JPH0411927B2 - - Google Patents
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- JPH0411927B2 JPH0411927B2 JP60277242A JP27724285A JPH0411927B2 JP H0411927 B2 JPH0411927 B2 JP H0411927B2 JP 60277242 A JP60277242 A JP 60277242A JP 27724285 A JP27724285 A JP 27724285A JP H0411927 B2 JPH0411927 B2 JP H0411927B2
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 26
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical group [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はレーザ光によつて情報を記録再生する
ことのできる光記録媒体に関し、さらに詳しくは
集光したレーザ光の熱作用により薄膜にピツトを
形成して記録する光記録媒体に関するものであ
る。
ことのできる光記録媒体に関し、さらに詳しくは
集光したレーザ光の熱作用により薄膜にピツトを
形成して記録する光記録媒体に関するものであ
る。
(従来の技術)
レーザ光によつて情報を媒体に記録し、かつ再
生する追記型光デイスクメモリは、記録密度が高
いことから大容量記録装置として優れた特徴を有
している。このような追記型光デイスクメモリの
記録媒体としては、低融点金属であるビスマス、
テルルが使用されている(特公昭46−40479、特
公昭57−45676、特公昭59−41875、特公昭54−
15483、特公昭59−35356。) (発明が解決しようとする問題点) しかし、ビスマス、テルルは耐候性が悪いため
実用に供することはできなかつた。
生する追記型光デイスクメモリは、記録密度が高
いことから大容量記録装置として優れた特徴を有
している。このような追記型光デイスクメモリの
記録媒体としては、低融点金属であるビスマス、
テルルが使用されている(特公昭46−40479、特
公昭57−45676、特公昭59−41875、特公昭54−
15483、特公昭59−35356。) (発明が解決しようとする問題点) しかし、ビスマス、テルルは耐候性が悪いため
実用に供することはできなかつた。
本発明の目的は、耐候性がよく、かつ高感度で
信号品質の良好な光記録媒体に用いる光記録材料
を提供することにある。
信号品質の良好な光記録媒体に用いる光記録材料
を提供することにある。
(問題を解決するための手段)
本発明の光記録媒体は基板の上に記録層を設け
レーザ光の照射によつて情報を記録しかつ読み取
る光記録媒体であつて、該記録層はスズとニツケ
ル酸化物を主成分として、該記録層の少なくとも
一方の表面に酸化マグネシウム層が形成されてい
ることを特徴とする。
レーザ光の照射によつて情報を記録しかつ読み取
る光記録媒体であつて、該記録層はスズとニツケ
ル酸化物を主成分として、該記録層の少なくとも
一方の表面に酸化マグネシウム層が形成されてい
ることを特徴とする。
(作用)
本発明による記録膜は体積%で30%以上のスズ
に加えて体積%で20%以上のニツケル酸化物を不
可欠な構成要素として含んでいる。スズは低融点
の半金属のため高い記録感度を有している。しか
し、材料の結晶性に起因して表面性が悪いので未
記録ノイズが大きく問題であり実用に供すること
はできなかつた。さらに、スズは酸化しやすいた
めに長期保存性に欠けるので問題であつた。本発
明者らは体積%で20%以上のニツケル酸化物をス
ズに含有させることにより表面性が著しく改善さ
れることを見出した。又、記録層をスズとニツケ
ル酸化物との混合層にすることにより耐候性が向
上することも見出したが、この混合層の表面に酸
化マグネシウム層を形成することによりさらに耐
候性が向上することを見出し、本発明に到つたも
のである。
に加えて体積%で20%以上のニツケル酸化物を不
可欠な構成要素として含んでいる。スズは低融点
の半金属のため高い記録感度を有している。しか
し、材料の結晶性に起因して表面性が悪いので未
記録ノイズが大きく問題であり実用に供すること
はできなかつた。さらに、スズは酸化しやすいた
めに長期保存性に欠けるので問題であつた。本発
明者らは体積%で20%以上のニツケル酸化物をス
ズに含有させることにより表面性が著しく改善さ
れることを見出した。又、記録層をスズとニツケ
ル酸化物との混合層にすることにより耐候性が向
上することも見出したが、この混合層の表面に酸
化マグネシウム層を形成することによりさらに耐
候性が向上することを見出し、本発明に到つたも
のである。
スズとニツケル酸化物との混合層の膜厚は100
〜1000Å程度が記録感度、信号品質の点で望まし
く、とくに150〜500Åが望ましい。酸化マグネシ
ウム層は高湿度の空気が接触する側に形成すれば
充分である。即ち、防湿性の基板或いは防湿性の
下地層の上に該混合層が形成されている場合には
上側のみに酸化マグネシウム層を形成すればよ
い。酸化マグネシウム層の膜厚は5〜3000Åが望
ましいが、上側に形成する酸化マグネシウム層の
膜厚は5〜200Åがとくに望ましい。混合層はス
ズとニツケル酸化物のみの混合物でも優れた光記
録媒体特性を有するが、更に耐候性を向上させた
り反射率を所定の値に調整するためには第3物質
等を含有させてもよい。第3物質としては、炭
素、アルミニウム、シリコン、チタン、クロム、
鉄、コバルト、ニツケル、銅、亜鉛、ガリウム、
ゲルマニウム、セレン、ジルコニウム、ニオブ、
モリブデン、ロジウム、パラジウム、銀、インジ
ウム、スズ、アンチモン、タンタル、タングステ
ン、白金、金、鉛、ビスマスのうちの1以上が望
ましい。これらは体積%で10〜15%以下で効果を
示すものが多いが、物質によつてはこれらより多
く含ませることもある。
〜1000Å程度が記録感度、信号品質の点で望まし
く、とくに150〜500Åが望ましい。酸化マグネシ
ウム層は高湿度の空気が接触する側に形成すれば
充分である。即ち、防湿性の基板或いは防湿性の
下地層の上に該混合層が形成されている場合には
上側のみに酸化マグネシウム層を形成すればよ
い。酸化マグネシウム層の膜厚は5〜3000Åが望
ましいが、上側に形成する酸化マグネシウム層の
膜厚は5〜200Åがとくに望ましい。混合層はス
ズとニツケル酸化物のみの混合物でも優れた光記
録媒体特性を有するが、更に耐候性を向上させた
り反射率を所定の値に調整するためには第3物質
等を含有させてもよい。第3物質としては、炭
素、アルミニウム、シリコン、チタン、クロム、
鉄、コバルト、ニツケル、銅、亜鉛、ガリウム、
ゲルマニウム、セレン、ジルコニウム、ニオブ、
モリブデン、ロジウム、パラジウム、銀、インジ
ウム、スズ、アンチモン、タンタル、タングステ
ン、白金、金、鉛、ビスマスのうちの1以上が望
ましい。これらは体積%で10〜15%以下で効果を
示すものが多いが、物質によつてはこれらより多
く含ませることもある。
第1図は本発明の光記録媒体の一例を示す断面
図である基板1の上にスズとニツケル酸化物を主
成分とする混合層2が設けられ、この混合層の基
板側には酸化マグネシウム層3が設けられ、上側
には酸化マグネシウム層4が設けられている。第
2図は本発明の光記録媒体の他の一例を示す断面
図である。防湿性基板5の上にスズとニツケル酸
化物を主成分とする混合層2が設けられ、その上
に酸化マグネシウム層4が設けられている。
図である基板1の上にスズとニツケル酸化物を主
成分とする混合層2が設けられ、この混合層の基
板側には酸化マグネシウム層3が設けられ、上側
には酸化マグネシウム層4が設けられている。第
2図は本発明の光記録媒体の他の一例を示す断面
図である。防湿性基板5の上にスズとニツケル酸
化物を主成分とする混合層2が設けられ、その上
に酸化マグネシウム層4が設けられている。
基板としては種々のものを使用できるが、一般
には合成樹脂、ガラス、磁器、アルミニウム合金
が望ましい。合成樹脂としては、ポリメチルメタ
クリレート等のアクリル樹脂、ポリカーボネー
ト、ポリエーテルイミド、ポリサルホン、エポキ
シ樹脂、塩化ビニル樹脂がある。基板にはその上
に断熱層やスムージング層を設けてよい。基板の
形状は円板状、シート状、テープ状とすることが
できる。
には合成樹脂、ガラス、磁器、アルミニウム合金
が望ましい。合成樹脂としては、ポリメチルメタ
クリレート等のアクリル樹脂、ポリカーボネー
ト、ポリエーテルイミド、ポリサルホン、エポキ
シ樹脂、塩化ビニル樹脂がある。基板にはその上
に断熱層やスムージング層を設けてよい。基板の
形状は円板状、シート状、テープ状とすることが
できる。
情報の記録は、混合層にピツトを形成すること
によりなされる。その際、上側の酸化マグネシウ
ム層はピツトが形成されてもよいが、機械的な変
形が生ずるだけでもよい。円板状の基板を用いる
デイスク媒体では、ピツトは同心円状又はスパイ
ラル状の多数のトラツクに形成するように記録さ
れる。多数のトラツクを一定間隔で精度よく記録
するには、通常基板上に光の案内溝が設けられ
る。ビーム径程度の溝に光が入射すると光が回折
される。ビーム中心が溝からずれるにつれて回折
光強度の空間分布が異なり、これを検出してビー
ムを溝の中心に入射させるようにサーボ系を構成
できる。通常溝の幅は0.3〜1.2μm、その深さは
使用する記録再生レーザ波長の1/12〜1/4の範囲
に設定される。
によりなされる。その際、上側の酸化マグネシウ
ム層はピツトが形成されてもよいが、機械的な変
形が生ずるだけでもよい。円板状の基板を用いる
デイスク媒体では、ピツトは同心円状又はスパイ
ラル状の多数のトラツクに形成するように記録さ
れる。多数のトラツクを一定間隔で精度よく記録
するには、通常基板上に光の案内溝が設けられ
る。ビーム径程度の溝に光が入射すると光が回折
される。ビーム中心が溝からずれるにつれて回折
光強度の空間分布が異なり、これを検出してビー
ムを溝の中心に入射させるようにサーボ系を構成
できる。通常溝の幅は0.3〜1.2μm、その深さは
使用する記録再生レーザ波長の1/12〜1/4の範囲
に設定される。
実施例 1
以下、本発明の実施例について説明する。内径
15mm、外径130mm、厚さ1.2mmの案内溝付きポリカ
ーボネート樹脂デイスク基板を真空蒸着装置内に
入れ、2×10-5Torr以下に排気した。蒸発源と
しては抵抗加熱用ボート(モリブデン製)にSn
を入れ、電子ビーム加熱用るつぼにNiOを入れ
た。もう一つの電子ビーム加熱用るつぼにMgO
を入れた。まず、MgOを毎分約40Åの蒸着速度
で100Å蒸着し、次にSnの蒸着速度を毎分約45
Å、NiOの蒸着速度を毎分約16ÅとしてNiOの体
積率が26%の組成の200Å厚の膜を共蒸着により
形成した。さらにその上にMgOを毎分約40Åの
蒸着速度で100Å蒸着して光記録媒体を作製した。
この媒体のフラツト部光学特性を波長8300Åの平
行光で測定したところ、基板入射反射率は28%、
吸収率は約58%であつた。波長8300ÅのAlGaAs
半導体レーザを光学系を用いて収光し、基板を通
して混合層に照射し、ピツトを混合層に形成し
た。媒体線速度5.65m/sec、記録0.625MPH(デ
ユーテイ50%)のときに必要な記録レーザパワー
は8mWであつた。記録されたピツトをレーザパ
ワー0.4mWで再生したところ、バンド幅30kHzの
信号対雑音比(C/N)は58dB、第2高調波対
信号比(2ndH/C)は−34dBと良好な品質の信
号を得た。次にこの、光記録媒体を70℃80%の高
温高湿度の環境に200時間保存した後に上記の特
性を調べたところ、変化はほとんどなかつたが、
比較のために作製したMgO層のない媒体では光
学特性が変化した。このことから本発明の光記録
媒体が高い耐候性を有していることがわかつた。
15mm、外径130mm、厚さ1.2mmの案内溝付きポリカ
ーボネート樹脂デイスク基板を真空蒸着装置内に
入れ、2×10-5Torr以下に排気した。蒸発源と
しては抵抗加熱用ボート(モリブデン製)にSn
を入れ、電子ビーム加熱用るつぼにNiOを入れ
た。もう一つの電子ビーム加熱用るつぼにMgO
を入れた。まず、MgOを毎分約40Åの蒸着速度
で100Å蒸着し、次にSnの蒸着速度を毎分約45
Å、NiOの蒸着速度を毎分約16ÅとしてNiOの体
積率が26%の組成の200Å厚の膜を共蒸着により
形成した。さらにその上にMgOを毎分約40Åの
蒸着速度で100Å蒸着して光記録媒体を作製した。
この媒体のフラツト部光学特性を波長8300Åの平
行光で測定したところ、基板入射反射率は28%、
吸収率は約58%であつた。波長8300ÅのAlGaAs
半導体レーザを光学系を用いて収光し、基板を通
して混合層に照射し、ピツトを混合層に形成し
た。媒体線速度5.65m/sec、記録0.625MPH(デ
ユーテイ50%)のときに必要な記録レーザパワー
は8mWであつた。記録されたピツトをレーザパ
ワー0.4mWで再生したところ、バンド幅30kHzの
信号対雑音比(C/N)は58dB、第2高調波対
信号比(2ndH/C)は−34dBと良好な品質の信
号を得た。次にこの、光記録媒体を70℃80%の高
温高湿度の環境に200時間保存した後に上記の特
性を調べたところ、変化はほとんどなかつたが、
比較のために作製したMgO層のない媒体では光
学特性が変化した。このことから本発明の光記録
媒体が高い耐候性を有していることがわかつた。
実施例 2
実施例1と同様にして、ポリカーボネート樹脂
製デイスク基板の上に200Å厚のMgO、NiOの体
積率が32%のSnとNiOの350Å厚の混合層、50Å
厚のMgOを順次積層して光記録媒体を作製した。
これを実施例1と同様にして評価したところ、
48dB以上のC/Nが得られ、高温高湿度下の保
存性も良好であつた。
製デイスク基板の上に200Å厚のMgO、NiOの体
積率が32%のSnとNiOの350Å厚の混合層、50Å
厚のMgOを順次積層して光記録媒体を作製した。
これを実施例1と同様にして評価したところ、
48dB以上のC/Nが得られ、高温高湿度下の保
存性も良好であつた。
実施例 3
実施例1と同様にして、強化ガラスデイスク上
に2P法により案内溝を形成した上に、NiOの体
積率が36%のSnとNiOの275Å厚の混合層、30Å
厚のMgOを順次積層して光記録媒体を作製した。
このデイスク2枚を記録面を互いに内側にして内
周部と外周部をスペーサを介して接着してエアサ
ンドイツチデイスクを作製した。これを実施例1
と同様にして評価したところ、48dB以上のC/
Nが得られ、高温高湿度下の保存性も良好であつ
た。
に2P法により案内溝を形成した上に、NiOの体
積率が36%のSnとNiOの275Å厚の混合層、30Å
厚のMgOを順次積層して光記録媒体を作製した。
このデイスク2枚を記録面を互いに内側にして内
周部と外周部をスペーサを介して接着してエアサ
ンドイツチデイスクを作製した。これを実施例1
と同様にして評価したところ、48dB以上のC/
Nが得られ、高温高湿度下の保存性も良好であつ
た。
(発明の効果)
上記実施例から明らかなように、本発明により
耐候性がよくかつ高感度で信号品質の良好な光記
録媒体が得られる。
耐候性がよくかつ高感度で信号品質の良好な光記
録媒体が得られる。
第1図は本発明の光記録媒体の1実施例の断面
図であり、第2図は本発明の光記録媒体の他の実
施例の断面図である。図において、1,5は基
板、2はスズとニツケル酸化物を主成分とする混
合層、3,4は酸化マグネシウム層を示す。
図であり、第2図は本発明の光記録媒体の他の実
施例の断面図である。図において、1,5は基
板、2はスズとニツケル酸化物を主成分とする混
合層、3,4は酸化マグネシウム層を示す。
Claims (1)
- 1 基板の上に記録層を設けレーザ光の照射によ
つて情報を記録しかつ読み取る光記録媒体におい
て、該記録層はスズとニツケル酸化物を主成分と
して、該記録層の少なくとも一方の表面に酸化マ
グネシウム層が形成されていることを特徴とする
光記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60277242A JPS62137739A (ja) | 1985-12-09 | 1985-12-09 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60277242A JPS62137739A (ja) | 1985-12-09 | 1985-12-09 | 光記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62137739A JPS62137739A (ja) | 1987-06-20 |
JPH0411927B2 true JPH0411927B2 (ja) | 1992-03-03 |
Family
ID=17580799
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60277242A Granted JPS62137739A (ja) | 1985-12-09 | 1985-12-09 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62137739A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6984481B2 (en) * | 2003-06-24 | 2006-01-10 | Industrial Technology Research Institute | Write-once optical recording medium |
-
1985
- 1985-12-09 JP JP60277242A patent/JPS62137739A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62137739A (ja) | 1987-06-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |