JPH04111513A

JPH04111513A - 内蔵型ｌｃフィルタ及びその製造方法

Info

Publication number: JPH04111513A
Application number: JP22964090A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Hayashi; 洋志林; Shozo Otomo; 大友　省三; Susumu Nishigaki; 進西垣
Original assignee: Narumi China Corp
Current assignee: Narumi China Corp
Priority date: 1990-08-30
Filing date: 1990-08-30
Publication date: 1992-04-13

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、電子機器の信号通過回路、電源回路等におい
て高周波のノイズフィルタとして用いられる。内蔵型Ｌ
Ｃフィルタに関する。

〔従来技術〕

第３図に示すごと＜、ＬＣフィルタ９は、ディスク状の
コンデンサ９３に配設された一方の電極部９１に、一対
の信号ラインのリード端子９５９６が接続されている。

また、コンデンサ９３の反対側の他方の電極（図示略）
には、アース端子９４が接続されている。上記ＬＣフィ
ルタ９は３本の端子を有するため、３端子型のＬＣフィ
ルタと称されている。

そして、上記リード端子９５．９６には、インダクタン
スを高めるために、フェライトビーズ９８が挿嵌されて
いる。また、上記コンデンサ９３及び電極部９１には、
絶縁体のオーバーコート層（図示せず）が被覆されてい
る。

上記３端子型のＬＣフィルタ９は、第４図に示すごとく
、コンデンサＣと、一対のインダクタＬ８．Ｌ２をＴの
字状に接続した等価回路８１を有している。そして　上
記インダクタし、は一端に入力端子５を有し、上記イン
ダクタＬ２は他端に出力端子６を有している。また、上
記コンデンサＣはアース端子７に接続されている。

〔解決しようとする課題〕

しかしながら、上記従来技術には１次の問題点がある。

即ち、従来のＬＣフィルタ９は、リード端子９５．９５
にフェライトビーズ９８を挿嵌しているため、異種材料
の組合わせにより製造せざるを得す高価となる。また、
上記フェライトビーズ９８の挿嵌により形状が大きくな
るため７回路基板等に実装するに当たって大きな実装ス
ペースを必要とする。そのため＋ｉｉｔ子部品の小型化
の要求に対応できない。

一方、第５図に示すごとく、上記ＬＣフィルタ９（従来
例１とする。鎖線で示すもの）は、そのノイズ減衰特性
が、一つの減衰極２を有する単純な減衰曲線によって示
されている。そして、このＬＣフィルタ９は　フェライ
ト９８を挿嵌しないタイプ（従来例２とする。１点鎖線
で示したもの）に比較して減衰量は増加しているが、減
衰幅（有効周波数領域）は余り増大していない、そのた
め、上記ＬＣフィルタ９は１幅広い周波数領域。

例えば５００Ｍ〜ＩＧにおいては、使用できないことに
なる。

本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので
、二基上の減衰極と広い減衰幅とからなる減衰曲線で示
される特性を有し２かつコンパクトな内蔵型のＬＣフィ
ルタ及びその製造方法を提供しようとするものである。

〔課題の解決手段〕

本発明は、高誘電体層の片面に渦巻状のインダクタ導体
層を、また他面に渦巻状のコンデンサ導体層を形成し、
更にこれらの両側に絶縁体層を積層し、かつこれらは一
体的に焼成してなり、また上記インダクタ導体層には入
力端子、出力端子を。

また上記コンデンサ導体層にはアース端子を設けたこと
を特徴とする内蔵型ＬＣフィルタにある（第１発明）。

本第１発明において最も注目すべきことは、先ず高誘電
体層の片面に渦巻状のインダクタ導体層を、また他面に
渦巻状のコンデンサ導体層とを形成し、更にこれらの両
側に絶縁導体層を積層し。

かつこれらは一体的に焼成して、内蔵型としたことにあ
る。

上記インダクタ導体層は、信号を通過させる導体層であ
る。

そして、これらインダクタ導体層、コンデンサ導体層は
１例えば高誘電体層の表面に、厚膜印刷等により形成す
る。

また、インダクタ導体層とコンデンサ導体層は高誘電体
層の両側に位置させれば良い。それ故。

両導体層は一方を高誘電体層上に形成し、他方を絶縁体
層上に形成し、高誘電体層の両側に両導体層が位置する
ように積層することもできる（第１図参照）。

上記絶縁体層としては、１０００°Ｃ以下で焼結可能な
セラミック、結晶化ガラス、アルミナ等セラミックーガ
ラス複合体等により構成するものがある。

また、上記インダクタ導体層及びコンデンサ導体層と入
力端子、出力端子、アース端子とは、それぞれスルーホ
ール、導体回路等の導体を介して。

電気的に接続されている。

また、上記内蔵型のＬＣフィルタを製造する方法として
は、絶縁体層形成用生成形体の表面に低電気抵抗の金属
粉末を含有する第１ペーストを印刷し、また高誘電体層
形成用生成形体の上に低電気抵抗の金属粉末を含有する
第２ペーストを印刷し、絶縁体層形成用生成形体の上に
高誘電体層形成用生成形体を重ね、更にその上に絶縁体
層を載置し、これらを積層した状態において同時焼成す
ることを特徴とする内蔵型ＬＣフィルタの製造方法があ
る（第２発明）。

また、上記製造方法においては、インダクタ導体層、コ
ンデンサ導体層には、低電気抵抗の金属粉末を含有する
ペーストを印刷する。上記金属粉末としては、銀、金、
銀・パラジウム、ｔＡなどがある。

また、上記絶縁体層形成用生成形体は５前記絶縁体層の
材料を１種又は２種以上含有するもので構成する。また
、その厚みは１００〜４００μｍとすることが好ましい
。また、上記高誘電体層形成用生成形体には複合ペロブ
スカイト等を用いることが好ましい。また、その厚みは
３０〜１００μｍとすることが好ましい。

また５第２発明において、上記第１ペースト印刷部分と
第２ペースト印刷部分とは、共に渦巻き状に形成しであ
ることが好ましい。

また、上記第１ペースト印刷部分と第２ペースト印刷部
分とは、一方をインダクタ導体層とし。

他方をコンデンサ導体層とし、他方をコンデンサ導体層
とする。

［作用及び効果］第１発明にかかるＬＣフィルタにおいては、高誘電体層
を挟んで対向する上記両溝体層によりコンデンサを形成
し、かつこの間に発生する浮遊（分布）容量を積極的に
利用している。そしてこれにより、２つ以上の減衰極を
設け１例えば２０ｄＢ以上の減衰帯域を幅広くすること
ができる（第５図、実線）。

それ故、従来のフェライトのごとき異種材料を必要とせ
ず９部品点数が少ない、チップ型ＬＣフィルタが得られ
る。

即ち、上記インダクタ導体層とコンダクタ導体層との両
溝体層は、絶縁体層の間に配置された状態にある。それ
故、該ＬＣフィルタをコンパクト化することができる。

また、上記両溝体層は絶縁体層内に内蔵されているため
、外気に直接触れることがない。そのため、該Ｌｃフィ
ルタは信転性に優れる。

また５上記インダクタ導体層とコンデンサ導体層は、高
誘電体層を介在させて配置されている。

そのため、該高誘電体層の厚み、材質を変えることによ
り、コンデンサ容量を増減調整し、ＬＣフィルタ全体の
容量、ノイズ減衰特性を任意に設定することができる。

また、上記両溝体層は渦巻き状に形成しであるので、大
きなインダクタンス値及び分布容量を得ることができる
。

これにより、二辺上の減衰極と広い減衰幅とからなる減
衰曲線で示される特性を有する。ＬＣフィルタを構成す
ることができる。

したがって、第１発明によれば、二辺上の減衰極と広い
減衰幅とからなる減衰曲線で示される特性を有し、コン
パクトなＬＣフィルタを提供することができる。

また、上記第２発明の場合においては、比較的低温１例
えば８００°Ｃ〜１０００°Ｃで同時焼成（一体化焼成
）することができ、製造容易である。

また９本第２発明によれば、第１発明と同様の効果の他
、低温焼成が可能な各種の材料を使用することができる
。

〔実施例］第１実施例第１発明の実施例にがかるＬＣフィルタにつき。

第１図及び第２図を用いて説明する。

即ち１本例の内蔵型のＬＣフィルタは、第１図に示すご
とく、高誘電体層４の片面４１に渦巻状のインダクタ導
体層１２を形成し、該高誘電体層４の下側に位置する絶
縁体３３の上面に渦巻状のコンデンサ導体層１３を形成
し、更に高誘電体層４の上側に絶縁体層３２．３３を積
層してなる。

また、該絶縁体層３１の表面には入力端子５と出力端子
６とアース端子７とを有する。また、これらは一体的に
焼成してなる。

また、上記インダクタ導体層１２には、入力端子５と出
力端子６とをその両端に接続し、また上記コンデンサ導
体層１３にはアース端子７を接続する。

即ち、上記入力端子５は、絶縁体層３１上の端部に配設
した電極部５１に形成する。また、出力端子６は、上記
電極部５１とは反対側の端部に配設した電極部６１に形
成する。また、アース端子７は、上記電極部５１．６１
の中間に配設した電極部７１に形成する。

そして、上記出力端子６は、上記高誘電体層４上に形成
した渦巻状のインダクタ導体層１２の一端部１２１に電
極部６１，６２．６３を介して導体１により接続する。

また、上記インダクタ導体層１２の他端部１２２は、ス
ルーホール４０及び絶縁体層３２上のスルーホール３２
１．ｉｉ極部５２を介して、導体１により入力端子５に
接続する。

上記アース端子７は、電極部７１〜７４を介して導体２
により、絶縁体層３３上に形成したコンデンサ導体層１
３に接続する。

上記高誘電体層４は、誘電率が約５０．０の複合ペロブ
スカイトＰ　ｂ　（Ｆ　ｅｌｙｓ　　・Ｎｂｚ７：＋　
）　Ｏｓ　、　　（Ｆ　ｅ＋／ｚ　　ＨＷ＋／２　）○
、とガラスにより構成する。また、上記インダクタ導体
１ｉｉ１２は、銀（Ａｇ）の微粉末を含存するペースト
を印刷して形成しである。

また、絶縁体層は、誘電率７．７のガラス・アルミナ複
合材を用いた。上記コンデンサ導体層１３は、銀（Ａｇ
）の微粉末を含有するペーストを印刷して渦巻状に形成
しである。

そして、これらは積層され、−・体層に焼成されて内蔵
型のＬＣフィルタを構成している。該ＬＣフィルタは、
上記インダクタ導体層１２及びコンデンサ導体層１３を
絶縁体層３１，３２．３３の基板中に内蔵した構造のも
のである。また、該ＬＣフィルタは、第２図に示すごと
く１両端部に入力端子５と出力端子６とを有するインダ
クタ導体り、、一端部にアース端子７を有するコンデン
サ導体Ｌ４と、コンデンサＣとよりなる等価回路８２を
有する。

次に１作用効果につき説明する。

本例のＬＣフィルタにおいては、高誘電体層４を挟んで
対向する上記インダクタ導体層１２及びコンダクタ導体
層１３によりコンデンサを形成し。

かつこの間に発生する浮遊容量を積極的に利用している
。

これにより、第５図に実線で示すごとく、２つ以上の減
衰帯域を幅広く（例えば、１００Ｍ〜ＩＧに拡大）する
ことができる。

また、入力信号を渦巻の中心から入れることにより、イ
ンピーダンスのスムーズな立ち上がりが可能となり、よ
り優れたノイズ除去効果を発揮する。

また、高誘電体層の厚みは、１００μｍを越えるとイン
ピーダンスの立ち上がりが悪くなり、良好なノイズ除去
効果を得難い。

したがって９本例のＬＣフィルタは、２つの減衰極Ｘ、
Ｙと、広い減衰幅とからなる減衰曲線で示される特性を
有することになる。それ故、該ＬＣフィルタは、広い周
波数領域（１００Ｍ〜ＩＧ）において使用することがで
きる。

また、従来のフェライトのごとき異種材料を必要とせず
１部品点数が少ない、チップ型ＬＣフィルタが得られる
。

また、上記各層をチップ化しているため、ＬＣフィルタ
全体をコンパクト化することができる。

したがって、実装に当たり大きな実装スペースを必要と
せず、電子部品の小型化の要求に対応することができる
。

また、上記両道体層は絶縁体層内に内蔵されているため
、外気に直接触れることがない、そのため、該ＬＣフィ
ルタは信転性に優れる。

また、上記インダクタ導体層１２とコンデンサ導体層１
３とは、高誘電体層４を介在させ、積層している。その
ため、高誘電体層の厚み、材料を替えることにより、コ
ンデンサＣの容量を増減することにより、減衰域の周波
数帯を調整し、ノイズ減衰特性を任意に設定することが
できる。

さらに、高誘電体層は、１００μｍ以下の厚みであるが
、内蔵されているのでＬＣフィルターとして十分な強度
を有している。

また、上記導体層１２及び１３は渦巻き状に形成しであ
るので、インダクタンス値を大きくとることができる。

第２実施例本例にがかるＬＣフィルタの製造方法につき第１図を用
いて説明する。

即ち、まず、絶縁体層形成用生成形体３３の表面に低電
気抵抗の金属粉末としての銀（Ａｇ）粉末を含有する第
１ペーストを印刷する。次に、高誘電体層形成用生成形
体４の上に低電気抵抗の金属粉末としての銀（Ａｇ）粉
末を含有する第２ペーストを印刷する。また、絶縁体層
形成用生成形体３２の上に、！極部５２形成用の銀ペー
ストを印刷する。

そして、これらを同図に示すごとく順次積層し。

更にその上に絶縁体層形成用生成形体３１を載置する。

なお、該絶縁体層形成用生成形体３１上には、入力端子
５．出力端子６．アース端子７を形成するための銀ペー
ストを印刷しておく。

その後、これら積層物を同時焼成して、内蔵型のＬＣフ
ィルタを得る。

上記絶縁体層形成用生成形体３１．３２　３３は、　Ａ
１２０３　　Ｓ　ｉ　Ｏｘ　　Ｃａ　ＯＢｚ　Ｏｘから
なる９　００　’Ｃで焼成できる材料を用い５厚さ約１
００μｍのグリーンテープにして構成する。

また、上記第１及び第２ペーストは、第１図に示すごと
く、厚膜印刷法により渦巻状に印刷する。

また、上記高誘電体層形成用生成形体４は、複合ペロプ
スカイトからなる９００℃で焼成できる材料を用い、厚
さ約１１００ａのグリーンテープにして構成する。

上記ペロブスカイトは、一般式ＡＢＯ，の組成で表され
、単位格子中、陽イオンＡは立方体の隅を占め、陽イオ
ンＢは体心、また陰イオンである０は面心に位置する構
造をもっている。そして。

複合ペロプスカイトは、上記Ｂの位置を価数の異なる陽
イオン（Ｆｅ”、Ｎｂ”、Ｗ”等）カ占メる１例えばＰ
ｂ（Ｆｅ＋ｚ、・Ｗ＋ｙｚ　）０３の構造を有する。

また、これら積層物は、焼成温度約８９０″Ｃで。

０．５時間同時焼成する。

本例によれば、上記第１実施例にががる内蔵型のＬＣフ
ィルタを、比較的低温で同時焼成することができる。

また、上記第１実施例と同様の効果を得ることができる
。特に１本例によれば、比較的低温で同時焼成できる材
料５例えば上記銀、複合ペロプスカイトを用いて５内蔵
型のＬＣフィルタを容品に製造することができる。

また１以上の実施例においては、導体パターンは主とし
て渦巻き状のベタパターンを示したが容量調整、Ｌ値調
整のため、上記導体パターンをジグザグ状などに変形す
ることも可能である。

【図面の簡単な説明】第１図及び第２図は本発明の実施例を示し、第１図はＬ
Ｃフィルタの展開斜視図、第２図はＬＣフィルタの等価
回路図、第３図〜第５図は従来例を示し、第３図ば３端
子型のＬＣフィルタの正面図、第４図は従来のＬＣフィ
ルタの等価回路図。第５図はＬＣフィルタの減衰曲線図である。１．２．、、導体。１２、、、　インダクタ導体層。１３、、、　　コンデンサ導体層。３１〜３３．、、絶縁体層。４１０．高誘電体層。５０１．入力端子６９１．出力端子。７１０．アース端子

Claims

【特許請求の範囲】

（１）高誘電体層の片面に渦巻状のインダクタ導体層を
、また他面に渦巻状のコンデンサ導体層を形成し、更に
これらの両側には絶縁体層を積層し、かつこれらは一体
的に焼成してなり、また上記インダクタ導体層には入力
端子と出力端子とを設け、また上記コンデンサ導体層に
はアース端子を設けたことを特徴とする内蔵型ＬＣフィ
ルタ。
（２）絶縁体層形成用生成形体の表面に低電気抵抗の金
属粉末を含有する第１ペーストを印刷し、また高誘電体
層形成用生成形体の上に低電気抵抗の金属粉末を含有す
る第２ペーストを印刷し、絶縁体層形成用生成形体の上
に高誘電体層形成用生成形体を重ね、更にその上に絶縁
体層を載置し、これらを積層した状態において同時焼成
することを特徴とする内蔵型ＬＣフィルタの製造方法。
（３）第２請求項において、上記第１ペースト印刷部分
と第２ペースト印刷部分とは、共に渦巻状に形成してあ
ることを特徴とする内蔵型ＬＣフィルタの製造方法。
（４）第２請求項において、上記第１ペースト印刷部分
と第２ペースト印刷部分とは、一方をインダクタ導体層
とし、他方をコンデンサ導体層とすることを特徴とする
内蔵型ＬＣフィルタの製造方法。