JPH04145710A - Power amplifier unit with cooling device - Google Patents
Power amplifier unit with cooling deviceInfo
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- JPH04145710A JPH04145710A JP26979990A JP26979990A JPH04145710A JP H04145710 A JPH04145710 A JP H04145710A JP 26979990 A JP26979990 A JP 26979990A JP 26979990 A JP26979990 A JP 26979990A JP H04145710 A JPH04145710 A JP H04145710A
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- Microwave Amplifiers (AREA)
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は冷却器付パワーアンプユニットに関し、特に冷
却器の冷却温度を制御する機能を有する冷却器付パワー
アンプユニットに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a power amplifier unit with a cooler, and more particularly to a power amplifier unit with a cooler having a function of controlling the cooling temperature of the cooler.
従来の冷却器付パワーアンプユニットは、冷却すべきパ
ワーアンプ本体に固定されたヒートシンク用の大形ラジ
ェータ、あるいは、外部に備えられたファンによる強制
空冷方式が一般的であった。Conventional power amplifier units with coolers generally use a forced air cooling method using a large radiator for a heat sink fixed to the power amplifier body to be cooled, or a fan provided externally.
上述した従来のパワーアンプユニット本体の冷却方式は
、パワーアンプ内の例えばＦＥＴの内部発熱を取り付け
られているラジェータを介してヒートシンクにより拡散
したり、ファンにより放散させているので、環境温度に
よる冷却温度特性を考慮しておらず、冷暖の差の激しい
条件で使用する場合にＦＥＴ等の許容温度を満足しない
場合が生ずる欠点があった。In the conventional cooling method for the power amplifier unit body described above, the internal heat generated by the FET in the power amplifier is diffused by a heat sink via an attached radiator or by a fan, so the cooling temperature varies depending on the environmental temperature. There was a drawback that the characteristics were not taken into account, and when used in conditions with large temperature differences, the allowable temperature of FETs etc. could not be satisfied.
本発明の冷却器付パワーアンプユニットは、マイクロス
トリップサーキットライン基板、および電界効果トラン
ジスタを搭載したアルミブロックを冷却する冷却器付パ
ワーアンプユニットにおいて、前記アルミブロックに固
定された温度検出を行う温度センサーと、前記アルミブ
ロックに一端を固定し、他端をヒートシンク用ラジェー
タに固定した電子冷却素子と、前記温度センサーの温度
情報により前記電子冷却素子に流す電流を制御する制御
部とを有する。A power amplifier unit with a cooler according to the present invention is a power amplifier unit with a cooler that cools an aluminum block equipped with a microstrip circuit line board and a field effect transistor, in which a temperature sensor fixed to the aluminum block detects temperature. and a thermoelectric cooling element having one end fixed to the aluminum block and the other end fixed to a heat sink radiator, and a control section controlling a current flowing through the thermoelectric cooling element based on temperature information from the temperature sensor.
次に、本発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.
第１図は本発明の一実施例の構成図、第２図は本実施例
の冷却器の回路系統図である。第１図の実施例は、パワ
ーアンプユニット本体であるアルミブロック４．パワー
アンプ用のＦ Ｅ Ｔ （ＦｉｅｌｄＥｆｆｅｃｔ Ｔ
ｒａｎｓｉｓｔｏｒ）７ 、マイクロストリップサーキ
ットライン６と、冷却器を構成するアルミブロック４に
固定された温度センサー１．同じくアルミブロック４に
固定されたペルチェ素子２．ヒートシンク用ラジェータ
３．制御部５から構成される。ここでパワーアンプユニ
ットの回路部はマイクロストリップサーキットライン基
板６とＦＥＴ５の組合わせにより構成され、アルミブロ
ック３内に実装されている。FIG. 1 is a block diagram of an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram of a cooler of this embodiment. The embodiment shown in FIG. 1 consists of an aluminum block 4. FET (Field Effect T) for power amplifier
transistor) 7, a microstrip circuit line 6, and a temperature sensor 1 fixed to the aluminum block 4 constituting the cooler. A Peltier element 2 also fixed to the aluminum block 4. Radiator for heat sink 3. It is composed of a control section 5. Here, the circuit section of the power amplifier unit is constituted by a combination of a microstrip circuit line board 6 and an FET 5, and is mounted within an aluminum block 3.
次に本実施例の動作を説明する。温度センサー１はアル
ミブロック４の温度上昇を検出し、制御部５により、ア
ルミブロック４に固定されたベルチェ素子２に印加され
る直流電圧値８を制御する。例えば、ＦＥＴ５の温度上
昇が高ければ、第２図のペルチェのＮからＰ方向に電流
が流れて直流電圧が高くなり、ＦＥＴの熱をベルチェ素
子２のポンピングにより強制的に吸熱し、ベルチェ素子
２の他面に接触しているラジェータの方へヒートシンク
により放散する。このように温度センサー１の温度検出
情報により制御部５が電流制御を行いペルチェ効果によ
りＦＥＴを許容温度内に制御することがきる。Next, the operation of this embodiment will be explained. The temperature sensor 1 detects the temperature rise of the aluminum block 4, and the controller 5 controls the DC voltage value 8 applied to the Vertier element 2 fixed to the aluminum block 4. For example, if the temperature rise of the FET 5 is high, a current flows from N to P of the Peltier shown in FIG. It is dissipated by the heat sink towards the radiator which is in contact with the other surface. In this manner, the control section 5 performs current control based on the temperature detection information from the temperature sensor 1, and the FET can be controlled within the permissible temperature by the Peltier effect.
以上説明したように本発明は、温度センサーと、ヒート
シンク用ラジェータと、ベルチェ素子と、このベルチェ
素子の電流制御用の制御部とを備えることにより、ベル
チェ素子による吸収と放散熱量を制御して最適なパワー
アンプの温度特性が得られる効果がある。As explained above, the present invention includes a temperature sensor, a radiator for a heat sink, a Beltier element, and a control section for controlling the current of the Beltier element, thereby controlling the amount of heat absorbed and dissipated by the Beltier element to optimize the amount of heat absorbed and dissipated by the Beltier element. This has the effect of providing a power amplifier with excellent temperature characteristics.
第１図は本発明の一実施例の構成図、第２図は本実施例
の回路系統図である。
１・・・温度センサー、２・・・ベルチェ素子、３・・
・ヒートンシンク用ラジェータ、４・・・アルミブロッ
ク、５・・・制御部、６・・・マイクロストリップサー
キットライン基板、７・・・ＦＥＴ１８・・・直流電圧
値。FIG. 1 is a block diagram of an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram of the embodiment. 1...Temperature sensor, 2...Bertier element, 3...
-Radiator for heat sink, 4...aluminum block, 5...control unit, 6...microstrip circuit line board, 7...FET18...DC voltage value.
Claims (2)
電界効果トランジスタを搭載したアルミブロックを冷却
する冷却器付パワーアンプユニットにおいて、前記アル
ミブロックに固定された温度検出を行う温度センサーと
、前記アルミブロックに一端を固定し、他端をヒートシ
ンク用ラジエータに固定した電子冷却素子と、前記温度
センサーの温度情報により前記電子冷却素子に流す電流
を制御する制御部とを有することを特徴とする冷却器付
パワーアンプユニット。1. In a power amplifier unit with a cooler that cools an aluminum block equipped with a microstrip circuit line board and a field effect transistor, a temperature sensor for detecting temperature fixed to the aluminum block, and one end fixed to the aluminum block, A power amplifier unit with a cooler, comprising: an electronic cooling element whose other end is fixed to a heat sink radiator; and a control section that controls a current flowing through the electronic cooling element based on temperature information from the temperature sensor.
とする請求項１記載の冷却器付パワーアンプユニット。2. 2. The power amplifier unit with a cooler according to claim 1, wherein the electronic cooling element is a Peltier element.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26979990A JPH04145710A (en) | 1990-10-08 | 1990-10-08 | Power amplifier unit with cooling device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26979990A JPH04145710A (en) | 1990-10-08 | 1990-10-08 | Power amplifier unit with cooling device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04145710A true JPH04145710A (en) | 1992-05-19 |
Family
ID=17477330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26979990A Pending JPH04145710A (en) | 1990-10-08 | 1990-10-08 | Power amplifier unit with cooling device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04145710A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002540632A (en) * | 1999-03-25 | 2002-11-26 | インテル・コーポレーション | Cooling unit for integrated circuits |
| KR100454544B1 (en) * | 2002-05-24 | 2004-11-03 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | High-frequency circuit and manufacturing method thereof |
| CN101860329A (en) * | 2010-06-19 | 2010-10-13 | 叶真 | High-power professional audio power amplifier based on Peltier effect radiation technology |
-
1990
- 1990-10-08 JP JP26979990A patent/JPH04145710A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002540632A (en) * | 1999-03-25 | 2002-11-26 | インテル・コーポレーション | Cooling unit for integrated circuits |
| KR100454544B1 (en) * | 2002-05-24 | 2004-11-03 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | High-frequency circuit and manufacturing method thereof |
| CN101860329A (en) * | 2010-06-19 | 2010-10-13 | 叶真 | High-power professional audio power amplifier based on Peltier effect radiation technology |
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