JPH04127893U - 真空ポンプ - Google Patents

真空ポンプ

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JPH04127893U
JPH04127893U JP3378491U JP3378491U JPH04127893U JP H04127893 U JPH04127893 U JP H04127893U JP 3378491 U JP3378491 U JP 3378491U JP 3378491 U JP3378491 U JP 3378491U JP H04127893 U JPH04127893 U JP H04127893U
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JP
Japan
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rotor
stator
vacuum pump
side member
deposits
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Pending
Application number
JP3378491U
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English (en)
Inventor
裕一 木下
Original Assignee
セイコー精機株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本考案は、真空ポンプの回転部と固定部に堆
積した堆積物を介して回転部と固定部との相対回転が抑
制されて運転不能となることを防止することを目的とす
る。 【構成】 本考案は、ロータ4の回転を非接触で支持す
る軸受15、16を備えた真空ポンプにおいて、ステー
タ側部材6、9およびロータ側部材5、8の少なくとも
一方に付着した堆積物22の量を検出する検出手段20
を設け、この検出手段20が堆積物22の量が所定値を
越えたことを検出したときは、制御手段がステータ側部
材6、9とロータ側部材5、8とが接触しない範囲内で
該両者間に相対的な変則回転を生じさせるよう制御する
ような構成としたものである。 【効果】 本考案によれば、ステータ側部材6、9の内
面に堆積した生成物22がロータ側部材5、8の表面に
堆積した同様の生成物と互いに衝突してそれらの生成物
がかき落とされ、ガスと共に排出されて容易に除去する
ことができる。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、真空チャンバ等を真空にする真空ポンプに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、例えばIC製品等を製造する場合に、各工程を各作業室内において行っ ており、一作業室内で一工程が完了すると、被作業物をゲートバルブを経由して 次の作業室へ搬送している。ここで、一作業室においてはこの室内を真空にする 必要がある場合があり(真空チャンバ)、この場合には半導体製造装置に真空ポ ンプを使用していた。
【0003】 このような真空ポンプとしては、例えば図6に示すような複合型ターボ分子ポ ンプがある。同図において、符号101はケーシングであり、このケーシング1 01には吸込口部102および吐出口部103が形成され、ケーシング101の 内側にはロータ104が収装されている。ロータ104には、ケーシング101 内周壁面に向かってロータ翼105と、螺旋状のネジ溝部108(ネジ溝および ネジ山を含む)が形成され、このロータ翼105およびネジ溝部108に対向し て、ステータ翼106およびステータ109がケーシング101内周壁面に取り 付けられている。ロータ104はケーシング101内に収装されたモータ107 によって回転され、このことによりロータ翼105およびネジ溝部108がステ ータ翼106およびステータ109に対して相対的に高速回転する。
【0004】 ここで、ロータ104をモータ107によって回転駆動させると、ロータ翼1 05およびネジ溝部108がステータ翼106およびステータ109に対して相 対的に高速回転するが、このロータ翼105およびネジ溝部108とステータ翼 106およびステータ109との協働によって、作業室内の半導体製造時のプロ セスガス等の分子を吸入口部102から吸込んでいる。吸い込まれた前記分子は ステータ109とロータ104の間を通り、さらにステータ109に固設された ベース110内の連通路111を通って、吐出口部103から排出している。
【0005】
【考案が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来の真空ポンプにあっては、半導体製造時に作業 室(真空チャンバ)内でプロセスガスが使用された場合、プロセスガスによって は吸引されて排気される途中で反応して固体の生成物となり、この真空ポンプ内 に付着して堆積するものがあった。特に、プロセスガス(例えばAlエッチング 装置に用いられる塩素系ガスのSiCl4 等)が水分の含有量の多い低真空領域 (760torr〜10-2torr)にあるときに反応は促進され、かつ温度が 低い(20℃程度)とさらに促進され、固体生成物(例えばAlCl3 等)とな って真空ポンプ内に多量に付着、堆積する。
【0006】 ここで、モータ107はロータ104を高速回転させるために高温になりやす く、このために真空ポンプに冷却機構(図示せず)を設けている。このように冷 却機構を設けているので、排気されるプロセスガスは低温に冷やされる。また、 真空ポンプのロータ104のネジ溝部108とステータ109との間は吐出口部 103に近いので低真空領域となる。したがって、ネジ溝部108とステータ1 09との間は低真空領域であり、かつ低温となっているので、前記したようにプ ロセスガスは反応が一層促進されて固体生成物となり、このネジ溝部108とス テータ109とに多量に付着して堆積する。その結果、ネジ溝部108あるいは ステータ109に堆積した固体生成物によりネジ溝部108とステータ109間 の隙間が埋まり、回転できなくなるという虞があった。このため、固体生成物を 除去するために真空ポンプの分解を伴う補修作業の回数が増えて、真空ポンプの 寿命の短縮化の原因にもなっていた。上記従来例は翼部材とネジ溝部を兼ね備え た複合式の真空ポンプについて説明したが、翼部材のみから構成される真空ポン プにおいても同様の問題が存在する。そこで本考案は、このような問題点を解決 することを課題としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】 上記課題を解決するために本考案は、ケーシング側に設けられたステータ側部 材と、前記ケーシング内に設けられ前記ステータ側部材に対向して設けられステ ータ側部材に対して相対回転するロータ側部材と、前記ロータ側部材の回転を非 接触で支持する軸受と、前記軸受の回転支持状態を制御する制御手段とを備えた 真空ポンプにおいて、前記ステータ側部材および前記ロータ側部材の少なくとも 一方に堆積した堆積物の量を検出する検出手段を設け、前記検出手段が前記堆積 物の量が所定値を越えたことを検出したときは、前記制御手段が前記ステータ側 部材と前記ロータ側部材とが接触しない範囲内で該両者間に相対的な変則回転を 生じさせるよう制御する構成としたものである。
【0008】 このような構成の真空ポンプによれば、ステータ側部材およびロータ側部材の 少なくとも一方に堆積した堆積物の量が所定値を越えたことを検出手段が検出す ると、その検出信号を入力した制御手段がステータ側部材とロータ側部材との間 に相対的な変則回転を生じさせることにより、ステータ側部材およびロータ側部 材に付着した堆積物をかき落として容易に除去することができる。
【0009】
【実施例】
以下、本考案の実施例について図面に基づいて説明する。図1は、本考案によ る真空ポンプの一実施例を示す図である。同図において、符号1は複合型ターボ 分子ポンプのケーシングであり、このケーシング1は全体が略円筒状となってお り、このケーシング1の上方には真空チャンバとしての作業室(図示せず)の開 口部と接続する吸込口部2と、その下方には吐出口部3とが形成されている。ケ ーシング1内の軸線部にはロータ4が収装されており、このロータ4の図1中略 上半部には、ケーシング1内壁面に向かって複数のロータ翼5が形成されており 、またこのロータ翼5はロータ4の軸線方向に多段に形成されている。ケーシン グ1側にはロータ翼5と同じように複数形成されたステータ翼6がロータ翼5に 対向して配設されるとともに、多段のロータ翼5間に位置し、かつケーシング1 の略上半部に取り付けられている。また、ロータ4の略下半部の外周壁には螺旋 状のネジ溝およびネジ山を含むネジ溝部8が形成され、このネジ溝部8と対向し て略円筒状のステータ9が、ケーシング1の内周壁の略下半部に取り付けられて いる。ロータ翼5およびネジ溝部8が静止しているステータ翼6およびステータ 9に対して相対的に高速回転すると、上記作業室内のプロセスガス等の分子は吸 込口部2から強制的に吸い込まれ吐出口部3から排出される。
【0010】 一方、ロータ4の半径内方には円筒状の支持部材としての固定筒13が設けら れ、この固定筒13の軸線部にはロータ軸12がロータ4と一体的に回転するよ うに配設されている。固定筒13の内側には、ロータ軸12を回転駆動してロー タ翼5およびネジ溝部8をステータ翼6およびステータ9に対して回転させるモ ータ7と、ロータ軸12を半径方向に磁気浮上させて無接触で回転支持する半径 方向電磁石15と、ロータ軸12を軸方向に磁気浮上させて無接触で回転支持す る軸方向電磁石16とが設けられている。なお、ロータ軸12の図中上端部およ び下端部の周囲には保護用ドライベアリング17および18が設けられている。
【0011】 ここで、ロータ翼5およびネジ溝部8が静止しているステータ翼6およびステ ータ9に対して相対的に高速回転すると、前述したように作業室内のプロセスガ ス等の分子は吸込口部2から強制的に吸込まれ、ネジ溝部8のネジ溝とステータ 9との間を通って吐出口部3から排出される。この排気されるプロセスガスの下 流側、すなわちステータ9の図1中下端部内側には膜厚検出センサ20が設けら れている。この膜厚検出センサ20は図2に示すように、その検出面20a側に 付着した堆積物22の厚さを検出することができるようになっている。そして、 膜厚検出センサ20はその検出信号を図示してない制御回路に入力し、その信号 を入力した制御回路はその信号に応じて、電磁石15あるいは16に出力する信 号によりロータ4の回転状態を変化させるようになっている。
【0012】 このような真空ポンプにおいては、真空チャンバを真空にする場合に作動させ るわけだが、それには、まずモータ7を起動させてロータ4を回転駆動させ、ロ ータ翼5およびネジ溝部8を静止しているステータ翼6およびステータ9に対し て相対的に高速回転させる。このように、ロータ翼5およびネジ溝部8がステー タ翼6およびステータ9に対して相対回転すると、真空チャンバ内で半導体製造 時に用いられたプロセスガス等の分子は強制的に吸入口部2から吸引され、ステ ータ9とネジ溝部8のネジ溝との間を通って吐出口部3から排除される。
【0013】 ここで、真空チャンバ内で例えばCl系のプロセスガスが使用され、吐出口部 3に近いネジ溝部8とステータ9との間は低真空領域となり、また冷却水路(図 示せず)によって冷却されているので低温となる。このような状況では、前述し たようにそのプロセスガスは反応が促進されて、例えばAlCl3 等の固体生成 物22(図2参照)がステータ9の内面やネジ溝部8のネジ溝やネジ山の表面に 堆積する。このような固体生成物22は、運転時間が長くなるにつれて堆積量を 増大させて、前述したような種々の問題を生じさせる。このため、ステータ9の 内面に堆積した生成物22の厚さが所定値を越えると、このことを検出したセン サ20がその検出信号を前述した制御回路に入力し、その信号を入力した制御回 路は電磁石15に信号を出力してロータ4の回転状態を変化させる。その回転状 態の変化は、たとえば図3に示すように、上下両端部が互に回転軸に対して逆方 向に位置するように傾いたままロータ4が回転するような振れ回り(変則回転) を生じさせる。このようにロータ4が振れ回りを伴って回転することにより、ス テータ9の内面に堆積した生成物22がネジ溝部8の表面に堆積した同様の生成 物と互いに衝突してそれらの生成物がかき落とされ、ガスと共に排出されて容易 に除去することができる。
【0014】 このような振れ回りを生じさせるには、制御回路から電磁石15への出力信号 の位相を上下の電磁石15間においてずらしたり、電磁石15固有の隙間センサ の回転軸検出位置を電気的に可変としたり、あるいは真空ポンプに加振器を設け て機械的に振動等の外乱を与える等が考えられるが、その他どのような方法でも よい。しかし、このような振れ回りをロータ4に生じさせる場合、真空ポンプに 破損を生じさせないために、ロータ4のロータ翼5やネジ溝部8が、ケーシング 1側のステータ翼6やステータ9に接触しない範囲内で行うことが必要である。 通常はロータ4は数μm程度以内の振れで定常回転をしているが、たとえばロー タ4のネジ溝部8のネジ山とステータ9との隙間は0.5〜1mm程度あるので 、その隙間以下で振れ回りを生じさせ、ネジ溝部8とステータ9とが互いに接触 しないようにする。
【0015】 ロータ4の振れ回りの態様は、図4に示すようにロータ4が回転軸に平行で、 偏心した状態で回転するようにしてもよい。あるいは図5に示すように、ロータ 4が回転軸に沿って図中上下方向に往復移動するようにしてもよい。この場合は 、ロータ翼5やステータ翼6の表面に堆積した生成物の厚さを検出できるような センサを別の場所に設け、そのセンサが生成物の厚さが所定値を越えたことを検 出したときは、その信号を入力した制御回路が電磁石16に信号を出力して、ロ ータ4を図中上下方向に往復移動させながら回転するようにすることになる。こ のような状態でロータ4が回転することにより、ステータ翼6の表面に堆積した 生成物はロータ翼5の表面に堆積した生成物と衝突して、互いにかき落とされて 容易に除去することができる。
【0016】 なお、上記実施例においては複合式の真空ポンプについて説明したが、翼部材 だけから構成される真空ポンプ、あるいはネジ溝部のみの真空ポンプにも本考案 を適用することが可能である。また、上記実施例においては膜厚検出センサを用 いたが、その他、超音波式、あるいは光学式のもの等、堆積物の厚さを検出でき るものであればどのようなタイプのセンサを用いてもよい。さらに、上記実施例 においては堆積物の厚さを直接検出するセンサを用いたが、モータ7に流れる電 流値を測定することによりモータ7の負荷を検出し、その負荷が所定値以上にな ったときに堆積物の厚さが所定値以上になったと判断する等、間接的に検出する 手段を用いてもよい。
【0017】
【考案の効果】
以上説明したように本考案によれば、ステータ側部材およびロータ側部材の少 なくとも一方に堆積した堆積物の量が所定値を越えると、そのことを検出した検 出手段がその検出信号を制御手段に入力し、このことにより制御手段が指令信号 を出力して、ステータ側部材とロータ側部材との間に相対的な変則回転を生じさ せることにより、ステータ側部材およびロータ側部材に付着した堆積物をかき落 として容易に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案による真空ポンプの一実施例を示す全体
断面図である。
【図2】図1のセンサ20部の拡大図である。
【図3】図1のロータ4の変則回転状態を示す概念図で
ある。
【図4】ロータ4の他の変則回転状態を示す概念図であ
る。
【図5】ロータ4のさらに他の変則回転の状態を示す概
念図である。
【図6】従来の真空ポンプを示す全体断面図である。
【符号の説明】
1 ケーシング 4 ロータ 5 ロータ翼(ロータ側部材) 6 ステータ翼(ステータ側部材) 8 ネジ溝部(ロータ側部材) 9 ステータ(ステータ側部材) 15 半径方向電磁石(軸受) 16 軸方向電磁石(軸受) 20 膜厚検出センサ(検出手段) 22 生成物(堆積物)

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ケーシング側に設けられたステータ側部
    材と、前記ケーシング内に設けられ前記ステータ側部材
    に対向して設けられステータ側部材に対して相対回転す
    るロータ側部材と、前記ロータ側部材の回転を非接触で
    支持する軸受と、前記軸受の回転支持状態を制御する制
    御手段とを備えた真空ポンプにおいて、前記ステータ側
    部材および前記ロータ側部材の少なくとも一方に堆積し
    た堆積物の量を検出する検出手段を設け、前記検出手段
    が前記堆積物の量が所定値を越えたことを検出したとき
    は、前記制御手段が前記ステータ側部材と前記ロータ側
    部材とが接触しない範囲内で該両者間に相対的な変則回
    転を生じさせるよう制御することを特徴とする真空ポン
    プ。
JP3378491U 1991-05-14 1991-05-14 真空ポンプ Pending JPH04127893U (ja)

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