JP2889935B2 - 基板加熱装置 - Google Patents
基板加熱装置Info
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- JP2889935B2 JP2889935B2 JP27268890A JP27268890A JP2889935B2 JP 2889935 B2 JP2889935 B2 JP 2889935B2 JP 27268890 A JP27268890 A JP 27268890A JP 27268890 A JP27268890 A JP 27268890A JP 2889935 B2 JP2889935 B2 JP 2889935B2
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- Japan
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- substrate
- hot plate
- semiconductor wafer
- processed
- container
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、基板加熱装置に関する。
（従来の技術） 例えば、半導体デバイスの製造工程等においては、例
えば表面にフォトレジストあるいは樹脂をコーティング
した半導体ウエハ等の基板の乾燥等に、基板加熱装置が
用いられている。
えば表面にフォトレジストあるいは樹脂をコーティング
した半導体ウエハ等の基板の乾燥等に、基板加熱装置が
用いられている。
第２図にこのような従来の基板加熱装置の構成を示
す。基板加熱装置には、上面に被処理基板、例えば半導
体ウエハ１を載置可能に構成された形状例えば円板状の
熱板２が設けられている。この熱板２は、図示しない加
熱手段例えば抵抗加熱ヒータおよびこの抵抗加熱ヒータ
に供給する電力を調節して熱板２の温度を制御する温度
制御手段を備えており、半導体ウエハ１を所定温度に加
熱することができるよう構成されている。
す。基板加熱装置には、上面に被処理基板、例えば半導
体ウエハ１を載置可能に構成された形状例えば円板状の
熱板２が設けられている。この熱板２は、図示しない加
熱手段例えば抵抗加熱ヒータおよびこの抵抗加熱ヒータ
に供給する電力を調節して熱板２の温度を制御する温度
制御手段を備えており、半導体ウエハ１を所定温度に加
熱することができるよう構成されている。
また、この熱板２は、筐体３内に収容されており、こ
の筐体３の天井部４のほぼ中央には、半導体ウエハ１の
表面にコーティングされたフォトレジストあるいは樹脂
等から生じた溶媒蒸気等を排出するための排気配管５が
接続された排気口６が設けられている。
の筐体３の天井部４のほぼ中央には、半導体ウエハ１の
表面にコーティングされたフォトレジストあるいは樹脂
等から生じた溶媒蒸気等を排出するための排気配管５が
接続された排気口６が設けられている。
（発明が解決しようとする課題） 上述したように、従来の基板加熱装置では、筐体３の
天井部４のほぼ中央に設けられた排気口６から排気を行
うことにより、半導体ウエハ１の表面にコーティングさ
れたフォトレジストあるいは樹脂等から生じた溶媒蒸気
等を排出するよう構成されている。
天井部４のほぼ中央に設けられた排気口６から排気を行
うことにより、半導体ウエハ１の表面にコーティングさ
れたフォトレジストあるいは樹脂等から生じた溶媒蒸気
等を排出するよう構成されている。
しかしながら、本発明者等が詳査したところ、上記説
明の従来の基板加熱装置では、排気配口６から排気を行
うにもかかわらず、フォトレジストあるいは樹脂等から
生じた溶媒蒸気等が、液滴となって天井部４に付着し、
この液滴が半導体ウエハ１上に落下する等の問題があっ
た。
明の従来の基板加熱装置では、排気配口６から排気を行
うにもかかわらず、フォトレジストあるいは樹脂等から
生じた溶媒蒸気等が、液滴となって天井部４に付着し、
この液滴が半導体ウエハ１上に落下する等の問題があっ
た。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもの
で、被処理基板から発生した溶媒蒸気等が、筐体の天井
部等に液滴となって付着することを防止することのでき
る基板加熱装置を提供しようとするものである。
で、被処理基板から発生した溶媒蒸気等が、筐体の天井
部等に液滴となって付着することを防止することのでき
る基板加熱装置を提供しようとするものである。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） すなわち本発明は、被処理基板を加熱する熱板と、こ
の熱板を収容する容器とを具備した基板加熱装置におい
て、 前記容器の前記被処理基板と対向する天井部が、円錐
状に凹陥された凹陥部であってその頂部が前記被処理基
板の略中心上方に位置しかつ周縁部が前記被処理基板の
周縁部より外側上方に位置する凹陥部を具備し、この凹
陥部の頂部から排気を行うように構成されるとともに、 前記被処理基板面より上方に位置する如く、前記容器
に外気を取り入れるための開口が形成されたことを特徴
とする。
の熱板を収容する容器とを具備した基板加熱装置におい
て、 前記容器の前記被処理基板と対向する天井部が、円錐
状に凹陥された凹陥部であってその頂部が前記被処理基
板の略中心上方に位置しかつ周縁部が前記被処理基板の
周縁部より外側上方に位置する凹陥部を具備し、この凹
陥部の頂部から排気を行うように構成されるとともに、 前記被処理基板面より上方に位置する如く、前記容器
に外気を取り入れるための開口が形成されたことを特徴
とする。
また、請求項２の発明は、請求項１記載の基板加熱装
置において、 前記容器に外気を取り入れるための開口が、前記凹陥
部の周縁部より外側に形成されたことを特徴とする。
置において、 前記容器に外気を取り入れるための開口が、前記凹陥
部の周縁部より外側に形成されたことを特徴とする。
（作用） 本発明の基板加熱装置では、熱板を収容する容器の天
井部が、凹面形状とされており、この天井部の頂部から
排気を行うように構成されている。
井部が、凹面形状とされており、この天井部の頂部から
排気を行うように構成されている。
したがって、凹陥された天井部によって、フォトレジ
ストあるいは樹脂等から生じた溶媒蒸気等を排気配管に
導き、効率良く筐体外に排出することができ、この溶媒
蒸気等が、筐体の天井部等に液滴となって付着すること
を防止することができる。
ストあるいは樹脂等から生じた溶媒蒸気等を排気配管に
導き、効率良く筐体外に排出することができ、この溶媒
蒸気等が、筐体の天井部等に液滴となって付着すること
を防止することができる。
（実施例） 以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第１図に示すように、基板加熱装置10には、上面に被
処理基板、例えば半導体ウエハ11を載置可能に構成さ
れ、形状例えば円板状であって、処理を行う半導体ウエ
ハ11のサイズに合わせてその直径を設定された（本実施
例では、６インチの半導体ウエハに対して直径例えば20
cmとされた）熱板12が設けられている。
処理基板、例えば半導体ウエハ11を載置可能に構成さ
れ、形状例えば円板状であって、処理を行う半導体ウエ
ハ11のサイズに合わせてその直径を設定された（本実施
例では、６インチの半導体ウエハに対して直径例えば20
cmとされた）熱板12が設けられている。
この熱板12は、図示しない加熱手段、例えば抵抗加熱
ヒータおよびこの抵抗加熱ヒータに供給する電力を調節
して熱板12の温度を制御する温度制御手段を備えてお
り、レジスト液塗布後の半導体ウエハ11を所定温度に加
熱し、溶剤を乾燥させることができるよう構成されてい
る。
ヒータおよびこの抵抗加熱ヒータに供給する電力を調節
して熱板12の温度を制御する温度制御手段を備えてお
り、レジスト液塗布後の半導体ウエハ11を所定温度に加
熱し、溶剤を乾燥させることができるよう構成されてい
る。
上記熱板12は、容器13内に収容されている。この容器
13は、例えば断熱材等から構成されており、容器状に形
成された熱板収容部14と、熱板12の上部を覆う如く設け
られた蓋部15とからなる。そして、図示しない駆動機構
により、これらの熱板収容部14と蓋部15とを相対的に上
下動させ、両者の間に間隔を設け、熱板12上に半導体ウ
エハ11をロード・アンロードするよう構成されている。
また、熱板12を貫通する如く図示しないウエハ支持ピン
が複数例えば３本設けられており、上記熱板収容部14ま
たは蓋部15の上下動に伴なって、ウエハ支持ピンが熱板
12上に突出し、半導体ウエハ11を熱板12上に支持するよ
う構成されている。
13は、例えば断熱材等から構成されており、容器状に形
成された熱板収容部14と、熱板12の上部を覆う如く設け
られた蓋部15とからなる。そして、図示しない駆動機構
により、これらの熱板収容部14と蓋部15とを相対的に上
下動させ、両者の間に間隔を設け、熱板12上に半導体ウ
エハ11をロード・アンロードするよう構成されている。
また、熱板12を貫通する如く図示しないウエハ支持ピン
が複数例えば３本設けられており、上記熱板収容部14ま
たは蓋部15の上下動に伴なって、ウエハ支持ピンが熱板
12上に突出し、半導体ウエハ11を熱板12上に支持するよ
う構成されている。
また、上記蓋部15内側の半導体ウエハ11との対向面、
すなわち、天井部15aは、材質例えばステレンスで円錐
状凹陥面形状とされており、その頂部（中央部）には、
排気配管16に接続された排気口17（直径例えば10mm〜50
mm）が設けられている。この円錐状の天井部15aの傾斜
角θは、望ましくは例えば２〜20度（本実施例では、４
度）とされている。
すなわち、天井部15aは、材質例えばステレンスで円錐
状凹陥面形状とされており、その頂部（中央部）には、
排気配管16に接続された排気口17（直径例えば10mm〜50
mm）が設けられている。この円錐状の天井部15aの傾斜
角θは、望ましくは例えば２〜20度（本実施例では、４
度）とされている。
さらに、熱板収容部14と蓋部15との間には、例えば0.
2〜0.6mm程度（本実施例では、0.3mm）の空気取入れ用
の間隙18が設けられており、排気口17から排気を行う
と、この間隙18から外部の空気が取り入れられ、間隙18
と排気口17との間に、円錐状の天井部15aに沿って、空
気流が形成されるよう構成されている。
2〜0.6mm程度（本実施例では、0.3mm）の空気取入れ用
の間隙18が設けられており、排気口17から排気を行う
と、この間隙18から外部の空気が取り入れられ、間隙18
と排気口17との間に、円錐状の天井部15aに沿って、空
気流が形成されるよう構成されている。
なお、図中符号ｄで示す間隔、すなわち、熱板12の上
面と、蓋部15の縁部下面との間隔は、３〜10mm（本実施
例では5mm）とされている。これは、上記間隔ｄを拡
げ、例えば15mm以上とすると、排気口17からの排気圧を
高めても（例えば10mmH2Oとしても）、天井部15aに溶媒
蒸気等が液滴となって付着してしまうためである。
面と、蓋部15の縁部下面との間隔は、３〜10mm（本実施
例では5mm）とされている。これは、上記間隔ｄを拡
げ、例えば15mm以上とすると、排気口17からの排気圧を
高めても（例えば10mmH2Oとしても）、天井部15aに溶媒
蒸気等が液滴となって付着してしまうためである。
上記構成のこの実施例の基板加熱装置では、図示しな
い駆動装置により、熱板収容部14と蓋部15とを相対的に
上下動させ両者の間に間隔を設けるとともに、図示しな
いウエハ支持ピンを熱板12上に突出させ、この状態でウ
エハ支持ピン上に、表面にフォトレジスト液あるいは樹
脂液等をコーティングされた半導体ウエハ11をロートす
る。また、図示しない加熱手段および温度制御手段によ
り、予め熱板12を所定温度に加熱しておく。
い駆動装置により、熱板収容部14と蓋部15とを相対的に
上下動させ両者の間に間隔を設けるとともに、図示しな
いウエハ支持ピンを熱板12上に突出させ、この状態でウ
エハ支持ピン上に、表面にフォトレジスト液あるいは樹
脂液等をコーティングされた半導体ウエハ11をロートす
る。また、図示しない加熱手段および温度制御手段によ
り、予め熱板12を所定温度に加熱しておく。
そして、上記熱板収容部14と蓋部15との間隔を閉じる
とともに、ウエハ支持ピン上の半導体ウエハ11を熱板12
上に受け渡し、熱板12と接触させることにより、半導体
ウエハ11を加熱する。また、排気配管16により、排気口
17から所定排気圧例えば1mmH2Oで排気を行い、空気取入
れ用の間隙18と排気口17との間に空気流を形成し、半導
体ウエハ11の表面にコーティングされたフォトレジスト
あるいは樹脂等から生じた溶媒蒸気等を排出する。
とともに、ウエハ支持ピン上の半導体ウエハ11を熱板12
上に受け渡し、熱板12と接触させることにより、半導体
ウエハ11を加熱する。また、排気配管16により、排気口
17から所定排気圧例えば1mmH2Oで排気を行い、空気取入
れ用の間隙18と排気口17との間に空気流を形成し、半導
体ウエハ11の表面にコーティングされたフォトレジスト
あるいは樹脂等から生じた溶媒蒸気等を排出する。
このようにして、半導体ウエハ11を所定時間所定温度
で加熱し、表面にコーティングされたフォトレジストあ
るいは樹脂等の乾燥が終了すると、上記したロードの手
順と逆の手順で、熱板12上の半導体ウエハ11をアンロー
ドして、処理を終了する。
で加熱し、表面にコーティングされたフォトレジストあ
るいは樹脂等の乾燥が終了すると、上記したロードの手
順と逆の手順で、熱板12上の半導体ウエハ11をアンロー
ドして、処理を終了する。
上記実施例の基板加熱装置により、表面にポリイミド
をコーティングした６インチの半導体ウエハ11の乾燥を
行ったところ、排気配管16の排気圧1mmH2O（排気量約10
0リットル／分）、排気時間30秒で、天井部15aの付着物
は全く見られなかった。
をコーティングした６インチの半導体ウエハ11の乾燥を
行ったところ、排気配管16の排気圧1mmH2O（排気量約10
0リットル／分）、排気時間30秒で、天井部15aの付着物
は全く見られなかった。
なお、第２図に示した従来の基板加熱装置で同様な半
導体ウエハ11の乾燥を行ったところ、排気圧40mmH2O、
排気時間60秒としても、天井部に大量の付着物（溶媒蒸
気の液滴）が見られた。
導体ウエハ11の乾燥を行ったところ、排気圧40mmH2O、
排気時間60秒としても、天井部に大量の付着物（溶媒蒸
気の液滴）が見られた。
上記実施例ではレジスト液の塗布された半導体ウエハ
の加熱について説明したが、基板の加熱例えば現像液の
塗布された半導体ウエハ、磁性体の塗布された磁気媒体
等いずれに適用しても良い。
の加熱について説明したが、基板の加熱例えば現像液の
塗布された半導体ウエハ、磁性体の塗布された磁気媒体
等いずれに適用しても良い。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の基板加熱装置によれ
ば、被処理基板から発生した溶媒蒸気等が、液滴となっ
て筐体の天井部等に付着することを防止することができ
る。
ば、被処理基板から発生した溶媒蒸気等が、液滴となっ
て筐体の天井部等に付着することを防止することができ
る。
第１図は本発明の一実施例の基板加熱装置の構成を示す
図、第２図は従来の基板加熱装置の構成を示す図であ
る。 10……基板加熱装置、11……半導体ウエハ、12……熱
板、13……容器、14……熱板収容部、15……蓋部、15a
……天井部、16……排気配管、17……排気口、18……空
気取入れ用の間隙。
図、第２図は従来の基板加熱装置の構成を示す図であ
る。 10……基板加熱装置、11……半導体ウエハ、12……熱
板、13……容器、14……熱板収容部、15……蓋部、15a
……天井部、16……排気配管、17……排気口、18……空
気取入れ用の間隙。
フロントページの続き (72)発明者 古川 孝弘 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東 京エレクトロン九州株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−241124（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−206123（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027 H01L 21/324 G03F 7/26
Claims (2)
- 【請求項１】被処理基板を加熱する熱板と、この熱板を
収容する容器とを具備した基板加熱装置において、 前記容器の前記被処理基板と対向する天井部が、円錐状
に凹陥された凹陥部であってその頂部が前記被処理基板
の略中心上方に位置しかつ周縁部が前記被処理基板の周
縁部より外側上方に位置する凹陥部を具備し、この凹陥
部の頂部から排気を行うように構成されるとともに、 前記被処理基板面より上方に位置する如く、前記容器に
外気を取り入れるための開口が形成されたことを特徴と
する基板加熱装置。 - 【請求項２】請求項１記載の基板加熱装置において、 前記容器に外気を取り入れるための開口が、前記凹陥部
の周縁部より外側に形成されたことを特徴とする基板加
熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27268890A JP2889935B2 (ja) | 1990-10-11 | 1990-10-11 | 基板加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27268890A JP2889935B2 (ja) | 1990-10-11 | 1990-10-11 | 基板加熱装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04147612A JPH04147612A (ja) | 1992-05-21 |
| JP2889935B2 true JP2889935B2 (ja) | 1999-05-10 |
Family
ID=17517412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27268890A Expired - Lifetime JP2889935B2 (ja) | 1990-10-11 | 1990-10-11 | 基板加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2889935B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6185370B1 (en) | 1998-09-09 | 2001-02-06 | Tokyo Electron Limited | Heating apparatus for heating an object to be processed |
| JP4535499B2 (ja) | 2005-04-19 | 2010-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置、塗布、現像装置及び加熱方法 |
| JP2008078402A (ja) * | 2006-09-21 | 2008-04-03 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 加熱処理装置 |
-
1990
- 1990-10-11 JP JP27268890A patent/JP2889935B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04147612A (ja) | 1992-05-21 |
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