JPH04114329A - Semiconductor laser modulator - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To separately control the peak and bottom of an optical output and further to sharpen the rise and fall of the optical output by supplying a current from a controlled current source through a pair of semiconductor switches to a laser diode and a load having the forward voltage current characteristic of the laser diode. CONSTITUTION:The source of an FET transistor (TR) 23 holds the bottom of the non-inverted input terminal voltage of a comparator 22. The source of an FET TR 25 holds the peak of the inverted input terminal voltage of a comparator 24. Further, the forward voltage current characteristic of a serial circuit composed of diodes D1 and D2 and a resistor R27 is same as that of a laser diode LD. Then, an EFM signal is inputted through an inverter 32 to the base of a TR 30, and an EFM signal is inputted through inverters 32 and 33 to the base of a TR 31. Therefore, only one of the TR 30 and 31 is closed by the EFM signal. When the TR 30 is closed, the current to be supplied to the LD by a TR 29 is controlled so that the peak output of the LD can be a set value.

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ この発明は書き込み可能な光デイスク記録再生装置の半
導体レーザ変調器に係わり、特に、光出力の立上り立ち
下がりを急峻とするとともに、光出力のピークおよびボ
トムを別々に制御できる半導体レーザ変調器に関する。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Field of Application] This invention relates to a semiconductor laser modulator for a writable optical disk recording/reproducing device, and in particular, the present invention relates to a semiconductor laser modulator for a writable optical disk recording/reproducing device, and in particular, to make the rise and fall of the optical output steep, and to improve the optical output. This invention relates to a semiconductor laser modulator that can control peak and bottom separately.

［従来の技術］ 現在、レーザ光を用いて光ディスクに一回だけ書き込む
ことが可能な追記形（ＷＯ）の光デイスク記録再生装置
が知られている。[Prior Art] At present, write-once (WO) optical disc recording and reproducing apparatuses are known that are capable of writing on an optical disc only once using a laser beam.

その光デイスク記録再生装置では記録時にレーザ光をＥ
ＦＭ信号により変調し光ディスクに照射してビット列を
書き込み、再生時には、一定の低いパワーのレーザ光を
記録されたビット列に照射しビット列から反射されるレ
ーザ光を電流に変換して記録が再生される。The optical disk recording and reproducing device uses laser light to emit E during recording.
A bit string is written by modulating it with an FM signal and irradiating it onto an optical disk. During playback, a laser beam of a certain low power is irradiated onto the recorded bit string, and the laser light reflected from the bit string is converted into an electric current to reproduce the recording. .

このような光デイスク記録再生装置に用いられるレーザ
ダイオードは周囲温度の変化あるいは長時間の使用によ
るレーザダイオード自体の発熱によりその温度が変化す
ると、電流・出力特性が変化してしまい、単に、供給電
流を制御するだけでは所定のレーザ出力を得ることがで
きない。When the temperature of the laser diode used in such optical disk recording and reproducing devices changes due to changes in ambient temperature or heat generation of the laser diode itself due to long-term use, the current/output characteristics change, and the supply current simply changes. It is not possible to obtain a predetermined laser output by simply controlling the .

そこでレーザダイオードに近接して受光素子、例えば、
フォトダイオードを配置し、この受光素子がレーザダイ
オードから発射されるレーザ光を受光して流れる電流が
一定となるようにレーザダイオードに供給する電流を制
御していた。Therefore, a light receiving element, e.g.
A photodiode was arranged, and the current supplied to the laser diode was controlled so that the current flowing when the photodiode received the laser light emitted from the laser diode was constant.

このような従来のレーザ駆動回路の例を第２図に示す。An example of such a conventional laser drive circuit is shown in FIG.

図において、１はマイクロコンピュータであり、レーザ
ダイオード（ＬＤ）のコントロール信号ＬＤＣおよびＲ
ＥＣを出力する。In the figure, 1 is a microcomputer that controls laser diode (LD) control signals LDC and R.
Output EC.

２はレーザダイオード（ＬＤ）に電流を供給するトラン
ジスタであり、コレクタは十電源に接続され、エミッタ
は抵抗Ｒ１を介してレーザダイオード（ＬＤ）のアノー
ドに接続されている。Reference numeral 2 denotes a transistor that supplies current to the laser diode (LD), the collector of which is connected to a power source, and the emitter connected to the anode of the laser diode (LD) via a resistor R1.

７はトランジスタ２のベース電流を供給する定電流源で
あり、これから供給される電流はトランジスタ２のベー
ス、抵抗Ｒ３およびトランジスタ８のコレクタに流れる
電流に分かれる。Reference numeral 7 denotes a constant current source that supplies the base current of the transistor 2, and the current supplied from this source is divided into currents flowing to the base of the transistor 2, the resistor R3, and the collector of the transistor 8.

トランジスタ８のエミッタはグランドに接続されており
、またベースは夫々抵抗を介して、グランドとマイクロ
コンピュータ１のＬＤＣ出力端子に接続されている。The emitter of the transistor 8 is connected to the ground, and the base is connected to the ground and the LDC output terminal of the microcomputer 1 through respective resistors.

抵抗Ｒ３はトランジスタ６のコレクタに接続され、トラ
ンジスタ６のエミッタは一電源に１妾続され、トランジ
スタ６のベースは抵抗を介して演算増幅器４の出力端子
に接続されている。The resistor R3 is connected to the collector of the transistor 6, the emitter of the transistor 6 is connected to one power supply, and the base of the transistor 6 is connected to the output terminal of the operational amplifier 4 via the resistor.

レーザダイオード（ＬＤ）のレーザ光を受光するフォト
ダイオード（ＰＤ）のカソードはグランドに接続され、
アノードは可変抵抗器ＶＲ２と可変抵抗器ＶＲ３の並列
回路を介して一電源に接続されている。また、可変抵抗
器ＶＲ３とフォトダイオード（ＰＤ）のアノード間には
アナログスイッチ３が接続されており、アナログスイッ
チ３はマイクロコンピュータ１のＲＥＣ出力がＬのとき
閉じられＨのとき開かれる。The cathode of the photodiode (PD) that receives the laser light from the laser diode (LD) is connected to ground.
The anode is connected to one power source through a parallel circuit of a variable resistor VR2 and a variable resistor VR3. Further, an analog switch 3 is connected between the variable resistor VR3 and the anode of the photodiode (PD), and the analog switch 3 is closed when the REC output of the microcomputer 1 is L and opened when the REC output is H.

フォトダイオード（ＰＤ）のアノードはさらに抵抗Ｒ２
とコンデンサＣ１の直列回路を介して一電源に接続され
、抵抗Ｒ２とコンデンサＣ１の接続点は演算増幅器４の
非反転入力端子に接続されている。演算増幅器４の反転
入力端子と一電源間には定電圧源５が接続されている。The anode of the photodiode (PD) is further connected to a resistor R2.
The connection point between the resistor R2 and the capacitor C1 is connected to the non-inverting input terminal of the operational amplifier 4. A constant voltage source 5 is connected between the inverting input terminal of the operational amplifier 4 and one power source.

抵抗Ｒ１とレーザダイオード（ＬＤ）の接続点にはトラ
ンジスタ１１のコレクタが＃続され、トランジスタ１１
のエミッタは抵抗を介してグランドに、また、ベースは
抵抗を介して可変抵抗器■Ｒ１の分圧点に接続されてい
る。The collector of the transistor 11 is connected to the connection point between the resistor R1 and the laser diode (LD).
The emitter is connected to the ground via a resistor, and the base is connected via a resistor to the voltage dividing point of the variable resistor R1.

可変抵抗器ＶＲＩはグランドとトランジスタ１０のエミ
ッタ間に接続されている。Variable resistor VRI is connected between ground and the emitter of transistor 10.

トランジスタ１０のコレクタは十電源に、また、ベース
は抵抗を介してノアゲート９の出力端子に接続されてい
る。The collector of the transistor 10 is connected to the power supply, and the base is connected to the output terminal of the NOR gate 9 via a resistor.

ノアゲート９の入力としてマイクロコンピュータ１のＲ
ＥＣおよびＬＤＣ出力と記録時のデータ（ＥＦＭ信号）
が入力される。R of microcomputer 1 as input of Noah gate 9
EC and LDC output and data during recording (EFM signal)
is input.

上記回路において、再生時にはマイクロコンピュータ１
のＲＥＣ出力はＨとなりＬＤＣ出力はＬとなる。従って
、ノアゲート９の出力はＬとなり、トランジスタ１０お
よび１１はオフとなり、トランジスタ２のエミッタ電流
はトランジスタ１１に分流されることなく、レーザダイ
オード（ＬＤ）に流れる。また、アナログスイッチ３は
開かれており、トランジスタ８はオフとなっている。In the above circuit, during playback, the microcomputer 1
The REC output becomes H and the LDC output becomes L. Therefore, the output of NOR gate 9 becomes L, transistors 10 and 11 are turned off, and the emitter current of transistor 2 flows to the laser diode (LD) without being shunted to transistor 11. Further, the analog switch 3 is open and the transistor 8 is off.

レーザダイオード（ＬＤ）は電流に応じた出力のレーザ
光を発光し、それを受光するフォトダイオード（ＰＤ）
はレーザ光出力に応じた電流を可変抵抗器ＶＲ２に流す
。A laser diode (LD) emits laser light with an output corresponding to the current, and a photodiode (PD) receives the laser light.
causes a current corresponding to the laser light output to flow through the variable resistor VR2.

可変抵抗器ＶＲ２に流れる電流により生じる電圧は演算
増幅器４の非反転入力端子に加えられてその電圧が定電
圧源５の電圧に等しくなるように演算増幅器４の出力端
子電圧が調整される。The voltage generated by the current flowing through the variable resistor VR2 is applied to the non-inverting input terminal of the operational amplifier 4, and the output terminal voltage of the operational amplifier 4 is adjusted so that the voltage becomes equal to the voltage of the constant voltage source 5.

演算増幅器４の出力端子電圧はトランジスタ６のコレク
タ電流を調整し、従って、抵抗Ｒ３に分流される電流を
調整する。The output terminal voltage of operational amplifier 4 regulates the collector current of transistor 6 and thus the current shunted to resistor R3.

このようにして、再生時にレーザダイオード（ＬＤ）の
出力が可変抵抗器ＶＲ２により設定される一定出力とな
るようにレーザダイオード（ＬＤ）に供給される電流が
制御される。In this way, the current supplied to the laser diode (LD) is controlled so that the output of the laser diode (LD) during reproduction becomes a constant output set by the variable resistor VR2.

記録時にはマイクロコンピュータ１のＲＥＣ出力はＬと
なりＬＤＣ出力はＬとなる。During recording, the REC output of the microcomputer 1 becomes L and the LDC output becomes L.

従って、アナログスイッチ３は閉じられており、トラン
ジスタ８はオフとなっている。Therefore, analog switch 3 is closed and transistor 8 is turned off.

また、ノアゲート９の出力は記録データ（ＥＦＭ′信号
）のＨまたはＬに応じてしまたはＨとなり、トランジス
タ１ｏおよび１１を介して抵抗Ｒ１に流れる電流を分流
し、レーザダイオード（ＬＤ）の電流をデユーティ比０
．５のＥＦＭ信号で変調させる。In addition, the output of the NOR gate 9 becomes H or H depending on whether the recording data (EFM' signal) is H or L, and the current flowing to the resistor R1 is shunted through the transistors 1o and 11, and the current of the laser diode (LD) is diverted. Duty ratio 0
．． It is modulated with the EFM signal of 5.

このとき、レーザダイオード（ＬＤ）のボトム電流は可
変抵抗器ＶＲＩにより調整される。At this time, the bottom current of the laser diode (LD) is adjusted by the variable resistor VRI.

レーザダイオード（ＬＤ）は電流に応じた出力のレーザ
光を発光し、それを受光するフォトダイオード（ＰＤ）
はレーザ光出力に応じた電流を可変抵抗器ＶＲ２および
ＶＨ２に流す。A laser diode (LD) emits laser light with an output corresponding to the current, and a photodiode (PD) receives the laser light.
causes a current corresponding to the laser light output to flow through variable resistors VR2 and VH2.

可変抵抗器ＶＲ２およびＶＨ２に流れる電流により生じ
る電圧は、抵抗Ｒ２とコンデンサＣ１の平滑回路により
直流成分が取り出され、演算増幅器４の非反転入力端子
に加えられる。A DC component of the voltage generated by the current flowing through the variable resistors VR2 and VH2 is extracted by a smoothing circuit including a resistor R2 and a capacitor C1, and is applied to the non-inverting input terminal of the operational amplifier 4.

演算増幅器４の非反転入力端子の電圧が定電圧源５の電
圧に等しくなるように演算増幅器４の出力端子電圧が調
整される。The output terminal voltage of the operational amplifier 4 is adjusted so that the voltage at the non-inverting input terminal of the operational amplifier 4 becomes equal to the voltage of the constant voltage source 5.

演算増幅器４の出力端子電圧はトランジスタ６のコレク
タ電流を調整し、従って、抵抗Ｒ３に分流される電流を
調整する。The output terminal voltage of operational amplifier 4 regulates the collector current of transistor 6 and thus the current shunted to resistor R3.

このようにして、記録時にレーザダイオード（ＬＤ）の
平均出力が可変抵抗器ＶＲ２と可変抵抗器ＶＲ３により
設定される一定出力となるようにレーザダイオード（Ｌ
Ｄ）に供給される電流が制御される。In this way, the laser diode (LD) is adjusted such that the average output of the laser diode (LD) during recording becomes a constant output set by the variable resistor VR2 and the variable resistor VR3.
D) The current supplied to D) is controlled.

記録または再生でないときは、ＬＤＣ信号がＨとなり、
トランジスタ８によりトランジスタ２のベース電流がカ
ットされ、レーザダイオード（ＬＤ）に電流が供給され
ない。When not recording or playing, the LDC signal becomes H,
The base current of transistor 2 is cut by transistor 8, and no current is supplied to the laser diode (LD).

［発明が解決しようとする課ＩＪｉ］ 上記した従来の回路ではレーザの強弱の発光量の平均値
を検出して制御しているためレーザ出力のピークボトム
を各々別々に制御することができなかっな、一方、レー
ザ出力のピークボトムを各々の光ディスクにｉ＆適に合
わせることが望まれる。[Issues to be solved by the invention] In the conventional circuit described above, the peak and bottom of the laser output cannot be controlled separately because the average value of the intensity and weakness of the laser is detected and controlled. On the other hand, it is desirable to suitably match the peak and bottom of the laser output to each optical disc.

この発明は上記問題点を解決するためになされたもので
あって、光出力のピークおよびボトムを別々に制御でき
、しかも光出力の立上り立ち下がりを急峻とするととも
にピークボトムでのレーザ出力が安定しな半導体レーザ
変調器を提供することを目的とする。This invention was made to solve the above problems, and it is possible to control the peak and bottom of the optical output separately, and also makes the rise and fall of the optical output steep and stabilizes the laser output at the peak and bottom. The object of the present invention is to provide a semiconductor laser modulator with a high efficiency.

［課題を解決するための手段］ この発明の半導体レーザ変調器は、制御された＠、電流
源ら１対の半導体スイッチを介してレーザダイオードと
レーザダイオードの順方向電圧を流特性を持つ負荷に電
流を供給し、変調信号に応じて前記１対の半導体スイッ
チの１方を交互に閉じるように構成したものである。[Means for Solving the Problems] The semiconductor laser modulator of the present invention connects a laser diode and a forward voltage of the laser diode to a load having current characteristics through a pair of semiconductor switches including a controlled current source. The structure is such that a current is supplied and one of the pair of semiconductor switches is alternately closed in accordance with a modulation signal.

また、レーザ発光量を強弱に切り換えるレーザ変調器に
おいて、第１の電流源からインダクタを介してレーザダ
イオードに常時電流を供給し、第２の電流源からレーザ
発光量を強とするときのみレーザダイオードに電流を供
給するように構成したものである。In addition, in a laser modulator that switches the intensity of laser emission between strong and weak levels, a first current source constantly supplies current to the laser diode via an inductor, and a second current source supplies current to the laser diode only when the intensity of laser emission is increased. It is configured to supply current to.

また、レーザ発光量を強弱に切り換えるレーザ変調器に
おいて、レーザ発光量のピーク値を検出してホールドす
るピークホールド回路と、レーザ発光量のボトム値を検
出してホールドするボトムホールド回路と、レーザダイ
オードに常時電流を供給する第１の電流源と、レーザ発
光量を強とするときのみレーザダイオードに電流を供給
する第２の電流源とを供え、前記ピークホールド回路の
出力が設定値となるように第２の電流源の供給電流を制
御し、前記ボトムホールド回路の出力が設定値となるよ
うに第１の電流源の供給電流を制御するように構成した
ものである。In addition, in a laser modulator that switches the laser emission amount between strong and weak, there is a peak hold circuit that detects and holds the peak value of the laser emission amount, a bottom hold circuit that detects and holds the bottom value of the laser emission amount, and a laser diode. A first current source that constantly supplies current to the laser diode, and a second current source that supplies current to the laser diode only when the amount of laser light emission is set to be strong, are provided so that the output of the peak hold circuit becomes a set value. The current supplied by the second current source is controlled so that the output of the bottom hold circuit becomes a set value.

［作用コ 制御された電流源から供給される電流は一対の半導体ス
イッチのいずれか一方を通してレーザダイオードとレー
ザダイオードの順方向電圧電流特性を持つ負荷との一方
に流されるので電流源の負荷が一定であり、電流源から
レーザダイオードに流す電流を一定にすることができる
。[Action] The current supplied from the controlled current source is passed through one of the pair of semiconductor switches to either the laser diode or the load that has the forward voltage and current characteristics of the laser diode, so the load on the current source remains constant. Therefore, the current flowing from the current source to the laser diode can be made constant.

また、レーザダイオードに常時電流を流す第１の電流源
はインダクタを通してレーザダイオードに電流を供給し
ているので、第２の電流源からレーザダイオードに断続
的に電流を供給することによりレーザダイオードの順方
向電圧が変動しても第１の電流源がレーザダイオードに
流す電流の変動は小さくなる。Furthermore, since the first current source that constantly supplies current to the laser diode supplies current to the laser diode through the inductor, the order of the laser diode can be changed by intermittently supplying current to the laser diode from the second current source. Even if the directional voltage varies, the variation in the current that the first current source causes to flow through the laser diode becomes small.

また、レーザダイオードに常時電流を流す第１の電流源
はレーザ発光量のボトム値が設定値となるように制御さ
れ、レーザ発光量を強とするときのみレーザダイオード
に電流を供給する第２の電流源はレーザ発光量のピーク
値が設定値となるように制御されるので、レーザ発光量
のピークボトムを夫々任意の設定値に制御することがで
きる。In addition, the first current source that constantly supplies current to the laser diode is controlled so that the bottom value of the laser emission amount becomes the set value, and the second current source supplies current to the laser diode only when the laser emission amount is set to be strong. Since the current source is controlled so that the peak value of the amount of laser light emission becomes the set value, the peak bottom of the amount of laser light emission can be controlled to an arbitrary set value.

［実施例］ 以下、この発明の実施例を図面を参照して説明する。[Example] Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第１図はこの発明を追記型（ＷＯ＞光デイスク記録再生
装置の半導体レーザ変調器に適用した実施例を示す回路
図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment in which the present invention is applied to a semiconductor laser modulator of a write-once optical disk recording/reproducing device.

レーザダイオード（ＬＤ）は電流に応じた出力のレーザ
光を発光し、それを受光するフォトダイオード（ＰＤ）
はレーザ光出力に応じた電流を流す。A laser diode (LD) emits laser light with an output corresponding to the current, and a photodiode (PD) receives the laser light.
flows a current according to the laser light output.

演算増幅器２０は電圧電流変換器を構成しており、フォ
トダイオード（ＰＤ）に流れる電流は帰還抵抗Ｒ２０を
介して演算増幅器２０の出力端子側に流れ、抵抗Ｒ２０
の一端と接続された演算増幅器２０の反転入力端子の電
圧は、電源電圧が抵抗分割された非反転入力端子の電圧
と等しくなるように演算増幅器２０の出力電圧が調整さ
れる。The operational amplifier 20 constitutes a voltage-current converter, and the current flowing to the photodiode (PD) flows to the output terminal side of the operational amplifier 20 via the feedback resistor R20.
The output voltage of the operational amplifier 20 is adjusted so that the voltage at the inverting input terminal of the operational amplifier 20 connected to one end of the operational amplifier 20 becomes equal to the voltage at the non-inverting input terminal obtained by dividing the power supply voltage by resistance.

すなわち、演算増幅器２０は帰還抵抗Ｒ２０に流れ込む
ｉＳ流を反転して電圧に変換し、そのゲインは半固定可
変抵抗器ＶＲ４により調整される。That is, the operational amplifier 20 inverts the iS current flowing into the feedback resistor R20 and converts it into a voltage, the gain of which is adjusted by the semi-fixed variable resistor VR4.

また、帰還抵抗Ｒ２０と並列接続されたコンデンサＣ２
０は演算増幅器２０の出力からノイズ成分を除去しホオ
トダイオード（ＰＤ）により検出したＥＦＭ信号は除去
しないようにその容量が決められている。Also, a capacitor C2 connected in parallel with the feedback resistor R20
The capacitance of 0 is determined so that noise components are removed from the output of the operational amplifier 20, but the EFM signal detected by the photodiode (PD) is not removed.

演算増幅器２０の出力は演算増幅器２１により入力抵抗
Ｒ２１と帰還抵抗Ｒ２２との抵抗比で反転増幅されて演
算増幅器２１の出力端子に現れる。The output of the operational amplifier 20 is inverted and amplified by the operational amplifier 21 according to the resistance ratio of the input resistor R21 and the feedback resistor R22, and appears at the output terminal of the operational amplifier 21.

比較器２２の非反転入力端子は演算増幅器２１の出力端
子と接続されており、比較器２２とＦＥＴトランジスタ
２３はその入力のボトム値をホールドするボトムホール
ド回路を構成している。The non-inverting input terminal of the comparator 22 is connected to the output terminal of the operational amplifier 21, and the comparator 22 and the FET transistor 23 constitute a bottom hold circuit that holds the bottom value of its input.

比較器２２はオープンコレクタの出力端子を有し、その
出力トランジスタのコレクタはＦＥＴトランジスタ２３
のゲートに接続され、エミッタは一電源に接続されてい
る。The comparator 22 has an open collector output terminal, and the collector of the output transistor is connected to the FET transistor 23.
The emitter is connected to one power supply.

ＦＥＴｌ−ランジスタ２３のソースは比較器２２の反転
入力端子と接続され、また、抵抗Ｒ２４を介して一電源
に接続されている。The source of the FETl transistor 23 is connected to the inverting input terminal of the comparator 22, and is also connected to a power source via a resistor R24.

＋電源と一電源との間に直列接続された抵抗Ｒ２３とコ
ンデンサＣ２２との直列回路は比較器２２の入力変動に
対して大きい時定数のＣＲ回路を形成しており、コンデ
ンサＣ２２の＋側端子がＦＥＴトランジスタ２３のゲー
トに接続されている。A series circuit of a resistor R23 and a capacitor C22 connected in series between the + power supply and the other power supply forms a CR circuit with a large time constant against input fluctuations of the comparator 22, and the + side terminal of the capacitor C22 is connected to the gate of the FET transistor 23.

比較器２２の非反転入力端子電圧が低くなると、反転入
力端子の電圧がそれと等しくなるまで出力トランジスタ
は閉じられコンデンサＣ２２の充電電荷を吸い込む。When the voltage at the non-inverting input terminal of comparator 22 becomes low, the output transistor is closed and sinks the charge on capacitor C22 until the voltage at the inverting input terminal becomes equal to it.

従って、ＦＥＴトランジスタ２３のゲート電圧は低くな
り、ＦＥＴトランジスタ２３のソース電流は減少し、ソ
ース電圧は低下する。Therefore, the gate voltage of FET transistor 23 becomes low, the source current of FET transistor 23 decreases, and the source voltage decreases.

ＦＥＴトランジスタ２３のソース電圧が比較器２２の反
転入力端子電圧に等しくなるまで低下すると比較器２２
の出力トランジスタは開き、コンデンサＣ２２は抵抗Ｒ
２３により代かに充電されながら充電電荷を保持する。When the source voltage of the FET transistor 23 decreases until it becomes equal to the inverting input terminal voltage of the comparator 22, the comparator 22
The output transistor of is open and the capacitor C22 is connected to the resistor R
23, it retains the charge while being charged instead.

このようにして、ＦＥＴトランジスタ２３のソースは比
較器２２の非反転入力端子電圧のボトムをホールドする
。In this way, the source of FET transistor 23 holds the bottom of the non-inverting input terminal voltage of comparator 22.

比較器２４の反転入力端子は演算増幅器２１の出力端子
と接続されており、比較器２４とＦＥＴトランジスタ２
５はその入力のピーク値をホールドするピークホールド
回路を構成している。The inverting input terminal of the comparator 24 is connected to the output terminal of the operational amplifier 21, and the comparator 24 and the FET transistor 2
5 constitutes a peak hold circuit that holds the peak value of the input.

比較器２４はオープンコレクタの出力端子を有し、その
出力トランジスタのコレクタは十電源と接続され、エミ
ッタはＦＥＴトランジスタ２５のゲートに接続されてい
る。The comparator 24 has an open collector output terminal, the collector of which is connected to the power supply, and the emitter is connected to the gate of the FET transistor 25.

ＦＥＴトランジスタ２５のソースは比較器２４の非反転
入力端子と接続され、また、抵抗Ｒ２６を介して一電源
に接続されている。The source of the FET transistor 25 is connected to the non-inverting input terminal of the comparator 24, and is also connected to a power source via a resistor R26.

ＦＥＴトランジスタ２５のゲートとグランド間に接続さ
れたコンデンサＣ２３とＦＥＴトランジスタ２５のゲー
トと一電源間に接続された抵抗Ｒ２５は比較器２４の入
力変動に対して大きい時定数のＣＲ回路を形成している
。A capacitor C23 connected between the gate of the FET transistor 25 and the ground and a resistor R25 connected between the gate of the FET transistor 25 and one power supply form a CR circuit with a large time constant against input fluctuations of the comparator 24. There is.

比較器２４の反転入力端子電圧が高くなると、非反転入
力端子の電圧がそれと等しくなるまで出力トランジスタ
は閉じられコンデンサＣ２３は充電される。As the voltage at the inverting input terminal of comparator 24 increases, the output transistor is closed and capacitor C23 is charged until the voltage at the non-inverting input terminal is equal to it.

従って、ＦＥＴトランジスタ２５のゲート電圧は高くな
り、ＦＥＴトランジスタ２５のソース電流は増大し、ソ
ース電圧は高くなる。Therefore, the gate voltage of FET transistor 25 increases, the source current of FET transistor 25 increases, and the source voltage increases.

ＦＥＴトランジスタ２５のソース電圧が比較器２４の非
反転入力端子電圧に等しくなるまで高くなると比較器２
４の出力トランジスタは開き、コンデンサＣ２３は抵抗
Ｒ２５により僅かに放電されながら充電電荷を保持する
。When the source voltage of the FET transistor 25 increases until it becomes equal to the non-inverting input terminal voltage of the comparator 24, the comparator 2
The output transistor No. 4 is opened, and the capacitor C23 retains the charged charge while being slightly discharged by the resistor R25.

このようにして、ＦＥＴトランジスタ２５のソースは比
較器２４の反転入力端子電圧のピークをホールドする。In this manner, the source of FET transistor 25 holds the peak of the inverting input terminal voltage of comparator 24.

ＦＥＴ）ランジスタ２３のソースにホールドされたレー
ザダイオードのボトム出力に対応する電圧は演算増幅器
２６の非反転入力端子に加えられて設定電圧と比較され
て差動増幅される。The voltage corresponding to the bottom output of the laser diode held at the source of the transistor (FET) transistor 23 is applied to the non-inverting input terminal of the operational amplifier 26, compared with a set voltage, and differentially amplified.

また、その設定電圧は士電源とグランド間に抵抗を介し
て接続された半固定可変抵抗器ＶＲ５の中間接続子から
取り出され、抵抗を介して演算増幅器２６の反転入力端
子に印加される。Further, the set voltage is taken out from the intermediate connector of a semi-fixed variable resistor VR5 connected between the power supply and the ground via a resistor, and is applied to the inverting input terminal of the operational amplifier 26 via the resistor.

演算増幅器２６の出力端子は抵抗を介してトランジスタ
２８のベースに接続されており、トランジスタ２８のエ
ミッタは抵抗を介して十電源に、また、コレクタはコイ
ルＬ１を介してレーザダイオード（ＬＤ）のアノードに
接続されている。The output terminal of the operational amplifier 26 is connected to the base of a transistor 28 via a resistor, the emitter of the transistor 28 is connected to a power supply via a resistor, and the collector is connected to an anode of a laser diode (LD) via a coil L1. It is connected to the.

このようにして、トランジスタ２８によりレーザダイオ
ード（ＬＤ）に供給する電流はレーザダイオード（ＬＤ
）のボトム出力が設定値となるように制御される。In this way, the current supplied to the laser diode (LD) by the transistor 28 is
) is controlled so that the bottom output becomes the set value.

ＦＥＴトランジスタ２５のソースにホールドされなレー
ザダイオードのビーク甜力に対応する電圧は演算増幅器
２７の非反転入力端子に加えられて設定電圧と比較され
て差動増幅される。A voltage corresponding to the peak power of the laser diode held at the source of the FET transistor 25 is applied to the non-inverting input terminal of the operational amplifier 27, compared with a set voltage, and differentially amplified.

また、その設定電圧はコントロール端子３４から抵抗を
介して演算増幅器２７の反転入力端子に印加される。Further, the set voltage is applied from the control terminal 34 to the inverting input terminal of the operational amplifier 27 via a resistor.

演算増幅器２７の出力端子は抵抗を介してトランジスタ
２９のベースに接続されており、トランジスタ２９のエ
ミッタは抵抗を介して十電源に、また、コレクタはトラ
ンジスタ３０のエミッタにトランジスタ３０のコレクタ
はレーザダイオード（ＬＤ）のアノードに接続されてい
る。The output terminal of the operational amplifier 27 is connected to the base of a transistor 29 through a resistor, the emitter of the transistor 29 is connected to a power supply through the resistor, the collector is connected to the emitter of a transistor 30, and the collector of the transistor 30 is connected to a laser diode. (LD) is connected to the anode.

トランジスタ２９のコレクタはさらにトランジスタ３１
のエミッタに接続されトランジスタ３１のコレクタはダ
イオードＤ１およびＤ２と抵抗Ｒ２７の直列回路を介し
てグランドに接続されている。ダイオードＤ１およびＤ
２と抵抗Ｒ２７の直列回路の順方向電圧を流特性はレー
ザダイオード（ＬＤ）のそれと同じである。The collector of transistor 29 is further connected to transistor 31.
The collector of transistor 31 is connected to ground through a series circuit of diodes D1 and D2 and resistor R27. Diodes D1 and D
The forward voltage and current characteristics of the series circuit of R2 and resistor R27 are the same as those of a laser diode (LD).

トランジスタ３０のベースにはインバータ３２を介して
ＥＦＭ信号が入力され、トランジスタ３１のベースには
インバータ３２およびインバータ３３を介してＥＦＭ信
号が入力される。An EFM signal is input to the base of the transistor 30 via an inverter 32, and an EFM signal is input to the base of the transistor 31 via an inverter 32 and an inverter 33.

従って、トランジスタ３０と３１はＥＦＭ信号によりそ
の一方のみが閉じられる。Therefore, only one of transistors 30 and 31 is closed by the EFM signal.

トランジスタ３０が閉じられたとき、トランジスタ２９
によりレーザダイオード（ＬＤ）に供給する電流はレー
ザダイオードのピーク出力が設定値となるように演算増
幅器２７により制御される。When transistor 30 is closed, transistor 29
The current supplied to the laser diode (LD) is controlled by the operational amplifier 27 so that the peak output of the laser diode becomes a set value.

［発明の効果コ 以上、説明したようにこの発明の半導体レーザ変調器に
よれば、光出力のピークおよびボトムを別々に制御でき
夫々のＣＤＷＯディスクに光出力を合わせることができ
る。[Effects of the Invention] As explained above, according to the semiconductor laser modulator of the present invention, the peak and bottom of the optical output can be controlled separately, and the optical output can be matched to each CDWO disc.

光出力の立上り立下りの速度は半導体スイッチの動作速
度により決まり、動作速度の速い半導体スイッチを使用
することにより光出力の立上り立下りを急峻とし、ディ
スクのビットエツジを急峻とすることができる。The rising and falling speed of the optical output is determined by the operating speed of the semiconductor switch, and by using a semiconductor switch with a fast operating speed, the rising and falling speed of the optical output can be made steep, and the bit edge of the disk can be made steep.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第１図はこの発明を追記型（ＷＯ）光ディスク記録再生
装Ｍの半導体レーザ変調器に適用した実施例を示す回路
図、第２図は従来の半導体レーザ変調器の例を示す回路
図である。 ２０．２１・・・演算増幅器、２２・・・比較器、２３
・・・ＦＥＴトランジスタ、２４・・・比較器、２５・
・・ＦＥＴトランジスタ、２６．２７・・・演算増幅器
。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment in which the present invention is applied to a semiconductor laser modulator of a write-once (WO) optical disk recording/reproducing device M, and FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of a conventional semiconductor laser modulator. . 20.21... operational amplifier, 22... comparator, 23
...FET transistor, 24... Comparator, 25.
...FET transistor, 26.27... operational amplifier.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 １、制御された電流源から１対の半導体スイッチを介し
てレーザダイオードとレーザダイオードの順方向電圧電
流特性を持つ負荷に電流を供給し、変調信号に応じて前
記１対の半導体スイッチの１方を交互に閉じるように構
成した半導体レーザ変調器。 ２、レーザ発光量を強弱に切り換えるレーザ変調器にお
いて、第１の電流源からインダクタを介してレーザダイ
オードに常時電流を供給し、第２の電流源からレーザ発
光量を強とするときのみレーザダイオードに電流を供給
するように構成したレーザ変調器 ３、レーザ発光量を強弱に切り換えるレーザ変調器にお
いて、レーザ発光量のピーク値を検出してホールドする
ピークホールド回路と、レーザ発光量のボトム値を検出
してホールドするボトムホールド回路と、レーザダイオ
ードに常時電流を供給する第１の電流源と、レーザ発光
量を強とするときのみレーザダイオードに電流を供給す
る第２の電流源とを供え、前記ピークホールド回路の出
力が設定値となるように第２の電流源の供給電流を制御
し、前記ボトムホールド回路の出力が設定値となるよう
に第１の電流源の供給電流を制御するように構成した半
導体レーザ変調器。[Claims] 1. A current is supplied from a controlled current source to a laser diode and a load having forward voltage and current characteristics of a laser diode through a pair of semiconductor switches, A semiconductor laser modulator configured to alternately close one side of a semiconductor switch. 2. In a laser modulator that switches the intensity of laser emission to weak, the first current source constantly supplies current to the laser diode via the inductor, and the laser diode is switched only when the second current source makes the laser emission intensity strong. The laser modulator 3 is configured to supply current to the laser beam, and the laser modulator switches the intensity of laser emission between strong and weak levels.The laser modulator 3 has a peak hold circuit that detects and holds the peak value of the laser emission amount, and a peak hold circuit that detects and holds the peak value of the laser emission amount. Provided with a bottom hold circuit that detects and holds, a first current source that constantly supplies current to the laser diode, and a second current source that supplies current to the laser diode only when the amount of laser light emission is set to be strong, The supply current of the second current source is controlled so that the output of the peak hold circuit becomes a set value, and the supply current of the first current source is controlled so that the output of the bottom hold circuit becomes a set value. A semiconductor laser modulator configured as follows.