JPH04145619A - Vapor growth device - Google Patents
Vapor growth deviceInfo
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- JPH04145619A JPH04145619A JP26982790A JP26982790A JPH04145619A JP H04145619 A JPH04145619 A JP H04145619A JP 26982790 A JP26982790 A JP 26982790A JP 26982790 A JP26982790 A JP 26982790A JP H04145619 A JPH04145619 A JP H04145619A
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- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 61
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 17
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 48
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、気相成長装置、特に、化合物半導体などの結
晶薄膜を基板上に成長する気相成長装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a vapor phase growth apparatus, and particularly to a vapor phase growth apparatus for growing a crystalline thin film of compound semiconductor or the like on a substrate.
第３図は従来の気相成長装置の一例を示す系統図である
。FIG. 3 is a system diagram showing an example of a conventional vapor phase growth apparatus.
第３図に示す気相成長装置は、気相成長用の各種原料収
納容器１と、原料収納容器１に一対のストップバルブ２
を介して接続した原料ガス供給配管３と、原料ガス供給
配管３にインジェクトバルブ８を介して接続され原料ガ
スを反応室１０内に供給するインジェクト配管１６と、
反応室１０に接続された排気配管１１と、原料ガス供給
配管３にベントバルブ９を介して接続され原料ガスを反
応室１０内に供給せずそのまま排気するベント配管１７
と、キャリアガスを流量制御するマスフローコントロー
ラ１３と−のストップバルブ２の間の原料ガス供給配管
３と他のストップバルブ２とインジェクトバルブ８およ
びベントバルブ９の間の原料ガス供給配管３に設けられ
た一対の原料ガス供給バルブ４と、一対の原料ガス供給
バルブ４の間に設けられたバイパスバルブとを備えてい
る。The vapor phase growth apparatus shown in FIG.
an injection pipe 16 connected to the raw material gas supply pipe 3 via an injection valve 8 and supplying the raw material gas into the reaction chamber 10;
An exhaust pipe 11 connected to the reaction chamber 10 and a vent pipe 17 that is connected to the raw material gas supply pipe 3 via a vent valve 9 and exhausts the raw material gas without supplying it to the reaction chamber 10.
and the mass flow controller 13 that controls the flow rate of the carrier gas, and the source gas supply piping 3 between the stop valve 2 and the other stop valve 2, the injection valve 8, and the vent valve 9. A pair of raw material gas supply valves 4 and a bypass valve provided between the pair of raw material gas supply valves 4 are provided.
キャリアガスをマスフローコントローラ１３により流量
制御して原料収納容器１に供給し、液体あるいは個体状
態の原料はバブリングにより気化し原料ガス供給配管３
に供給され、インジェクト配管１６を経て反応室１０内
に供給され反応室１０内の基板上に化合物半導体などの
結晶薄膜の成長を行う。The flow rate of the carrier gas is controlled by the mass flow controller 13 and it is supplied to the raw material storage container 1, and the raw material in a liquid or solid state is vaporized by bubbling, and the raw material gas supply pipe 3
is supplied into the reaction chamber 10 through the injection pipe 16, and a crystal thin film of compound semiconductor or the like is grown on the substrate in the reaction chamber 10.
原料収納容器１は原料ガス供給バルブ４とストップバル
ブ２との間で図示しな、い継手によって接続されており
、交換の時はこの継手より取外して行う。この交換の前
後では原料ガス供給配管３は大気開放状態となるなめ、
原料ガス供給配管３内より原料ガスを除去しておくこと
が必要である。The raw material storage container 1 is connected between the raw material gas supply valve 4 and the stop valve 2 by a joint (not shown), and is removed from this joint when replacing the container. Before and after this exchange, the raw material gas supply pipe 3 is open to the atmosphere.
It is necessary to remove the source gas from inside the source gas supply pipe 3.
このため、ストップバルブ２を確実に閉め原料ガス供給
バルブ４とバイパスバルブ６を開けて、ベント配管１７
を経て真空ポンプ１２により真空引きする方法がとられ
ている。For this reason, be sure to close the stop valve 2, open the raw material gas supply valve 4 and the bypass valve 6, and then open the vent pipe 17.
A method of evacuation using a vacuum pump 12 is used.
上述した従来の気相成長装置は、原料収納容器１の交換
時の原料ガス供給配管３の真空引きを気相成長時に使用
する配管を経て行っているため、配管内を空気等で汚染
してしまうという欠点があった。In the conventional vapor phase growth apparatus described above, when replacing the raw material storage container 1, the source gas supply pipe 3 is evacuated through the pipe used during vapor phase growth, so the inside of the pipe may be contaminated with air, etc. There was a drawback that it could be stored away.
本発明の気相成長装置は、ストップバルブおよび継手を
介して接続される原料収納容器より原料ガス供給配管及
びインジェクトメイン配管を経て反応室内に原料ガスを
供給し、反応室内の基板上に結晶成長を行う気相成長装
置において、前記原料収納容器に対応する原料ガス供給
バルブに隣接して接続された真空引き専用切り換えバル
ブと、前記真空引き専用切り換えバルブに相対する位置
に接続されたパージ専用バルブと、前記真空引き専用切
り換えバルブに接続する真空引き専用配管と、前記パー
ジ専用バルブに接続するパージ専用配管と、前記真空引
き専用配管の末端に接続された真空ポンプとを含んで構
成される。The vapor phase growth apparatus of the present invention supplies raw material gas into a reaction chamber from a raw material storage container connected via a stop valve and a joint through a raw material gas supply pipe and an injection main pipe, and deposits crystals on a substrate in the reaction chamber. In a vapor phase growth apparatus that performs growth, a vacuum-only switching valve connected adjacent to a source gas supply valve corresponding to the raw material storage container, and a purge-only switching valve connected at a position opposite to the vacuum-only switching valve. It is configured to include a valve, a vacuum-only piping connected to the vacuum-only switching valve, a purge-only piping connected to the purge-only valve, and a vacuum pump connected to the end of the vacuum-only piping. .
本発明の気相成長装置は、ストップバルブおよび継手を
介して接続される原料収納容器より原料ガス供給配管及
びインジェクトメイン配管を経て反応室内に原料ガスを
供給し、反応室内の基板上に結晶成長を行う気相成長装
置において、前記原料収納容器に対応する前記原料ガス
供給配管に隣接して接続された原料供給バルブに相対す
る位置に設置された真空引き専用切り換えバルブと、前
記真空引き専用切り換えバルブに接続する真空引き専用
配管と、前記真空引き専用配管の末端に接続された真空
ポンプとを含んで構成される。The vapor phase growth apparatus of the present invention supplies raw material gas into a reaction chamber from a raw material storage container connected via a stop valve and a joint through a raw material gas supply pipe and an injection main pipe, and deposits crystals on a substrate in the reaction chamber. In a vapor phase growth apparatus that performs growth, a vacuum-only switching valve installed at a position opposite to a raw material supply valve connected adjacent to the raw material gas supply pipe corresponding to the raw material storage container; It is configured to include a dedicated vacuum piping connected to the switching valve, and a vacuum pump connected to the end of the vacuum dedicated piping.
次に、本発明の実施例について、図面を参照して詳細に
説明する。Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第１図は本発明の一実施例を示す系統図である。FIG. 1 is a system diagram showing one embodiment of the present invention.
原料ガス供給バルブ４とストップバルブ２との間で原料
ガス供給バルブ４に隣接して真空引き専用切り換えバル
ブ５が設けられ、真空引き専用切り換えバルブ５に相対
する位置にパージ専用バルブ１４が接続されている。A switching valve 5 exclusively for evacuation is provided between the source gas supply valve 4 and the stop valve 2 and adjacent to the source gas supply valve 4, and a purge only valve 14 is connected at a position opposite to the switching valve 5 only for evacuation. ing.
原料収納容器１には例えばＶ族有機金属原料等が収納さ
れ、ストップバルブ２を介して原料ガス供給配管３と接
続されている。原料ガス供給バルブ４の間にはバイパス
バルブ６が隣接して接続されている。The raw material storage container 1 stores, for example, a group V organic metal raw material, and is connected to a raw material gas supply pipe 3 via a stop valve 2 . A bypass valve 6 is connected adjacently between the source gas supply valves 4 .
原料ガス供給装置３にはインジェクトバルブ８とベント
バルブ９を経てインジェクト配管１６とベント配管１７
が接続されており、インジェクト配管１６は反応室１０
に接続されベント配管１７は直接排気配管１１に接続さ
れ、排気配管１１には真空ポンプ１２が接続されている
。真空引き専用切り換えバルブ５には真空引き専用配管
７が接続されており、真空引き専用配管７末端は真空ポ
ンプ１２に接続されている。パージ専用バルブ１４には
パージ専用配管１５が接続されＡｒ（アルゴン）などの
不活性ガスが供給される。The raw material gas supply device 3 is connected to an inject pipe 16 and a vent pipe 17 via an inject valve 8 and a vent valve 9.
is connected, and the injection pipe 16 is connected to the reaction chamber 10.
The vent pipe 17 is directly connected to the exhaust pipe 11, and the vacuum pump 12 is connected to the exhaust pipe 11. A vacuum-only switching valve 5 is connected to a vacuum-only pipe 7, and the end of the vacuum-only pipe 7 is connected to a vacuum pump 12. A purge-only pipe 15 is connected to the purge-only valve 14, and an inert gas such as Ar (argon) is supplied thereto.
原料収納容器１の交換を行う際は、ストップバルブ２を
確実に閉め、真空引き専用切り換えバルブ５を開け、イ
ンジェクトバルブ８やベントパル１９等地のバルブは閉
める。真空ポンプ１２により原料ガス供給配管３内、特
に原料ガス供給バルブ４とストップバルブ２の間は真空
引きされ残留原料ガスを除去し、また、原料収納容器１
を取り外した際に侵入した空気を除去する。真空状態か
ら常圧への復帰は、真空引き専用切り換えバルブ５を閉
めパージ専用バルブ１４を開けて不活性ガスを供給して
行う。When replacing the raw material storage container 1, the stop valve 2 is securely closed, the vacuum switching valve 5 is opened, and the valves such as the inject valve 8 and vent pal 19 are closed. The inside of the raw material gas supply pipe 3, especially between the raw material gas supply valve 4 and the stop valve 2, is evacuated by the vacuum pump 12 to remove residual raw material gas, and the raw material storage container 1
Remove the air that entered when the was removed. Returning from a vacuum state to normal pressure is performed by closing the vacuum switching valve 5, opening the purge valve 14, and supplying inert gas.
第２図は本発明の他の実施例を示す系統図である。FIG. 2 is a system diagram showing another embodiment of the present invention.
原料収納容器１には例えばＶ族有機金属原料等が収納さ
れ、ストップバルブ２を介して原料ガス供給配管３と接
続されている。原料ガス供給配管３には原料ガス供給バ
ルブ４が接続されており、原料ガス供給バルブ４に相対
する位置には真空引き専用切り換えバルブ５が原料ガス
供給配管３に隣接して接続されている。真空引き専用切
り換えバルブ５には真空引き専用配管７が接続されてお
り、真空引き専用配管７末端は真空ポンプ１２に接続さ
れている。真空引き専用切り換えバルブ５の間にはバイ
パスバルブ６が隣接して接続されている。原料ガス供給
配管３にはインジェクトバルブ８とベントバルブ９を経
てインジェクト配管１６とベント配管１７が接続されて
おり、インジェクト配管１６は反応室１０に接続されベ
ント配管１７は直接排気配管１１に接続され、排気配管
１１には真空ポンプ１２が接続されている。The raw material storage container 1 stores, for example, a group V organic metal raw material, and is connected to a raw material gas supply pipe 3 via a stop valve 2 . A raw material gas supply valve 4 is connected to the raw material gas supply pipe 3 , and a switching valve 5 exclusively for evacuation is connected adjacent to the raw material gas supply pipe 3 at a position opposite to the raw material gas supply valve 4 . A vacuum-only switching valve 5 is connected to a vacuum-only pipe 7, and the end of the vacuum-only pipe 7 is connected to a vacuum pump 12. A bypass valve 6 is connected adjacently between the vacuum switching valves 5. An inject pipe 16 and a vent pipe 17 are connected to the raw material gas supply pipe 3 via an inject valve 8 and a vent valve 9. The inject pipe 16 is connected to the reaction chamber 10, and the vent pipe 17 is directly connected to the exhaust pipe 11. A vacuum pump 12 is connected to the exhaust pipe 11.
原料収納容器１の交換を行う際は、ストップバルブ２を
確実に閉め原料ガス供給バルブ４と真空引き専用切り換
えバルブ５を開け、インジェクトバルブ８やベントパル
１９等地のバルブは閉める。真空ポンプ１２により原料
ガス供給配管３内は真空引きされ残留原料ガスを除去し
、また、原料収納容器１を取り外した際に侵入した空気
を除去する。When replacing the raw material storage container 1, the stop valve 2 is securely closed, the raw material gas supply valve 4 and the vacuum switching valve 5 are opened, and the valves such as the injection valve 8 and vent pal 19 are closed. The inside of the raw material gas supply pipe 3 is evacuated by the vacuum pump 12 to remove residual raw material gas, and also to remove air that entered when the raw material storage container 1 was removed.
本発明の気相成長装置は、原料ガス供給バルブに真空引
き専用切り換えバルブを隣接し、真空引き専用切り換え
バルブに真空引き専用配管を接続することにより、スト
ップバルブと原料ガス供給バルブの間の原料ガス供給配
管のみを真空引きすることにより、気相成長時に使用す
る配管を汚染することを防ぐことができるという効果が
ある。In the vapor phase growth apparatus of the present invention, a switching valve exclusively for vacuuming is adjacent to the source gas supply valve, and a piping exclusively for vacuuming is connected to the switching valve exclusively for vacuuming, so that the source gas can be connected between the stop valve and the source gas supply valve. By evacuating only the gas supply piping, there is an effect that contamination of the piping used during vapor phase growth can be prevented.
第１図は本発明の一実施例を示す系統図、第２図は本発
明の他の実施例を示す系統図、第３図は従来の気相成長
装置の系統図である。
１・・・原料収納容器、２・・・ストップバルブ、３・
・・原料ガス供給配管、４・・・原料ガス供給バルブ、
５・・・真空引き専用切換バルブ、６・・・バイパスバ
ルブ、７・・・真空引き専用配管、８・・・インジェク
トバルブ、９・・・ベントバルブ、１０・・・反応室、
１１・・・排気配管、１２・・・真空ポンプ、１３・・
・マスフローコントローラ、１４・・・パージ専用バル
ブ、１５・・・パージ専用配管、１６・・・インジェク
ト配管、１７・・・ベント配管。FIG. 1 is a system diagram showing one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a system diagram showing another embodiment of the invention, and FIG. 3 is a system diagram of a conventional vapor phase growth apparatus. 1... Raw material storage container, 2... Stop valve, 3...
... Raw material gas supply piping, 4... Raw material gas supply valve,
5... Vacuum exclusive switching valve, 6... Bypass valve, 7... Vacuum exclusive piping, 8... Inject valve, 9... Vent valve, 10... Reaction chamber,
11... Exhaust piping, 12... Vacuum pump, 13...
-Mass flow controller, 14... Valve for purge, 15... Piping for purge, 16... Inject piping, 17... Vent piping.
Claims (1)
収納容器より原料ガス供給配管及びインジェクトメイン
配管を経て反応室内に原料ガスを供給し、反応室内の基
板上に結晶成長を行う気相成長装置において、前記原料
収納容器に対応する原料ガス供給バルブに隣接して接続
された真空引き専用切り換えバルブと、前記真空引き専
用切り換えバルブに相対する位置に接続されたパージ専
用バルブと、前記真空引き専用切り換えバルブに接続す
る真空引き専用配管と、前記パージ専用バルブに接続す
るパージ専用配管と、前記真空引き専用配管の末端に接
続された真空ポンプとを含むことを特徴とする気相成長
装置。 ２、ストップバルブおよび継手を介して接続される原料
収納容器より原料ガス供給配管及びインジェクトメイン
配管を経て反応室内に原料ガスを供給し、反応室内の基
板上に結晶成長を行う気相成長装置において、前記原料
収納容器に対応する前記原料ガス供給配管に隣接して接
続された原料供給バルブに相対する位置に設置された真
空引き専用切り換えバルブと、前記真空引き専用切り換
えバルブに接続する真空引き専用配管と、前記真空引き
専用配管の末端に接続された真空ポンプとを含むことを
特徴とする気相成長装置。[Claims] 1. A raw material gas is supplied into a reaction chamber from a raw material storage container connected via a stop valve and a joint through a raw material gas supply pipe and an injection main pipe, and crystal growth is performed on a substrate in the reaction chamber. In a vapor phase growth apparatus that performs the above, the vacuum switching valve is connected adjacent to the raw material gas supply valve corresponding to the raw material storage container, and the purge switching valve is connected to a position opposite to the vacuum switching valve. and a vacuum-only piping connected to the vacuum-only switching valve, a purge-only piping connected to the purge-only valve, and a vacuum pump connected to an end of the vacuum-only piping. Vapor phase growth equipment. 2. A vapor phase growth apparatus that supplies raw material gas into a reaction chamber from a raw material storage container connected via a stop valve and a joint through a raw material gas supply pipe and an injection main pipe, and grows crystals on a substrate in the reaction chamber. , a vacuum-only switching valve installed at a position opposite to a raw material supply valve connected adjacent to the raw material gas supply pipe corresponding to the raw material storage container; and a vacuum-only switching valve connected to the vacuum-only switching valve. A vapor phase growth apparatus comprising a dedicated pipe and a vacuum pump connected to an end of the vacuum pipe.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26982790A JPH04145619A (en) | 1990-10-08 | 1990-10-08 | Vapor growth device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26982790A JPH04145619A (en) | 1990-10-08 | 1990-10-08 | Vapor growth device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04145619A true JPH04145619A (en) | 1992-05-19 |
Family
ID=17477732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26982790A Pending JPH04145619A (en) | 1990-10-08 | 1990-10-08 | Vapor growth device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04145619A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004207713A (en) * | 2002-12-13 | 2004-07-22 | Tokyo Electron Ltd | Treatment equipment and treatment method |
| JP2005051205A (en) * | 2003-06-11 | 2005-02-24 | Asm Internatl Nv | Gas supply system, valve assembly and method for forming reactant pulse by operating valve assembly |
-
1990
- 1990-10-08 JP JP26982790A patent/JPH04145619A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004207713A (en) * | 2002-12-13 | 2004-07-22 | Tokyo Electron Ltd | Treatment equipment and treatment method |
| JP2005051205A (en) * | 2003-06-11 | 2005-02-24 | Asm Internatl Nv | Gas supply system, valve assembly and method for forming reactant pulse by operating valve assembly |
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