JPH04142736A - ドライエッチング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は高集積度を有する半導体装置等の製造において
行われるドライエツチング方法に関し、特にフロン系ガ
スを使用せずにゲート電極等に使用されるポリサイド膜
の異方性エツチングを行う方法に関する。

〔発明の概要〕

本発明は、ゲート電極等を構成するポリサイド膜のエツ
チングを行うドライエツチング方法において、エッチン
グ・ガスとしてＳ、Ｆ、、ＳＦＩ。

ＳＦ４．Ｓ！Ｆ＋。のうち少なくとも１種とＨＢｒを含
むエッチング・ガスを用いた低温エツチングを行うこと
により、５ｉＢｒ、およびＳの堆積による側壁保護を行
ってフロン系ガスを使用せずどもポリサイド膜の異方性
加工を可能とすると共に、オーバーエツチング時にもＳ
の堆積による側壁保護を行って多結晶シリコン層におけ
るアンダカットの発生を抑制しようとするものである。

さらに本発明は、ポリサイド膜のエツチングを２段階に
分け、被エツチング基板を０°Ｃ以下に冷却しながらフ
ッ素系ガスとＨＢｒを含むエッチング・ガスを用いて該
ポリサイド膜のエツチングを行った後、Ｈ２Ｓ　とＨＢ
ｒを含むエッチング・ガスを用いて過剰なりｒラジカル
の捕捉とＳの堆積を可能とするオーバーエツチングを行
うことにより、同様に異方性加工とオーバーエツチング
時におけるアンダカットの発生を抑制しようとするもの
である。

〔従来の技術〕

ＬＳＩのゲート配線材料としては従来、多結晶シリコン
が広く使用されてきたが、高集積化メモリ装置における
アクセス時間の短縮等、デバイスの高速化への要求が高
まるにつれ、多結晶シリコンよりも約１桁低い抵抗値の
得られる高融点金属シリサイドが用いられるようになっ
ている。高融点金属シリサイドを用いてゲート配線層を
構成する場合、デバイス特性や信頼性に最も影響を与え
易いゲート絶縁膜との界面特性を考慮して、まずゲート
絶縁膜上に従来から実績のある不純物含有多結晶シリコ
ン（ＤＯＰＯＳ）層を形成し、これに高融点金属シリサ
イド層を積層する、いわゆるポリサイド膜構造を採用す
ることが主流となっている。

ところで、かかるポリサイド膜は、異なる２種類の材料
に対して共に異方性を実現しなければならないことから
、ドライエツチング技術に新たな困難をもたらした。す
なわち、ポリサイド膜のエツチングにおいては、生成す
るハロゲン化合物の蒸気圧の差に起因して上層の高融点
金属シリサイド層よりも下層の多結晶シリコン層が速く
エツチングされること、あるいは多結晶シリコン層と高
融点金属シリサイド層の界面に反応層が形成されること
等の理由により、パターンにアンダカットやくびれ等が
生じやすい。これらの形状異常は、ソース・ドレイン領
域を形成するためのイオン法人時に不純物の導入されな
いオフセット領域を発生させたり、ＬＤＤ構造を実現す
るためのサイドウオール形成時の寸法精度を低下させる
こと等の原因となり、特にサブミクロン・デバイスでは
許容されないものである。

従来、ポリサイド膜のエッチング・ガスとして広く使用
されているものは、たとえばセミコンダクターワールド
（プレスジャーナル社刊）　１９８９年ｌＯ月号１２６
〜１３０ページにも報告されているように、フロン１１
３　（ＣｔＣｌｓＦｓ）　　に代表されるフロン系ガス
を主体とするガスである。このガスは、分子中にフッ素
原子と塩素原子を有するためにラジカル・モードおよび
イオン・モードの双方により効果的にエツチング反応を
進行させ、かつ炭素系ポリマーの堆積により側壁保護を
行いながら高異方性エツチングを可能とするものである
。

しかしながら、フロン系ガスは周知のように地球のオゾ
ン層破壊の元凶となることが指摘されており、近い将来
にも生産・使用が禁止される運びである。したがって、
ドライエツチングの分野においてもフロン系ガスの代替
品を見出し、その効果的な利用方法、すなわち脱フロン
・プロセスを確立することが急務である。

以上のようなデバイスの微細化要求および脱フロン対策
の観点から、近年ＨＢｒがエッチング・ガスとして注目
されている。たとえば、ダイジェスト・才ブ・ペーパー
ズ　１９８９　　セカンド・マイクロプロセス・コンフ
ァレンス（Ｄｉｇｅｓｔ　ｏｆ　Ｐａｐｅｒｓ１９８９
２ｎｄ　ＭｉｃｒｏＰｒｏｃｅｓｓ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎ
ｃｅ）第１９０ページには、ｎ３型多結晶シリコン層に
対してＨＢｒを使用した反応性イオン・エツチングを行
い、良好な異方性形状を達成した例が報告されている。

Ｂｒは原子半径が大きく容易に被エツチング物の結晶格
子内もしくは結晶粒界内に侵入しないため、自発的なエ
ツチング反応を起こすことは困難であるが、イオン衝撃
を伴った場合にエツチング反応を起こすことができ、異
方性の達成には有利なエツチング種を提供することがで
きる。

ところが、上記ＨＢｒによるドライエツチングは、ポリ
サイド膜のエツチングに適用された場合、高融点金属シ
リサイド層のエツチング時にスパッタリング除去された
高融点金属の臭化物かエツチング室内を汚染すること、
および、元来反応性の低いＢｒ系ラジカルをエツチング
種とするために、従来のフロン系ガスを使用するエツチ
ングに比べてエツチング速度か大幅に低下してしまうこ
と等の問題を育することが明らかとなった。

この問題を解決するために、本願出願人は先に特願平２
−１０４８９号明細書において、上述のＨＢｒにＳＦ、
等のフッ素系ガスを添加したエッチング・ガスによるポ
リサイド膜のドライエツチング方法を提案している。こ
のエッチング・ガスは、Ｆ系ラジカルの供給により実用
的な速度でエツチングを行うこと、および主としてレジ
スト材料とＢｒとの反応生成物ＣＢ　ｒ　＊の側壁保護
効果により高異方性を達成することを意図したものであ
る。

さらに、同明細書には、ポリサイド膜のエツチングがほ
ぼ終了した後のオーバーエツチングを、ＨＢｒ単独によ
り行うことも提案されている。これは、全体としてのエ
ツチング速度を大幅に低下させることなく、ゲート酸化
膜との選択比を大きく維持したままウェハ全体にわたっ
てポリサイド膜を完全に除去することを意図したもので
ある。

さらに、ドライエツチングの分野では、被エツチング基
板を０°Ｃ以下に保持しながらエツチングを行う、いわ
ゆる低温エツチングが近年改めて注目されている。これ
は、深さ方向のエツチング速度をイオン・アシスト効果
により維持したまま、側壁部におけるラジカル反応を凍
結してサイドエツチング等の形状不良を防止することを
目的とする技術である。これを、たとえばＳ　Ｆ　＊　
／　ＨＢ　ｒ系によるポリサイド膜のエツチングに適用
すると、上述のレジスト材料とＢｒとの反応生成物ＣＢ
ｒ□に加えて反応生成物の５ｉＢｒ、を堆積させ、これ
らを側壁保護膜として利用することができるようになる
。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、Ｓ　Ｆ　＊　／　ＨＢ　ｒ系に代表され
るフッ素系ガスとＨＢｒとの混合ガスを用いたドライエ
ツチングには、実用化に際して未だ解決すべき問題も残
されていることが、その後の研究により明らかとなって
きた。

まず第一に、常温におけるエツチングではエッチング・
ガス中におけるＨＢｒの含有比がある程度高くないと高
異方性が達成できず、そのためエツチング速度が本質的
に遅いという問題かある。

また、異方性を重視するあまりＨＢｒの含有比を高めて
大量の反応生成物Ｓ　ｉＢ　ｒ　ｘを発生させると、レ
ジスト・パターンの側壁部等にもこれか堆積し、アッシ
ングによってレジスト・パターンが除去された後に、残
存した該反応生成物が脱落してパーティクル汚染を惹起
させる虞れかある。さらに、ＨＢｒは危険かつ吸湿性の
高い化合物であるため、この使用量を多くすること自体
がプロセスの安定性を低下させる原因ともなる。

第二の問題は、オーバーエツチング時に多結晶シリコン
層にアンダカットが入りやすいことである。

この現象を、ポリサイド・ゲート電極の形成工程を例と
して、第２図（Ａ）および第２図（Ｂ）を参照しながら
説明する。第２図（Ａ）は、シリコン等からなる半導体
基板（１１）上に、ゲート絶縁膜（１２）を介して不純
物を含有する多結晶シリコン層（１３）、およびタング
ステン等の高融点金属を含む高融点金属シリサイド層（
１４）が順次積層された基体に対し、予め所定の形状に
パターニングされたフォトレジスト・パターン（１５）
をマスクとしてＳ　Ｆ　ｅ　／　ＨＢ　ｒ系のエッチン
グ・ガスにより低温エツチングを行った場合において、
該多結晶シリコン層（１３）が途中までエツチングされ
た状態を示している。この段階では、上記高融点金属シ
リサイド層（１４）と多結晶シリコン層（１３）の側壁
部に側壁保護膜（１６）が堆積することにより、形状異
方性が維持されている。上記側壁保護膜（１６）は、フ
ォトレジスト・パターン（１５）を構成するレジスト材
料とＢｒとの反応生成物、あるいはＢｒと主として多結
晶シリコン層（１３）から供給されるＳｔとの反応生成
物であるＳ　Ｉ　Ｂ　ｒ　ｗ等から構成されるものであ
る。

しかし、大吉のエツチングか終了してオーバーエツチン
グが開始されると、Ｓｉの供給源である多結晶シリコン
層（１３）か少なくなっているために５ｉＢｒ、の堆積
量が減少する上、結合の相手を失って相対的に過剰とな
ったＢｒ”が該多結晶シリコン層（１３）の側壁部を攻
撃するようになる。これにより、第２図（Ｂ）に示され
るようなアンダカット（１７）が生じ、多結晶シリコン
層（１３）のＩくターン幅は所望のパターン幅よりも狭
くなってしまう。このアンダカットは、条件によっては
高融点金属シリサイド層（１４）のエツチングか終了し
、多結晶シリコン層（１３）の表面が露出した時点で工
・ｙチング速度が上昇することによっても生ずる。この
ような現象は、低温エツチングの適用によっても効果的
には抑制できないのが実情である。

このアンダカットを防止するため、オーバーエツチング
時にエッチング・ガスをＨＢｒ単独の組成に切り替える
ことは、前述の特願平２−１０４８９号明細書に提案さ
れるところである。また、多結晶シリコン層の露出時に
上述のように組成を切り替え゛ることによっても、同様
の効果を得ることかできる。しかし、オーバーエツチン
グ時にはエツチング種が過剰ととなるために本来のエツ
チング中よりもさらに強固な側壁保護か必要であり、上
記の技術ではこの点において不十分である。さらに、高
融点金属シリサイド層と多結晶シリコン層の界面におい
てガス組成を切り替えることは、終点判定の困難さを伴
う。それは、ドライエツチングのモニタに通常利用され
る発光スペクトル測定において、高融点金属ハロゲン化
物の有用な発光種が知られていないからである。

そこで本発明は、上述の諸問題を解決し、ポリサイド膜
のオーバー・エツチング時におけるアンダカットの発生
を防止することが可能な脱フロン・プロセスを提供する
ことを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明者は、少なくともオーバーエツチング時において
、被エツチング材料層ではなくエッチング・ガスに由来
する成分を堆積させるようにすれば、該被エツチング材
料層の育無とは無関係に側壁保護が可能となるとの考え
にもとづいて検討を進めた。その結果、低温下でイオウ
を堆積し得るようなガス系を使用することにより、工・
ソチングの高速化を図り、かつ５ｉＢｒヨの堆積不足を
補って十分な側壁保護効果によりアンダカ・ｙトの発生
を防止することが可能となることを見出した。

本発明のドライエツチング方法は、上述の知見にもとづ
いて提案されるものである。

すなわち、本発明の第１の発明にかかるドライエツチン
グ方法は、被エツチング基板を０°Ｃ以下に冷却しなか
ら５ｚＦｔ、ＳＦｔ、ＳＦ４．ＳｔＦ＋。

のうち少なくとも１種とＨＢｒを含むエッチング・ガス
を用いて高融点金属シリサイド層と多結晶シリコン層と
からなるポリサイド膜のエツチングを行うことを特徴と
するものである。

さらに、本発明の第２の発明にかかるドライエツチング
方法は、被エツチング基板を０°Ｃ以下に冷却しながら
フッ素系ガスとＨＢｒを含むエッチング・ガスを用いて
高融点金属シリサイド層と多結晶シリコン層からなるポ
リサイド膜のエツチングを行う第１のエツチング工程と
、Ｈ２Ｓ　　とＨＢｒを含むエッチング・ガスを用いて
オーバーエツチングを行う第２のエツチング工程を存す
ることを特徴とするものである。

〔作用〕

本発明では、オーバーエツチング時の多結晶シリコン層
におけるアンダカットを防止するために、■プロセス全
体を通じてイ才つを堆積し得るガス系を使用すること、
および■オーバーエツチング時のみイ才つを堆積し得る
ガス系を使用すること、の２種類の方法を、第１の発明
および第２の発明においてそれぞれ提案する。

本発明の第１の発明では、前者の考え方に立ち、ＨＢｒ
と混合するガスとして、従来代表的に用いられてきたＳ
Ｆ、に代わり、本発明者が先に特願平２−１９８０４５
号明細書において酸化シリコン系材料層用のエッチング
・ガスとして提案したＦ／Ｓ比（１分子中におけるフッ
素原子数とイオウ原子数の比）の低いフッ化イオウガス
、すなわちＳ、Ｆ、。

ＳＦｉ、ＳＦ、、５ＩＦＩ。の少なくとも１種を使用す
る。これらのガスは、エツチングの過程においてプラズ
マ中でＦ系化学種とＳ系化学種に解離し、エツチング種
となるフッ素系ラジカルを供給すると共に、低温下でＳ
を堆積させることかできる。

したがって、オーバーエツチング時にだとえＳｉＢ　ｒ
　ｚの堆積が不足したとしても、Ｓの堆積により側壁保
護効果を補うことができる。これに対し、従来のＳＦ、
では大量に発生したＦｏがせっかく堆積したＳを除去し
てしまうので、このような効果が期待できないことは、
本発明者が行った別の実験により確認済みである。

また、本発明ではＳの堆積が期待できる分だけエッチン
グ・ガス中に占めるＨＢｒの相対的な含有比を低下させ
ることができるので、レジスト・パターン側壁部への過
剰な５ｉＢｒ、ｌの堆積を防止することかでき、またプ
ロセスの安定性やエツチング速度を高めることが可能と
なる。

一方、本発明の第２の発明では、後者の考え方に立ち、
ポリサイド膜の大力のエツチングが終了する段階までは
従来どおりＳＦ、等のフッ素系ガスとＨＢｒとを含むエ
ッチング・ガスを使用し、その後のオーバーエツチング
時に上記フッ素系ガスに代えてＨ！Ｓを添加する。Ｈ２
Ｓ　はプラズマ中でＨ系化学種とＳ系化学種に解離し、
該Ｆ系化学種により過剰なりｒ”を捕捉すると共に、低
温下でＳを堆積させることができる。したがって、オー
バーエツチング時におけるアンダカットの発生を防止す
ることができる。

したがって、いずれの発明においても脱フロン・プロセ
スによりポリサイド膜の良好な異方性加工が可能となる
。

〔実施例〕

以下、本発明の好適な実施例について図面を参照しなが
ら説明する。

実施例１ 本実施例は、本発明の第１の発明を適用してポリサイド
・ゲート電極を形成した例である。この工程を第１図（
Ａ）および第１図（Ｂ）を参照しながら説明する。

まず第１図（Ａ）に示されるように、単結晶シリコン等
からなる半導体基板（１）上にたとえば酸化シリコンか
らなるゲート酸化膜（２）、ポリサイド膜（５）の下層
に相当し、ｎ型不純物をドープした多結晶シリコン層（
３）、ポリサイド膜（５）の上層に相当するタングステ
ン・シリサイド層（４）を順次積層した後、上記タング
ステン・シリサイド層の表面に、上記ポリサイド膜（５
）のエツチング用マスクとしてフォトレジスト・パター
ン（６）を選択的に形成した。

次に、被エツチング基板（ウェハ）を０°Ｃ以下に温度
制御できる冷却機構を備えてなる高周波バイアス印加型
ＥＣＲプラズマ・エツチング装置に上述の基体をセット
し、液体窒素を使用して被エツチング基板を約−１００
℃に冷却した。この場合の冷却機構としては、ウェハ設
置電極に冷媒循環用の配管系やペルチェ素子等を内蔵さ
せたもの、あるいはウェハ設置電極の一部が冷媒を満た
した容器中に浸漬されるもの等、あらゆる形式のものが
使用できる。

ここで、ＳｔＦ＊流量３５　ＳＣＣＭ、　ＨＢ　ｒ流量
１５ＳＣＣＭ、　ガス圧１．３　Ｐ　ａ　（＝１０　ｍ
Ｔｏｒｒ）、　ｖイクロ波電力８５０Ｗ、高周波バイア
ス・パワー３０Ｗ（２ＭＨｚ）、エツチング中の基板温
度−５０℃の条件で終点付近までエツチングを行った。

この条件により、ラジカル反応を主体とするエツチング
反応が速やかに進行し、第１図（Ｂ）に示されるように
、少なくともタングステン・シリサイド・パターン（４
ａ）および多結晶シリコン・パターン（３ａ）の側壁部
に側壁保護膜（７）が形成されながら、パターン幅０．
３５μｍのゲート電極（５ａ）が良好な異方性形状をも
って形成された。上記側壁保護膜（７）は、フォトレジ
スト・パターン（６）がＢｒによりスパッタリングされ
て生成したポリマー、およびポリサイド膜（５）から供
給されたＳｉがＢｒと反応して生成した５ｉＢｒ、、お
よびＳ　ｓ　Ｆ　＊の解離により生じたＳ等が混在して
低温下で堆積されてなるものである。

次に、このままの条件でオーバーエツチングを行い、図
示されない領域に残存する多結晶シリコン層（３）を除
去した。この過程では、Ｓ　ｉＢ　ｒ　ｍの十分な堆積
が期待できないため、従来の技術ならば多結晶シリコン
・パターン（３ａ）に直ちに第２図（Ｂ）に示されるよ
うなアンダカットが生ずるところであるが、本実施例で
はＳ、Ｆ、の解離により生成するＳが堆積することによ
り、第１図（Ｂ）に示されるような良好な異方性形状が
維持された。

なお、上記のエツチング条件は、以下の点においても従
来のＳＦ、／ＨＢｒ系によるエツチングより有利である
。まず、本発明ではＳの堆積か期待できる分だけエッチ
ング・ガス中に占めるＨＢｒの割合を従来よりも低減す
ることかできるので、プロセスを安定化かつ高速化でき
る。また、このことによりフォトレジスト・パターン（
６）の側壁部への５ｉＢｒ、の付着も低減させることか
できるので、パーティクル汚染を防止することができる
。さらに、従来よりも低バイアス下で異方性加工が可能
となり、エツチング・ダメージの減少や対下地選択性の
向上を図ることができる。なお、側壁保護膜（７）の一
部を構成するＳは、エツチング終了後に基体を常温に戻
すことにより、昇華除去することができる。

ところで、本発明は上述の実施例に何ら限定されるもの
ではなく、たとえば上述のエッチング・ガスにＮ、や○
、を適宜添加し、これらのガスとＳｉとの反応生成物を
側壁保護膜の構成成分に加えて側壁保護効果を増強した
り、エツチング速度の制御を行っても良い。また、スパ
ッタリング効果、希釈効果および冷却効果を期待する意
味でＡｒ、Ｈｅ等の希ガスを適宜混合しても良い。

また、上述の例ではポリサイド膜（５）の上層を構成す
る高融点金属シリサイドとしてタングステン・シリサイ
ドを使用したが、これ以外にモリブデン、チタン、タン
タル等を含む他の高融点金属シリサイドを使用しても良
い。

実施例２ 本実施例は、本発明の第２の発明を適用してポリサイド
・ゲート電極を形成した例である。参照図面は前述の第
１図（Ａ）および第１図（Ｂ）である。

まず、第１図（Ａ）に示される基体を高周波バイアス印
加型ＥＣＲプラズマ・エツチング装置にセットし、ＳＦ
、流量３０　ＳＣＣＭ、　ＨＢ　ｒ流量２０ＳＣＣＭ、
ガス圧１．３　Ｐ　ａ　（＝１０　ｍＴｏｒｒ）、　？
イクロ波電力ｓｓｏｗ、高周波バイアス・パワー５０Ｗ
（２ＭＨｚ）、エツチング中の基板温度−５０°Ｃの条
件で終点付近まで第１のエツチングを行った。この条件
により、第１図（Ｂ）に示されるように、少なくともタ
ングステン・シリサイド・パターン（４ａ）および多結
晶シリコン・パターン（３ａ）の側壁部に側壁保護膜（
７）が形成されながら、パターン幅０．３５μｍのゲー
ト電極（５ａ）が良好な異方性形状をもって形成された
。

次に、オーバーエツチングを行うため、ガス供給条件を
Ｈ２Ｓ流量２０　ＳＣＣＭ、　　ＨＢ　ｒ流量３０　Ｓ
ＣＣＭ。

に変更した他は第１のエツチングと同様の条件にて第２
のエツチングを行った。この過程ではＳｉＢ　ｒ　ｘの
生成量が大幅に減少し、かつＢｒ”か相対的に過剰とな
る。しかし、プラズマ中でＨ２Ｓの解離により生成した
Ｓがゲート電極（５ａ）の側壁部に堆積して側壁保護作
用を補うと共に、同じくＨ２Ｓの解離により生成したＨ
が過剰なりｒ”を捕捉することにより、アンダカットの
発生は極めて効果的に抑制された。

なお、上述の例では第１のエツチングにおけるフッ素系
ガスとしてＳＦ、を使用したが、他にもＮＦ＊、ＣｌＦ
５．Ｆｔ、ＨＦ等を使用することができる。これらのフ
ッ素系ガスに対するＨＢｒの添加量は、１０〜５０％程
度とすることが望ましい。

上記範囲よりも少ない場合には側壁保護効果が不足し、
上記範囲よりも多い場合にはエツチング速度が低下する
虞れがある。

〔発明の効果〕

以上の説明からも明らかなように、本発明では少なくと
もポリサイド膜のオーバーエツチング時においでＳの堆
積により側壁保護効果か補われるので、多結晶シリコン
層にアンダカットか入る虞れがない。したがって本発明
は、脱フロン・プロセスによるポリサイド膜の極めて有
用なドライエツチング方法を提供し得るものである。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）および第１図（Ｂ）は本発明のドライエツ
チング方法をポリサイド・ゲート電極の形成に適用した
場合の一例をその工程順にしたがって説明する概略断面
図であり、第１図（Ａ）はゲート酸化膜、ポリサイド膜
、フォトレジスト・パターンの形成工程、第１図（Ｂ）
はポリサイド膜のエツチング工程をそれぞれ示すもので
ある。 第２図（Ａ）および−第２図（Ｂ）は従来のポリサイド
膜のドライエツチングにおける問題点を説明するための
概略断面図であり、第２図（Ａ）は多結晶シリコン層か
途中までエツチングされた状態、第２図（Ｂ）はオーバ
ーエツチング時にアンダカットが生した状態をそれぞれ
示すものである。 ・・・半導体基板 ・・・ゲート酸化膜 ・・・多結晶シリコン層 ・・・多結晶シリコン・パターン ・・・タングステン・シリサイド層 ・・・タングステン・シリサイド・パターン・・・ポリ
サイド膜 ・・・ゲート電極 ・・・フォトレジスト・パターン ・・・側壁保護膜 特許出願人　　　ソニー株式会社 代理人　弁理士　　　小　池　　見 間　　　田村榮 同　　　佐藤　勝 第１ 図（Ａ） 第２図（Ａ） 第１ 図（Ｂ） 第２ 図（Ｂ）

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）被エッチング基板を０℃以下に冷却しながらＳ＿
   ２Ｆ＿２、ＳＦ＿２、ＳＦ＿４、Ｓ＿２Ｆ＿１＿０のう
   ち少なくとも１種とＨＢｒを含むエッチング・ガスを用
   いて高融点金属シリサイド層と多結晶シリコン層とから
   なるポリサイド膜のエッチングを行うことを特徴とする
   ドライエッチング方法。
2. （２）被エッチング基板を０℃以下に冷却しながらフッ
   素系ガスとＨＢｒを含むエッチング・ガスを用いて高融
   点金属シリサイド層と多結晶シリコン層からなるポリサ
   イド膜のエッチングを行う第１のエッチング工程と、 Ｈ＿２ＳとＨＢｒを含むエッチング・ガスを用いてオー
   バーエッチングを行う第２のエッチング工程を有するこ
   とを特徴とするドライエッチング方法。