JPH04117611A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH04117611A JPH04117611A JP23871690A JP23871690A JPH04117611A JP H04117611 A JPH04117611 A JP H04117611A JP 23871690 A JP23871690 A JP 23871690A JP 23871690 A JP23871690 A JP 23871690A JP H04117611 A JPH04117611 A JP H04117611A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔@東上の利用分野〕
この発明は非磁性基材上にCraft膜、Co合金薄膜
を順次積層して形成されTこ磁気記録5体に関するもの
である。
を順次積層して形成されTこ磁気記録5体に関するもの
である。
従来、磁気記録媒体としては、非磁性基材上に酸化鉄な
どの針状粒子を樹脂バインダー中に分散させ塗布しγこ
塗布型磁気記録ご体が主流であつγこ。
どの針状粒子を樹脂バインダー中に分散させ塗布しγこ
塗布型磁気記録ご体が主流であつγこ。
しかし、近年の情報の筒留度記録化の東京から。
湿式メツキ、真空蒸着、スパッタリング等の薄膜形成法
をこより形成されγこ強磁性薄膜層を磁気記録層とする
磁気記録媒体が開発されており、なかでもスパッタリン
グ法により作製される磁気記録媒体が高密度記録特性な
らびに量産性蚤こ優れるもので、今後の磁気記録媒体の
主流になるものと考えられている。
をこより形成されγこ強磁性薄膜層を磁気記録層とする
磁気記録媒体が開発されており、なかでもスパッタリン
グ法により作製される磁気記録媒体が高密度記録特性な
らびに量産性蚤こ優れるもので、今後の磁気記録媒体の
主流になるものと考えられている。
ところで、このスパッタリング法により作製される磁気
記録媒体c以下、メタルスパッタ霧体と称す)は、一般
にN1−P下地硬化層を設け1こM−Mg基板上にCr
薄膜、 Co合金薄膜、保護膜を順次形成することによ
り得られる。
記録媒体c以下、メタルスパッタ霧体と称す)は、一般
にN1−P下地硬化層を設け1こM−Mg基板上にCr
薄膜、 Co合金薄膜、保護膜を順次形成することによ
り得られる。
ローディングチャンバー、基板加熱チャンバーCrカソ
ードb co合金カソード及び保護膜材カソードを備え
Tこスパッタリングチャンバー並びにアンローディング
チャンバーから構成されるインライン型スパッタリング
装置により製造されるが。
ードb co合金カソード及び保護膜材カソードを備え
Tこスパッタリングチャンバー並びにアンローディング
チャンバーから構成されるインライン型スパッタリング
装置により製造されるが。
Cr傅膜層h co合金薄膜層及び保鰻膜層を形成する
方法としては、基板が各ターゲットのillを通過しな
がら成膜される通過型と基板がターゲットの前に靜とし
て成膜される静止対向型とがあるが。
方法としては、基板が各ターゲットのillを通過しな
がら成膜される通過型と基板がターゲットの前に靜とし
て成膜される静止対向型とがあるが。
いずれの方式においても、メタルスパッタ裏体を製造す
る際の手順は同じである。
る際の手順は同じである。
ところで、このメタルスパッタ媒体は磁気特性に優れる
もので、高密度記録時での再生出力も高いが。
もので、高密度記録時での再生出力も高いが。
媒体ノイズも大きいということが知られている0例えば
、刊行物(J、Appl、 Phya−6318)、1
5Jamuar)’ 1986 p557〜p56
3 )において、メタルスパッタ媒体の媒体ノイズが8
− Fe、O,塗布渡体やGo−Cr垂直媒体のものと
比べ大きいということが報告されている。この大きな厘
体ノイズは記録され1こビットの磁化遷移領域に発生す
るジグザグ磁壁の不規則性から生じており、この媒体ノ
イズを低減させるためには、たとえば、刊行物(J。
、刊行物(J、Appl、 Phya−6318)、1
5Jamuar)’ 1986 p557〜p56
3 )において、メタルスパッタ媒体の媒体ノイズが8
− Fe、O,塗布渡体やGo−Cr垂直媒体のものと
比べ大きいということが報告されている。この大きな厘
体ノイズは記録され1こビットの磁化遷移領域に発生す
るジグザグ磁壁の不規則性から生じており、この媒体ノ
イズを低減させるためには、たとえば、刊行物(J。
Appl、Phys、6318)、 15 April
1988p3248〜p3253目こおいて報告さ
れているように、結晶層の結晶粒間に働< i、mte
r grain exchangecoupling
を低減させればよく、具体的には、たとえば、刊行
物(Intermag 90 Conferemce予
稿集BP−01)に報告されているように、スパッタガ
ス圧を高め、スパッタ原子の持つモビリティ−を減少さ
せ、結晶粒間の1solationを高めてやればよい
。ところで、00合金薄膜はCr薄膜上にエピタキシャ
ル成長をするものでm 00合金薄膜の結晶性を制御す
る1こめにはCr!N−膜の結晶性を制御してやる必要
がある0上eL1こスパッタ原子の持つモビリティ−を
下げ、結晶性を制御する方法としてはスパッタ圧力を高
める0基板温度を下げる。成膜パワーを下げる等の方法
があるが、基板温度を下げると磁気特性(特に保磁力)
が劣化するγこめ、高密度記録時での再生出力が低下す
る問題が生じ、また、成膜パワーを下げると、成膜時間
がかかる1こめ量産性の点からはふされしくないO 〔発明が解決りようとする課題〕 従来の磁気記録媒体は、媒体ノイズ低減のγこめに、C
rA!膜およびGo合合金膜膜形成時スパッタガス圧を
高めろ等によるスパッタ原子の持つモビリティ−を減少
させることが有効であるが、それにも限界があり、より
一層の5体ノイズ低減には新しい手法が必要であった。
1988p3248〜p3253目こおいて報告さ
れているように、結晶層の結晶粒間に働< i、mte
r grain exchangecoupling
を低減させればよく、具体的には、たとえば、刊行
物(Intermag 90 Conferemce予
稿集BP−01)に報告されているように、スパッタガ
ス圧を高め、スパッタ原子の持つモビリティ−を減少さ
せ、結晶粒間の1solationを高めてやればよい
。ところで、00合金薄膜はCr薄膜上にエピタキシャ
ル成長をするものでm 00合金薄膜の結晶性を制御す
る1こめにはCr!N−膜の結晶性を制御してやる必要
がある0上eL1こスパッタ原子の持つモビリティ−を
下げ、結晶性を制御する方法としてはスパッタ圧力を高
める0基板温度を下げる。成膜パワーを下げる等の方法
があるが、基板温度を下げると磁気特性(特に保磁力)
が劣化するγこめ、高密度記録時での再生出力が低下す
る問題が生じ、また、成膜パワーを下げると、成膜時間
がかかる1こめ量産性の点からはふされしくないO 〔発明が解決りようとする課題〕 従来の磁気記録媒体は、媒体ノイズ低減のγこめに、C
rA!膜およびGo合合金膜膜形成時スパッタガス圧を
高めろ等によるスパッタ原子の持つモビリティ−を減少
させることが有効であるが、それにも限界があり、より
一層の5体ノイズ低減には新しい手法が必要であった。
この発明はメタルスパッタ媒体における媒体ノイズを低
減し、高密度記録に適した磁気記録媒体を提供すること
を目的とする。
減し、高密度記録に適した磁気記録媒体を提供すること
を目的とする。
〔課題を解決する1こめの手段〕
この発明に係る磁気記録媒体はh Cr薄膜が3層以上
の層として形成されたものである。
の層として形成されたものである。
この発明における磁気記録媒体は、Cr#gKを3層以
上の層として形成しているため、同一〇r薄膜厚を得る
1こめには一層尚りを形成する際の成膜パワーを下げる
ことができ、そのためスパッタされに原子のモビリティ
−が小さくなりh Cr薄膜上にエピタキシャル成長す
る00合金薄膜の結晶性も改善され、媒体ノイズが低減
する。
上の層として形成しているため、同一〇r薄膜厚を得る
1こめには一層尚りを形成する際の成膜パワーを下げる
ことができ、そのためスパッタされに原子のモビリティ
−が小さくなりh Cr薄膜上にエピタキシャル成長す
る00合金薄膜の結晶性も改善され、媒体ノイズが低減
する。
以下、この発明の一実施例を因について説明する。図面
はこの発明の磁気記録媒体の断面を示すもので、(1)
はAJ −Mg基板、(2)はNl −P下地硬化層、
(3a)〜(3c)はCr薄膜、(4)はCo合金
薄膜、(5)は保護膜である。
はこの発明の磁気記録媒体の断面を示すもので、(1)
はAJ −Mg基板、(2)はNl −P下地硬化層、
(3a)〜(3c)はCr薄膜、(4)はCo合金
薄膜、(5)は保護膜である。
次に具体例を挙げて説明する。
〈実施例1〉
非磁性基板としてN1−P下地硬化層;2)が設けられ
γこM−Mg基板11)にテクスチャー加工を施し1こ
ものを用い、 Co合金14)としてC611!、6N
i l oCy ? 6 a を媚の組成のCoNi
crを、保護膜15)材としてはカーボンを用いた。ま
ず、基板を200℃に加熱り、1層当りのCrfHmを
50OAとし、4層形成し1合計のCr薄膜の膜厚を2
00OAとしγこ0なお& ”r薄膜を形成する際の成
膜パワーとしては500Wであつ1こ。
γこM−Mg基板11)にテクスチャー加工を施し1こ
ものを用い、 Co合金14)としてC611!、6N
i l oCy ? 6 a を媚の組成のCoNi
crを、保護膜15)材としてはカーボンを用いた。ま
ず、基板を200℃に加熱り、1層当りのCrfHmを
50OAとし、4層形成し1合計のCr薄膜の膜厚を2
00OAとしγこ0なお& ”r薄膜を形成する際の成
膜パワーとしては500Wであつ1こ。
第4#目のC,薄膜を形成した後、連続してc、N1C
rPIII[、カーボン*gを形成しり。なお& C0
NI Cr薄膜は500A、カーボン薄膜は400Aと
し、スパッタガス圧でIOm−rorrとした。
rPIII[、カーボン*gを形成しり。なお& C0
NI Cr薄膜は500A、カーボン薄膜は400Aと
し、スパッタガス圧でIOm−rorrとした。
〈実施例2〉
1層当りのCrflHlの膜厚を667Aとし、3層形
成し1;以外は全て実施例1と同一条件で成膜を行い磁
気記録媒体を形成した。なお、Crfll膜を形成する
際の成膜パワーは667Wであつ1こ。
成し1;以外は全て実施例1と同一条件で成膜を行い磁
気記録媒体を形成した。なお、Crfll膜を形成する
際の成膜パワーは667Wであつ1こ。
く比較例1〉
IN/J4りのCr薄膜の膜厚を100OAとし、2層
形成した以外は全て実施例1と同一条件で成膜を行い磁
気記録媒体を形成しγこ。なおh Cr薄膜を形成する
際の成膜パワーは100OWであつ1こ0く比較例2〉 Cr薄膜を200OAとして一層形成した以外は全て実
施例1と同一条件で成膜を行い磁気記録媒体を形成した
。なお、Cr薄膜を形成する際の成膜パワーは2000
Wであつfユ。
形成した以外は全て実施例1と同一条件で成膜を行い磁
気記録媒体を形成しγこ。なおh Cr薄膜を形成する
際の成膜パワーは100OWであつ1こ0く比較例2〉 Cr薄膜を200OAとして一層形成した以外は全て実
施例1と同一条件で成膜を行い磁気記録媒体を形成した
。なお、Cr薄膜を形成する際の成膜パワーは2000
Wであつfユ。
実施例1,2及び比較例1,2にて得られたメタルスパ
ッタ媒体の磁気特性及び電磁変換特性を測定しγこ。磁
気特性測定には試料振動型磁力計(VSM)を用い、電
磁変換特性測定には薄膜磁気ヘッドを用い、相対速度1
2.1 m/ see 、 配備周波数8M)(z
、ノイズ帯域20MHzにて行つγこ〇磁気特性及び電
磁変換特性測定結果を表に示す。
ッタ媒体の磁気特性及び電磁変換特性を測定しγこ。磁
気特性測定には試料振動型磁力計(VSM)を用い、電
磁変換特性測定には薄膜磁気ヘッドを用い、相対速度1
2.1 m/ see 、 配備周波数8M)(z
、ノイズ帯域20MHzにて行つγこ〇磁気特性及び電
磁変換特性測定結果を表に示す。
保磁力s Br・δ(残留磁束密度X膜厚)、再生出力
。
。
媒体ノイズは、実施例1.実施例2.比較例1゜比較例
2の順を二太き(なっており、つまりsCr薄膜の積層
数が少ないものほど、保磁力s”r・δ、再生出力、媒
体ノイズは大きくなる傾向にあるが、Cr薄膜の積層数
が1と2とでは大差はない。−ズ媒体S/N比では、逆
(こCrN膜の積層数を増すに付い向上し、しかも、3
層以上の積層数で向上の度合が大きい。これは、Cr1
t膜の積層αを増すに伴い、再生出力は減少するものの
、8体ノイズがより一層低減するγこめであり2この発
明の磁気記の媒体が媒体ノイズが小さく、高密度記録時
において高いS/N比を有することが明らかである。
2の順を二太き(なっており、つまりsCr薄膜の積層
数が少ないものほど、保磁力s”r・δ、再生出力、媒
体ノイズは大きくなる傾向にあるが、Cr薄膜の積層数
が1と2とでは大差はない。−ズ媒体S/N比では、逆
(こCrN膜の積層数を増すに付い向上し、しかも、3
層以上の積層数で向上の度合が大きい。これは、Cr1
t膜の積層αを増すに伴い、再生出力は減少するものの
、8体ノイズがより一層低減するγこめであり2この発
明の磁気記の媒体が媒体ノイズが小さく、高密度記録時
において高いS/N比を有することが明らかである。
なお、上記実施例においては非磁性基材としてN1−P
下地硬化層を設はテクスチャー加工を施しr: AJj
−Mg基板、Co合金薄膜としてC01z6Ni ga
cyy6at4のCoNiCr薄膜を形成し1こ場合に
ついて説明し1こが、これに限らず、ガラスあるいはセ
ラミックス等の他の基板、まT: CoCrTa、C,
NiT、 、 coc、vCQNi Zf等の他のCo
合金薄膜番こ適用しても同様の効果を奏する0ま1こ、
基材加熱温度、スパッタガス圧等スパッタ条件も上記実
施例に限定されるものではない。
下地硬化層を設はテクスチャー加工を施しr: AJj
−Mg基板、Co合金薄膜としてC01z6Ni ga
cyy6at4のCoNiCr薄膜を形成し1こ場合に
ついて説明し1こが、これに限らず、ガラスあるいはセ
ラミックス等の他の基板、まT: CoCrTa、C,
NiT、 、 coc、vCQNi Zf等の他のCo
合金薄膜番こ適用しても同様の効果を奏する0ま1こ、
基材加熱温度、スパッタガス圧等スパッタ条件も上記実
施例に限定されるものではない。
まγこ、上記実施例1こおいて、Cr薄膜の積層数とし
ては、3および4について説明し1こが、5層以上でも
同様な効果は得られるが、スパッタ装置が大きくなる、
Crカソードの数が増える等、装置の価格等が高くなる
γこめ、3〜4層が適当である。
ては、3および4について説明し1こが、5層以上でも
同様な効果は得られるが、スパッタ装置が大きくなる、
Crカソードの数が増える等、装置の価格等が高くなる
γこめ、3〜4層が適当である。
〔発明の効果]
以上のようにこの発明ζこよれば、Cr1ll膜を3層
以上の層として形成するようにしγこので、1層嶋りを
形成する際の成膜パワーを下げることができ。
以上の層として形成するようにしγこので、1層嶋りを
形成する際の成膜パワーを下げることができ。
Cr薄膜の結晶性を制御でき、Cr薄膜上にエピタキシ
ャル成長するCo合金薄膜の結晶性を制御できるγこめ
、媒体ノイズが低減し、高いS/N比を有する磁気記録
媒体が得られる効果がある。
ャル成長するCo合金薄膜の結晶性を制御できるγこめ
、媒体ノイズが低減し、高いS/N比を有する磁気記録
媒体が得られる効果がある。
図はこの発明の一実施例による磁気記録媒体を示す断面
図である。 図において、【l)はfi−e −Mg基板、(2)は
N1−P下地硬化層、(3a ) 〜(3c )はCr
薄膜、(4)はCo合金薄膜。 (5)は保護膜である。
図である。 図において、【l)はfi−e −Mg基板、(2)は
N1−P下地硬化層、(3a ) 〜(3c )はCr
薄膜、(4)はCo合金薄膜。 (5)は保護膜である。
Claims (1)
- 非磁性基材上に、Cr薄膜およびCo合金薄膜が順に形
成されてなる磁気記録媒体において、上記Cr薄膜が3
層以上の層として形成されていることを特徴とする磁気
記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23871690A JPH04117611A (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23871690A JPH04117611A (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04117611A true JPH04117611A (ja) | 1992-04-17 |
Family
ID=17034208
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23871690A Pending JPH04117611A (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04117611A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6740383B2 (en) | 1998-05-27 | 2004-05-25 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium possessing a ratio of Hc(perpendicular) to Hc(horizontal) that is not more than 0.22 and magnetic recording disk device |
-
1990
- 1990-09-05 JP JP23871690A patent/JPH04117611A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6740383B2 (en) | 1998-05-27 | 2004-05-25 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium possessing a ratio of Hc(perpendicular) to Hc(horizontal) that is not more than 0.22 and magnetic recording disk device |
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