JPH04115396U - rotation speed detector - Google Patents
rotation speed detectorInfo
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- JPH04115396U JPH04115396U JP2023591U JP2023591U JPH04115396U JP H04115396 U JPH04115396 U JP H04115396U JP 2023591 U JP2023591 U JP 2023591U JP 2023591 U JP2023591 U JP 2023591U JP H04115396 U JPH04115396 U JP H04115396U
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- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気バブル素子に常時最適なバイアス磁界を
与え続けることが可能な回転数検出器を提供する。
【構成】 磁気バブルの移動を測定することにより測定
対象物の回転数を検出する回転数検出器において、磁気
バブルを発生する磁気バブル素子と、磁気バブル素子に
バイアス磁界を与えるため磁気バブル素子を挟むように
して配置された一対のバイアス磁石と、温度変化に起因
して磁気バブル素子が要求するバイアス磁界の変化量に
基づいて、一対のバイアス磁石の間隔を調整する調整手
段とを備えるように構成する。
(57) [Summary] [Purpose] To provide a rotation speed detector that can continuously apply an optimal bias magnetic field to a magnetic bubble element. [Structure] A rotation speed detector that detects the rotation speed of an object to be measured by measuring the movement of magnetic bubbles includes a magnetic bubble element that generates magnetic bubbles and a magnetic bubble element that applies a bias magnetic field to the magnetic bubble element. The device is configured to include a pair of bias magnets arranged so as to be sandwiched therebetween, and an adjusting means for adjusting the interval between the pair of bias magnets based on the amount of change in the bias magnetic field required by the magnetic bubble element due to temperature change. .
Description
【０００１】0001
本考案は回転数検出器に関し、特に温度変化による回転数検出器の特性変化の 改善に関する。 This invention relates to rotation speed detectors, and particularly to changes in the characteristics of rotation speed detectors due to temperature changes. Regarding improvement.
【０００２】0002
従来の一般的な回転数検出器の構成を図４に示す。この図に示した構成では、 測定対象物のシャフト５に取り付けられ回転磁界を発生するリング磁石１と、リ ング磁石１の回転磁界を検出する磁気バブルユニット２より構成されている。ま た、磁気バブルユニット２には、磁気バブル素子３と、これを挟むように構成さ れた一対のバイアス磁石４が固定されている。 FIG. 4 shows the configuration of a conventional general rotation speed detector. In the configuration shown in this figure, A ring magnet 1 that is attached to the shaft 5 of the object to be measured and generates a rotating magnetic field, and a ring magnet 1 that generates a rotating magnetic field. The magnetic bubble unit 2 detects the rotating magnetic field of the ring magnet 1. Ma In addition, the magnetic bubble unit 2 includes a magnetic bubble element 3 and a structure configured to sandwich the magnetic bubble element 3. A pair of bias magnets 4 are fixed.
【０００３】 そして、バイアス磁石４が磁気バブル素子３に最適なバイアス磁界をかけ、常 に安定な磁気バブルを発生させている。この状態で、磁気バブル素子３の表面で の回転磁界による磁気バブルの移動を検出することで、シャフト５の累積回転数 を測定する。0003 Then, the bias magnet 4 applies an optimal bias magnetic field to the magnetic bubble element 3, and generates stable magnetic bubbles. In this state, on the surface of the magnetic bubble element 3, By detecting the movement of magnetic bubbles due to the rotating magnetic field of Measure.
【０００４】0004
しかし、このような構成の装置において、温度変化が生じた場合、バイアス磁 石４が発生するバイアス磁界の強さが変化する。すなわち、バイアス磁石４が有 する温度係数（例えば、−０．１９％／℃）により、温度変化でバイアス磁界が 変化する。これにより、磁気バブル素子３が受ける磁界の強さが変化する。 However, in a device with such a configuration, when a temperature change occurs, the bias magnet The strength of the bias magnetic field generated by the stone 4 changes. That is, if the bias magnet 4 is Due to the temperature coefficient (e.g. -0.19%/℃), the bias magnetic field changes with temperature change. Change. This changes the strength of the magnetic field that the magnetic bubble element 3 receives.
【０００５】 一方、磁気バブル素子３は、最適な磁気バブルを発生させるために必要なバイ アス磁界の強さが温度とともに変化するといった特性がある。この温度係数は、 上記の温度係数とは異なる値である（例えば、−０．２４％／℃）。[0005] On the other hand, the magnetic bubble element 3 has the necessary bias to generate optimal magnetic bubbles. It has the characteristic that the strength of the ass magnetic field changes with temperature. This temperature coefficient is It is a value different from the above temperature coefficient (for example, -0.24%/°C).
【０００６】 現在の構成では、常温（２５℃）でバイアス磁界を２５０Oeに設定してある。 ここで、温度が１０℃上昇すると、バイアス磁石４が発生する磁界は４．７５Oe 減少して２４５．２５Oeになる。また、磁気バブル素子３が要求する最適バイア ス磁界は６０Oe下がり、２４４Oeになる。[0006] In the current configuration, the bias magnetic field is set to 250 Oe at room temperature (25° C.). Here, if the temperature rises by 10°C, the magnetic field generated by the bias magnet 4 will be 4.75Oe. It decreases to 245.25 Oe. In addition, the optimum via required by the magnetic bubble element 3 The magnetic field decreases by 60 Oe to 244 Oe.
【０００７】 以上のことより、１．２５Oeのバイアス磁界の誤差が発生する。このため、安 定した磁気バブルの発生が妨げられ、回転磁界の安定した測定が困難になるとい った問題があった。[0007] As a result of the above, an error of 1.25 Oe in the bias magnetic field occurs. For this reason, cheap This may prevent the generation of stable magnetic bubbles and make stable measurement of rotating magnetic fields difficult. There was a problem.
【０００８】 本考案はこのような点に着目してなされたものであり、その目的は、磁気バブ ル素子に常時最適なバイアス磁界を与え続けることが可能な回転数検出器を提供 することにある。[0008] This invention was made with attention to these points, and its purpose is to create a magnetic bubble. Provides a rotation speed detector that can continuously apply an optimal bias magnetic field to the element. It's about doing.
【０００９】[0009]
上記課題を解決する本考案は、磁気バブルの移動を測定することにより測定対 象物の回転数を検出する回転数検出器において、 磁気バブルを発生する磁気バブル素子と、 磁気バブル素子にバイアス磁界を与えるため磁気バブル素子を挟むようにして 配置された一対のバイアス磁石と、 温度変化に起因して磁気バブル素子が要求するバイアス磁界の変化量に基づい て、一対のバイアス磁石の間隔を調整する調整手段とを備えたことを特徴とする ものである。 The present invention solves the above problems by measuring the movement of magnetic bubbles. In a rotation speed detector that detects the rotation speed of an object, a magnetic bubble element that generates magnetic bubbles; In order to apply a bias magnetic field to the magnetic bubble element, sandwich the magnetic bubble element. a pair of bias magnets arranged; Based on the amount of change in bias magnetic field required by the magnetic bubble element due to temperature changes and adjusting means for adjusting the spacing between the pair of bias magnets. It is something.
【００１０】0010
本考案において、磁気バブル素子の温度係数（温度変化に起因して磁気バブル 素子が要求するバイアス磁界の変化量）に対応してバイアス磁石間の間隔を変化 させるように構成したために、磁気バブル素子が常時最適なバイアス磁界を受け るようになる。従って、安定した磁気バブル発生が行え、安定かつ正確な回転数 検出が実現できる。 In this invention, the temperature coefficient of the magnetic bubble element (magnetic bubble due to temperature change) Change the spacing between bias magnets according to the amount of change in bias magnetic field required by the element Because the magnetic bubble element is configured to Become so. Therefore, stable magnetic bubble generation can be achieved, resulting in stable and accurate rotation speed. Detection can be achieved.
【００１１】[0011]
以下、図面を参照して本考案の実施例を詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
【００１２】 図１は本考案の一実施例の構成を示す構成図であり、図２は図１に示した構成 の装置の動作状態を詳細に示す説明図である。これらの図において、すでに説明 したものについては同一番号を付し、再度の説明は省略する。0012 FIG. 1 is a configuration diagram showing the configuration of an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a configuration diagram showing the configuration shown in FIG. 1. FIG. 2 is an explanatory diagram showing in detail the operating state of the device. In these figures, already explained The same numbers will be given to the same numbers, and repeated explanation will be omitted.
【００１３】 図１において、磁気バブル素子３は磁気バブルチップ固定板６上に配置されて いる。ベース支持体２ａにはガイドレール７が設けられており、バイアス磁石４ の一方が取り付けられた支持体８は自由に移動できるように構成されている。ま た、支持体８は、つめ９に一端が保持されたバイメタル５を介して、ベース支持 体２ａに対して取り付けられている。[0013] In FIG. 1, the magnetic bubble element 3 is placed on the magnetic bubble chip fixing plate 6. There is. A guide rail 7 is provided on the base support 2a, and a bias magnet 4 The support 8 to which one of the two is attached is configured to be freely movable. Ma In addition, the support body 8 is connected to the base support via the bimetal 5 whose one end is held by the pawl 9. It is attached to the body 2a.
【００１４】 周囲の温度変化に伴ないバイメタル５が屈曲すると、図２（ａ），（ｂ），（ ｃ）に示すように支持体８が上下に移動し、磁気バブル素子３を挟むバイアス磁 石４の間隔が変化する。[0014] When the bimetal 5 bends due to changes in ambient temperature, the As shown in c), the support body 8 moves up and down, and the bias magnet that sandwiches the magnetic bubble element 3 The spacing between stones 4 changes.
【００１５】 以下、動作を詳細に説明する。従来の装置では、温度が１０℃上昇すると、磁 気バブル素子が要求する最適バイアス磁界は１．２５Oe大きくなり、誤差を生じ ていた。[0015] The operation will be explained in detail below. In conventional equipment, when the temperature increases by 10°C, the magnetic The optimum bias magnetic field required by the air bubble element is 1.25 Oe larger, causing an error. was.
【００１６】 一方、バイアス磁石には、２つの磁石の間隔が変化すると、発生する磁界が変 化するという性質がある。その距離感度は、−０．０１％／μm である。現在、 常温（２５℃）でバイアス磁界は２５０Oeに設定してあるため、バイアス磁石の 間隔が１μm 大きくなると、磁界は０．０２５Oe減少する。[0016] On the other hand, with bias magnets, when the distance between the two magnets changes, the generated magnetic field changes. It has the property of becoming Its distance sensitivity is -0.01%/μm. the current, Since the bias magnetic field is set to 250 Oe at room temperature (25°C), the bias magnet When the spacing increases by 1 μm, the magnetic field decreases by 0.025 Oe.
【００１７】 以上のことより、温度が１０℃上昇した場合にバイアス磁石の間隔を５０μm 大きくすることで、磁気バブル素子３が受ける磁界は最適バイアス磁界に保たれ る。すなわち、バイアス磁石間の間隔を５μm ／℃の割合で変化させれば、磁気 バブル素子は温度が変化しても最適バイアス磁界を受け続けることになる。[0017] Based on the above, if the temperature increases by 10℃, the bias magnet spacing should be set to 50μm. By increasing the size, the magnetic field received by the magnetic bubble element 3 can be maintained at the optimum bias magnetic field. Ru. In other words, if the spacing between the bias magnets is changed at a rate of 5 μm/°C, the magnetic The bubble element will continue to receive the optimum bias magnetic field even if the temperature changes.
【００１８】 以上の動作を行わせるため、温度変化に伴うバイメタルの屈曲を利用して、支 持体９を上下に移動させるようにする。図２（ａ）は常温での状態を示し、図２ （ｂ）は高温での状態を示し、図２（ｃ）は低温での状態を示している。この場 合、バイメタル５の材質，寸法を選択することで、５μm ／℃の変化率になるよ うに設定する。[0018] In order to perform the above operation, the bending of the bimetal due to temperature changes is used to support the The holding body 9 is moved up and down. Figure 2(a) shows the state at room temperature, and Figure 2(a) shows the state at room temperature. 2(b) shows the state at high temperature, and FIG. 2(c) shows the state at low temperature. this place In this case, by selecting the material and dimensions of bimetal 5, a change rate of 5 μm/°C can be achieved. Set to
【００１９】 図３は本考案の他の実施例の構成を示す構成図である。ここでは、バイメタル の代わりに、温度変化により部材の大きさが変化する物質を利用した。すなわち 、温度変化部材１０を利用して支持体８を上下移動させるようにした。この場合 、支持体移動方向の体積変化が５μm ／℃の変化率になるように設定する。例え ば、熱膨張係数２．２×１０-5／℃のポリエチレン樹脂を使用すると、厚さ２２ ．７mmにすると良い。FIG. 3 is a block diagram showing the structure of another embodiment of the present invention. Here, instead of bimetal, we used a material whose size changes with temperature changes. That is, the temperature change member 10 is used to move the support body 8 up and down. In this case, the volume change in the direction of movement of the support is set at a rate of change of 5 μm/°C. For example, if a polyethylene resin with a coefficient of thermal expansion of 2.2×10 -5 /°C is used, the thickness will be 22. It is better to set it to 7mm.
【００２０】 以上のように、磁気バブル素子３の温度係数に対応してバイアス磁石間の間隔 を変化させるように構成したために、磁気バブル素子が常時最適なバイアス磁界 を受けるようになる。従って、安定した磁気バブル発生が行え、安定かつ正確な 回転数検出が実現できる。[0020] As described above, the distance between the bias magnets is determined according to the temperature coefficient of the magnetic bubble element 3. Because it is configured to change the magnetic bubble element, the magnetic bubble element always maintains the optimal bias magnetic field. will begin to receive Therefore, stable magnetic bubble generation is possible, and stable and accurate Rotation speed detection can be realized.
【００２１】[0021]
以上詳細に説明したように、本考案によれば、磁気バブル素子に常時最適なバ イアス磁界を与え続けることが可能な回転数検出器を実現することができる。 As explained in detail above, according to the present invention, the optimum bubble is always available for the magnetic bubble element. It is possible to realize a rotation speed detector that can continue to apply a magnetic field.
【図１】本考案の一実施例の構成を示す構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram showing the configuration of an embodiment of the present invention.
【図２】本考案の一実施例の動作状態をを示す説明図で
ある。FIG. 2 is an explanatory diagram showing the operating state of an embodiment of the present invention.
【図３】本考案の他の実施例にかかる装置の構成を示す
構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram showing the configuration of an apparatus according to another embodiment of the present invention.
【図４】従来例による測定状態を示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram showing a measurement state according to a conventional example.
２ａ ベース支持体 ３ 磁気バブル素子 ４ バイアス磁石 ５ バイメタル ６ 磁気バブル素子固定板 ７ ガイドレール ８ 支持体 ９ つめ 2a Base support 3 Magnetic bubble element 4 Bias magnet 5 Bimetal 6 Magnetic bubble element fixing plate 7 Guide rail 8 Support 9 nails
Claims (1)
測定対象物の回転数を検出する回転数検出器において、
磁気バブルを発生する磁気バブル素子と、磁気バブル素
子にバイアス磁界を与えるため磁気バブル素子を挟むよ
うにして配置された一対のバイアス磁石と、温度変化に
起因して磁気バブル素子が要求するバイアス磁界の変化
量に基づいて、一対のバイアス磁石の間隔を調整する調
整手段とを備えたことを特徴とする回転数検出器。Claim 1: A rotational speed detector that detects the rotational speed of an object to be measured by measuring the movement of magnetic bubbles, comprising:
A magnetic bubble element that generates magnetic bubbles, a pair of bias magnets arranged to sandwich the magnetic bubble element to provide a bias magnetic field to the magnetic bubble element, and changes in the bias magnetic field required by the magnetic bubble element due to temperature changes. A rotation speed detector comprising: adjusting means for adjusting the distance between the pair of bias magnets based on the amount of rotation.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2023591U JPH04115396U (en) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | rotation speed detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2023591U JPH04115396U (en) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | rotation speed detector |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04115396U true JPH04115396U (en) | 1992-10-13 |
Family
ID=31906350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023591U Pending JPH04115396U (en) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | rotation speed detector |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04115396U (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014224738A (en) * | 2013-05-16 | 2014-12-04 | アズビル株式会社 | Rotation angle detector |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5690213A (en) * | 1979-12-24 | 1981-07-22 | Nec Corp | Position detector |
-
1991
- 1991-03-29 JP JP2023591U patent/JPH04115396U/en active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5690213A (en) * | 1979-12-24 | 1981-07-22 | Nec Corp | Position detector |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014224738A (en) * | 2013-05-16 | 2014-12-04 | アズビル株式会社 | Rotation angle detector |
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