JPH0412333A - 機能性プラスチック光導波路 - Google Patents
機能性プラスチック光導波路Info
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- JPH0412333A JPH0412333A JP2115085A JP11508590A JPH0412333A JP H0412333 A JPH0412333 A JP H0412333A JP 2115085 A JP2115085 A JP 2115085A JP 11508590 A JP11508590 A JP 11508590A JP H0412333 A JPH0412333 A JP H0412333A
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Landscapes
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- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、蛍光を有する物質を含有する機能性プラスチ
ック光導波路に関する。
ック光導波路に関する。
〔従来の技術〕
近年色素レーザーは、他の周波数固定レーザーとは異な
り、広い範囲にわたって周波数の同調が可能な波長可変
レーザーとして注目されている。
り、広い範囲にわたって周波数の同調が可能な波長可変
レーザーとして注目されている。
この色素レーザーでは、その動作波長範囲が近紫外〜近
赤外(340nm〜1400nm)であるが、第二高調
波発生、光混合、パラメトリック発振などの非線形効果
を用いて他の波長で発振させることも可能である。
赤外(340nm〜1400nm)であるが、第二高調
波発生、光混合、パラメトリック発振などの非線形効果
を用いて他の波長で発振させることも可能である。
また、ネオジウム、ユーロピウム、エルビウムなどの希
土類元素の蛍光を利用して、レーザー発振または光の増
幅をしようという研究も行われている。中でもエルビウ
ムは1.5μm帯に蛍光を有する。この波長帯は石英系
光ファイバの損失が最小になる波長帯と同じであるため
、エルビウムを利用した光増幅器は、将来の光通信シス
テムにおける中継器として有望である。
土類元素の蛍光を利用して、レーザー発振または光の増
幅をしようという研究も行われている。中でもエルビウ
ムは1.5μm帯に蛍光を有する。この波長帯は石英系
光ファイバの損失が最小になる波長帯と同じであるため
、エルビウムを利用した光増幅器は、将来の光通信シス
テムにおける中継器として有望である。
一方、光伝送用光ファイバに用いられる石英などの光伝
搬損失の小さい材料の開発は上述した光素子に新たな可
能性をもたらしている。すなわち、上述した色素や希土
類元素を添加する媒体として石英等の透明性の高い物質
を用いることにより、小型で集積度の高い機能性光素子
の開発が可能となる。
搬損失の小さい材料の開発は上述した光素子に新たな可
能性をもたらしている。すなわち、上述した色素や希土
類元素を添加する媒体として石英等の透明性の高い物質
を用いることにより、小型で集積度の高い機能性光素子
の開発が可能となる。
これらの光素子には、光フアイバ型のものと光導波路型
のものがある。光フアイバ型のものとしては、例えば、
エルビウムを石英系光ファイバに添加することにより作
られるファイバ型光増幅器(例えば、R,J、メイヤー
ズ他、エレクトロニクス・レターズ、 23(19)、
102B(1987))が報告されている。
のものがある。光フアイバ型のものとしては、例えば、
エルビウムを石英系光ファイバに添加することにより作
られるファイバ型光増幅器(例えば、R,J、メイヤー
ズ他、エレクトロニクス・レターズ、 23(19)、
102B(1987))が報告されている。
一方、光導波路型のものとしては、ポリメチルメタクリ
レート(PMMA)、ポリスチレン(ps)、ポリビニ
ルアルコール(PVA)などからなるプラスチック薄膜
にナイル・ブルー、ローダミン6Gなどの色素を添加す
ることにより作られる薄膜固体レーザー(例えば、[武
藤真三部、゛励起エネルギー移動型の薄膜固体色素レー
ザー′、電子通信学会論文誌、J69−C,25(19
86) J参照)などが報告されている。
レート(PMMA)、ポリスチレン(ps)、ポリビニ
ルアルコール(PVA)などからなるプラスチック薄膜
にナイル・ブルー、ローダミン6Gなどの色素を添加す
ることにより作られる薄膜固体レーザー(例えば、[武
藤真三部、゛励起エネルギー移動型の薄膜固体色素レー
ザー′、電子通信学会論文誌、J69−C,25(19
86) J参照)などが報告されている。
しかしながら、光フアイバ型光素子は製法が大掛かりに
なるうえに集積化が困難であるという問題がある。一方
、光導波路型素子は光フアイバ型に比べ小型化、高集積
化が容易で量産性にも優れている。特にプラスチック系
のものは、石英系のものより作製が容易で、しかも安価
であり、添加できる蛍光を有する物質の種類も数多く、
多量に添加することが可能であり、添加量の調整が容易
であることなどの多くの利点を有する。しかし、従来よ
り用いられているPMMA、 PS、 PVA等の材料
は近赤外域に炭素−水素間の光吸収の高調波を有するた
め、光の伝搬損失が大きく、そのため増幅、発振の効率
が低いという問題がある。これは特に近赤外域で動作す
る素子にとっては大きな問題である。
なるうえに集積化が困難であるという問題がある。一方
、光導波路型素子は光フアイバ型に比べ小型化、高集積
化が容易で量産性にも優れている。特にプラスチック系
のものは、石英系のものより作製が容易で、しかも安価
であり、添加できる蛍光を有する物質の種類も数多く、
多量に添加することが可能であり、添加量の調整が容易
であることなどの多くの利点を有する。しかし、従来よ
り用いられているPMMA、 PS、 PVA等の材料
は近赤外域に炭素−水素間の光吸収の高調波を有するた
め、光の伝搬損失が大きく、そのため増幅、発振の効率
が低いという問題がある。これは特に近赤外域で動作す
る素子にとっては大きな問題である。
本発明はこのような現状に鑑みてなされたもので、その
目的は近紫外〜近赤外域にわたり高効率の増幅、発振作
用を有する機能性プラスチック光導波路を提供すること
にある。
目的は近紫外〜近赤外域にわたり高効率の増幅、発振作
用を有する機能性プラスチック光導波路を提供すること
にある。
本発明では、上述した目的を達成するために、ハロゲン
および重水素を少なくとも一種含有するポリマに蛍光を
発する物質を添加したものにより光導波路を構成した。
および重水素を少なくとも一種含有するポリマに蛍光を
発する物質を添加したものにより光導波路を構成した。
ポリマとしては一般式(I)
一3t−0−・・・ (I)
」
〔式中R+、Rgは同一または異なり、 CnYzn+
+(Yは重水素あるいはハロゲン、nは5以下の正の整
数)で表わされる重水素化あるいはハロゲン化アルキル
基、あるいはC5Ys(Yは重水素あるいはハロゲン)
で表わされる重水素化あるいはハロゲン化フェニル基〕
で表わされる繰り返し単位を有するハロゲンまたは重水
素を含むポリシロキサン、 一般式(II) R3 −Si −0− 0・・・ (II) 5i−0− 〔式中R+、Riは同一または異なり、CnY、、(Y
は重水素あるいはハロゲン、nは5以下の正の整数)で
表わされる重水素化あるいはハロゲン化アルキル基、あ
るいはCaYs(Yは重水素あるいはハロゲン)で表わ
される重水素化あるいはハロゲン化フェニル基]で表わ
される繰り返し単位を有するハロゲンまたは重水素を含
むポリシロキサン、およびこれらの共重合体、 さらに一般式(II )、 Xz COOR2 〔式中、XI、X2は同一または異なり9重水素。
+(Yは重水素あるいはハロゲン、nは5以下の正の整
数)で表わされる重水素化あるいはハロゲン化アルキル
基、あるいはC5Ys(Yは重水素あるいはハロゲン)
で表わされる重水素化あるいはハロゲン化フェニル基〕
で表わされる繰り返し単位を有するハロゲンまたは重水
素を含むポリシロキサン、 一般式(II) R3 −Si −0− 0・・・ (II) 5i−0− 〔式中R+、Riは同一または異なり、CnY、、(Y
は重水素あるいはハロゲン、nは5以下の正の整数)で
表わされる重水素化あるいはハロゲン化アルキル基、あ
るいはCaYs(Yは重水素あるいはハロゲン)で表わ
される重水素化あるいはハロゲン化フェニル基]で表わ
される繰り返し単位を有するハロゲンまたは重水素を含
むポリシロキサン、およびこれらの共重合体、 さらに一般式(II )、 Xz COOR2 〔式中、XI、X2は同一または異なり9重水素。
あるいはハロゲンであり、R3は重水素、 CDaある
いはハロゲンのいずれかであり、R2はCnY2□1(
Yはハロゲン、nは5以下の正の整数)で表わされるハ
ロゲン化アルキル基〕で表わされる繰り返し単位を有す
るハロゲンまたは重水素を含むポリアクリレート、 さらに一般式(rV)、 CD2−CD−・・・(IV) C,X。
いはハロゲンのいずれかであり、R2はCnY2□1(
Yはハロゲン、nは5以下の正の整数)で表わされるハ
ロゲン化アルキル基〕で表わされる繰り返し単位を有す
るハロゲンまたは重水素を含むポリアクリレート、 さらに一般式(rV)、 CD2−CD−・・・(IV) C,X。
(ここでXはハロゲンあるいは重水素)で表わされる繰
り返し単位を有するハロゲンまたは重水素を含むポリス
チレンが用いられる。
り返し単位を有するハロゲンまたは重水素を含むポリス
チレンが用いられる。
本発明においてプラスチックに添加し得る物質は近紫外
〜近赤外域に蛍光を有するものであればよ(、その代表
的なものとして有用性ならびにボリマへの添加のし易さ
の点から、色素と希土類元素のイオンを含む錯体構造の
ものが挙げられる。
〜近赤外域に蛍光を有するものであればよ(、その代表
的なものとして有用性ならびにボリマへの添加のし易さ
の点から、色素と希土類元素のイオンを含む錯体構造の
ものが挙げられる。
色素材料はポリマへの添加がし易く、色素の選択と共振
条件の設定次第で近紫外〜近赤外の幅広い周波数域の中
の任意の波長で発振し得る波長可変レーザーとなる可能
性があるため、レーザー媒質として有用な物質である。
条件の設定次第で近紫外〜近赤外の幅広い周波数域の中
の任意の波長で発振し得る波長可変レーザーとなる可能
性があるため、レーザー媒質として有用な物質である。
具体的には、ローダミン6G、ローダミンB、クマリン
1、クマリン2、オキサジン系色素、クレシル・ヴアイ
オレット、ナイル・ブルー、ペリレン、ウラニン、旧T
C(1,3,3,1′、3′、3′−へキサメチルイン
ドールトリカルボシアニンイオダイド、バークロレート
) 、BBOT(2,5−ビス(5−tert−ブチル
−2−ベンゾキサゾリル)チオフェン、IR−5、IR
−140などがある。また、色素の内部構造の炭素−水
素結合も光吸収の原因となるため、これらの水素も重水
素またはハロゲンに置換されているものが望ましい。ま
た、添加する色素は一種類でも良いし、二種類あるいは
三種類以上の色素を添加してもよい。なお、二種類以上
の色素を添加した場合には、エネルギー移動レーザーを
作ることもできる。
1、クマリン2、オキサジン系色素、クレシル・ヴアイ
オレット、ナイル・ブルー、ペリレン、ウラニン、旧T
C(1,3,3,1′、3′、3′−へキサメチルイン
ドールトリカルボシアニンイオダイド、バークロレート
) 、BBOT(2,5−ビス(5−tert−ブチル
−2−ベンゾキサゾリル)チオフェン、IR−5、IR
−140などがある。また、色素の内部構造の炭素−水
素結合も光吸収の原因となるため、これらの水素も重水
素またはハロゲンに置換されているものが望ましい。ま
た、添加する色素は一種類でも良いし、二種類あるいは
三種類以上の色素を添加してもよい。なお、二種類以上
の色素を添加した場合には、エネルギー移動レーザーを
作ることもできる。
薄膜色素レーザーは、適当な溶媒中に色素と媒体となる
ポリマを溶解し、基板上に塗布して作られる。代表的な
例を第1図に示す。第1図において、符号lは下部クラ
ッド、2はコア、3は上部クラッド、4は基板である。
ポリマを溶解し、基板上に塗布して作られる。代表的な
例を第1図に示す。第1図において、符号lは下部クラ
ッド、2はコア、3は上部クラッド、4は基板である。
コア2の屈折率が両クラッド1,3のそれよりも大きく
なるようにそれぞれのポリマな選択する。ポリマの屈折
率が空気よりも大きい場合には、上部クラッド3はなく
てもよい。基板4としてスライドガラスや石英基板など
光損失が小さくかつコア2より屈折率が小さい材料を用
いるときは、下部クラッド1はな(てもよい。色素を両
クラッド1,3およびコア2の全体に添加してもよく、
その中の一つまたは二つの層だけに添加してもよい。二
種類以上の色素を添加する場合には、同じ層に二種類以
上の色素を添加してもよ(、あるいは例えば上部クラッ
ド3にドナ色素を、コア2にアクセプタ色素をというよ
うに異なる層に添加してもよい。
なるようにそれぞれのポリマな選択する。ポリマの屈折
率が空気よりも大きい場合には、上部クラッド3はなく
てもよい。基板4としてスライドガラスや石英基板など
光損失が小さくかつコア2より屈折率が小さい材料を用
いるときは、下部クラッド1はな(てもよい。色素を両
クラッド1,3およびコア2の全体に添加してもよく、
その中の一つまたは二つの層だけに添加してもよい。二
種類以上の色素を添加する場合には、同じ層に二種類以
上の色素を添加してもよ(、あるいは例えば上部クラッ
ド3にドナ色素を、コア2にアクセプタ色素をというよ
うに異なる層に添加してもよい。
レーザー発振のためには帰還作用が必要であるので、端
面5は鏡面状に仕上げられる。鏡面は、研磨あるいはド
ライエツチング等により得ることができる。また、端面
5に金属等を蒸着することにより反射コーティングを施
して高効率化を図ることもできる。
面5は鏡面状に仕上げられる。鏡面は、研磨あるいはド
ライエツチング等により得ることができる。また、端面
5に金属等を蒸着することにより反射コーティングを施
して高効率化を図ることもできる。
このようにして作製した薄膜色素レーザーは励起光を照
射することによって発振される。励起光は第1図におけ
る矢印6のように例えば上方からシリンドリカルレンズ
等により集光して照射するとよく、あるいは直接端面5
から入射させてもよい。
射することによって発振される。励起光は第1図におけ
る矢印6のように例えば上方からシリンドリカルレンズ
等により集光して照射するとよく、あるいは直接端面5
から入射させてもよい。
導波路の効率を高めるために、導波路を三次元化して光
の閉じ込め効果を太き(するのがよい。
の閉じ込め効果を太き(するのがよい。
導波路の三次元化は基板上に形成されたプラスチック膜
上にリソグラフィによりパターン形成し、これをマスク
として酸素あるいは弗素系ガスを用いたドライエツチン
グにより得ることができる。すなわち、加工するポリマ
の上にレジストを塗布し、紫外線、電子線、X線等をパ
ターン状に露光する。次に溶媒に浸漬することによって
現像し、パターンを得る。このパターンをマスクとして
下層のポリマに酸素あるいは弗素系ガスによる反応性ド
ライエツチングでパターンを転写する。
上にリソグラフィによりパターン形成し、これをマスク
として酸素あるいは弗素系ガスを用いたドライエツチン
グにより得ることができる。すなわち、加工するポリマ
の上にレジストを塗布し、紫外線、電子線、X線等をパ
ターン状に露光する。次に溶媒に浸漬することによって
現像し、パターンを得る。このパターンをマスクとして
下層のポリマに酸素あるいは弗素系ガスによる反応性ド
ライエツチングでパターンを転写する。
これらの手法の組み合わせで三次元光導波路を作ること
ができる。代表的プロセス工程を第2八図ないし第2G
図に示す。まず、適当な基板4の上に下部クラッド1、
コア2を順次形成する(第2A図参照)。次いで、コア
2の上にレジスト7を塗布し、作製したい形状の導波路
パターンのマスクを被せたうえで紫外線、電子線、X線
等の照射光9を用いて露光現像する(第2B図および第
2C図)。
ができる。代表的プロセス工程を第2八図ないし第2G
図に示す。まず、適当な基板4の上に下部クラッド1、
コア2を順次形成する(第2A図参照)。次いで、コア
2の上にレジスト7を塗布し、作製したい形状の導波路
パターンのマスクを被せたうえで紫外線、電子線、X線
等の照射光9を用いて露光現像する(第2B図および第
2C図)。
さらに、エツチングガスlOで反応性イオンエツチング
を行い(第2D図)、パターン部以外を除去する(第2
E図)。そして、レジストを剥離しく第2F図)、最後
に上部クラッド3を塗布あるいはラミネートすることに
よって三次元光導波路を作製する(第2G図)。
を行い(第2D図)、パターン部以外を除去する(第2
E図)。そして、レジストを剥離しく第2F図)、最後
に上部クラッド3を塗布あるいはラミネートすることに
よって三次元光導波路を作製する(第2G図)。
また、マスク8を用いる代わりに、第3C図に示すよう
に、照射光9をパターン状に照射して直接露光現像する
こともできる。ここで、第3A図および第3B図に示す
レジスト層7を形成するまでの工程は上述した方法の第
2A図および第2B図に示した工程と同様であり、また
第3D図ないし第3G図に示すエツチングから最終仕上
げまでの工程は上述した方法の第2D図ないし第2G図
に示した工程と同様である。
に、照射光9をパターン状に照射して直接露光現像する
こともできる。ここで、第3A図および第3B図に示す
レジスト層7を形成するまでの工程は上述した方法の第
2A図および第2B図に示した工程と同様であり、また
第3D図ないし第3G図に示すエツチングから最終仕上
げまでの工程は上述した方法の第2D図ないし第2G図
に示した工程と同様である。
さらに、スタンパ−(金型) 12を用いて三次元導波
路を作製することもできる。この方法では、基板4の上
に下部クラッド1を塗布しく第4A図)、このクラツド
材が固化しない前にスタンパ−12を下部クラッド1に
押し付け(第4B図および第4C図)、クラツド材が固
化したのちスタンパ−12を取り外す(第4D図)。次
いで、スタンパ−12のパターンが転写された下部クラ
ッド1の上にコア材を塗布し、固化させたのち(第4E
図)、エツチングガスlOで反応性イオンエツチングを
行い、パターン部以外を除去する(第4F図および第4
G図)。最終工程として、上部クラッド3を形成して三
次元光導波路を作製する。
路を作製することもできる。この方法では、基板4の上
に下部クラッド1を塗布しく第4A図)、このクラツド
材が固化しない前にスタンパ−12を下部クラッド1に
押し付け(第4B図および第4C図)、クラツド材が固
化したのちスタンパ−12を取り外す(第4D図)。次
いで、スタンパ−12のパターンが転写された下部クラ
ッド1の上にコア材を塗布し、固化させたのち(第4E
図)、エツチングガスlOで反応性イオンエツチングを
行い、パターン部以外を除去する(第4F図および第4
G図)。最終工程として、上部クラッド3を形成して三
次元光導波路を作製する。
希土類元素のイオンとしては、可視〜赤外域に蛍光を示
すもので、例えばユーロピウム、テルビウム、エルビウ
ム、ネオジウム、サマリウム等が用いられる。
すもので、例えばユーロピウム、テルビウム、エルビウ
ム、ネオジウム、サマリウム等が用いられる。
希土類元素のイオンの添加方法は、上述した色素の添加
方法と同様である。ただし、希土類元素のイオンそのも
のはポリマになじまないため、トリス(4,4,4,−
トリフルオロ−1−(2−チエニル)−1,3ブタネジ
オン)、ジベンゾイルメタン等のジケトンやd−オキシ
キノリン、フタロシアニン等のようにイオン錯体の状態
で添加するとよい。また、光吸収を小さ(する目的から
、配位子の構造中の炭素−水素結合に寄与する水素を重
水素またはハロゲンに置換した色素を用いるのが望まし
い。
方法と同様である。ただし、希土類元素のイオンそのも
のはポリマになじまないため、トリス(4,4,4,−
トリフルオロ−1−(2−チエニル)−1,3ブタネジ
オン)、ジベンゾイルメタン等のジケトンやd−オキシ
キノリン、フタロシアニン等のようにイオン錯体の状態
で添加するとよい。また、光吸収を小さ(する目的から
、配位子の構造中の炭素−水素結合に寄与する水素を重
水素またはハロゲンに置換した色素を用いるのが望まし
い。
希土類元素のイオン添加による薄膜レーザーの作製方法
も、上述した色素のそれと同様である。
も、上述した色素のそれと同様である。
希土類元素のイオンとしては、光通信に用いられる近赤
外域(0,6μm−1,6μm)に蛍光を有する物質が
ある。例えば、エルビウムは1.54μmに蛍光を有す
る。このエルビウムの光増幅器への応用も上述したよう
に将来の光通信システムにおける中継器として特に有用
である。
外域(0,6μm−1,6μm)に蛍光を有する物質が
ある。例えば、エルビウムは1.54μmに蛍光を有す
る。このエルビウムの光増幅器への応用も上述したよう
に将来の光通信システムにおける中継器として特に有用
である。
光増幅器は、例えば第2A図ないし第2G図に示すよう
に三次元光導波路を作ることによって作製される。ここ
で希土類元素のイオン錯体はコアおよびクラッドのうち
少な(とも一方に添加してもよい。このようにして得ら
れた光増幅器の一例として増幅用光導波路13を第5図
に示す。この増幅用光導波路13において入射口14か
ら励起光と光信号を入射すると、誘導放出により増幅さ
れた光信号が出射口15から出射する。また、導波路1
3の途中に結合器を設け、この結合器により別々に入射
した励起光と光信号とを合波してもよい。
に三次元光導波路を作ることによって作製される。ここ
で希土類元素のイオン錯体はコアおよびクラッドのうち
少な(とも一方に添加してもよい。このようにして得ら
れた光増幅器の一例として増幅用光導波路13を第5図
に示す。この増幅用光導波路13において入射口14か
ら励起光と光信号を入射すると、誘導放出により増幅さ
れた光信号が出射口15から出射する。また、導波路1
3の途中に結合器を設け、この結合器により別々に入射
した励起光と光信号とを合波してもよい。
[作 用]
高効率の機能性プラスチック光導波路を作るためには、
媒体となるポリマが動作する光の波長に対して十分に低
損失であることが必要である。本発明で用いられるポリ
マは側鎖の水素をハロゲン化あるいは重水素化したもの
である。このためポリマは、その近赤外域にある炭素−
水素間の高調波光吸収が小さく、かつ長波長シフトされ
、材料自体の低損失化が図られている。このことは、従
来のプラスチック光部品が近赤外域とりわけ光通信に用
いられる波長域(1,2μm〜1.6μm)において全
(実用的でないという問題を解決し、近紫外〜近赤外に
わたる広い波長域で効率良く動作する機能性プラスチッ
ク光導波路の作製を可能にした。
媒体となるポリマが動作する光の波長に対して十分に低
損失であることが必要である。本発明で用いられるポリ
マは側鎖の水素をハロゲン化あるいは重水素化したもの
である。このためポリマは、その近赤外域にある炭素−
水素間の高調波光吸収が小さく、かつ長波長シフトされ
、材料自体の低損失化が図られている。このことは、従
来のプラスチック光部品が近赤外域とりわけ光通信に用
いられる波長域(1,2μm〜1.6μm)において全
(実用的でないという問題を解決し、近紫外〜近赤外に
わたる広い波長域で効率良く動作する機能性プラスチッ
ク光導波路の作製を可能にした。
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない
。
本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない
。
(実施例1)
色素を用いたスラブ導波路型薄膜レーザーとして、下記
のような機能性プラスチック光導波路を作製した。
のような機能性プラスチック光導波路を作製した。
ヘプタフルオロイソプロピルメタクリレート−655モ
ル%およびメチルメタクリレートの水素を全て重水素に
置換したバーデユーテロメチルメタクリレート95モル
%のモノマ混合物を、2.2’ −アゾビスイソブチロ
ニトリル(AIBN)を重合開始剤として重合させて共
重合体(重水素化PMA−FM9.510.5.屈折率
1.491)を得た。さらに、パーデユーテロメチルメ
タクリレートを同様に重合させ、重合体(PMMA−d
8.屈折率1.495)を得た。次いで、I+3−ビス
(トリフルオロメチル)ベンゼンに共重合体(重水素化
PMA−FM9.510.5)を溶かして溶液とした。
ル%およびメチルメタクリレートの水素を全て重水素に
置換したバーデユーテロメチルメタクリレート95モル
%のモノマ混合物を、2.2’ −アゾビスイソブチロ
ニトリル(AIBN)を重合開始剤として重合させて共
重合体(重水素化PMA−FM9.510.5.屈折率
1.491)を得た。さらに、パーデユーテロメチルメ
タクリレートを同様に重合させ、重合体(PMMA−d
8.屈折率1.495)を得た。次いで、I+3−ビス
(トリフルオロメチル)ベンゼンに共重合体(重水素化
PMA−FM9.510.5)を溶かして溶液とした。
また、同じ溶媒中に重合体(PMMA−d8)、ローダ
ミン6G、およびナイル・ブルーを溶かして混合溶液と
した。
ミン6G、およびナイル・ブルーを溶かして混合溶液と
した。
次に、基板上に重水素化PMA−FM9.510.5の
溶液を約15μmの厚さに塗布し、これにベーク処理な
らびに乾燥処理を施してクラッドとした。その上にPM
MA−d8と色素を含む溶液8μmの厚さに塗布し、こ
れにベーク処理ならびに乾燥処理を施してコアとした。
溶液を約15μmの厚さに塗布し、これにベーク処理な
らびに乾燥処理を施してクラッドとした。その上にPM
MA−d8と色素を含む溶液8μmの厚さに塗布し、こ
れにベーク処理ならびに乾燥処理を施してコアとした。
なお、本実施例では、コアの屈折率が空気よりも大きい
ため、上部クラッドがな(でもコアは導波路として機能
する。
ため、上部クラッドがな(でもコアは導波路として機能
する。
このようにして作製されたスラブ型光導波路の両端面を
研磨して鏡面状に仕上げ、窒素レーザー光をシリンドリ
カルレンズで集光して導波路を励起したところ、レーザ
ー発振を観測した。ローダミン6G、ナイル・ブルーの
濃度は膜中でそれぞれ0.020mol/1.0.00
4mol/1であり、発振波長はいずれも0.71μm
であった。
研磨して鏡面状に仕上げ、窒素レーザー光をシリンドリ
カルレンズで集光して導波路を励起したところ、レーザ
ー発振を観測した。ローダミン6G、ナイル・ブルーの
濃度は膜中でそれぞれ0.020mol/1.0.00
4mol/1であり、発振波長はいずれも0.71μm
であった。
(実施例2)
色素を用いた三次元導波路型レーザーとして、下記のよ
うな機能性プラスチック光導波路を作製した。
うな機能性プラスチック光導波路を作製した。
基板上に重水素化PMA−FM9.510.5の溶液を
約15μmの厚さに塗布し、これにベーク処理ならびに
乾燥処理を施して下部クラッドとした。
約15μmの厚さに塗布し、これにベーク処理ならびに
乾燥処理を施して下部クラッドとした。
次に、1,3−ビス(トリフルオロメチル)ベンゼンに
PMMA−d8とローダミン6G、ナイル・ブルーHI
TCを溶かして混合溶液としたものを、クラッドの上に
塗布してベーク処理ならびに乾燥処理を施してコアとし
た。次に、ホトレジストを塗布し、露光現像した。さら
に反応性イオンエツチングを行い、パターン部以外を除
去し、ポリマな高さ8μm、幅8μm、長さ50mmの
直線矩形パターンに加工した。
PMMA−d8とローダミン6G、ナイル・ブルーHI
TCを溶かして混合溶液としたものを、クラッドの上に
塗布してベーク処理ならびに乾燥処理を施してコアとし
た。次に、ホトレジストを塗布し、露光現像した。さら
に反応性イオンエツチングを行い、パターン部以外を除
去し、ポリマな高さ8μm、幅8μm、長さ50mmの
直線矩形パターンに加工した。
その上に重水素化PMA−FM9.510.5を20μ
mの厚さに塗布し上部クラッドとして、三次元導波路型
レーザーを作製した。
mの厚さに塗布し上部クラッドとして、三次元導波路型
レーザーを作製した。
上記導波路の両端面を研磨して鏡面状に仕上げ、そのコ
アに端面から窒素レーザー光を入射させて励起したとこ
ろ、発振波長0.88μmのレーザー発振を観測した。
アに端面から窒素レーザー光を入射させて励起したとこ
ろ、発振波長0.88μmのレーザー発振を観測した。
膜中の色素の濃度はローダミン6G、ナイル・ブルー、
HITCの順に、それぞれ0.016mol/1.0.
0010mol/1.0.004mol/1であった。
HITCの順に、それぞれ0.016mol/1.0.
0010mol/1.0.004mol/1であった。
(実施例3)
色素を用いた三次元導波路型レーザーとして、下記のよ
うな機能性プラスチック光導波路を作製した。
うな機能性プラスチック光導波路を作製した。
基板上に重水素化PMA−FM9.510.5の溶液を
約15μmの厚さに塗布し、これにベーク処理ならびに
乾燥処理を施して下部クラッドとした。
約15μmの厚さに塗布し、これにベーク処理ならびに
乾燥処理を施して下部クラッドとした。
次いで、1,3−ビス(トリフルオロメチル)ベンゼン
にPMMA−d8とIR−5を溶かし混合溶液としたも
のをクラッドの上に塗布してベーク処理ならびに乾燥処
理を施してコアとした。次に、ホトレジストを塗布し、
露光現像した。さらに反応性イオンエツチングを行い、
パターン部以外を除去し、ポリマを高さ8μm、幅8μ
m、長さ50mmの直線矩形パターンに加工した。
にPMMA−d8とIR−5を溶かし混合溶液としたも
のをクラッドの上に塗布してベーク処理ならびに乾燥処
理を施してコアとした。次に、ホトレジストを塗布し、
露光現像した。さらに反応性イオンエツチングを行い、
パターン部以外を除去し、ポリマを高さ8μm、幅8μ
m、長さ50mmの直線矩形パターンに加工した。
その上に重水素化PMA−FM9.510.5を20μ
mの厚さに塗布しこれを上部クラッドとして、三次元導
波路型レーザーを作製した。
mの厚さに塗布しこれを上部クラッドとして、三次元導
波路型レーザーを作製した。
上記導波路の両端面を研磨して鏡面状に仕上げ、そのコ
アに端面からNd:YAGレーザー光を入射させて励起
したところ、発振波長1.32μmのレーザー発振を観
測した。膜中のIR−5の濃度は0、020mol/l
であった。
アに端面からNd:YAGレーザー光を入射させて励起
したところ、発振波長1.32μmのレーザー発振を観
測した。膜中のIR−5の濃度は0、020mol/l
であった。
(実施例4)
希土類元素のイオンを用いたスラブ導波路型レーザーと
して、下記のような機能性プラスチック光導波路を作製
した。
して、下記のような機能性プラスチック光導波路を作製
した。
1.3−ビス(トリフルオロメチル)ベンゼンにPMM
A−d8とテルビウムイオン(Tb”)のトリス[4,
4,4,−トリフルオロ−1−(2−チエニル)−1,
3−ブタネジオン]錯体(TbTTA)を溶かして混合
溶液とし、これをコアとするスラブ導波路型薄膜レーザ
ーを作製した。ここでコア成分が異なる以外は実施例1
と同じである。
A−d8とテルビウムイオン(Tb”)のトリス[4,
4,4,−トリフルオロ−1−(2−チエニル)−1,
3−ブタネジオン]錯体(TbTTA)を溶かして混合
溶液とし、これをコアとするスラブ導波路型薄膜レーザ
ーを作製した。ここでコア成分が異なる以外は実施例1
と同じである。
このようにして作製されたスラブ型光導波路の両端面を
研磨して鏡面状に仕上げ、窒素レーザーを用いシリンド
リカルレンズで集光してこの導波路を励起したところ、
レーザー発振を観測した。
研磨して鏡面状に仕上げ、窒素レーザーを用いシリンド
リカルレンズで集光してこの導波路を励起したところ、
レーザー発振を観測した。
テルビウムイオン錯体の濃度は膜中でそれぞれ0.08
重量%で、発振波長は0.55μmであった。
重量%で、発振波長は0.55μmであった。
(実施例5)
希土類元素のイオンを用いた三次元導波路型レーザーと
して、下記のような機能性プラスチック光導波路を作製
した。
して、下記のような機能性プラスチック光導波路を作製
した。
1.3−ビス(トリフルオロメチル)ベンゼンにPMM
A−d8とネオジウムイオン(Nd”)のトリス[4,
4,4,−1−リフルオロ−1−(2−チエニル)−1
,3−ブタネジオン]錯体(NdTTA)を溶かして混
合溶液とし、これをコアとする三次元導波路型レーザー
を作製した。ここでコア成分が異なる以外は実施例2と
同じである。
A−d8とネオジウムイオン(Nd”)のトリス[4,
4,4,−1−リフルオロ−1−(2−チエニル)−1
,3−ブタネジオン]錯体(NdTTA)を溶かして混
合溶液とし、これをコアとする三次元導波路型レーザー
を作製した。ここでコア成分が異なる以外は実施例2と
同じである。
作製した光導波路の両端面を研磨して鏡面状に仕上げ、
そのコアに端面から波長0.08μmの半導体レーザー
を入射させて励起したところ、1.05μmにスペクト
ルのピークを持つレーザー発振による光を観測した。膜
中のネオジウムイオン錯体の濃度は0.08重量%であ
った。
そのコアに端面から波長0.08μmの半導体レーザー
を入射させて励起したところ、1.05μmにスペクト
ルのピークを持つレーザー発振による光を観測した。膜
中のネオジウムイオン錯体の濃度は0.08重量%であ
った。
(実施例6)
希土類元素のイオンを用いた三次元導波路型光増幅器と
して、下記のような機能性プラスチック光導波路を作製
した。
して、下記のような機能性プラスチック光導波路を作製
した。
1.3−ビス(トリフルオロメチル)ベンゼンにPMM
A−d8とエルビウムイオン(E、+31のトリス[4
,4,4,−トリフルオロ−1−(2−チエニル)−1
,3−ブタネジオン]錯体(ErTTA)を溶かして混
合溶液とし、これをコアとする三次元導波路型光増幅器
を作製した。クラッドとしては上部、下部ともに重水素
化PMA−FA9.510.5を約15〜20μmの厚
さに塗布した。実施例2と同様にして、シリコン系ホト
レジストと酸素ガスの反応性イオンエツチングにより導
波路を三次元化した。ただし、ここではコアを第5図の
パターンに加工した。コアの断面は高さ8μm、幅8μ
m、導波路の全長は20.7cmであった。
A−d8とエルビウムイオン(E、+31のトリス[4
,4,4,−トリフルオロ−1−(2−チエニル)−1
,3−ブタネジオン]錯体(ErTTA)を溶かして混
合溶液とし、これをコアとする三次元導波路型光増幅器
を作製した。クラッドとしては上部、下部ともに重水素
化PMA−FA9.510.5を約15〜20μmの厚
さに塗布した。実施例2と同様にして、シリコン系ホト
レジストと酸素ガスの反応性イオンエツチングにより導
波路を三次元化した。ただし、ここではコアを第5図の
パターンに加工した。コアの断面は高さ8μm、幅8μ
m、導波路の全長は20.7cmであった。
作製した導波路のコアに入射口14より、波長0.98
μmの半導体レーザーによる励起光と波長l、55μm
の光信号を同時に人、射させたところ、出射口15より
増幅された波長1.55μmの光信号を観測した。膜中
のエルビウムイオン錯体の濃度は0.08重量%で、利
得は5dB以上であった。
μmの半導体レーザーによる励起光と波長l、55μm
の光信号を同時に人、射させたところ、出射口15より
増幅された波長1.55μmの光信号を観測した。膜中
のエルビウムイオン錯体の濃度は0.08重量%で、利
得は5dB以上であった。
(実施例7)
色素を用いた三次元導波路型光増幅器として、下記のよ
うな機能性プラスチック光導波路を作製した。
うな機能性プラスチック光導波路を作製した。
PMMA−d8にIR−’5を添加したものをコアとし
たこと以外の作製法は実施例6と同じである。
たこと以外の作製法は実施例6と同じである。
作製した導波路のコアの入射口14より、波長1.06
μmのNd:YAGレーザーによる励起光と波長1.3
0μmの光信号を同時に入射させたところ、出射口15
より増幅された波長1.30μmの光信号を観測した。
μmのNd:YAGレーザーによる励起光と波長1.3
0μmの光信号を同時に入射させたところ、出射口15
より増幅された波長1.30μmの光信号を観測した。
膜中のIR−5の濃度は0.020mol八で、利得は
5dB以上であった。
5dB以上であった。
(実施例8〜20)
上述した製法と同様にして機能性プラスチック光導波路
を作製した。mtないし表1の4にはコア、クラッドに
用いた材料を、表2の1ないし表2の3には添加した物
質や導波路の機能等をまとめた。
を作製した。mtないし表1の4にはコア、クラッドに
用いた材料を、表2の1ないし表2の3には添加した物
質や導波路の機能等をまとめた。
(以下余白)
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、従来のものに比
べ、可視〜近赤外域で高効率の動作をし、特に従来のプ
ラスチック光素子が全く実用的でなかった1μm〜1.
6μmの波長域においても効率の良い発振、増幅機能を
発揮することができる。
べ、可視〜近赤外域で高効率の動作をし、特に従来のプ
ラスチック光素子が全く実用的でなかった1μm〜1.
6μmの波長域においても効率の良い発振、増幅機能を
発揮することができる。
また、微細加工技術を用いれば、集積度の高い、より高
機能な光素子を経済的(こかつ容易に作製することも可
能である。
機能な光素子を経済的(こかつ容易に作製することも可
能である。
第1図は本発明に係るプラスチック薄膜レーザーの断面
図を示す概略構成図、 第2八図ないし第2G図は本発明に係る三次元光導波路
をレジストとマスクを用い作製する方法を示す工程図、 第3八図ないし第3G図は本発明に係る三次元光導波路
を直接露光により作製する方法を示す工程図、 第4八図ないし第4H図は本発明に係る三次元光導波路
をスタンパを利用して作製する方法を示す工程図、 第5図は本発明に係る三次元導波路型の増幅器を示す概
略構成図である。 1・・・下部クラッド層、 2・・・コア層、 3・・・上部クラッド層、 4・・・基板、 5・・・端面、 6・・・励起光、 7・・・レジスト、 8・・・マスク、 9・・・照射光、 10・・・エツチングガス、 11・・・三次元コア、 12・・・スタンパ、 13・・・増幅用光導波路、 14・・・入射口、 15・・・出射口。
図を示す概略構成図、 第2八図ないし第2G図は本発明に係る三次元光導波路
をレジストとマスクを用い作製する方法を示す工程図、 第3八図ないし第3G図は本発明に係る三次元光導波路
を直接露光により作製する方法を示す工程図、 第4八図ないし第4H図は本発明に係る三次元光導波路
をスタンパを利用して作製する方法を示す工程図、 第5図は本発明に係る三次元導波路型の増幅器を示す概
略構成図である。 1・・・下部クラッド層、 2・・・コア層、 3・・・上部クラッド層、 4・・・基板、 5・・・端面、 6・・・励起光、 7・・・レジスト、 8・・・マスク、 9・・・照射光、 10・・・エツチングガス、 11・・・三次元コア、 12・・・スタンパ、 13・・・増幅用光導波路、 14・・・入射口、 15・・・出射口。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)ハロゲンおよび重水素を少なくとも一種含有するポ
リマに蛍光を有する物質を添加したことを特徴とする機
能性プラスチック光導波路。 2)前記ポリマが一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・( I ) 〔式中R_1、R_2は同一または異なり、C_nY_
2_n_+_1(Yは重水素あるいはハロゲン、nは5
以下の正の整数)で表わされる重水素化あるいはハロゲ
ン化アルキル基、あるいはC_6Y_5(Yは重水素あ
るいはハロゲン)で表わされる重水素化あるいはハロゲ
ン化フエニル基〕で表わされる繰り返し単位を有するハ
ロゲンまたは重水素を含むポリシロキサンであることを
特徴とする請求項1記載の機能性プラスチック光導波路
。 3)前記ポリマが一般式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(II) 〔式中R_1、R_2は同一または異なり、CnY_2
_n_+_1(Yは重水素あるいはハロゲン、nは5以
下の正の整数)で表わされる重水素化あるいはハロゲン
化アルキル基、あるいはC_6Y_5(Yは重水素ある
いはハロゲン)で表わされる重水素化あるいはハロゲン
化フェニル基〕で表わされる繰り返し単位を有するハロ
ゲンまたは重水素を含むポリシロキサンであることを特
徴とする請求項1記載の機能性プラスチック光導波路。 4)前記ポリマが一般式( I )および(II)で表わさ
れる繰り返し単位の共重合体であるポリシロキサンであ
ることを特徴とする請求項1記載の機能性プラスチック
光導波路。 5)前記ポリマが一般式(III) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(III) 〔式中X_1、X_2は同一または異なり、重水素ある
いはハロゲンであり、R_1は重水素、CD_3あるい
はハロゲンのいずれかであり、R_2はC_nY_2_
n_+_1(Yはハロゲン、nは5以下の正の整数)で
表わされるハロゲン化アルキル基〕で表わされる繰り返
し単位を有するハロゲンまたは重水素を含むポリアクリ
レートであることを特徴とする請求項1記載の機能性プ
ラスチック光導波路。 6)前記ポリマが一般式(IV) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(IV) (ここでXはハロゲンあるいは重水素)で表わされる繰
り返し単位を有するハロゲンまたは重水素を含むポリス
チレンであることを特徴とする請求項1記載の機能性プ
ラスチック光導波路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2115085A JPH0412333A (ja) | 1990-05-02 | 1990-05-02 | 機能性プラスチック光導波路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2115085A JPH0412333A (ja) | 1990-05-02 | 1990-05-02 | 機能性プラスチック光導波路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0412333A true JPH0412333A (ja) | 1992-01-16 |
Family
ID=14653824
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2115085A Pending JPH0412333A (ja) | 1990-05-02 | 1990-05-02 | 機能性プラスチック光導波路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0412333A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0622878A1 (en) * | 1993-04-28 | 1994-11-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optical amplifier |
EP0617314A4 (en) * | 1992-09-10 | 1995-10-18 | Fujitsu Ltd | SYSTEM WITH OPTICAL SWITCHING AND ITS COMPONENTS. |
US6160945A (en) * | 1997-09-12 | 2000-12-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical waveguide device for loss absorption and fabrication method thereof |
US6693736B1 (en) | 1992-09-10 | 2004-02-17 | Fujitsu Limited | Optical circuit system and components of same |
WO2006009173A1 (ja) * | 2004-07-20 | 2006-01-26 | Omron Corporation | ポリマー光導波路及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-05-02 JP JP2115085A patent/JPH0412333A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0617314A4 (en) * | 1992-09-10 | 1995-10-18 | Fujitsu Ltd | SYSTEM WITH OPTICAL SWITCHING AND ITS COMPONENTS. |
US5757989A (en) * | 1992-09-10 | 1998-05-26 | Fujitsu Limited | Optical circuit system capable of producing optical signal having a small fluctuation and components of same |
US6215585B1 (en) | 1992-09-10 | 2001-04-10 | Fujitsu Limited | Optical circuit system and components of same technical field |
US6693736B1 (en) | 1992-09-10 | 2004-02-17 | Fujitsu Limited | Optical circuit system and components of same |
EP0622878A1 (en) * | 1993-04-28 | 1994-11-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optical amplifier |
BE1007071A3 (nl) * | 1993-04-28 | 1995-03-07 | Philips Electronics Nv | Optische versterker. |
US6160945A (en) * | 1997-09-12 | 2000-12-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical waveguide device for loss absorption and fabrication method thereof |
WO2006009173A1 (ja) * | 2004-07-20 | 2006-01-26 | Omron Corporation | ポリマー光導波路及びその製造方法 |
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