JPH04155964A - 固体撮像素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、固体撮像素子に関し、特にフォトセルの開口
部の形状に関する。

〔従来の技術〕

第３図に従来のＣＯＤ固体撮像素子の断面図を示す。

半導体基板９上にゲートポリシリコン電極６及びバリア
ポリシリコン電極５を形成した後、眉間膜４を全面に成
長させ、フォトダイオードの光電変換領域７（Ｎ型拡散
層）上部に対応する開口を備えた遮光アルミニウム膜３
で覆った構造を有している。

第３図には、チャネルストッパなど本発明と直接の関係
がないものは図示していない。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来の固体撮像素子は、遮光アルミニウム膜が
半導体基板面に対しかなり距離をもっているためその間
から光がＮチャネルに入り込みスミア成分が大きくなっ
てしまうという欠点をもっている。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、半導体基板の表面部に選択的に設けられた光
電変換領域に対応する開口を有する積層膜を備えた固体
撮像素子において、前記開口は、前記光電変換領域から
の距離に従って広がりその側面に反射膜を有するという
ものである。

〔実施例〕

次に本発明について図面を参照して説明する。

第１図（ａ）は、本発明の第１の実施例を示す平面図、
第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＸ−Ｘ線断面図である。

ゲートポリシリコン電極６は、半導体基板９の上にゲー
ト絶縁膜１０を介して形成されその後バリアポリシリコ
シ電極５がゲートポリシリコン電極６がない領域にかけ
て形成されている。そして′　　　その後層間膜４ａ遮
光アルミニウム膜３ａの順で形成されこの２つの膜を含
む積層膜に開口を形成したあとアルミニウム膜などの反
射膜２ａを付は素子全体をカバー膜１ａで覆っている。

開口下面１１は光電変換領域７より小面積で、開口上面
１２は大面積である。開口の側面はほぼ一定の傾斜を有
している。開口上面１２の近辺から入射した光１３は反
射膜２ａで反射されて光電変換領域７に入射するので、
フォトセルの開口率を改善することができる。又、反射
膜２ａは光電変換領域７上のゲート絶縁１１１１０上ま
できているので、反射膜２ａの光透過率を小さくしてお
けば、スミアの発生はほぼ完全に防止できる。

第２図は本発明の第２の実施例を示す断面図である。

反射膜２ｂは、遮光アルミニウム膜をつけることなく層
間膜４ｂの上に直接設けられている。この実施例では遮
光アルミニウム膜が不要であるので、構造が簡単となり
製造工数を減らすことができるという利点がある。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は光電変換領域に対応する開
口の形状を半導体基板から上方へ末広がりにしその上を
反射膜で覆うことでスミアを低減し感度を高めることが
できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は本発明の第１の実施例を示す平面図、第
１図（ｂ）は第１図（ａ）のＸ−Ｘ線断面図、第２図は
第２の実施例を示す断面図、第３図は従来の固体撮像素
子を示す断面図である。 １、ｌａ、ｌｂ−・−カバー膜、２ａ、２ｂ−反射膜、
３．３ａ、３ｂ・・・遮光アルミニウム膜、４゜４ａ、
４ｂ・・・層間膜、５・・・バリアポリシリコン電極、
６・・・ゲートポリシリコン電極、７・・・光電変換領
域、８・・・Ｎチャネル、１０・・・ゲート絶縁膜、１
１・・・開口下面、１２・・・開口上面。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　半導体基板の表面部に選択的に設けられた光電変換領
   域に対応する開口を有する積層膜を備えた固体撮像素子
   において、前記開口は、前記光電変換領域からの距離に
   従つて広がりその側面に反射膜を有することを特徴とす
   る固体撮像素子。