JPH04144284A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPH04144284A JPH04144284A JP2268945A JP26894590A JPH04144284A JP H04144284 A JPH04144284 A JP H04144284A JP 2268945 A JP2268945 A JP 2268945A JP 26894590 A JP26894590 A JP 26894590A JP H04144284 A JPH04144284 A JP H04144284A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- interlayer film
- state image
- region
- aperture
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 23
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- OZFAFGSSMRRTDW-UHFFFAOYSA-N (2,4-dichlorophenyl) benzenesulfonate Chemical compound ClC1=CC(Cl)=CC=C1OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 OZFAFGSSMRRTDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は固体撮像素子に関し、
子のスミャ特性の改善に関する。
特に固体撮像素
固体撮像素子は近年の技術の進歩により緒特性が向上し
民生用はもとより放送、業務用カメラにおいても採用さ
れつつある。しかし従来の撮像管には無い偽信号のひと
つにスミャがあり高品位の画像を得るための障害となっ
ている。第５図はインターライン型の固体撮像素子のセ
ルの平面模式図、第６図は第５図のＸ −Ｘ線断面模式
図を示したものである。チャネルストップ５によって素
子分離されたｐｎ接合フォトダイオードのｎ領域４に蓄
積された電荷は読み出しゲート１０のゲート電極を兼ね
た第−層転送電極７に読み出しパルスを印加することに
より垂直転送チャネル３に読み出され第−層転送電極７
及び第二層転送電極８に転送パルスを印加して順次転送
される構成になっている。従ってｎ領域４に電荷が蓄積
されている期間、すなわち垂直転送レジスタにより信号
電荷が転送されている期間に入射光による洩れ混み電荷
（−スミャ）が入らないようにｎ領域４以外の部分を遮
光Ｍ９にて覆っている。しかし基板深部にて光電変換さ
れた電荷が拡散により垂直転送チャネル３に到達する場
合や基板表面と遮光層９（よる多重反射により直接垂直
転送チャネル３に２射し光電変換されたものやチャネル
ストップ５１の無効領域に入射し光電変換されたものが
拡散二る場合などスミャの発生する要素が存在する。１
根深部で発生するモードは第６図の光路１］に。
民生用はもとより放送、業務用カメラにおいても採用さ
れつつある。しかし従来の撮像管には無い偽信号のひと
つにスミャがあり高品位の画像を得るための障害となっ
ている。第５図はインターライン型の固体撮像素子のセ
ルの平面模式図、第６図は第５図のＸ −Ｘ線断面模式
図を示したものである。チャネルストップ５によって素
子分離されたｐｎ接合フォトダイオードのｎ領域４に蓄
積された電荷は読み出しゲート１０のゲート電極を兼ね
た第−層転送電極７に読み出しパルスを印加することに
より垂直転送チャネル３に読み出され第−層転送電極７
及び第二層転送電極８に転送パルスを印加して順次転送
される構成になっている。従ってｎ領域４に電荷が蓄積
されている期間、すなわち垂直転送レジスタにより信号
電荷が転送されている期間に入射光による洩れ混み電荷
（−スミャ）が入らないようにｎ領域４以外の部分を遮
光Ｍ９にて覆っている。しかし基板深部にて光電変換さ
れた電荷が拡散により垂直転送チャネル３に到達する場
合や基板表面と遮光層９（よる多重反射により直接垂直
転送チャネル３に２射し光電変換されたものやチャネル
ストップ５１の無効領域に入射し光電変換されたものが
拡散二る場合などスミャの発生する要素が存在する。１
根深部で発生するモードは第６図の光路１］に。
るものであるがこれは縦型のオーバーフロートムイン構
造（ｎ領域４、ｐウェル２、Ｄ型半導体１板１にて構成
される縦型トランジスタ）によりＨのほとんどがｎ型半
導体基板１に吸収されるが１板表面と遮光膜９による多
重反射によるモード、第６図の光路１２，１３の場合は
層間膜６での手取以外そのほとんどの成分がスミャとし
て信号部分に加算されてしまう。
造（ｎ領域４、ｐウェル２、Ｄ型半導体１板１にて構成
される縦型トランジスタ）によりＨのほとんどがｎ型半
導体基板１に吸収されるが１板表面と遮光膜９による多
重反射によるモード、第６図の光路１２，１３の場合は
層間膜６での手取以外そのほとんどの成分がスミャとし
て信号部分に加算されてしまう。
このように従来の固体撮像素子の遮光層は基６上に層間
膜を介して積層されるなめに界面での１重反射によるス
ミャの発生を十分に抑制することができなかった。
膜を介して積層されるなめに界面での１重反射によるス
ミャの発生を十分に抑制することができなかった。
本発明は、複数の光電変換部と、前記各光電変換部の開
口を規定する遮光膜を有する固体撮像素子において、前
記遮光膜は前記開口領域端もしくはその近傍で前記複数
の光電変換素子に対してそれぞれ接触して個別に設けら
れた第１遮光層および前記第１遮光層上に絶縁膜を介し
て設けられた第２遮光層からなっているというものであ
る。
口を規定する遮光膜を有する固体撮像素子において、前
記遮光膜は前記開口領域端もしくはその近傍で前記複数
の光電変換素子に対してそれぞれ接触して個別に設けら
れた第１遮光層および前記第１遮光層上に絶縁膜を介し
て設けられた第２遮光層からなっているというものであ
る。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例のセルの平面模式図、第
２図は第１図のＸ−Ｘ線断面模式図である。ｐｎ接合フ
ォトダイオードのｎ領域４の開口を規定する第１の遮光
層９１の端部に沿う部分において層間Ｍ６に帯状のスル
ーホール１４が設けられている。第１遮光層９１はこの
スルーホール１４によりｎ１領域４と接しているなめ電
位は共通でありｎ領域４の電位はそれぞれ独立に規定さ
れるところから隣接するフォトダイオード間で接しない
ように構成されている。従って第６図で説明した垂直転
送チャネル３への層間膜６を通したフォトダイオード開
口がらの入射１２．１３を含んだ全ての光路を遮断する
ことができスミャ成分を大幅に低減できる。第１遮光層
９１は各フォトダイオード毎に個別に設けられているの
で、更にその上に酸化シリコン膜などの層間膜６１を介
して第２遮光層９２を積層し、第１遮光層間の非遮光部
分を覆いスミャの発生を完全に防ぐようにしている。
２図は第１図のＸ−Ｘ線断面模式図である。ｐｎ接合フ
ォトダイオードのｎ領域４の開口を規定する第１の遮光
層９１の端部に沿う部分において層間Ｍ６に帯状のスル
ーホール１４が設けられている。第１遮光層９１はこの
スルーホール１４によりｎ１領域４と接しているなめ電
位は共通でありｎ領域４の電位はそれぞれ独立に規定さ
れるところから隣接するフォトダイオード間で接しない
ように構成されている。従って第６図で説明した垂直転
送チャネル３への層間膜６を通したフォトダイオード開
口がらの入射１２．１３を含んだ全ての光路を遮断する
ことができスミャ成分を大幅に低減できる。第１遮光層
９１は各フォトダイオード毎に個別に設けられているの
で、更にその上に酸化シリコン膜などの層間膜６１を介
して第２遮光層９２を積層し、第１遮光層間の非遮光部
分を覆いスミャの発生を完全に防ぐようにしている。
第３図は本発明の第２の実施例を示す平面模式図、第４
図は第３図のＸ−Ｘ＠断面模式図である。第１の実施例
よりもスルーホール１４の幅を大きくし、フォトダイオ
ードの開口を規定する第１遮光層９１の端部がスルーホ
ール内にくるように形成している。従って第１の実施例
よりパターン寸法などのマージンを確保でき素子の微細
化に対しても有利な構成となっている。
図は第３図のＸ−Ｘ＠断面模式図である。第１の実施例
よりもスルーホール１４の幅を大きくし、フォトダイオ
ードの開口を規定する第１遮光層９１の端部がスルーホ
ール内にくるように形成している。従って第１の実施例
よりパターン寸法などのマージンを確保でき素子の微細
化に対しても有利な構成となっている。
以上説明したように本発明は埋め込み型の光電変換部上
に、その端面近傍において層間膜を介さずに直接接触す
る第１遮光層を形成することにより固体撮像素子のスミ
ャ特性を大幅に改善できるといった効果がある。
に、その端面近傍において層間膜を介さずに直接接触す
る第１遮光層を形成することにより固体撮像素子のスミ
ャ特性を大幅に改善できるといった効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の平面模式図、第２図は
第１図のＸ−Ｘ線断面模式図、第３図は本発明の第２の
実施例の平面模式図、第４図は第３図のＸ−Ｘ線断面模
式図、第５図は従来例の平面模式図、第６図は第５図の
Ｘ−Ｘ線断面模式図である。 １・・・ｎ型半導体基板、２・・・ｐウェル、３・・・
垂直転送チャネル、４・・・ｎ領域、５・・・チャネル
ストップ、６・・・層間膜、７・・・第１層転送を極、
８・・・第２層転送ｔ８ｉ、９・・・遮光膜、９１・・
・第１遮光腹、１０・・・読み出しゲニト、１１．１２
．１３・・・入射光、１４・・・スルーホール。
第１図のＸ−Ｘ線断面模式図、第３図は本発明の第２の
実施例の平面模式図、第４図は第３図のＸ−Ｘ線断面模
式図、第５図は従来例の平面模式図、第６図は第５図の
Ｘ−Ｘ線断面模式図である。 １・・・ｎ型半導体基板、２・・・ｐウェル、３・・・
垂直転送チャネル、４・・・ｎ領域、５・・・チャネル
ストップ、６・・・層間膜、７・・・第１層転送を極、
８・・・第２層転送ｔ８ｉ、９・・・遮光膜、９１・・
・第１遮光腹、１０・・・読み出しゲニト、１１．１２
．１３・・・入射光、１４・・・スルーホール。
Claims (1)
- 複数の光電変換部と、前記各光電変換部の開口を規定
する遮光膜を有する固体撮像素子において、前記遮光膜
は前記開口領域端もしくはその近傍で前記複数の光電変
換素子に対してそれぞれ接触して個別に設けられた第１
遮光層および前記第１遮光層上に絶縁膜を介して設けら
れた第２遮光層からなっていることを特徴とする固体撮
像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2268945A JPH04144284A (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2268945A JPH04144284A (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04144284A true JPH04144284A (ja) | 1992-05-18 |
Family
ID=17465471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2268945A Pending JPH04144284A (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04144284A (ja) |
-
1990
- 1990-10-05 JP JP2268945A patent/JPH04144284A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6157181A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS5819080A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS58138187A (ja) | 固体イメ−ジセンサ | |
| JP2866328B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2710292B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH08148665A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2917361B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH03276677A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2521789B2 (ja) | 固体撮像装置の感光部構造 | |
| US20070290242A1 (en) | Solid-state imaging device having transmission gates which pass over part of photo diodes when seen from the thickness direction of the semiconductor substrate | |
| JPH04144284A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2506697B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH02304976A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP3052367B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2964488B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH0878654A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH0794699A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2956115B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS6320385B2 (ja) | ||
| JPS5866470A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP3191967B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0329368A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0294664A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH0415666B2 (ja) | ||
| JP2698293B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 |