JPH04167227A

JPH04167227A - 光記録媒体の消去方法

Info

Publication number: JPH04167227A
Application number: JP29436690A
Authority: JP
Inventors: Fumio Tatsuzono; 史生立園
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1990-10-30
Filing date: 1990-10-30
Publication date: 1992-06-15

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（イ）産業上の利用分野本発明は光記録媒体に対して情報を消去する光記録媒体
の消去方法に関する。

（ロ）従来の技術近年、フォトクロミック材料を媒体の記録層に用いる研
究が盛んに進められている。斯かるフォトクロミック材
料は、所定波長の光を照射すると、光化学反応によって
分子の構造が変化し、該分子の構造変化に応じて特定の
波長を有する光に対する光学的特性が変化するといった
様な性質を有している。また他の所定の波長の光が照射
されると、上記変化した分子の構造が元の構造に戻ると
いった性質を有している。

この種のフォトクロミック材料としては、例えば、雑誌
「化学と工業Ｊ　　（１９８８年第４１巻第１号４９ペ
ージ）に開示されている。第６図に当該フォトクロミッ
ク材料の反応式を示す。（Ａ）は開環状態を示し、（Ｂ
）は閉環状態（着色状態）を示す。

上記フォトクロミック材料は、波長４０５ｎｍの光で閉
環状態に変化させて紫色に着色し、Ｈｅ−Ｎｅレーザの
波長６３３ｎｍの光で開環状態に変化させて消色する。

従って、上記閉環状態を情報の記録状態とし、上記開環
状態を消去状態とすることができる。

（ハ）発明が解決しようとする課題然し乍ら、光記録媒体に対物レンズを介して集光する光
のスポット径りは、対物レンズの開口数ＮＡ及び上記光
の波長λに関し、Ｄ父λ／ＮＡの関係がある。このため
、記録用と消去用に同程度の一口数を有する対物レンズ
を使用し、且つ従来例のように消去用光の波長が記録用
光の波長より大きい場合、消去用光のスポット径が記録
用光のスポット径より大きくなる。従って、上記消去用
光のスポット径によってトラック幅が決定され、記録密
度を向上させることができなかった。

又、消去用の対物レンズの開口数ＮＡを大きくして、上
記消去用光のスポットを記録用光のスポットと略同等の
大きさにする場合、消去用の対物レンズを大きくする必
要があり、対物レンズの重量が大きくなるといった問題
があった。

（ニ）課題を解決するための手段上記課題に鑑み本発明は、記録用光を照射して情報の記
録を行う光記録媒体に、消去用光を照射して情報の消去
を行う光記録媒体の消去方法において、上記消去用光の
スポットが上記記録用光により形成された少なくとも記
録トラックの２つ以上に跨って走査することを特徴とす
る。

（ホ）作用上記構成によれば、消去用光スポットは大きくてよく、
容易に所望の大きさの消去用光スポットが得られ、又、
情報の記録密度は消去用光のスポットにより決定される
ことがない。

（へ）実施例以下、図面を参照しつつ本発明について詳細に説明する
。

本実施例では、７オトクロミツク材料であるインドリル
フルギドを含有する光記録媒体（±）を用いた。

第１図に上記フォトクロミック材料の反応式を示す。第
２図にこのフォトクロミック材料の吸光度特性を示し、
その光学的特性を説明する。上記Ａ状態の分子は破線の
ような吸収スペクトルを有する。上記Ａ状態（基底状態
）の分子は波長４゜Ｏｎｍ前後の光の照射により、実線
で示す吸収スペクトルを示すＡ状態の分子とＢ状態の分
子が混在する光定常状態となる。

逆に、上記光定常状態のフォトクロミック材料に波長約
４５０〜約８００　ｎｍの光を照射することにより、Ａ
状態に戻すことができる。

従って、上記Ａ状態と光定常状態のうち、一方を記録状
態とし、他方を消去状態にして、情報の記録及び消去を
行うことができる。但し、以下では、Ａ状態を消去状態
、光定常状態を記録状態として説明する。

第３図は光記録媒体の構造を示す図である。

光記録媒体（１）は、トラックピッチが０．８μｍであ
り、輻０．５μｍのグループを有する直径５．２５イン
チのガラス基板（２）上に、上記７オトクロミツク材料
を０．５ｇと、ポリスチレンを５ｇと、溶剤であるトル
エンを１００ｇとを混合した溶液をスピンコード法で塗
布し、厚み０．７μｍの記録層（３）を形成した後、銅
等の反射層（４）を真空蒸着法等により膜厚約１０００
重厚に被着形成して作製した。

第４図にこの光記録媒体に情報の記録及び消去を行うた
めの光学系の概略図を示す。

（５）（６）は光記録媒体（±）に情報の記録を行うた
めの半導体レーザ源である。この半導体レーザ源（５）
（６）を光記録媒体（１）上に隣接して記録トラックが
形成されるように所定の間隔をもって配置する。これら
の半導体レーザ源（５）（６）は、例えばフレーム記録
のために２個容易されている。

半導体レーザ源（５）（６）は夫々波長８００ｎｍのレ
ーザ光を出力する。上記レーザ光はＳＨＧ素子（７）（
８）により波長４００ｎｍの記録用光に変換される。こ
れら記録用光は対物レンズ（９）（１０）を通って光記
録媒体（±）に約０．５μｍのスポット径で集光され、
トラックに情報の記録を行って記録トラックを形成する
。

（１１）は情報の消去を行うためのＨｅ−Ｎｅレーザ源
である。このＨｅ−Ｎｅレーザ源（１１）は波長６３３
ｎｍの消去用光を出力する。この消去用光は対物レンズ
（１２）を通って光記録媒体（１）に集光される。この
集光されたスポットは上記記録用光の２つの記録トラッ
クを走査できるように約１゜５μｍとする。従って、対
物レンズ（１２）は開０数が小さく、軽量なものでよい
。尚、上記スポットは円形でなくてもよい。例えば、ス
ポット形状が楕円の場合、スポット径は楕円の長軸径と
すればよい。

第５図に示すように、この消去用光のスポット（２０）
は、隣接する２つの記録トラック（２１）を走査して情
報の消去を行うことができる。

上述のような消去方法にすれば、消去用光は隣接する２
つの記録トラックを消去するようにそのスポットの大き
さが設定されるので、軽量な対物レンズにより所望の消
去用光のスポットが得られ、又、消去用光のスポット径
により、記録密度が決定される惧れもない。又、２つの
記録トラックの情報の消去を行うので高速に消去を行え
る。

本実施例では、光記録媒体として、フルギド系の７オト
クロミツク材料を用いたが、他のフォトクロミック材料
でも利用可能である。又、記録用光の波長は同一でなく
てよく、更に、記録用光と消去用光の波長の大小関係が
上述と逆の関係でもよい。又、上記光記録媒体は光ディ
スク、光テープ等の光照射により情報の記録、消去を行
える媒体であればよい。更に、上記実施例では反射型の
光記録媒体について述べたが、透過型の光記録媒体でも
よいのは明らかである。

又、複数の記録用光に同一のＳＨＧ素子、対物レンズを
使用できる場合もある。又、記録用光と消去用光に同一
の対物レンズを使用できる場合もある。又、光記録媒体
はグループを有してなくてもよい。又、記録用光の波長
によっては、ＳＨＧ素子を使用する必要はない。

更に、消去用光のスポットが３つ以上の記録トラックを
走査して消去するようにしてもよい。

（ト）発明の効果本発明は、消去用光が隣接する２つ以上の記録トラック
を消去するようにそのスポットの大きさを設定するので
、軽量な対物レンズにより所望の消去用光のスポットが
得られ、又、消去用光のスポットにより、記録密度が決
定される惧れもない。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第５図は本発明の一実施例に係り、第１図は
７オトクロミツク材料の反応式を示す図、第２図は吸収
光度特性を示す図、第３図は光記録媒体の構造を示す図
、第４図は情報の記録及び消去を行う光学系を示す概念
図、第５図は消去用光のスポットが記録トラックを走査
する状態を示す概念図である。第６図はフォトクロミック材料の一例である材料の反応
式を示す図である。（１）・・・光記録媒体、（２０）・・・消去用光のス
ポット、（２１）・・・記録トラック。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）記録用光を照射して情報の記録を行う光記録媒体
に消去用光を照射して情報の消去を行う光記録媒体の消
去方法において、上記消去用光のスポットが上記記録用
光により形成された記録トラックの少なくとも２つ以上
に跨って走査することを特徴とする光記録媒体の消去方
法。