JPH04178625A - 反射型液晶電気光学装置 - Google Patents
反射型液晶電気光学装置Info
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- JPH04178625A JPH04178625A JP2307836A JP30783690A JPH04178625A JP H04178625 A JPH04178625 A JP H04178625A JP 2307836 A JP2307836 A JP 2307836A JP 30783690 A JP30783690 A JP 30783690A JP H04178625 A JPH04178625 A JP H04178625A
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 2
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は反射型液晶電気光学装置に関する。
［従来の技術］
従来の反射型液晶電気光学装置は、日経エレクトロニク
ス（１９８１）２月１６日号ｐ、１６４記載のように、
液晶駆動電極を反射面とするものであった。
ス（１９８１）２月１６日号ｐ、１６４記載のように、
液晶駆動電極を反射面とするものであった。
［発明が解決しようとする課題及び目的コしかし、従来
の反射型液晶電気光学装置には、反射面に使う液晶駆動
電極に反射率の高い材料を使う必要があるため、電極に
使用できる材料が限られており（アルミニウムと銀）、
装置設計上の制約が大きいという問題があった。本発明
は、このような問題点を解決するものであって、その目
的は、高性能な反射型液晶電気光学装置を提供するとこ
ろにある。
の反射型液晶電気光学装置には、反射面に使う液晶駆動
電極に反射率の高い材料を使う必要があるため、電極に
使用できる材料が限られており（アルミニウムと銀）、
装置設計上の制約が大きいという問題があった。本発明
は、このような問題点を解決するものであって、その目
的は、高性能な反射型液晶電気光学装置を提供するとこ
ろにある。
［課題を解決するための手段］
本発明の反射型液晶電気光学装置は、反射率の高い側に
ある電極と液晶の間に誘電体ミラーを備えて成ることを
特徴とする。
ある電極と液晶の間に誘電体ミラーを備えて成ることを
特徴とする。
［実施例］
以下、実施例により本発明の詳細を示す。
第１図に本発明の反射型液晶電気光学装置の構成を示す
。これは本発明をＴＮ（ツイステッドネマティク）モー
ドのアクティブマトリックス方式の反射型液晶表示装置
に応用したものである。
。これは本発明をＴＮ（ツイステッドネマティク）モー
ドのアクティブマトリックス方式の反射型液晶表示装置
に応用したものである。
シリコン基板１１０上にトランジスタ型のアクテイブ集
子１１１とマトリックス電極１０８を形成し、絶縁性材
料１０９で充填した後、表面をエツチングし、平坦面を
得た。その上に誘電体ミラー１０７を蒸着、形成した。
子１１１とマトリックス電極１０８を形成し、絶縁性材
料１０９で充填した後、表面をエツチングし、平坦面を
得た。その上に誘電体ミラー１０７を蒸着、形成した。
次に誘電体ミラー１０７の表面に斜め蒸着をおこない配
向面１０６を形成した。さらにこの配向面１０６を有す
る誘電体ミラー１０７と、透明な対向電極１０３が形成
されたガラス基板１０２との間に液晶１０５を封入した
。またガラス基板１０２の外側には偏光板１０１を配置
した。
向面１０６を形成した。さらにこの配向面１０６を有す
る誘電体ミラー１０７と、透明な対向電極１０３が形成
されたガラス基板１０２との間に液晶１０５を封入した
。またガラス基板１０２の外側には偏光板１０１を配置
した。
ここで本装置による表示原理について説明する。
ガラス基板１０２の側から入射した光は、誘電体ミラー
１０７で反射され、入射したときと逆に光路をたどって
ガラス基板１０２の側から出射する。
１０７で反射され、入射したときと逆に光路をたどって
ガラス基板１０２の側から出射する。
このあいだに、印加電圧により配向制御された液晶１０
５によって、光の偏光状態が変化する。マトリックス電
極１０８に電圧を印加すると、対向電極１０３との間に
発生する電場のために液晶分子の配向が変わり、それに
よって出射光の偏光状態が変化する。
５によって、光の偏光状態が変化する。マトリックス電
極１０８に電圧を印加すると、対向電極１０３との間に
発生する電場のために液晶分子の配向が変わり、それに
よって出射光の偏光状態が変化する。
本実施例ではマトリックス電極１０８にアルミニウムを
用いた。アルミニウムを電極に用いる５９合は電気化学
反応を防ぐために、従来保護膜を必要としたが、誘電体
ミラーを配置したことにより。
用いた。アルミニウムを電極に用いる５９合は電気化学
反応を防ぐために、従来保護膜を必要としたが、誘電体
ミラーを配置したことにより。
その必要がなくなった。
また、継ぎ目のない誘電体ミラーを配置したことにより
電圧を印加しない状態で均質な表示状態が得られ、電圧
を印加した場合でも従来より継ぎ目の少ない高品位な表
示が得られた。
電圧を印加しない状態で均質な表示状態が得られ、電圧
を印加した場合でも従来より継ぎ目の少ない高品位な表
示が得られた。
第２の実施例も第１図とまったく同じ構成である。但し
、マトリックス電極１０８にはクロムを用いた。従来反
射率が低いために使用できなかったクロムを電極として
用いたため、電極の電気化学的安定性が向上した。
、マトリックス電極１０８にはクロムを用いた。従来反
射率が低いために使用できなかったクロムを電極として
用いたため、電極の電気化学的安定性が向上した。
上記ふたつの実施例における誘電体ミラーは、電子ビー
ム蒸着により５ｉｎ２とアモルファスシリコンの薄膜を
交互に積み重で形成され、中心波長では９０％以上の反
射率を有している。
ム蒸着により５ｉｎ２とアモルファスシリコンの薄膜を
交互に積み重で形成され、中心波長では９０％以上の反
射率を有している。
液晶の配向に使った斜め蒸着法は、基板の法線方向に対
して斜めに成長した結晶によって液晶の配向を行うもの
である。本実施例では、斜め蒸着の際に基板法線方向に
対し基板を８５度傾けてセットして、ＳｉＯ２を蒸着し
た。
して斜めに成長した結晶によって液晶の配向を行うもの
である。本実施例では、斜め蒸着の際に基板法線方向に
対し基板を８５度傾けてセットして、ＳｉＯ２を蒸着し
た。
なお、誘電体ミラー上に配向膜をつけたのち、ラビング
法によって液晶分子の配向を行うことも可能である。こ
の時は反射率が低下することのないように、配向膜の厚
さや屈折率を考慮にいれて誘電体ミラーを設計する。
法によって液晶分子の配向を行うことも可能である。こ
の時は反射率が低下することのないように、配向膜の厚
さや屈折率を考慮にいれて誘電体ミラーを設計する。
以上本発明の実施例について述べてきたが、本発明はこ
のほかにも、広く液晶表示装置、液晶空間変調器などに
応用が可能である。
のほかにも、広く液晶表示装置、液晶空間変調器などに
応用が可能である。
［発明の効果コ
本発明によれば、以下の効果が得られる。
■液晶駆動電極の上に形成された誘電体ミラーを反射板
として用いることにより、液晶駆動電極の反射率を考慮
する必要がなくなる。このため電極に使える材料が多岐
にわたって考えられ、装置設計の自由度が広がる。
として用いることにより、液晶駆動電極の反射率を考慮
する必要がなくなる。このため電極に使える材料が多岐
にわたって考えられ、装置設計の自由度が広がる。
■Ｍ誘電体ミラー電極の保護膜の働きをするので、電気
化学的安定性の低い材料が電極に使えるようになり、装
置設計の自由度が広がる。
化学的安定性の低い材料が電極に使えるようになり、装
置設計の自由度が広がる。
■継ぎ目のない誘電体ミラーを配置したことにより、電
極に電圧を印加しない状態では均質な表示状態が得られ
、電圧を印加した場合でも従来より継ぎ目の少ない高品
位な表示が得られる。
極に電圧を印加しない状態では均質な表示状態が得られ
、電圧を印加した場合でも従来より継ぎ目の少ない高品
位な表示が得られる。
■液晶駆動電極の上に反射膜があるので電極の間の隙間
に遮光などの特別な処理を必要としない。
に遮光などの特別な処理を必要としない。
第１図は、本発明の反射型液晶電気光学装置の構成を示
す断面図。 第２図は、従来の反射型液晶電気光学装置の構成を示す
断面図。 １０１ ・・・ 偏光板 １０２ ・・・ ガラス基板 １０３ ・・・ 対向電極 １０４ ・・・ 配向膜 １０５ ・・・ 液晶 １０６ ・・・ 配向面 １０７ ・・・ 誘電体ミラー ］０８ ・・ マトリックス電極 １０９ ・・・ 絶縁性材料 １１、０ ・・・ シリコン基板 １１１ ・・・ アクティブ素子 １１２ ・・・ ５ｉ０２ ２０１ ・・・ 配向膜 ２０２ ・・・ 保護膜 ２０３ ・・・ アルミニウム電極 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴木喜三部（ｆ！′！！１名）’＋２
ＳｒＱよ 第１図 麓２図
す断面図。 第２図は、従来の反射型液晶電気光学装置の構成を示す
断面図。 １０１ ・・・ 偏光板 １０２ ・・・ ガラス基板 １０３ ・・・ 対向電極 １０４ ・・・ 配向膜 １０５ ・・・ 液晶 １０６ ・・・ 配向面 １０７ ・・・ 誘電体ミラー ］０８ ・・ マトリックス電極 １０９ ・・・ 絶縁性材料 １１、０ ・・・ シリコン基板 １１１ ・・・ アクティブ素子 １１２ ・・・ ５ｉ０２ ２０１ ・・・ 配向膜 ２０２ ・・・ 保護膜 ２０３ ・・・ アルミニウム電極 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴木喜三部（ｆ！′！！１名）’＋２
ＳｒＱよ 第１図 麓２図
Claims (1)
- 高透過率基板と高反射率基板の間に液晶を挟持し、少な
くとも一方の側に、複数の分離された電極を有する反射
型液晶電気光学装置に関し、高反射率基板側の電極と液
晶の間に誘電体ミラーを備えて成ることを特徴とする反
射型液晶電気光学装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2307836A JPH04178625A (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | 反射型液晶電気光学装置 |
| DE69128103T DE69128103T2 (de) | 1990-04-05 | 1991-04-03 | Optische Vorrichtung |
| EP91105263A EP0451681B1 (en) | 1990-04-05 | 1991-04-03 | Optical apparatus |
| US08/359,713 US5497254A (en) | 1990-04-05 | 1994-12-20 | Optical apparatus including a liquid crystal modulator |
| US08/571,417 US5682214A (en) | 1990-04-05 | 1995-12-13 | Optical apparatus for controlling the wavefront of a coherent light |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2307836A JPH04178625A (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | 反射型液晶電気光学装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04178625A true JPH04178625A (ja) | 1992-06-25 |
Family
ID=17973787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2307836A Pending JPH04178625A (ja) | 1990-04-05 | 1990-11-14 | 反射型液晶電気光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04178625A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6493052B1 (en) | 1998-06-02 | 2002-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal electro-optical device and electronic appliance |
| KR100720427B1 (ko) * | 2003-01-28 | 2007-05-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정층의 두께 공차가 큰 능동구동형 액정표시소자 및이를 이용한 액정투영기 |
-
1990
- 1990-11-14 JP JP2307836A patent/JPH04178625A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6493052B1 (en) | 1998-06-02 | 2002-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal electro-optical device and electronic appliance |
| US6750931B2 (en) | 1998-06-02 | 2004-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal electro-optical device and electronic appliance |
| KR100720427B1 (ko) * | 2003-01-28 | 2007-05-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정층의 두께 공차가 큰 능동구동형 액정표시소자 및이를 이용한 액정투영기 |
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