜した磁気ディスクを、仕切バルブを介し
て連続スパッタ成膜装置に接続されり高周波プラズマエ
ツチング装置により酸素エツチング処理した。エツチン
グ条件は、酸素ガス圧50 mTorr 、パワー15
W/ am2、xyチ/グ11〜2 nmである。そ
の後、さらに仕切バルブを介して接続されたRFプラズ
マ重合チャンバに磁気ディスクを搬送し、アルゴンとへ
キサフルオロプロペンと酸素をモル比で50:1 :1
に混合し、全圧t Torr、 ガス流i 20 c
c / ff1i rxで流した。そして、放電周波
数IA56MH3゜放電パワ−10w1放電時間二分間
でRF放電することにより、保護裏表面でプラズマ重合
t−起こした。
磁気ディスクに分子末端が保護膜表面だ固定された潤滑
剤分子層が形成されていることは実施例1と同様にFT
−IR高域度反射法、ESCA。
剤分子層が形成されていることは実施例1と同様にFT
−IR高域度反射法、ESCA。
質量分析によ)確認した。
また、実施例1と同様の潤滑剤の水中離散性の実験を行
ったところ水中で超音波洗浄を三分行っても潤滑剤の減
少はみられず、保護膜と潤滑剤分子層の間に金属を分散
させたことによ)潤滑剤の分子末洩と保護膜表面の結合
強度が増加したことが確認された。
ったところ水中で超音波洗浄を三分行っても潤滑剤の減
少はみられず、保護膜と潤滑剤分子層の間に金属を分散
させたことによ)潤滑剤の分子末洩と保護膜表面の結合
強度が増加したことが確認された。
さらに、実施例1と同様のC8S試験を行うと繰り返し
回数十六万回でもディスク表面に損傷はみられなかった
。
回数十六万回でもディスク表面に損傷はみられなかった
。
〈実施例4〉
第3′図は、本発明の第四実施例と関わる磁気ディスク
の概略断面図である。
の概略断面図である。
本実施例における磁気ディスクも、非晶質炭素保護IX
4まで実施例1と同様であるが、保護膜4と潤滑剤分子
層5との間如保lj漢を完全だおおわない程度の微量の
金属あるいは金属化合物を分散させて−る。
4まで実施例1と同様であるが、保護膜4と潤滑剤分子
層5との間如保lj漢を完全だおおわない程度の微量の
金属あるいは金属化合物を分散させて−る。
具体的には、保護膜上に微量(オージェ分析にて1sa
tq6)のアルミニウム6をスパッタリングにてデポジ
ットした。
tq6)のアルミニウム6をスパッタリングにてデポジ
ットした。
その後、実施例1と同様にして、ヘキサフルオロプロペ
ンの光酸化重合によって保護膜上に分子末端を固定した
潤滑剤分子層5を形成した。
ンの光酸化重合によって保護膜上に分子末端を固定した
潤滑剤分子層5を形成した。
潤滑剤分子層の同定は、実施例1と同様にFT−IRの
高感度反射法、ESCA・、質量分析にょシ行った。
高感度反射法、ESCA・、質量分析にょシ行った。
また、実施例1と同等のフッ素系溶媒中での超音波洗浄
を二十分間行っても潤滑剤分子層の減少はなかった。
を二十分間行っても潤滑剤分子層の減少はなかった。
実施例1と同様のCSS試験を行うと繰り返し回数十六
万回でもディスク表面に損傷はみられなかっ九。
万回でもディスク表面に損傷はみられなかっ九。
本発明によれば、第一のIt!題解決手段では基板の保
護膜表面に分子末端が固定された潤滑剤分子層を形成す
ることで、優れた潤滑剤保持性と耐食性を発揮すること
ができる。その結果、あらゆる環境条件で安定した耐摺
動性を発揮し、長寿命で信頼性の高い記録媒体を提供す
ることができる。
護膜表面に分子末端が固定された潤滑剤分子層を形成す
ることで、優れた潤滑剤保持性と耐食性を発揮すること
ができる。その結果、あらゆる環境条件で安定した耐摺
動性を発揮し、長寿命で信頼性の高い記録媒体を提供す
ることができる。
また、本発明の記録媒体は、従来の液体潤滑剤の塗布さ
れた記録媒体に比べてその潤滑剤分子層を薄くでき、そ
の分ヘッドと記録媒体の間隔を狭くしてよシ高密度の記
録が可能である。
れた記録媒体に比べてその潤滑剤分子層を薄くでき、そ
の分ヘッドと記録媒体の間隔を狭くしてよシ高密度の記
録が可能である。
また、第二の課題解決手段によれば、前期の効果に加え
て、潤滑剤分子層の保護膜への密着性をよシー層高めて
、優れた耐候性・耐食性全発揮でき、 第三の課題解決手段によれば、潤滑剤分子層と保護膜の
間に水や有機物などの不純物の混入がなく、耐久性と信
1liI性に優れた記録媒体を提供することができる。
て、潤滑剤分子層の保護膜への密着性をよシー層高めて
、優れた耐候性・耐食性全発揮でき、 第三の課題解決手段によれば、潤滑剤分子層と保護膜の
間に水や有機物などの不純物の混入がなく、耐久性と信
1liI性に優れた記録媒体を提供することができる。
なお、本発明の潤滑剤分子ノl形成技術は、磁気ディス
ク、磁気テープ、磁気カードなどの磁気記録媒体のほか
にディスクと接触する可能性のあるヘッドを使う場合に
光ディスク、光磁気ディスクなどにも適用できる。
ク、磁気テープ、磁気カードなどの磁気記録媒体のほか
にディスクと接触する可能性のあるヘッドを使う場合に
光ディスク、光磁気ディスクなどにも適用できる。
第1図ないし第3図は、本発明の異なる実施例の断面図
である。 1・・・基板、2・・・クロム下地膜、3・・・磁性薄
膜、4・・・保護膜、5・・・分子末端が保護膜に固定
された潤滑剤分子層、6・・・微量の金属あるいは金属
化合物。
である。 1・・・基板、2・・・クロム下地膜、3・・・磁性薄
膜、4・・・保護膜、5・・・分子末端が保護膜に固定
された潤滑剤分子層、6・・・微量の金属あるいは金属
化合物。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、記録用ヘッドを持つタイプの記録媒体において、基
板の表面に少なくとも記録用薄膜と保護膜とをもち、そ
の上に表面重合によって分子末端が前記保護膜に固定さ
れた潤滑剤分子層を形成したことを特徴とする記録媒体
。 2、非磁性基板の表面に少なくとも強磁性薄膜と保護膜
とをもち、その上に表面重合によって分子末端が前記保
護膜に固定された潤滑剤分子層を形成したことを特徴と
する記録媒体。 3、請求項1または2において、前記保護膜の形成後に
前記保護膜の表面を自然酸化または酸素エッチングまた
は光照射または電磁波輻射により酸化させた後、前記保
護膜上に表面重合によって分子の末端が前記保護膜に固
定された潤滑剤分子層を形成した記録媒体。4、非磁性
基板の表面に少なくとも高硬度の磁性薄膜をもち、その
上に表面重合によって分子末端が前記磁性薄膜の表面に
固定された潤滑剤分子層を形成してなることを特徴とす
る記録媒体。 5、請求項1ないし4において、前記潤滑分子層がヘキ
サフルオロプロペン、2,3−パーフルオロブテンのい
ずれかの光酸化重合またはプラズマ酸化重合によって形
成された記録媒体。 6、請求項1ないし4において、前記潤滑剤分子層を光
酸化重合で行う際に用いる光のコヒーレンスや偏光特性
を制御することによって潤滑剤分子層の分子軸配向性や
媒体上の面内分布を制御する記録媒体。 7、請求項1ないし3において、前記保護膜が非晶質炭
素または酸化ケイ素または酸化ジルコニウムまたは表面
を酸化処理した立方晶窒化ホウ素のいづれかである記録
媒体。 8、請求項1ないし5において、前記酸化重合を行う際
に前記基板を冷却することによって重合原料ガスを吸着
させて重合反応の制御を行うことにより潤滑剤分子層を
形成した記録媒体。 9、請求項1または2において、前記保護膜形成後に前
記保護膜の表面に表面を完全におおわない程度の微量の
金属あるいは金属化合物を分散させ、その上に表面重合
によって分子末端が前記保護膜に固定された潤滑剤分子
層を形成する記録媒体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2314026A JP2781656B2 (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 記録媒体 |
US08/216,287 US5409738A (en) | 1990-11-21 | 1994-03-23 | Recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2314026A JP2781656B2 (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04186524A true JPH04186524A (ja) | 1992-07-03 |
JP2781656B2 JP2781656B2 (ja) | 1998-07-30 |
Family
ID=18048318
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2314026A Expired - Lifetime JP2781656B2 (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 記録媒体 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5409738A (ja) |
JP (1) | JP2781656B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012179503A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-20 | Univ Of Yamanashi | 排気ガスの固定化処理法、及びその処理装置 |
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- 1990-11-21 JP JP2314026A patent/JP2781656B2/ja not_active Expired - Lifetime
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1994
- 1994-03-23 US US08/216,287 patent/US5409738A/en not_active Expired - Fee Related
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