JPH04115521A - レジスト膜乾燥装置 - Google Patents
レジスト膜乾燥装置Info
- Publication number
- JPH04115521A JPH04115521A JP23479790A JP23479790A JPH04115521A JP H04115521 A JPH04115521 A JP H04115521A JP 23479790 A JP23479790 A JP 23479790A JP 23479790 A JP23479790 A JP 23479790A JP H04115521 A JPH04115521 A JP H04115521A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist film
- resist film
- wafer
- oven case
- microwave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001035 drying Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 17
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板(以下ウェハと呼ぶ)表面に塗布さ
れたフォトレジスト膜を加熱し、乾燥させるレジスト膜
乾燥装置に関する。
れたフォトレジスト膜を加熱し、乾燥させるレジスト膜
乾燥装置に関する。
第3図(a)及び(b)は従来のレジスト膜乾燥装置の
一例を示す平面図及びAA断面図である。従来、この種
のレジスト膜乾燥装置は第3図(a)及び(b)に示す
ように、基台4にはめ込まれたヒータブロック2と、こ
のヒータブロック2に埋設された指示ビン5と、図面に
は示していないが、排気穴をもつカバーとを有していた
。また、ウェーハ10を加熱し、ウェーハ10に塗布さ
れたフォトレジスト膜8の溶剤を蒸発させ、乾燥してい
た。また、スループット向上のなめにヒータを2〜3個
直列に並べた構造となっていた。
一例を示す平面図及びAA断面図である。従来、この種
のレジスト膜乾燥装置は第3図(a)及び(b)に示す
ように、基台4にはめ込まれたヒータブロック2と、こ
のヒータブロック2に埋設された指示ビン5と、図面に
は示していないが、排気穴をもつカバーとを有していた
。また、ウェーハ10を加熱し、ウェーハ10に塗布さ
れたフォトレジスト膜8の溶剤を蒸発させ、乾燥してい
た。また、スループット向上のなめにヒータを2〜3個
直列に並べた構造となっていた。
上述した従来のレジスト膜乾燥装置は、ウェーハ表面に
塗布されたフォトレジスト膜を乾燥させるのに必要とさ
れる時間が6〜8分という長い時間を必要とした。また
熱伝導によってウェーハを介して加熱されるため、フォ
トレジスト膜の表面と内側が均一に加熱されないので、
フォトレジスト膜表面の溶剤のみ蒸発し、内部に溶剤が
残ってしまうという欠点があった。
塗布されたフォトレジスト膜を乾燥させるのに必要とさ
れる時間が6〜8分という長い時間を必要とした。また
熱伝導によってウェーハを介して加熱されるため、フォ
トレジスト膜の表面と内側が均一に加熱されないので、
フォトレジスト膜表面の溶剤のみ蒸発し、内部に溶剤が
残ってしまうという欠点があった。
本発明の目的は、かかる欠点を解消するレジスト膜乾燥
装置を提供することである。
装置を提供することである。
本発明のレジスト膜乾燥装置は、半導体基板を収納する
オーブンケースと、このオーブンケース内にマイクロ波
を導入する導波管と、マイクロ波を発生する手段と、前
記オーブンケース内に取付けられるとともにマイクロ波
を攪拌する攪拌器とを備え構成されている。
オーブンケースと、このオーブンケース内にマイクロ波
を導入する導波管と、マイクロ波を発生する手段と、前
記オーブンケース内に取付けられるとともにマイクロ波
を攪拌する攪拌器とを備え構成されている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例を示すレジスト膜乾燥装置の
断面図である。このレジスト膜乾燥装置は、同図に示す
ように、ウェーハ10を収納するオーブンケース1と、
このオーブンケース1の底部に埋設されるとともにウェ
ーハ10を載置する支持ビン5と、オーブンケース1の
上部に導波管6を介して取付けられるとともにマイクロ
波を発生する磁電管3と、オーブンケース1の上部に取
付けられるとともにマイクロ波を攪拌する攪拌器7とを
有している。
断面図である。このレジスト膜乾燥装置は、同図に示す
ように、ウェーハ10を収納するオーブンケース1と、
このオーブンケース1の底部に埋設されるとともにウェ
ーハ10を載置する支持ビン5と、オーブンケース1の
上部に導波管6を介して取付けられるとともにマイクロ
波を発生する磁電管3と、オーブンケース1の上部に取
付けられるとともにマイクロ波を攪拌する攪拌器7とを
有している。
このフォトレジスト膜乾燥装置の動作は、まず、オーブ
ンケース1内にウェーハ10を収納し、支持ビン5の上
に乗せる。次に、磁電管3よリマイクロ波を発生する。
ンケース1内にウェーハ10を収納し、支持ビン5の上
に乗せる。次に、磁電管3よリマイクロ波を発生する。
これと同時に攪拌器7が回転する。このことにより、マ
イクロ波は導波管6を伝わり、オーブンケース1に入射
され、攪拌器7で産卵され、ウェーハ10のフォトレジ
スト膜8へ入射される。この入射したマイクロ波のエネ
ルギーによりフォトレジスト膜8が加熱され、内部から
溶剤が蒸発する。
イクロ波は導波管6を伝わり、オーブンケース1に入射
され、攪拌器7で産卵され、ウェーハ10のフォトレジ
スト膜8へ入射される。この入射したマイクロ波のエネ
ルギーによりフォトレジスト膜8が加熱され、内部から
溶剤が蒸発する。
ちなみに、マイクロ波の周波数を数GHzで、フォトレ
ジスト膜の乾燥を行ったところ、10秒程度で所要の乾
燥度が得られた。また、このフォトレジスト膜の内部表
面とも均一な乾燥度であった。
ジスト膜の乾燥を行ったところ、10秒程度で所要の乾
燥度が得られた。また、このフォトレジスト膜の内部表
面とも均一な乾燥度であった。
第2図に本発明の他の実施例を示す。レジスト膜乾燥装
置の断面図である。このレジスト膜乾燥装置は、同図に
示すように、ウェーハ10を吸着する真空チャック11
と、この真空チャックを回転させるスピンモータ9を設
けたことである。その他は、前述の実施例と同じである
。また、この真空チャック11の回転方向は、攪拌器7
と反対方向に回転する。
置の断面図である。このレジスト膜乾燥装置は、同図に
示すように、ウェーハ10を吸着する真空チャック11
と、この真空チャックを回転させるスピンモータ9を設
けたことである。その他は、前述の実施例と同じである
。また、この真空チャック11の回転方向は、攪拌器7
と反対方向に回転する。
この実施例では、ウェーハが回転しているためウェーハ
面内の加熱むらをより少なくできるという利点がある。
面内の加熱むらをより少なくできるという利点がある。
以上説明したように本発明は、ウェーハ表面に塗布され
たフォトレジスト膜に照射するマイクロ波を発生する手
段を設けることにより加熱を行うため、レジスト膜内部
より加熱されるので、より短時間で均一な乾燥度に出来
るレジスト膜乾燥装置が得られるという効果がある。
たフォトレジスト膜に照射するマイクロ波を発生する手
段を設けることにより加熱を行うため、レジスト膜内部
より加熱されるので、より短時間で均一な乾燥度に出来
るレジスト膜乾燥装置が得られるという効果がある。
示す平面図及びAA断面図である。
1・・・オーブンケース、2・・・ヒータブロック、3
・・・磁電管、4・・・基台、5・・・支持ビン、6・
・・導波管、7・・・攪拌器、8・・・フォトレジスト
膜、9・・・スピンモータ、10・・・ウェーハ、11
・・・真空チャック。
・・・磁電管、4・・・基台、5・・・支持ビン、6・
・・導波管、7・・・攪拌器、8・・・フォトレジスト
膜、9・・・スピンモータ、10・・・ウェーハ、11
・・・真空チャック。
Claims (1)
- 半導体基板を収納するオーブンケースと、このオーブン
ケース内にマイクロ波を導入する導波管と、マイクロ波
を発生する手段と、前記オーブンケース内に取付けられ
るとともにマイクロ波を攪拌する攪拌器とを備えること
を特徴とするレジスト膜乾燥装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23479790A JPH04115521A (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | レジスト膜乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23479790A JPH04115521A (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | レジスト膜乾燥装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04115521A true JPH04115521A (ja) | 1992-04-16 |
Family
ID=16976542
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23479790A Pending JPH04115521A (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | レジスト膜乾燥装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04115521A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0830552A1 (en) * | 1995-06-02 | 1998-03-25 | Napp Systems Inc. | Method for reducing the level of diluent in diluent-containing resins using microwave energy |
JP2001516638A (ja) * | 1997-09-15 | 2001-10-02 | シーイーエム・コーポレーション | マイクロ波アシスト化学のための圧力感知反応容器 |
CN104880916A (zh) * | 2015-06-25 | 2015-09-02 | 武汉华星光电技术有限公司 | 用于去除光刻胶溶剂的装置 |
CN108776424A (zh) * | 2018-06-25 | 2018-11-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显影装置、曝光显影设备及显影方法 |
TWI681469B (zh) * | 2018-03-27 | 2020-01-01 | 創意電子股份有限公司 | 烘乾設備 |
US10566217B2 (en) | 2018-03-27 | 2020-02-18 | Global Unichip Corporation | Drying apparatus |
-
1990
- 1990-09-05 JP JP23479790A patent/JPH04115521A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0830552A1 (en) * | 1995-06-02 | 1998-03-25 | Napp Systems Inc. | Method for reducing the level of diluent in diluent-containing resins using microwave energy |
EP0830552A4 (en) * | 1995-06-02 | 2000-02-09 | Napp Systems Inc | PROCESS FOR DECREASING THE LEVEL OF DILUENT IN RESINS CONTAINING A DILUENT USING MICROWAVE ENERGY |
JP2001516638A (ja) * | 1997-09-15 | 2001-10-02 | シーイーエム・コーポレーション | マイクロ波アシスト化学のための圧力感知反応容器 |
CN104880916A (zh) * | 2015-06-25 | 2015-09-02 | 武汉华星光电技术有限公司 | 用于去除光刻胶溶剂的装置 |
TWI681469B (zh) * | 2018-03-27 | 2020-01-01 | 創意電子股份有限公司 | 烘乾設備 |
US10566217B2 (en) | 2018-03-27 | 2020-02-18 | Global Unichip Corporation | Drying apparatus |
CN108776424A (zh) * | 2018-06-25 | 2018-11-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显影装置、曝光显影设备及显影方法 |
CN108776424B (zh) * | 2018-06-25 | 2021-08-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显影装置、曝光显影设备及显影方法 |
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