JPH04120701A - Ntcサーミスタの製造方法 - Google Patents
Ntcサーミスタの製造方法Info
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- JPH04120701A JPH04120701A JP24185990A JP24185990A JPH04120701A JP H04120701 A JPH04120701 A JP H04120701A JP 24185990 A JP24185990 A JP 24185990A JP 24185990 A JP24185990 A JP 24185990A JP H04120701 A JPH04120701 A JP H04120701A
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Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は温度センサや温度補償素子として用いられるN
TCサーミスタの製造方法に関する。
TCサーミスタの製造方法に関する。
[従来の技術]
NTCサーミスタは、その抵抗値が温度の上昇にともな
って減少する負の抵抗温度係数を持つ感温半導体として
、温度センサーや温度補償素子などに広く用いられてい
る。これらのうちMn、Niなとの遷移金属の酸化物を
主体としたものは低温測定用に使用され、SiC系、コ
ランダム、ジルコニア系酸化物を主体としたものは高温
測定用に使用されている。
って減少する負の抵抗温度係数を持つ感温半導体として
、温度センサーや温度補償素子などに広く用いられてい
る。これらのうちMn、Niなとの遷移金属の酸化物を
主体としたものは低温測定用に使用され、SiC系、コ
ランダム、ジルコニア系酸化物を主体としたものは高温
測定用に使用されている。
これらのサーミスタを製造する方法としては、サーミス
タ材料をプレス成形方法または押出成形方法で成形し、
焼成する方法や、サーミスタペーストをスクリーン印刷
により設置し、焼き付ける方法、あるいはサーミスタ材
料をスパッタリングにより薄膜状に形成する方法がある
。
タ材料をプレス成形方法または押出成形方法で成形し、
焼成する方法や、サーミスタペーストをスクリーン印刷
により設置し、焼き付ける方法、あるいはサーミスタ材
料をスパッタリングにより薄膜状に形成する方法がある
。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、プレス成形方法または押出成形方法を用
いる方法においては高温焼成が必要であり、スクリーン
印刷を用いる方法においては、電極及びサーミスタをス
クリーン印刷により作製するための印刷及び焼成の工程
か各々必要であって、製造工程が煩雑になり、スパッタ
リングを用いる方法においては高真空中にて行わなけれ
ばならない。従って、上記の従来の方法では製造に要す
るコストが高くなってしまうという欠点があった。
いる方法においては高温焼成が必要であり、スクリーン
印刷を用いる方法においては、電極及びサーミスタをス
クリーン印刷により作製するための印刷及び焼成の工程
か各々必要であって、製造工程が煩雑になり、スパッタ
リングを用いる方法においては高真空中にて行わなけれ
ばならない。従って、上記の従来の方法では製造に要す
るコストが高くなってしまうという欠点があった。
本発明は上述した問題点を解決するためになされたもの
であり、簡単な製造工程で安価で、信頼性の高いNTC
サーミスタの製造方法を提供することを目的としている
。
であり、簡単な製造工程で安価で、信頼性の高いNTC
サーミスタの製造方法を提供することを目的としている
。
[課題を解決するための手段]
この目的を達成するために本発明のNTCサーミスタの
製造方法はAr−H,ガスを用いたプラズマ溶射により
、チタン酸バリウムを主成分とする皮膜を導電性材料製
の基材上に形成する工程と、前記皮膜の上方に導電性材
料の皮膜を形成する工程と、前記導電性材料製の基材と
、前記導電性材料の皮膜に各々リード線を接続する工程
と、前記チタン酸バリウムを主成分とする皮膜と、前記
導電性材料の基材と前記導電性材料の皮膜と、リード線
と各導電製材料との接続部とを、ガラスを加熱溶着させ
ることにより封止する工程とからなる。
製造方法はAr−H,ガスを用いたプラズマ溶射により
、チタン酸バリウムを主成分とする皮膜を導電性材料製
の基材上に形成する工程と、前記皮膜の上方に導電性材
料の皮膜を形成する工程と、前記導電性材料製の基材と
、前記導電性材料の皮膜に各々リード線を接続する工程
と、前記チタン酸バリウムを主成分とする皮膜と、前記
導電性材料の基材と前記導電性材料の皮膜と、リード線
と各導電製材料との接続部とを、ガラスを加熱溶着させ
ることにより封止する工程とからなる。
[実施例]
以下、本発明を具体化した一実施例を図面を参照して説
明する。
明する。
第1図に示すように任意形状のAI基板電極2上に、造
粒もしくは粉砕により、粒径が5〜125μmになるよ
うに調整された、BaとTiの比が1:1であるB a
T iOs粉末を、H2を5〜50%含むArH2プ
ラズマガスを用いた強還元性を示すプラズマ溶射炎を発
生するプラズマ溶射ガン1により溶射し、300μmの
膜厚でBaTiO3皮膜3を作製することによりB a
T iO3皮膜3を還元して半導体化する。この時の
プラズマ溶射条件を第5図に示す。この時H2が5%以
下では還元性が弱く半導体化が低下し、50%以上では
プラズマ溶射ガン1のノズルの消耗が激しくなってしま
う虞れかある。従って、H2を5〜50%含むArH2
プラズマガスを用いたブラスマ溶射により作製するのか
良い。
粒もしくは粉砕により、粒径が5〜125μmになるよ
うに調整された、BaとTiの比が1:1であるB a
T iOs粉末を、H2を5〜50%含むArH2プ
ラズマガスを用いた強還元性を示すプラズマ溶射炎を発
生するプラズマ溶射ガン1により溶射し、300μmの
膜厚でBaTiO3皮膜3を作製することによりB a
T iO3皮膜3を還元して半導体化する。この時の
プラズマ溶射条件を第5図に示す。この時H2が5%以
下では還元性が弱く半導体化が低下し、50%以上では
プラズマ溶射ガン1のノズルの消耗が激しくなってしま
う虞れかある。従って、H2を5〜50%含むArH2
プラズマガスを用いたブラスマ溶射により作製するのか
良い。
更に第2図に示すようにBaTi0.皮膜3の上方より
電極としてのAIを50〜100μm程度の膜厚で溶射
する。この時のAl溶射の粉末及び溶射条件は一般的に
用いられている溶射粉末及び溶射条件でよい。
電極としてのAIを50〜100μm程度の膜厚で溶射
する。この時のAl溶射の粉末及び溶射条件は一般的に
用いられている溶射粉末及び溶射条件でよい。
次に第3図に示すようにB a T i Oa溶射皮膜
3をはさんでいるAI電極2,4に、耐熱接合導電材6
a、6bを用いて各々リード線5a、!5bを接続する
。このリード線5a、5bとしては、ジュメット線、C
u合金線、Fe−Ni系合金線。
3をはさんでいるAI電極2,4に、耐熱接合導電材6
a、6bを用いて各々リード線5a、!5bを接続する
。このリード線5a、5bとしては、ジュメット線、C
u合金線、Fe−Ni系合金線。
F e −N i −Co系合金線、Ni−Cr合金線
などを芯線とし、その表面にCr−Ni系やNi系のメ
ツキが被着されているものを用いればよく、耐熱性を高
める目的でPtなどの貴金属線を用いても良い。
などを芯線とし、その表面にCr−Ni系やNi系のメ
ツキが被着されているものを用いればよく、耐熱性を高
める目的でPtなどの貴金属線を用いても良い。
次に第4図に示すようにB a T i 03皮膜3、
AI電極2,4、及びAI電極2,4とリード線5a、
5bとの接続部6a、6bとをガラス7を加熱溶着して
気密封止する。このことにより皮膜が酸化されるのを防
止することかできるため、耐候性が高くなり、従って、
信頼性の高いサーミスタとなる。
AI電極2,4、及びAI電極2,4とリード線5a、
5bとの接続部6a、6bとをガラス7を加熱溶着して
気密封止する。このことにより皮膜が酸化されるのを防
止することかできるため、耐候性が高くなり、従って、
信頼性の高いサーミスタとなる。
以上のように作製されたサーミスタは、室温における比
抵抗が2600にΩ、B定数が1576Kを示した。比
抵抗を低下させたい場合はI−12の割合を増加させて
BaTiO3皮膜の還元性を高めてやればよく、B定数
を変化させる場合はBaT i 03のBaとTiの比
を変化させるか、微量添加物として遷移金属の酸化物を
用いればよい。
抵抗が2600にΩ、B定数が1576Kを示した。比
抵抗を低下させたい場合はI−12の割合を増加させて
BaTiO3皮膜の還元性を高めてやればよく、B定数
を変化させる場合はBaT i 03のBaとTiの比
を変化させるか、微量添加物として遷移金属の酸化物を
用いればよい。
以上、詳述したことから明らかなように本実施例のNT
Cサーミスタの製造方法においては、高温焼成を行った
り、高真空中での処理を必要とせず、従って、製造か容
易となり、またコストも低く抑えることが可能となる。
Cサーミスタの製造方法においては、高温焼成を行った
り、高真空中での処理を必要とせず、従って、製造か容
易となり、またコストも低く抑えることが可能となる。
そしてまた、ブラスマ溶射により任意形状の導電性部材
にサーミスタを作製することが可能であるために、サー
ミスタの形状すなわち面積や厚みか自由に設定できる。
にサーミスタを作製することが可能であるために、サー
ミスタの形状すなわち面積や厚みか自由に設定できる。
尚、本実施例においては電極材料にAIを用いたが、そ
の他、Niなどのオーム性接触か得られる材料ならすべ
てよい。
の他、Niなどのオーム性接触か得られる材料ならすべ
てよい。
[発明の効果コ
以上、詳述したことから明らかなように本発明のNTC
サーミスタの製造方法においては、高温焼成を行ったり
、高真空中での処理を必要とせす、従って、製造が容易
となり、またコストも低く抑えることが可能となる。そ
してまた、プラズマ溶射により任意形状の導電性部材に
サーミスタを作製することが可能であるために、サーミ
スタの形状すなわち面積や厚みが自由に設定できる。
サーミスタの製造方法においては、高温焼成を行ったり
、高真空中での処理を必要とせす、従って、製造が容易
となり、またコストも低く抑えることが可能となる。そ
してまた、プラズマ溶射により任意形状の導電性部材に
サーミスタを作製することが可能であるために、サーミ
スタの形状すなわち面積や厚みが自由に設定できる。
第1図から第5図までは本発明を具体化した実施例を示
すもので、第1図はAI電極基材にプラズマ溶射により
BaTi0a皮膜を形成している状態の斜視図、第2図
はB a T i Oa皮膜の上方にAI主電極形成し
た状態の断面図、第3図はAI主電極リード線を取り付
けた状態の断面図、第4図はガラス封止した状態の断面
図、第5図はプラズマ溶射の条件を示す表である。 図中、1はプラズマ溶射ガン、2はA1電極基材、3は
BaTiO3皮膜、4はAl溶射電極、!5a、5bは
リード線、6a、6bは耐熱接合導電材、7はガラスで
ある。
すもので、第1図はAI電極基材にプラズマ溶射により
BaTi0a皮膜を形成している状態の斜視図、第2図
はB a T i Oa皮膜の上方にAI主電極形成し
た状態の断面図、第3図はAI主電極リード線を取り付
けた状態の断面図、第4図はガラス封止した状態の断面
図、第5図はプラズマ溶射の条件を示す表である。 図中、1はプラズマ溶射ガン、2はA1電極基材、3は
BaTiO3皮膜、4はAl溶射電極、!5a、5bは
リード線、6a、6bは耐熱接合導電材、7はガラスで
ある。
Claims (1)
- 1.Ar−H_2ガスを用いたプラズマ溶射により、チ
タン酸バリウムを主成分とする皮膜を導電性材料製の基
材上に形成する工程と、 前記皮膜の上方に導電性材料の皮膜を形成する工程と、 前記導電性材料製の基材と、前記導電性材料の皮膜に各
々リード線を接続する工程と、 前記チタン酸バリウムを主成分とする皮膜と、前記導電
性材料の基材と前記導電性材料の皮膜と、リード線と各
導電製材料との接続部とを、ガラスを加熱溶着させるこ
とにより封止する工程とからなることを特徴とするNT
Cサーミスタの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24185990A JPH04120701A (ja) | 1990-09-12 | 1990-09-12 | Ntcサーミスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24185990A JPH04120701A (ja) | 1990-09-12 | 1990-09-12 | Ntcサーミスタの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04120701A true JPH04120701A (ja) | 1992-04-21 |
Family
ID=17080579
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24185990A Pending JPH04120701A (ja) | 1990-09-12 | 1990-09-12 | Ntcサーミスタの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04120701A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102009044370A1 (de) | 2008-10-31 | 2010-05-12 | Suzuki Motor Corporation | Harz-Zusammensetzung, Harz-Formteil und Herstellungsverfahren der Harz-Zusammensetzung |
DE102010017254A1 (de) | 2009-06-25 | 2011-01-13 | Suzuki Motor Corporation, Hamamatsu-Shi | Gießform zum Spritzgießen und Verfahren zur Herstellung eines Spitzgussproduktes |
US20130256945A1 (en) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | Nike, Inc. | Method Of Making A Golf Ball |
-
1990
- 1990-09-12 JP JP24185990A patent/JPH04120701A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102009044370A1 (de) | 2008-10-31 | 2010-05-12 | Suzuki Motor Corporation | Harz-Zusammensetzung, Harz-Formteil und Herstellungsverfahren der Harz-Zusammensetzung |
DE102010017254A1 (de) | 2009-06-25 | 2011-01-13 | Suzuki Motor Corporation, Hamamatsu-Shi | Gießform zum Spritzgießen und Verfahren zur Herstellung eines Spitzgussproduktes |
DE102010017254B4 (de) * | 2009-06-25 | 2019-09-12 | Suzuki Motor Corporation | Gießform zum Spritzgießen |
US20130256945A1 (en) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | Nike, Inc. | Method Of Making A Golf Ball |
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