JPH0414218A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
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- JPH0414218A JPH0414218A JP11718990A JP11718990A JPH0414218A JP H0414218 A JPH0414218 A JP H0414218A JP 11718990 A JP11718990 A JP 11718990A JP 11718990 A JP11718990 A JP 11718990A JP H0414218 A JPH0414218 A JP H0414218A
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Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体基板表面に硼素ガラス層を形成したの
ち熱処理により硼素を基体内部へ拡散させる工程を含む
半導体素子の製造方法に関する。
ち熱処理により硼素を基体内部へ拡散させる工程を含む
半導体素子の製造方法に関する。
Ｃ従来の技術〕
半導体素子の製造のためのウェーハプロセスにおいて、
深さ４０ｔｎａ以上のｐ型拡散領域を形成する場合、不
純物濃度を高くしかつライフタイムの低下を防止する拡
散法を再現性良〈実施するには、ＢＮの焼結体であり、
ＰＢＮと略されるパイロリテノクＢＮ （無性ＢＮ）
を拡散源として用いるのが最良とされている。拡散工程
は、ドープとドライブとに大別できる。ドープ時にはＰ
ＢＮ板より８．０３がウェーハに向かって飛び、ウェー
ハ面の酸化膜マスクに覆われない領域がらウェーハ内に
硼素が拡散されると同時にウェーハ面上に高硼素濃度の
硼素ガラス層ができる。ドライブ時には、表面に硼素ガ
ラス層を有するウェーハをそのまま熱処理して所定の深
さまで硼素を拡散させる。水洗あるいは薬液処理などを
行ってウェーハ上の硼素ガラス層を除去すると、高濃度
で深いｐ型領域を得ることができないので、そのまま拡
散を行う。
深さ４０ｔｎａ以上のｐ型拡散領域を形成する場合、不
純物濃度を高くしかつライフタイムの低下を防止する拡
散法を再現性良〈実施するには、ＢＮの焼結体であり、
ＰＢＮと略されるパイロリテノクＢＮ （無性ＢＮ）
を拡散源として用いるのが最良とされている。拡散工程
は、ドープとドライブとに大別できる。ドープ時にはＰ
ＢＮ板より８．０３がウェーハに向かって飛び、ウェー
ハ面の酸化膜マスクに覆われない領域がらウェーハ内に
硼素が拡散されると同時にウェーハ面上に高硼素濃度の
硼素ガラス層ができる。ドライブ時には、表面に硼素ガ
ラス層を有するウェーハをそのまま熱処理して所定の深
さまで硼素を拡散させる。水洗あるいは薬液処理などを
行ってウェーハ上の硼素ガラス層を除去すると、高濃度
で深いｐ型領域を得ることができないので、そのまま拡
散を行う。
上記のような方法で硼素の拡散を行うと、ドライブ工程
前にウェーハ面上に粒径２ｏ〜１００ ｔｅｒａ程度の
結晶状の硼素粒が発生しているのが見られる。
前にウェーハ面上に粒径２ｏ〜１００ ｔｅｒａ程度の
結晶状の硼素粒が発生しているのが見られる。
この粒が存在すると、ドライブ工程で硼素がフォトリソ
グラフィでバターニングされた酸化膜でマスフされた部
分を突き抜け、必要でない部分にｐ型頭域をつくる。こ
れにより、ｎ型領域の抵抗値が異常となる。また、粒が
マスクの細かいパターンの上に発生すると、ドライブ工
程で生ずる両側のｐ型頭域を電気的に短絡してしまう。
グラフィでバターニングされた酸化膜でマスフされた部
分を突き抜け、必要でない部分にｐ型頭域をつくる。こ
れにより、ｎ型領域の抵抗値が異常となる。また、粒が
マスクの細かいパターンの上に発生すると、ドライブ工
程で生ずる両側のｐ型頭域を電気的に短絡してしまう。
このように大きい結晶状の硼素粒の発生は製造工程にお
ける半導体素子の良品率の低下の原因となる。このドー
プ後に発生する結晶状の硼素粒は、水洗により簡単に除
去できる。しかし、それと同時に前述のように高濃度硼
素ガラス層も除去されてしまうため、水洗いを行うこと
ができない。
ける半導体素子の良品率の低下の原因となる。このドー
プ後に発生する結晶状の硼素粒は、水洗により簡単に除
去できる。しかし、それと同時に前述のように高濃度硼
素ガラス層も除去されてしまうため、水洗いを行うこと
ができない。
本発明の目的は、上記の問題の解決のための根本的な対
策として大きい結晶状の硼素粒の発生を阻止してドープ
を行う半導体素子の製造方法を提供することにある。
策として大きい結晶状の硼素粒の発生を阻止してドープ
を行う半導体素子の製造方法を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記の目的を達成するために、本発明は、半導体基板を
酸化硼素を含む雰囲気中で加熱して半導体基板表面に硼
素ガラス層を付着させるドープ工程と、硼素ガラス層の
付着した半導体基板を加熱して基板内に硼素を拡散させ
るドライブ工程とを含む半導体素子の製造方法において
、ドープ工程の後半導体基板を窒素雰囲気中で１．５時
間以上放置し、次いでドライブ工程に移るものとする。
酸化硼素を含む雰囲気中で加熱して半導体基板表面に硼
素ガラス層を付着させるドープ工程と、硼素ガラス層の
付着した半導体基板を加熱して基板内に硼素を拡散させ
るドライブ工程とを含む半導体素子の製造方法において
、ドープ工程の後半導体基板を窒素雰囲気中で１．５時
間以上放置し、次いでドライブ工程に移るものとする。
硼素ガラスが水分を含む雰囲気に接触すると、Ｂ２Ｏ３
＋ ＨｔＯ−２ＨＢ（ｈの反応が起こることが知られて
おり、水が多いと水溶液になるが、近傍に硼素結晶があ
る場合にはその結晶に付着して再結晶し、大きな結晶粒
が発生すると考えられる。実際に観察した結果では、大
結晶化した硼素粒の近傍には小さい硼素粒は見られなか
った。そしてドープ工程後、窒素雰囲気中に１．５時間
放置すると、水との反応による大結晶化が防止され、大
きな結晶粒の発生は１００％抑えることができることが
確認された。
＋ ＨｔＯ−２ＨＢ（ｈの反応が起こることが知られて
おり、水が多いと水溶液になるが、近傍に硼素結晶があ
る場合にはその結晶に付着して再結晶し、大きな結晶粒
が発生すると考えられる。実際に観察した結果では、大
結晶化した硼素粒の近傍には小さい硼素粒は見られなか
った。そしてドープ工程後、窒素雰囲気中に１．５時間
放置すると、水との反応による大結晶化が防止され、大
きな結晶粒の発生は１００％抑えることができることが
確認された。
第１図ｆａｔ〜（Ｃ１は本発明の一実施例におけるｐ型
領域形成工程を概念的に示す、先ず、ｎ型シリコンウェ
ーハ１の表面上に全面的に酸化＃２を形成した後、フォ
トリソグラフィでバターニングして開口部３を開けた
（図〈δ））０次に、この複数枚のウェーハを石英ボー
トの溝に立て、ＰＢＮ板と共にＮ２などのキャリアガス
中で約７５０℃に加熱してドープ工程を行い、表面に高
濃度の硼素ガラス層４を付着させた（図（ｂｌ）、つづ
いて、ウェーハをボートと共に１０１１分の流量でＮ、
ガスを流した雰囲気中に１．５時間以上保管する。この
あと、湿度３０Ｖｏ以下のクリーンブースの下でウェー
ハをボートからはずし、別のボートの溝に立てる。この
ボートをＮ２などのキャリアガスを流す拡散炉に移し、
１０００℃以上でのドライブ工程を行って所定の深さの
ｐ型領域５を形成した く図（ｅｌ）、このような工程
でｐ型頭域を形成したときには、付着硼素粒からの拡散
による望ましくない位置でのｐ型頭域の形成は認められ
なかった。
領域形成工程を概念的に示す、先ず、ｎ型シリコンウェ
ーハ１の表面上に全面的に酸化＃２を形成した後、フォ
トリソグラフィでバターニングして開口部３を開けた
（図〈δ））０次に、この複数枚のウェーハを石英ボー
トの溝に立て、ＰＢＮ板と共にＮ２などのキャリアガス
中で約７５０℃に加熱してドープ工程を行い、表面に高
濃度の硼素ガラス層４を付着させた（図（ｂｌ）、つづ
いて、ウェーハをボートと共に１０１１分の流量でＮ、
ガスを流した雰囲気中に１．５時間以上保管する。この
あと、湿度３０Ｖｏ以下のクリーンブースの下でウェー
ハをボートからはずし、別のボートの溝に立てる。この
ボートをＮ２などのキャリアガスを流す拡散炉に移し、
１０００℃以上でのドライブ工程を行って所定の深さの
ｐ型領域５を形成した く図（ｅｌ）、このような工程
でｐ型頭域を形成したときには、付着硼素粒からの拡散
による望ましくない位置でのｐ型頭域の形成は認められ
なかった。
本発明によれば、ドープ工程で形成した硼素ガラス層か
らの大きな結晶状の硼素粒の発生を、ドープ工程後半導
体基板を窒素雰囲気中に放置することにより抑制し、マ
スクを通り抜ける拡散によって生ずる望ましくない硼素
拡散工程の形成を防止することができた。これにより、
硼素拡散工程での不良品の発生を大幅に低減することが
でき、良品率を高いレベルで維持することが可能になっ
た。
らの大きな結晶状の硼素粒の発生を、ドープ工程後半導
体基板を窒素雰囲気中に放置することにより抑制し、マ
スクを通り抜ける拡散によって生ずる望ましくない硼素
拡散工程の形成を防止することができた。これにより、
硼素拡散工程での不良品の発生を大幅に低減することが
でき、良品率を高いレベルで維持することが可能になっ
た。
第１図は本発明の一実施例の硼素拡散工程をｆａｔない
しくＣ１の順に概念的に示す断面図である。 ■＝シリコンウェーハ、２：＃Ｉ化膜、４：硼素ガラス
層、５：ｐ型頭域。 代ｊ！人弁理士 山 口 巖
しくＣ１の順に概念的に示す断面図である。 ■＝シリコンウェーハ、２：＃Ｉ化膜、４：硼素ガラス
層、５：ｐ型頭域。 代ｊ！人弁理士 山 口 巖
Claims (1)
- １）半導体基板を酸化硼素を含む雰囲気中で加熱して半
導体基板表面に硼素ガラス層を付着させるドープ工程と
、硼素ガラス層の付着した半導体基板を加熱して基板内
に硼素を拡散させるドライブ工程とを含む半導体素子の
製造方法において、ドープ工程の後半導体基板を窒素雰
囲気中で１．５時間以上放置し、次いでドライブ工程に
移ることを特徴とする半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2117189A JP2730262B2 (ja) | 1990-05-07 | 1990-05-07 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2117189A JP2730262B2 (ja) | 1990-05-07 | 1990-05-07 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0414218A true JPH0414218A (ja) | 1992-01-20 |
| JP2730262B2 JP2730262B2 (ja) | 1998-03-25 |
Family
ID=14705610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2117189A Expired - Fee Related JP2730262B2 (ja) | 1990-05-07 | 1990-05-07 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2730262B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009057088A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Yada Seisakusho:Kk | 餃子のトレー詰めのための起立姿勢保持装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4847769A (ja) * | 1971-10-18 | 1973-07-06 |
-
1990
- 1990-05-07 JP JP2117189A patent/JP2730262B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4847769A (ja) * | 1971-10-18 | 1973-07-06 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009057088A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Yada Seisakusho:Kk | 餃子のトレー詰めのための起立姿勢保持装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2730262B2 (ja) | 1998-03-25 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |