JPH0412251A - 反応室の汚れ検出装置 - Google Patents
反応室の汚れ検出装置Info
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- JPH0412251A JPH0412251A JP11562590A JP11562590A JPH0412251A JP H0412251 A JPH0412251 A JP H0412251A JP 11562590 A JP11562590 A JP 11562590A JP 11562590 A JP11562590 A JP 11562590A JP H0412251 A JPH0412251 A JP H0412251A
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- reaction chamber
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Landscapes
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、半導体素子の製造工程の一つであるドライエ
ツチング及びCVD等に用いられるプラズマ処理装置、
或はその他の製造工程に於ける処理装置の反応室の汚れ
検出装置に関するものである。
ツチング及びCVD等に用いられるプラズマ処理装置、
或はその他の製造工程に於ける処理装置の反応室の汚れ
検出装置に関するものである。
「従来の技術」
独立した反応室の内部を真空雰囲気、或は所要の反応カ
ス雰囲気として、被処理物のエツチング、或は被処理物
に各種皮膜を生成する場合、処理過程で発生ずる反応生
成物が、反応室の内壁に或は反応室内の構成物表面に付
着し、堆積する。
ス雰囲気として、被処理物のエツチング、或は被処理物
に各種皮膜を生成する場合、処理過程で発生ずる反応生
成物が、反応室の内壁に或は反応室内の構成物表面に付
着し、堆積する。
この付着した反応生成物は、処理中を含めて剥離離脱し
、塵埃となって反応室内及び被処理物を汚染する。従っ
て反応室内は、定期的に、或は適宜清浄されなければな
らない。
、塵埃となって反応室内及び被処理物を汚染する。従っ
て反応室内は、定期的に、或は適宜清浄されなければな
らない。
従来、反応室を清浄する時期については、作業者か反応
室内の汚れ具合を目視で判定し、その時期を決定するか
、或は清浄時期を所定の時間毎に行うスケジュールを組
む等していた。
室内の汚れ具合を目視で判定し、その時期を決定するか
、或は清浄時期を所定の時間毎に行うスケジュールを組
む等していた。
[発明が解決しようとする課題]
ところが、作業者が反応室内の汚れ具合を目視で判定す
る場合、作業者が常に汚れの調査をしなければならず面
倒であると共に忘れることもあり、又その判定が適正で
あるか否かは作業者の習熟度に大きく影響される。或は
定期的に清浄を行うについては、反応室の稼動状態、処
理内容により汚れの進行が異なるものであり、早すぎた
り、遅すぎたりするということは避けられなかった。
る場合、作業者が常に汚れの調査をしなければならず面
倒であると共に忘れることもあり、又その判定が適正で
あるか否かは作業者の習熟度に大きく影響される。或は
定期的に清浄を行うについては、反応室の稼動状態、処
理内容により汚れの進行が異なるものであり、早すぎた
り、遅すぎたりするということは避けられなかった。
本発明は斯かる実情に鑑み、無人で而も最適な清浄時期
を知り得る反応室の汚れ検出装置を提供しようとするも
のである。
を知り得る反応室の汚れ検出装置を提供しようとするも
のである。
[課題を解決するための手段]
本発明は反応室の所要位置に窓を設けると共に反応室内
部に反射鏡を設け、反応室外部に投光器、受光器を設け
、該投光器から前記窓を通して投光され前記反射鏡で反
射された検出光を受光器で受光する様構成したことを特
徴とし、又反応室の所要位置に投光窓を設け、該投光窓
の室外側に反応室内に検出光を投光する投光器を設け、
該投光器の光路上に合致させ反応室に受光窓を設けると
共に受光窓の室外側に検出光を受光する受光器を設けた
ことを特徴とするものである。
部に反射鏡を設け、反応室外部に投光器、受光器を設け
、該投光器から前記窓を通して投光され前記反射鏡で反
射された検出光を受光器で受光する様構成したことを特
徴とし、又反応室の所要位置に投光窓を設け、該投光窓
の室外側に反応室内に検出光を投光する投光器を設け、
該投光器の光路上に合致させ反応室に受光窓を設けると
共に受光窓の室外側に検出光を受光する受光器を設けた
ことを特徴とするものである。
[作 用]
反射鏡の反射面の汚れにより反射光量が変化し、受光器
からの受光信号が変化して反応室の汚れが検出される、
又反応室を通過する検出光は光路途中にある透光体の汚
れで、透過光量か変化する。従って、透過光量の変化に
より受光器の受光信号が変化して汚れが検出される。
からの受光信号が変化して反応室の汚れが検出される、
又反応室を通過する検出光は光路途中にある透光体の汚
れで、透過光量か変化する。従って、透過光量の変化に
より受光器の受光信号が変化して汚れが検出される。
[実 施 例]
以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を説明する。
第1図は本発明をプラズマ処理装置に実施したちのてあ
り、先ずプラズマ処理装置について略述する。
り、先ずプラズマ処理装置について略述する。
高周波電源1に直流遮断用のコンデンサ8を介して接続
された平板電極(カソード電極)2と、該平板電極2に
相対して接地電位にある対向電極(アノード電極)3が
設置されている。
された平板電極(カソード電極)2と、該平板電極2に
相対して接地電位にある対向電極(アノード電極)3が
設置されている。
前記カソード電極2、アノード電@3は反応室である真
空容器4に収納され、カソード電極2は絶縁材5により
真空容器4と絶縁されている。
空容器4に収納され、カソード電極2は絶縁材5により
真空容器4と絶縁されている。
該真空器4には反応性ガスを導入する導入系6と真空容
器4内の圧力を一定に保つ為の排気系7が設けられてい
る。
器4内の圧力を一定に保つ為の排気系7が設けられてい
る。
被処理物、例えばシリコンウェーハ9は、通常前記カソ
ード電極2上に載置される6前記両電極2.3間に高周
波電力を印加すると両電極間にプラズマが発生し、この
プラズマによって前記被処理物の表面処理を行う。
ード電極2上に載置される6前記両電極2.3間に高周
波電力を印加すると両電極間にプラズマが発生し、この
プラズマによって前記被処理物の表面処理を行う。
前記絶縁材5の真空容器4の壁面と対峙する側面に反射
鏡10を設ける。又、真空容器4の反射鏡10と対峙す
る位置に°窓11を設け、該窓11には石英ガラス等の
透明体12を気密に取付ける。
鏡10を設ける。又、真空容器4の反射鏡10と対峙す
る位置に°窓11を設け、該窓11には石英ガラス等の
透明体12を気密に取付ける。
前記窓11の室外側に前記反射鏡10に向けて、検出光
を投光する投光器13を設け、又室外側には検出光の反
射光軸に合致させ受光器14を設ける。
を投光する投光器13を設け、又室外側には検出光の反
射光軸に合致させ受光器14を設ける。
以下、作用を説明する。
投光器13より検出光を常時或は、所定時間間隔毎に反
射鏡10に向けて投光する。この検出光は反射鏡10で
反射され、前記受光器14により受光され、受光量に見
合って受光信号が図示しない制御器に入力される。
射鏡10に向けて投光する。この検出光は反射鏡10で
反射され、前記受光器14により受光され、受光量に見
合って受光信号が図示しない制御器に入力される。
被処理物の処理を行うと反応生成物が、真空容器4内面
及び前記反射鏡10に付着する。反射鏡10に反応生成
物が付着してゆくと、第3図に示す様に付着量(処理時
間)が増大すると共に検出光の反射率が低下してゆき、
受光器14で受光する検出光の受光量か減少し、受光信
号のレベルが低下する。
及び前記反射鏡10に付着する。反射鏡10に反応生成
物が付着してゆくと、第3図に示す様に付着量(処理時
間)が増大すると共に検出光の反射率が低下してゆき、
受光器14で受光する検出光の受光量か減少し、受光信
号のレベルが低下する。
而して、受光信号のレベル低下量と汚れの状態について
は、実績、実験等で求めておき、低下量が予め定めた値
となった時に清浄時期であると判断する。
は、実績、実験等で求めておき、低下量が予め定めた値
となった時に清浄時期であると判断する。
この判断した結果は、ランプで表示する、或はブサーを
鳴らす等適宜な手段で表示すればよい。
鳴らす等適宜な手段で表示すればよい。
或は、汚れ量の変化を連続的に表示し、作業者がその表
示により清浄時期を判断する様にしてもよい。
示により清浄時期を判断する様にしてもよい。
次に、第2図に於いて他の実施例を説明する。
尚、図中第1図で示したものと同一のものには同符号を
付しである。
付しである。
真空容器4の壁面に投光窓15を設け、該投光窓15に
は石英ガラス等の透明体12を気密に取付け、壁面の該
投光窓15と対峙した位置に受光窓16を設け、該受光
窓16には投光窓15と同様石英カラス等の透明体12
を気密に取付ける。
は石英ガラス等の透明体12を気密に取付け、壁面の該
投光窓15と対峙した位置に受光窓16を設け、該受光
窓16には投光窓15と同様石英カラス等の透明体12
を気密に取付ける。
前記投光窓15の室外側に投光器13を設け、前記受光
窓16の室外側には受光器14を設け、投光器13と受
光器14との光軸を一致させる。真空容器4の室内、投
光器13、受光器14の光路上に透光器17を設ける。
窓16の室外側には受光器14を設け、投光器13と受
光器14との光軸を一致させる。真空容器4の室内、投
光器13、受光器14の光路上に透光器17を設ける。
本実施例に於いては、投光器13からの検出光は、前記
透光器17を透過して受光器14に到り、受光される。
透光器17を透過して受光器14に到り、受光される。
反応生成物は、透光器17にも付着し、反応生成物の付
着量の増加と共に、検出光の透過量か減少し、受光器1
4ての受光量が減少する。従って、前述した実施例同様
、受光量の変化で、清浄時期を判断することができる。
着量の増加と共に、検出光の透過量か減少し、受光器1
4ての受光量が減少する。従って、前述した実施例同様
、受光量の変化で、清浄時期を判断することができる。
尚、汚れ量を増幅させて検出する為、第1図で示す実施
例に反射鏡を複数設け、投光器からの検出光を複数回反
射させて、受光器で受ける様にしてもよい。或は、反射
鏡10と窓11との間に透光器を投げてもよい。
例に反射鏡を複数設け、投光器からの検出光を複数回反
射させて、受光器で受ける様にしてもよい。或は、反射
鏡10と窓11との間に透光器を投げてもよい。
更に、第2図で示す実施例で透光器を複数設げてもよい
。
。
更に又、受光器、投光器を異なる場所に複数組設け、そ
の平均値で汚れ状態を判断する様にしても、その複数組
の中の最大値で判断する様にしてもよい。
の平均値で汚れ状態を判断する様にしても、その複数組
の中の最大値で判断する様にしてもよい。
又、投光窓、受光窓自体の透明体も汚れるものであるか
ら、透光器を省略することも可能である。
ら、透光器を省略することも可能である。
[発明の効果コ
以上述べた如く本発明によれば、反応室内の汚れ状態を
定量的に且無人にて判断することかできるという優れた
効果を発揮する。
定量的に且無人にて判断することかできるという優れた
効果を発揮する。
第1図は本発明の一実施例を示す説明図、第2図は本発
明の他の実施例を示す説明図、第3図は反射鏡の汚れ状
態と受光信号の関係を示す線図である。 4は真空容器、9は被処理物、10は反射鏡、11は窓
、12は透明体、13は投光器、)4は受光器、15と
投光窓、16は受光器、17は透光器を示す。
明の他の実施例を示す説明図、第3図は反射鏡の汚れ状
態と受光信号の関係を示す線図である。 4は真空容器、9は被処理物、10は反射鏡、11は窓
、12は透明体、13は投光器、)4は受光器、15と
投光窓、16は受光器、17は透光器を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)反応室の所要位置に窓を設けると共に反応室内部に
反射鏡を設け、反応室外部に投光器、受光器を設け、該
投光器から前記窓を通して投光され前記反射鏡で反射さ
れた検出光を受光器で受光する様構成したことを特徴と
する反応室の汚れ検出装置。 2)反応室の所要位置に投光窓を設け、該投光窓の室外
側に反応室内に検出光を投光する投光器を設け、該投光
器の光路上に合致させ反応室に受光窓を設けると共に受
光窓の室外側に検出光を受光する受光器を設けたことを
特徴とする反応室の汚れ検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11562590A JPH0412251A (ja) | 1990-05-01 | 1990-05-01 | 反応室の汚れ検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11562590A JPH0412251A (ja) | 1990-05-01 | 1990-05-01 | 反応室の汚れ検出装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0412251A true JPH0412251A (ja) | 1992-01-16 |
Family
ID=14667284
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11562590A Pending JPH0412251A (ja) | 1990-05-01 | 1990-05-01 | 反応室の汚れ検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0412251A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0644574A1 (en) * | 1993-09-20 | 1995-03-22 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device manufacturing apparatus and semiconductor device menufacturing method |
JP2009042217A (ja) * | 2007-08-07 | 2009-02-26 | Korea Research Inst Of Standards & Science | 実時間工程診断ができる分光分析器 |
US8158065B2 (en) | 2008-09-30 | 2012-04-17 | Advanced Micro Devices, Inc. | In situ monitoring of metal contamination during microstructure processing |
CN104810308A (zh) * | 2014-01-29 | 2015-07-29 | 细美事有限公司 | 基板处理装置及方法 |
CN111326438A (zh) * | 2018-12-14 | 2020-06-23 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 调平装置及反应腔室 |
JP2021098243A (ja) * | 2019-12-20 | 2021-07-01 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
-
1990
- 1990-05-01 JP JP11562590A patent/JPH0412251A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0644574A1 (en) * | 1993-09-20 | 1995-03-22 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device manufacturing apparatus and semiconductor device menufacturing method |
US5536359A (en) * | 1993-09-20 | 1996-07-16 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device manufacturing apparatus and method with optical monitoring of state of processing chamber |
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DE102008049774B4 (de) * | 2008-09-30 | 2017-07-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | Prozessanlage und Verfahren zur prozessinternen Überwachung der Metallkontamination während der Bearbeitung von Mikrostrukturen |
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JP2021098243A (ja) * | 2019-12-20 | 2021-07-01 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
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